技术特征：
1.一种闪存存储器，其特征在于，包含：基底；两个栅极结构，设置于该基底上，各该栅极结构包含浮置栅极和控制栅极，该控制栅极设置在该浮置栅极上；抺除栅极，设置在该两个栅极结构之间；以及两条字符线，设置在该基底上，其中该两条字符线之一条设置在该两个栅极结构的其中一个的一侧，其中该两条字符线之另一条设置在该两个栅极结构的另一个的一侧，各该字符线的上表面包含第一凹面和尖角，该尖角靠近其所在的该字符线的侧壁，该侧壁远离该两个栅极结构，并且该尖角和该第一凹面相连。2.如权利要求1所述的闪存存储器，其中该尖角指向远离该基底的方向。3.如权利要求1所述的闪存存储器，其中该控制栅极的上表面包含第二凹面。4.如权利要求3所述的闪存存储器，其中该第二凹面低于各该栅极结构的上表面。5.如权利要求1所述的闪存存储器，其中该第一凹面低于各该栅极结构的上表面。6.如权利要求1所述的闪存存储器，另包含：绝缘层设置在该基底和该两条字符线之间、该基底和该两个栅极结构之间、各该栅极结构和该抺除栅极之间、该控制栅极和该浮置栅极之间以及各该字符线和各该栅极结构之间。7.如权利要求1所述的闪存存储器，另包含：源极线，设置在该抺除栅极正下方的该基底中；以及两条位线，分别设置在各该字符线一侧的该基底中。8.一种闪存存储器的制作方法，包含：提供基底，其中两个栅极结构设置于该基底上；形成导电层顺应地覆盖该两个栅极结构和该基底，其中该导电层包含第一山形轮廓、第二山形轮廓、第一平坦轮廓和第二平坦轮廓，该第一山形轮廓连接该第二山形轮廓，该第一平坦轮廓在该第一山形轮廓的一侧，该第二平坦轮廓在该第二山形轮廓的一侧，该第一山形轮廓和该第二山形轮廓各自覆盖该两个栅极结构的其中之一个，该第一平坦轮廓和该第二平坦轮廓覆盖该基底，该第一山形轮廓和该第二山形轮廓各自包含山顶和两个斜坡；形成牺牲层顺应地覆盖该导电层；进行第一各向异性蚀刻制作工艺，以去除位于该第一山形轮廓的该山顶上、该第二山形轮廓的该山顶上以及位于该第一平坦轮廓和该第二平坦轮廓上的该牺牲层，并且保留位于该第一山形轮廓的该两个斜坡上以及该第二山形轮廓的该两个斜坡上的该牺牲层；以及在该第一各向异性蚀刻制作工艺之后，进行第二各向异性蚀刻制作工艺蚀刻该导电层以及该牺牲层直到完全移除该第一平坦轮廓和该第二平坦轮廓。9.如权利要求8所述的闪存存储器的制作方法，另包含：在移除该第一平坦轮廓和该第二平坦轮廓之后，完全移除剩余的该牺牲层。10.如权利要求8所述的闪存存储器的制作方法，其中在该第二各向异性蚀刻制作工艺之后，剩余的该导电层分成三个不相连的导电块，该三个导电块分别作为两条字符线和抺除栅极，各该字符线分别位于该抺除栅极的两侧。11.如权利要求10所述的闪存存储器的制作方法，另包含：在形成该导电层之前，形成源极线于该两个栅极结构之间的该基底中；以及
形成两条位线各自位于各该字符线远离该抺除栅极一侧的该基底中。12.如权利要求10所述的闪存存储器的制作方法，其中各该字符线的上表面各自包含凹面和尖角，该尖角位远离该两个栅极结构，并且该尖角和该凹面相连。13.如权利要求8所述的闪存存储器的制作方法，其中该导电层的厚度介于500埃至1500埃之间，该牺牲层的厚度介于30埃至300埃之间。14.如权利要求8所述的闪存存储器的制作方法，其中该牺牲层包含氧化硅或氮化硅。15.如权利要求8所述的闪存存储器的制作方法，其中该第一平坦轮廓的上表面、该第二平坦轮廓的上表面和该基底的上表面彼此平行。16.如权利要求8所述的闪存存储器的制作方法，其中在该第二各向异性蚀刻制作工艺之后，各该栅极结构的上表面曝露出来。
技术总结
本发明公开一种闪存存储器及其制作方法，其中该闪存存储器包含一基底，两个栅极结构设置于基底上，各个栅极结构包含一浮置栅极和一控制栅极，控制栅极设置在浮置栅极上，一抺除栅极设置在两个栅极结构之间，两条字符线分别设置在两个栅极结构的一侧，其中各个字符线的上表面各自包含一第一凹面和一尖角，尖角靠近其所在的字符线的一侧壁，侧壁远离各个栅极结构，并且尖角和第一凹面相连。并且尖角和第一凹面相连。并且尖角和第一凹面相连。
技术研发人员：高小娟 任驰
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司
技术研发日：2021.01.22
技术公布日：2022/7/29