显示基板、其制作方法及显示装置与流程

1.本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板、其制作方法及显示装置。


背景技术：

2.目前，人们对显示产品的全面显示要求越来越高，全面显示及窄边框已成为显示产品的趋势。
3.显示面板通常包括显示区和位于显示区外围用于布线的扇形(fanout)区。扇形区的宽度直接决定了显示面板边框的宽度。为了缩减扇形区的宽度，业界开发了一种双层金属的布线方式，每一金属层设置有多条信号走线，由于工艺的影响，导致顶层金属层的信号走线之间的间距大于底层金属层的信号走线之间的间距，从而顶层金属层的信号走线之间的间距决定扇形区的宽度，进一步限制了显示面板的窄边框设计。


技术实现要素：

4.本发明实施例提供的一种显示基板，包括衬底基板，所述衬底基板具有扇形区；
5.所述显示基板包括依次形成于所述衬底基板上的第一金属层、平坦层和第二金属层；所述平坦层在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述扇形区在所述衬底基板上的正投影；在所述扇形区，所述平坦层中最远离所述衬底基板的表面具有到所述衬底基板所在水平面的距离最大的最高点和到所述衬底基板所在水平面的距离最小的最低点，所述最高点和所述最低点到所述衬底基板所在水平面的距离差值小于或等于1000埃；
6.所述第一金属层包括位于所述扇形区的多条第一金属走线，所述第二金属层包括位于所述扇形区的多条第二金属走线，所述第一金属走线在所述衬底基板上的正投影与所述第二金属走线在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
7.可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述最高点和所述最低点到所述衬底基板所在水平面的距离相等。
8.可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，还包括位于所述第一金属层和所述平坦层之间的第一绝缘层，所述第一绝缘层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述衬底基板。
9.可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，还包括位于所述平坦层和所述第二金属层之间的第二绝缘层，所述第二绝缘层在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述扇形区在所述衬底基板上的正投影。
10.可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述平坦层的厚度大于所述第一金属层的厚度。
11.可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述第一金属走线的宽度与所述第二金属走线的宽度相同，相邻所述第一金属走线之间的间隙宽度与相邻所述第二金属走线之间的间隙宽度相同。
12.可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述第一金属走线在所述衬底
基板上的正投影与所述第二金属走线在所述衬底基板上的正投影完全重叠。
13.可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述衬底基板还具有位于所述扇形区一侧的显示区，所述第一金属层包括位于所述显示区的栅极，所述第二金属层包括位于所述显示区的源极和漏极；
14.所述平坦层在所述衬底基板上的正投影还覆盖所述显示区在所述衬底基板上的正投影，所述第二绝缘层在所述衬底基板上的正投影还覆盖所述显示区在所述衬底基板上的正投影；
15.所述显示基板还包括：位于所述第二绝缘层和所述第二金属层之间的第一透明导电层，位于所述第二金属层背离所述衬底基板一侧的钝化层，以及位于所述钝化层背离所述衬底基板一侧的第二透明导电层；
16.所述第一透明导电层与所述漏极电连接，所述第二透明导电层包括位于所述显示区的多条透明信号线，所述第一透明导电层在所述衬底基板上的正投影与所述多条透明信号线在所述衬底基板上的正投影交叠。
17.可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述衬底基板还具有位于所述扇形区和所述显示区之间的过孔区，所述第一金属层包括位于所述过孔区的第一转接电极，所述第二金属层包括位于所述过孔区的第二转接电极；
18.所述平坦层在所述衬底基板上的正投影还覆盖部分所述过孔区在所述衬底基板上的正投影，所述第二绝缘层在所述衬底基板上的正投影还覆盖部分所述过孔区在所述衬底基板上的正投影；
19.所述第二透明导电层包括位于所述过孔区的多条透明走线；
20.部分所述透明走线通过依次贯穿所述钝化层、所述第二绝缘层、所述平坦层和所述第一绝缘层的过孔与所述第一转接电极电连接；
21.部分所述透明走线通过贯穿所述钝化层的过孔与所述第二转接电极电连接。
22.相应地，本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法，包括：
23.提供衬底基板；所述衬底基板具有扇形区；
24.在所述衬底基板上形成第一金属层；其中，所述第一金属层包括位于所述扇形区的多条第一金属走线；
25.在所述第一金属层背离所述衬底基板一侧形成平坦层；其中，所述平坦层在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述扇形区在所述衬底基板上的正投影；在所述扇形区，所述平坦层中最远离所述衬底基板的表面具有到所述衬底基板所在水平面的距离最大的最高点和到所述衬底基板所在水平面的距离最小的最低点，所述最高点和所述最低点到所述衬底基板所在水平面的距离差值小于或等于1000埃；
26.在所述平坦层背离所述衬底基板一侧形成第二金属层；其中，所述第二金属层包括位于所述扇形区的多条第二金属走线，所述第一金属走线在所述衬底基板上的正投影与所述第二金属走线在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
27.可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述在所述第一金属层背离所述衬底基板一侧形成平坦层之前，还包括：
28.形成位于所述第一金属层和所述平坦层之间的第一绝缘层；所述第一绝缘层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述衬底基板。
29.可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述在所述第一金属层背离所述衬底基板一侧形成平坦层，具体为：
30.在所述第一金属层背离所述衬底基板一侧形成厚度大于所述第一金属层厚度的平坦层。
31.可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在形成所述平坦层之后，且在形成所述第二金属层之前，还包括：
32.形成位于所述平坦层和所述第二金属层之间的第二绝缘层；其中，所述第二绝缘层在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述扇形区在所述衬底基板上的正投影。
33.可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，形成所述多条第一金属走线，具体包括：
34.在所述第一金属层背离所述衬底基板一侧涂覆第一光刻胶层；
35.对所述第一光刻胶层进行曝光、显影，形成所述多条第一金属走线；
36.形成所述多条第二金属走线，具体包括：
37.在所述第二金属层背离所述衬底基板一侧涂覆第二光刻胶层；
38.对所述第二光刻胶层进行曝光、显影，形成与所述多条第一金属走线相对应的所述多条第二金属走线。
39.相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述显示基板。
40.本发明实施例的有益效果如下：
41.本发明实施例提供的一种显示基板、其制作方法及显示装置，通过在第一金属层和第二金属层之间设置平坦层，且平坦层在衬底基板上的正投影至少覆盖扇形区在衬底基板上的正投影，在扇形区，平坦层中最远离衬底基板的表面具有到衬底基板所在水平面的距离最大的最高点和到衬底基板所在水平面的距离最小的最低点，最高点和最低点到衬底基板所在水平面的距离差值小于或等于1000埃；这样平坦层面向第二金属层的表面是较平坦的，因此在平坦层上沉积的第二金属层也是较平坦的，后续在对第二金属层采用光刻胶工艺进行构图形成多条第二金属走线时，可以保证扇形区的光刻胶厚度均一，可以提高第二金属层的第二金属走线的制作精度，从而可以形成与第一金属走线的宽度和间距均相同的第二金属走线。因此本发明的方案中第一金属层和第二金属层对应的扇形区的金属走线刻蚀分辨率可以相同，从而可以减小扇形区的布线空间，进一步实现窄边框。
附图说明
42.图1为相关技术中显示基板的结构示意图；
43.图2为本发明实施例提供的一种显示基板的俯视示意图；
44.图3为图2中沿cc’方向的一种截面示意图；
45.图4为图2中沿cc’方向的又一种截面示意图；
46.图5为图2中沿cc’方向的又一种截面示意图；
47.图6为本发明实施例提供的一种显示基板的制作方法流程示意图；
48.图7为本发明实施例提供的又一种显示基板的制作方法流程示意图；
49.图8为本发明实施例提供的又一种显示基板的制作方法流程示意图；
50.图9为本发明实施例提供的又一种显示基板的制作方法流程示意图；
51.图10为本发明实施例提供的又一种显示基板的制作方法流程示意图；
52.图11a-图11f为图5对应的显示基板在执行每一制作步骤之后的结构示意图；
53.图12为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
54.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
55.除非另外定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
56.需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
57.随着显示技术的发展，显示产品需要以窄边框设计来实现完美的视觉效果。下边框金属走线为连接显示面板有效显示区域与驱动芯片的周边电路，叫做扇形区(fanout)信号线，因此需要减小扇形区的线宽(line)和线间距(space)来减小fanout占用面积，从而实现窄边框。其中线宽与线间距的和叫作fanout pitch。
58.现有的扇形区排线设计使用两层金属重叠制作扇形区来减小扇形区信号线排布空间，如图1所示，包括衬底基板1’，位于衬底基板1’层叠设置的第一金属层2’和第二金属层3’，第一金属层2’和第二金属层3’之间具有绝缘层4’，第一金属层2’通过采用光刻胶工艺曝光显影刻蚀形成多条第一金属走线21’。但是在第二金属层3’上制作金属走线时，首先在第二金属层3’上涂覆光刻胶层5’，由于绝缘层4’的不平坦，导致第二金属层3’也不平坦，因此涂覆在第二金属层3’上的光刻胶层5’的厚度不均匀，使得曝光均一性变差，影响第二金属层3’的第二金属走线的制作精度。例如在实际生产中，在保证金属走线不发生open与short不良的情况下，第一金属层2’的第一金属走线21’可以将line制作为2.5μm，space制作为2.5μm，fanout pitch为5.0μm，但受工艺影响，第二金属层3’只能将space做到3.0μm，fanout pitch为5.5μm。若想使第二金属层3’的fanout pitch与第一金属层2’的fanout pitch相同以进一步实现窄边框设计，则第二金属层3’的line需要制作为2.0um，则line open风险较大，所以第二金属层3’需要把设计pitch变为5.5um。因此，fanout pitch大小受限于第二金属层3’的分辨率影响，只能制作为5.5μm，从而影响显示面板的窄边框设计。
59.有鉴于此，本发明实施例提供的一种显示基板，如图2和图3所示，图2为显示基板
的俯视示意图，图3为图2中沿cc’方向的截面示意图，该显示基板包括：衬底基板1，衬底基板1具有扇形区b1；
60.显示基板包括依次形成于衬底基板1上的第一金属层2、平坦层6和第二金属层3；平坦层6在衬底基板1上的正投影至少覆盖扇形区b1在衬底基板1上的正投影；在扇形区b1，平坦层6中最远离衬底基板1的表面具有到衬底基板1所在水平面的距离最大的最高点和到衬底基板1所在水平面的距离最小的最低点，最高点和最低点到衬底基板1所在水平面的距离差值小于或等于1000埃，以保证平坦层6中远离衬底基板1表面的平坦度；
61.第一金属层2包括位于扇形区b1的多条第一金属走线21，第二金属层3包括位于扇形区b1的多条第二金属走线31，第一金属走线21在衬底基板1上的正投影与第二金属走线31在衬底基板1上的正投影至少部分重叠；具体地，图2中仅示意出位于扇形区b1的多条第二金属走线31，位于扇形区b1的多条第一金属走线21位于第二金属走线31的下方。
62.本发明实施例提供的上述显示基板，通过在第一金属层2和第二金属层3之间设置平坦层6，且平坦层6在衬底基板1上的正投影至少覆盖扇形区b1在衬底基板1上的正投影，在扇形区b1，平坦层6中最远离衬底基板1的表面具有到衬底基板1所在水平面的距离最大的最高点和到衬底基板1所在水平面的距离最小的最低点，最高点和最低点到衬底基板1所在水平面的距离差值小于或等于1000埃；这样平坦层6面向第二金属层3的表面是较平坦的，因此在平坦层6上沉积的第二金属层3也是较平坦的，后续在对第二金属层3采用光刻胶工艺进行构图形成多条第二金属走线31时，可以保证扇形区b1的光刻胶厚度均一，可以提高第二金属层3的第二金属走线31的制作精度，从而可以形成与第一金属走线21的宽度和间距均相同的第二金属走线31。因此本发明的方案中第一金属层2和第二金属层3对应的扇形区b1的金属走线刻蚀分辨率可以相同，从而可以减小扇形区b1的布线空间，进一步实现窄边框。
63.在一种优选的实施例中，平坦层中最远离衬底基板的表面中的最高点和最低点到衬底基板所在水平面的距离相等。相等是指最高点和最低点到衬底基板所在水平面的距离之差在误差范围内，例如最高点到衬底基板所在水平面的距离与最低点到衬底基板所在水平面的距离差值小于或等于100埃。
64.在具体实施时，平坦层的材料可以为有机树脂材料，例如聚酰亚胺，但不限于此。
65.在具体实施时，由于平坦层的材料一般为有机材料，有机材料和金属层之间的附着力较差，后续制作的膜层容易脱离衬底基板，因此在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图4所示，还包括位于第一金属层2和平坦层6之间的第一绝缘层4，第一绝缘层4在衬底基板1上的正投影覆盖衬底基板1。具体地，第一绝缘层4可以采用氮化硅sinx、氧化硅siox或sinx/siox的复合层，第一绝缘层4可以提高后续制作的膜层与衬底基板1之间的附着力。
66.在具体实施时，一方面由于平坦层与金属层之间的附着力较差，另一方面由于有机材料的平坦层存在particle，影响器件性能，因此在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图5所示，还包括位于平坦层6和第二金属层3之间的第二绝缘层7，第二绝缘层7在衬底基板1上的正投影至少覆盖扇形区b1在衬底基板1上的正投影。具体地，第二绝缘层7可以采用氮化硅sinx、氧化硅siox或sinx/siox的复合层。
67.在具体实施时，为了进一步保证平坦层表面的平坦度，在本发明实施例提供的上
述显示基板中，如图3-图5所示，平坦层6的厚度需要大于第一金属层2的厚度，平坦层6的具体厚度根据实际需要进行选择，对此不作限定。
68.在具体实施时，由于在第一金属层和第二金属层之间设置平坦度较好的平坦层，因此采用光刻胶曝光显影刻蚀工艺在第二金属层制作第二金属走线时，可以形成与第一金属走线的宽度和间距均相同的第二金属走线，因此在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图3-图5所示，第一金属走线21的宽度d1与第二金属走线31的宽度d2相同，可以为2.5μm；相邻第一金属走线21之间的间隙宽度w1与相邻第二金属走线31之间的间隙宽度w2相同，可以为2.5μm。因此第一金属层2和第二金属层3对应的扇形区b1的金属走线刻蚀分辨率可以相同，从而减小扇形区b1的布线空间，进一步实现窄边框。
69.在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图3-图5所示，第一金属走线21在衬底基板1上的正投影与第二金属走线31在衬底基板1上的正投影完全重叠。即第一金属走线21和第二金属走线31两者的中心线在显示基板的厚度方向上重合。当然，第一金属走线21和第二金属走线31在衬底基板1上的正投影完全重叠为优选方案，在其他实施方式中，两者只要部分重叠设置即可实现缩减边框的效果，只是正投影完全重叠设置，能使得缩短窄边框效果为最优。
70.在具体实施时，本发明实施例提供的显示基板可以为oled显示屏的显示基板，也可以为lcd显示屏的显示基板，本发明实施例以上述显示基板为lcd显示屏的显示基板为例进行说明。具体的以图5所示的结构为例对显示基板中其它区域的膜层结构进行详细说明，图3和图4中与图5中相同的膜层结构参照图5的示意。
71.在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图2和图5所示，衬底基板1还具有位于扇形区b1一侧的显示区aa，第一金属层2包括位于显示区aa的栅极22，第二金属层3包括位于显示区aa的源极32和漏极33；具体地，该显示基板还包括位于第二绝缘层7与源极32和漏极33之间的有源层11，栅极22、有源层11、源极32和漏极33构成显示区aa中的驱动晶体管；
72.为了提高显示区aa制作的器件性能，本发明实施例提供的平坦层6在衬底基板1上的正投影还覆盖显示区aa在衬底基板1上的正投影，以提高显示区aa的平坦度，显示区aa平坦层6表面平坦度满足的条件可以参见扇形区b1的描述；第二绝缘层7在衬底基板1上的正投影还覆盖显示区aa在衬底基板1上的正投影，以解决显示区aa中出现particle的问题；
73.显示基板还包括：位于第二绝缘层7和第二金属层3之间的第一透明导电层8，位于第二金属层3背离衬底基板1一侧的钝化层9，以及位于钝化层9背离衬底基板1一侧的第二透明导电层10；具体地，由于以该显示基板为lcd显示屏的显示基板为例，则第一透明导电层8可以为像素电极层，第二透明导电层10为公共电极层；第一透明导电层8和第二透明导电层10的材料可以为ito等透明导电材料；
74.第一透明导电层8与漏极33电连接，第二透明导电层10包括位于显示区aa的多条透明信号线101，第一透明导电层8在衬底基板1上的正投影与多条透明信号线101在衬底基板1上的正投影交叠；具体地，在lcd显示屏进行显示时，通过透明信号线101向公共电极加载公共电极信号，通过驱动晶体管向像素电极加载驱动信号，利用公共电极和像素电极之间形成的电场驱动lcd显示屏的液晶发生翻转，光线透过液晶层，实现显示。
75.在具体实施时，第二透明导电层的多条透明信号线需要经过过孔引出至第一金属
层和第二金属层对应的扇形区，实现与外围驱动芯片(ic)的电连接，由于第二透明导电层与第一金属层和第二金属层位于不同层，因此需要通过过孔转接至第一金属层和第二金属层对应的扇形区，因此在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图2和图5所示，衬底基板1还具有位于扇形区b1和显示区aa之间的过孔区b2，第一金属层2包括位于过孔区b2的第一转接电极23，第二金属层3包括位于过孔区b2的第二转接电极34；
76.为了进一步提高过孔区b2膜层制作的平坦度，本发明实施例提供的平坦层6在衬底基板1上的正投影还覆盖部分过孔区b2在衬底基板1上的正投影，过孔区b2平坦层6表面平坦度满足的条件可以参见扇形区b1的描述，第二绝缘层7在衬底基板1上的正投影还覆盖部分过孔区b2在衬底基板1上的正投影；
77.第二透明导电层10包括位于过孔区b2的多条透明走线102；
78.部分透明走线102通过依次贯穿钝化层9、第二绝缘层7、平坦层6和第一绝缘层4的过孔v1与第一转接电极23电连接，部分透明走线102通过贯穿钝化层9的过孔v2与第二转接电极34电连接，从而实现将与第二透明导电层10的透明走线102分别引出至第一金属层2和第二金属层3对应的扇形区b1，实现扇形区b1采用双层金属走线的设计，利于实现窄边框设计。
79.需要说明的是，图2中的显示区aa仅示意出部分透明信号线101，当然显示区aa还包括栅线、数据线、电源线等其它信号线，这些信号线均与扇形区b1的金属走线(第一金属层2或第二金属层3)电连接，以与驱动芯片(ic)电连接，实现信号传输功能。
80.基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法，如图6所示，包括：
81.s601、提供衬底基板；衬底基板具有扇形区；
82.s602、在衬底基板上形成第一金属层；其中，第一金属层包括位于扇形区的多条第一金属走线；
83.s603、在第一金属层背离衬底基板一侧形成平坦层；其中，平坦层在衬底基板上的正投影至少覆盖扇形区在衬底基板上的正投影；在扇形区，平坦层中最远离衬底基板的表面具有到衬底基板所在水平面的距离最大的最高点和到衬底基板所在水平面的距离最小的最低点，最高点和最低点到衬底基板所在水平面的距离差值小于或等于1000埃；
84.s604、在平坦层背离衬底基板一侧形成第二金属层；其中，第二金属层包括位于扇形区的多条第二金属走线，第一金属走线在衬底基板上的正投影与第二金属走线在衬底基板上的正投影至少部分重叠。
85.本发明实施例提供的上述显示基板的制作方法，通过在第一金属层和第二金属层之间制作平坦层，且平坦层在衬底基板上的正投影至少覆盖扇形区在衬底基板上的正投影，平坦层中远离衬底基板的表面包括最高点和最低点，最高点到衬底基板所在的水平面的距离与最低点到衬底基板所在的水平面的距离差值小于等于1000埃；这样平坦层面向第二金属层的表面是较平坦的，因此在平坦层上沉积的第二金属层也是较平坦的，后续在对第二金属层采用光刻胶工艺进行构图形成多条第二金属走线时，可以保证扇形区的光刻胶厚度均一，可以提高第二金属层的第二金属走线的制作精度，从而可以形成与第一金属走线的宽度和间距均相同的第二金属走线。因此本发明的方案中第一金属层和第二金属层对应的扇形区的金属走线刻蚀分辨率可以相同，从而可以减小扇形区的布线空间，进一步实
现窄边框。
86.在具体实施时，由于平坦层的材料一般为有机材料，有机材料和金属层之间的附着力较差，后续制作的膜层容易脱离衬底基板，在本发明实施例提供的上述制作方法中，如图7所示，在第一金属层背离衬底基板一侧形成平坦层之前，还包括：
87.s602’、形成位于第一金属层和平坦层之间的第一绝缘层；第一绝缘层在衬底基板上的正投影覆盖衬底基板。具体地，第一绝缘层可以采用氮化硅sinx、氧化硅siox或sinx/siox的复合层，第一绝缘层可以提高后续制作的膜层与衬底基板之间的附着力。
88.在具体实施时，为了进一步保证平坦层表面的平坦度，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在第一金属层背离衬底基板一侧形成平坦层，具体可以为：
89.在第一金属层背离衬底基板一侧形成厚度大于第一金属层厚度的平坦层。具体地，平坦层的具体厚度根据实际需要进行选择，对此不作限定。
90.在具体实施时，一方面由于平坦层与金属层之间的附着力较差，另一方面由于有机材料的平坦层存在particle，影响器件性能，因此在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图8所示，在形成平坦层之后，且在形成第二金属层之前，还包括：
91.s603’、形成位于平坦层和第二金属层之间的第二绝缘层；其中，第二绝缘层在衬底基板上的正投影至少覆盖扇形区在衬底基板上的正投影。具体地，第二绝缘层可以采用氮化硅sinx、氧化硅siox或sinx/siox的复合层，第二绝缘层可以提高后续制作的膜层与衬底基板1之间的附着力，以及解决平坦层存在particle影响器件性能的问题。
92.在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，如图9所示，形成多条第一金属走线，具体可以包括：
93.s901、在第一金属层背离衬底基板一侧涂覆第一光刻胶层；
94.s902、对第一光刻胶层进行曝光、显影，形成多条第一金属走线；
95.如图10所示，形成多条第二金属走线，具体可以包括：
96.s1001、在第二金属层背离衬底基板一侧涂覆第二光刻胶层；
97.s1001、对第二光刻胶层进行曝光、显影，形成与多条第一金属走线相对应的多条第二金属走线。
98.下面以图5为例，对本发明实施例提供的显示基板的制作方法进行详细说明：
99.(1)在衬底基板1上通过传统的成膜工艺形成第一金属层2，在第一金属层2背离衬底基板1一侧涂覆第一光刻胶层(未示出)，对第一光刻胶层进行曝光显影，对第一金属层2进行刻蚀工艺形成位于显示区aa的栅极22、位于过孔区b2的第一转接电极23、位于扇形区的第一金属走线21，第一金属层2的材料可以为al/mo，厚度可以为3400埃左右；接着使用pecvd化学气相沉积工艺在第一金属层2背离衬底基板1一侧沉积第一绝缘层4，第一绝缘层4的材料可以采用氮化硅sinx、氧化硅siox或sinx/siox的复合层，第一绝缘层4的厚度为2000埃左右；然后采用涂胶烘烤工艺在第一绝缘层4背离衬底基板一侧制作平坦层6，该平坦层6的材料可以为有机材料，平坦层6的厚度为5000埃左右，如图11a所示；
100.(2)采用pecvd化学气相沉积工艺在平坦层6背离衬底基板1一侧沉积第二绝缘层7，第二绝缘层7的材料可以采用氮化硅sinx、氧化硅siox或sinx/siox的复合层，第二绝缘层7的厚度为2000埃左右；然后采用pecvd化学气相沉积工艺在第二绝缘层7背离衬底基板1一侧沉积a-si材料，厚度可以为1800埃左右，然后通过曝光、干刻、剥离工艺形成有源层11
硅岛图形，如图11b所示；
101.(3)通过传统的溅射成膜、光刻、刻蚀工艺在第二绝缘层7上形成第一透明导电层8，第一透明导电层8的材料可以为ito等透明导电材料，第一透明导电层8的厚度可以为400埃左右，如图11c所示；
102.(4)采用溅射工艺在步骤(3)的基础上蒸镀第二金属层3，第二金属层3的材料可以为mo/al/mo三层金属层，该三层金属层对应的厚度为150/2000/800埃左右，此时扇形区b1对应的第二金属层3的表面为平坦的表面，在第二金属层3背离衬底基板1一侧涂覆第二光刻胶层12，第二光刻胶层12的表面为平坦的表面，如图11d所示；
103.(5)对第二光刻胶层12进行曝光显影，对第二金属层3进行刻蚀工艺形成位于显示区aa的源极32和漏极33、位于过孔区b2的第二转接电极34、位于扇形区的第二金属走线31，第二金属层2的材料可以为al/mo，厚度可以为3400埃左右，由于第二金属层3表面平坦，此时扇形区b1曝光分辨率与第一金属层2相当，实现第一金属层2的第一金属走线21和第二金属层3的第二金属走线31一致的线宽和线间距，如图11e所示；
104.(6)采用pecvd化学气相沉积工艺在第二金属层3背离衬底基板1一侧成膜，通过曝光、刻蚀工艺制作成在过孔区b2具过孔v1和v2的钝化层9，钝化层9的材料可以为sinx，钝化层9的厚度可以为6000埃左右，如图11f所示；
105.(7)采用溅射成膜工艺在钝化层9背离衬底基板1一侧形成第二透明导电层10，通过曝光、刻蚀工艺形成位于显示区aa的透明信号线101以及位于过孔区b2的透明走线102，第二透明导电层10的材料可以为ito等透明导电材料，第二透明导电层10的厚度可以为700埃左右，如5所示。
106.通过所述步骤(1)-(7)即可形成图5所示的显示基板。
107.综上所述，本发明通过上述方案最终形成的第一金属层2的第一金属走线21的线宽和线间距可以分别为2.5μm/2.5μm，fanout pitch 5.0μm；第二金属层3的第二金属走线31的线宽和线间距可以分别为2.5μm/2.5μm，fanout pitch5.0μm；而现有技术中由于第二金属层曝光分辨率所限仅可以达到线宽和线间距分别为2.5μm/3.0μm，fanout pitch 5.5μm，因此本发明的方案可以减小fanout区布线空间，进一步实现窄边框设计。
108.另外，本发明实施例仅需在第二金属层之间形成一平坦层，采用的工艺流程无需增加mask，与现有工艺兼容性高，节省成本。
109.基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述显示基板。该显示装置解决问题的原理与前述显示基板相似，因此该显示装置的实施可以参见前述显示基板的实施，重复之处在此不再赘述。
110.在具体实施时，本发明实施例提供的上述显示装置可以为有机发光显示装置也可以为液晶显示装置，在此不作限定。
111.在具体实施时，本发明实施例提供的上述显示装置可以为全面屏显示装置，或者也可以为柔性显示装置等，在此不作限定。
112.在具体实施时，本发明实施例提供的上述显示装置可以为如图12所示的全面屏的手机。当然，本发明实施例提供的上述显示装置也可以为平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对
本发明的限制。
113.本发明实施例提供的一种显示基板、其制作方法及显示装置，通过在第一金属层和第二金属层之间设置平坦层，且平坦层在衬底基板上的正投影至少覆盖扇形区在衬底基板上的正投影，在扇形区，平坦层中最远离衬底基板的表面具有到衬底基板所在水平面的距离最大的最高点和到衬底基板所在水平面的距离最小的最低点，最高点和最低点到衬底基板所在水平面的距离差值小于或等于1000埃；这样平坦层面向第二金属层的表面是较平坦的，因此在平坦层上沉积的第二金属层也是较平坦的，后续在对第二金属层采用光刻胶工艺进行构图形成多条第二金属走线时，可以保证扇形区的光刻胶厚度均一，可以提高第二金属层的第二金属走线的制作精度，从而可以形成与第一金属走线的宽度和间距均相同的第二金属走线。因此本发明的方案中第一金属层和第二金属层对应的扇形区的金属走线刻蚀分辨率可以相同，从而可以减小扇形区的布线空间，进一步实现窄边框。
114.尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
115.显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明实施例的精神和范围。这样，倘若本发明实施例的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。