1.一种紫外发光二极管外延片，所述紫外发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂的algan层、n型层、有源层和p型层，其特征在于，
所述紫外发光二极管还包括设置在所述有源层和所述p型层之间的电子限制层，所述电子限制层为algan/mgn/inalgan/mgn/aln结构。
2.根据权利要求1所述的紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述电子限制层中的algan层的厚度大于inalgan层的厚度，inalgan层的厚度大于mgn层的厚度，algan层的厚度大于aln层的厚度，aln层的厚度大于mgn层的厚度。
3.根据权利要求2所述的紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述电子限制层中的algan层的厚度为50～500nm，所述电子限制层中的mgn层的厚度为1～10nm，所述电子限制层中的inalgan层的厚度为1～20nm，所述电子限制层中的aln层的厚度为10～50nm。
4.根据权利要求3所述的紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述紫外发光二极管还包括设置在所述n型层和所述有源层之间的空穴限制层，所述空穴限制层为aln/sin/inalgan/sin/algan结构。
5.根据权利要求4所述的紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述空穴限制层中的algan层的厚度大于inalgan层的厚度，inalgan层的厚度大于sin层的厚度，algan层的厚度大于aln层的厚度，aln层的厚度大于sin层的厚度。
6.根据权利要求5所述的紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述空穴限制层中的algan层的厚度为50～500nm，所述空穴限制层中的sin层的厚度为1～10nm，所述空穴限制层中的inalgan层的厚度为1～20nm，所述空穴限制层中的aln层的厚度为10～50nm。
7.一种紫外发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、未掺杂的algan层、n型层和有源层；
在所述有源层上生长电子限制层，所述电子限制层为algan/mgn/inalgan/mgn/aln结构；
在所述电子限制层上生长p型层。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述电子限制层中的algan层的生长温度为900～1100℃，生长压力为50～150torr，所述电子限制层中的sin层的生长温度为900～1100℃，生长压力为50～150torr，所述电子限制层中的inalgan的生长温度为800～900℃，生长压力为50～200torr，所述电子限制层中的aln层的生长温度为900～1100℃，生长压力为50～150torr。
9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：
在所述n型层和所述有源层之间生长空穴限制层，所述空穴限制层为aln/sin/inalgan/sin/algan层。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述空穴限制层中的algan层的生长温度为900～1100℃，生长压力为50～150torr，所述空穴限制层中的sin层的生长温度为900～1100℃，生长压力为50～150torr，所述空穴限制层中的inalgan的生长温度为800～900℃，生长压力为50～200torr，所述空穴限制层中的aln层的生长温度为900～1100℃，生长压力为50～150torr。