1.一种铸造单晶或多晶类硅片的磷氢退火预处理方法，其特征在于：它包括如下步骤，
a.酸洗：用酸性溶液对硅片进行酸洗，之后清洗烘干；
b.高温沉积psg：在经步骤a酸洗处理后的硅片表面高温沉积磷硅玻璃层，并进行退火处理；
c.一次除杂：经步骤b高温沉积psg处理后的硅片用溶剂进行清洗并抛光，去除表面反应层和吸附的杂质；
d.高温氢气退火：将经步骤c一次除杂处理后的硅片置于高纯氢气氛中进行高温退火处理。
2.根据权利要求1所述的一种铸造单晶或多晶类硅片的磷氢退火预处理方法，其特征在于：所述步骤a酸洗的具体方法为，用酸性溶液对硅片浸洗180-300s，然后用去离子水浸洗片表面120-240s，之后烘干至表面无水迹残留，烘干温度为50-90℃，烘干时间为3-5min。
3.根据权利要求2所述的一种铸造单晶或多晶类硅片的磷氢退火预处理方法，其特征在于：所述酸性溶液为氢氟酸、盐酸、硝酸中的一种以上与水配置而成，酸的总质量百分比为5-15％。
4.根据权利要求1所述的一种铸造单晶或多晶类硅片的磷氢退火预处理方法，其特征在于：所述步骤b高温沉积psg中高温沉积磷硅玻璃层的具体方法为，采用三氯氧磷扩散法进行高温沉积磷硅玻璃层；扩散温度为800℃-1100℃，扩散压力为50mbar-300mbar，扩散时间为5min-30min，在高温扩散过程中通入pocl3、o2、n2，pocl3气体流量为50sccm-500sccm，o2气体流量为200sccm-2000sccm，n2气体流量为500sccm-5000sccm。
5.根据权利要求4所述的一种铸造单晶或多晶类硅片的磷氢退火预处理方法，其特征在于：所述步骤b高温沉积psg中退火的具体方法为，退火温度为700℃-1000℃，降温速率为2-10℃/min；退火压力为100mbar-500mbar，退火时间为60min-180min；在退火过程中通入o2和n2，o2和n2的气体流量分别为500sccm-5000sccm。
6.根据权利要求1所述的一种铸造单晶或多晶类硅片的磷氢退火预处理方法，其特征在于：所述步骤c一次除杂的具体方法为，用酸性溶液对硅片进行浸洗，清洗时间为5-10分钟，清洗温度为20℃-30℃；之后进行抛光，抛光时使用氢氧化钾溶液或氢氧化钠溶液，抛光时间为2-5min；所述氢氧化钾或氢氧化钠的质量百分比为0.5％-3％。
7.根据权利要求1所述的一种铸造单晶或多晶类硅片的磷氢退火预处理方法，其特征在于：在进行步骤a酸洗处理之前，硅片先后浸入sci、scii溶液中漂洗。
8.根据权利要求7所述的一种铸造单晶或多晶类硅片的磷氢退火预处理方法，其特征在于：所述sci溶液配比为vnh3.h2o∶vh2o2∶vdi-water＝1∶1∶6，所述scii溶液配比为vhcl∶vh2o2∶vdi-water＝1∶1∶5；每种溶液的漂洗温度为80℃，每种溶液的漂洗时间为10min。
9.根据权利要求1-8任意一项所述的一种铸造单晶或多晶类硅片的磷氢退火预处理方法，其特征在于：所述步骤d高温氢气退火的具体方法为，将经步骤c一次除杂处理后的硅片置于高纯氢气氛中进行高温退火处理，氢气纯度为99.999％，退火温度范围为1100℃-1350℃，退火气体流量为200sccm-100sccm，退火压力为100mbar-400mbar，退火时间为30min-120min。