有机发光器件的制作方法

文档序号:26543659发布日期:2021-09-07 22:48阅读:71来源:国知局
有机发光器件的制作方法
有机发光器件
1.对相关申请的交叉引用
2.本技术基于在韩国知识产权局于2020年3月5日提交的韩国专利申请no.10

2020

0027988和于2021年2月17日提交的韩国专利申请no.10

2021

0021419并且要求其优先权,其公开内容全部通过引用引入本文中。
技术领域
3.本公开内容涉及有机发光器件。


背景技术:

4.有机发光器件(oled)是自发射器件,其与常规的器件相比,具有宽的视角、高的对比度、短的响应时间、以及优异的亮度、驱动电压、和响应速度特性,并且产生全色图像。
5.oled包括阳极、阴极、以及在阳极和阴极之间并且包括发射层的有机层。空穴传输区域可在阳极和发射层之间,以及电子传输区域可在发射层和阴极之间。从阳极提供的空穴可通过空穴传输区域朝着发射层移动,和从阴极提供的电子可通过电子传输区域朝着发射层移动。空穴和电子在发射层中复合以产生激子。所述激子可从激发态跃迁到基态,从而产生光。


技术实现要素:

6.一种或多种实施方式包括具有高的效率和高的色纯度的有机发光器件。
7.另外的方面将部分地在随后的描述中阐明,且部分地将由所述描述明晰,或者可通过本公开内容的所呈现的实施方式的实践而获悉。
8.根据实施方式的方面,有机发光器件可包括第一电极、第二电极、以及在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括发射层的有机层,
9.其中所述有机层可包括由式1表示的多环化合物和主体,和
10.所述多环化合物的含量可小于所述主体的含量。
11.式1
[0012][0013]
式1a
[0014][0015]
在式1和1a中,
[0016]
ar1可为由式1a表示的基团,
[0017]
环cy1和cy2可各自独立地为c5‑
c
30
碳环基团或c1‑
c
30
杂环基团,
[0018]
y1可为b、n、p、p(=o)、p(=s)、al、ga、as、si(r5)、或ge(r5),
[0019]
x1和x2可各自独立地选自o、s、se、n(r6)、c(r6)(r7)、si(r6)(r7)、ge(r6)(r7)、和p(=o)(r6),
[0020]
l1和l
11
可各自独立地选自单键、取代或未取代的c5‑
c
30
碳环基团和取代或未取代的c1‑
c
30
杂环基团,
[0021]
a1和a11可各自独立地为1

3的整数,
[0022]
当a1为2或更大时,至少两个l1可彼此相同或不同,和当a11为2或更大时,至少两个l
11
可彼此相同或不同,
[0023]
r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7、r
11
、和r
12
可各自独立地选自氢、氘、

f、

cl、

br、

i、

sf5、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、取代或未取代的c1‑
c
60
烷基、取代或未取代的c2‑
c
60
烯基、取代或未取代的c2‑
c
60
炔基、取代或未取代的c1‑
c
60
烷氧基、取代或未取代的c3‑
c
10
环烷基、取代或未取代的c1‑
c
10
杂环烷基、取代或未取代的c3‑
c
10
环烯基、取代或未取代的c1‑
c
10
杂环烯基、取代或未取代的c6‑
c
60
芳基、取代或未取代的c6‑
c
60
芳氧基、取代或未取代的c6‑
c
60
芳硫基、取代或未取代的c7‑
c
60
芳烷基、取代或未取代的c1‑
c
60
杂芳基、取代或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、

n(q1)(q2)、

si(q3)(q4)(q5)、

b(q6)(q7)、和

p(=o)(q8)(q9),
[0024]
r1和r2可任选地结合以形成取代或未取代的c5‑
c
30
碳环基团或者取代或未取代的c1‑
c
30
杂环基团,
[0025]
b1和b2可各自独立地为0

10的整数,
[0026]
当b1为2或更大时,至少两个r1可彼此相同或不同,和当b2为2或更大时,至少两个r2可彼此相同或不同,
[0027]
b11可为1

5的整数,
[0028]
当b11为2或更大时,至少两个r
11
可彼此相同或不同,
[0029]
b12可为1

8的整数,
[0030]
当b12为2或更大时,至少两个r
12
可彼此相同或不同,
[0031]
c11可为1

8的整数,
[0032]
当c11为2或更大时,至少两个

(l
11
)
a11

(r
11
)
b11
可彼此相同或不同,
[0033]
b12与c11之和可为9,和
[0034]
取代的c5‑
c
30
碳环基团、取代的c1‑
c
30
杂环基团、取代的c1‑
c
60
烷基、取代的c2‑
c
60
烯基、取代的c2‑
c
60
炔基、取代的c1‑
c
60
烷氧基、取代的c3‑
c
10
环烷基、取代的c1‑
c
10
杂环烷基、取代的c3‑
c
10
环烯基、取代的c1‑
c
10
杂环烯基、取代的c6‑
c
60
芳基、取代的c6‑
c
60
芳氧基、取代的c6‑
c
60
芳硫基、取代的c7‑
c
60
芳烷基、取代的c1‑
c
60
杂芳基、取代的单价非芳族稠合多环基团、和取代的单价非芳族稠合杂多环基团的至少一个取代基可选自
[0035]
氘、

f、

cl、

br、

i、

cd3、

cd2h、

cdh2、

cf3、

cf2h、

cfh2、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、c1‑
c
60
烷基、c2‑
c
60
烯基、c2‑
c
60
炔基、和c1‑
c
60
烷氧基,
[0036]
各自被选自如下的至少一个取代的c1‑
c
60
烷基、c2‑
c
60
烯基、c2‑
c
60
炔基、和c1‑
c
60
烷氧基:氘、

f、

cl、

br、

i、

cd3、

cd2h、

cdh2、

cf3、

cf2h、

cfh2、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、c3‑
c
10
环烷基、c1‑
c
10
杂环烷基、c3‑
c
10
环烯基、c1‑
c
10
杂环烯基、c6‑
c
60
芳基、c6‑
c
60
芳氧基、c6‑
c
60
芳硫基、c7‑
c
60
芳烷基、c1‑
c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、

si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、

n(q
14
)(q
15
)、

b(q
16
)(q
17
)、和

p(=o)(q
18
)(q
19
),
[0037]
c3‑
c
10
环烷基、c1‑
c
10
杂环烷基、c3‑
c
10
环烯基、c1‑
c
10
杂环烯基、c6‑
c
60
芳基、c6‑
c
60
芳氧基、c6‑
c
60
芳硫基、c7‑
c
60
芳烷基、c1‑
c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、和单价非芳族稠合杂多环基团,
[0038]
各自被选自如下的至少一个取代的c3‑
c
10
环烷基、c1‑
c
10
杂环烷基、c3‑
c
10
环烯基、c1‑
c
10
杂环烯基、c6‑
c
60
芳基、c6‑
c
60
芳氧基、c6‑
c
60
芳硫基、c7‑
c
60
芳烷基、c1‑
c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、和单价非芳族稠合杂多环基团:氘、

f、

cl、

br、

i、

cd3、

cd2h、

cdh2、

cf3、

cf2h、

cfh2、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、c1‑
c
60
烷基、c2‑
c
60
烯基、c2‑
c
60
炔基、c1‑
c
60
烷氧基、c3‑
c
10
环烷基、c1‑
c
10
杂环烷基、c3‑
c
10
环烯基、c1‑
c
10
杂环烯基、c6‑
c
60
芳基、c6‑
c
60
芳氧基、c6‑
c
60
芳硫基、c7‑
c
60
芳烷基、c1‑
c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、

si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、

n(q
24
)(q
25
)、

b(q
26
)(q
27
)、和

p(=o)(q
28
)(q
29
),和
[0039]

si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、

n(q
34
)(q
35
)、

b(q
36
)(q
37
)、和

p(=o)(q
38
)(q
39
),
[0040]
其中q1‑
q9、q
11

q
19
、q
21

q
29
、和q
31

q
39
可各自独立地选自氢、氘、

f、

cl、

br、

i、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、取代或未取代的c1‑
c
60
烷基、取代或未取代的c2‑
c
60
烯基、取代或未取代的c2‑
c
60
炔基、取代或未取代的c1‑
c
60
烷氧基、取代或未取代的c3‑
c
10
环烷基、取代或未取代的c1‑
c
10
杂环烷基、取代或未取代的c3‑
c
10
环烯基、取代或未取代的c1‑
c
10
杂环烯基、取代或未取代的c6‑
c
60
芳基、取代或未取代的c6‑
c
60
芳氧基、取代或未取代的c6‑
c
60
芳硫基、取代或未取代的c7‑
c
60
芳烷基、取代或未取代的c1‑
c
60
杂芳基、取代或未取代的单价非芳族稠合多环基团、和取代或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团。
附图说明
[0041]
由结合附图考虑的以下描述,一些实施方式的以上和其它方面、特征和优势将更明晰,其中:
[0042]
图1为根据实施方式的有机发光器件的示意性横截面图;和
[0043]
图2a

2c各自显示示意性地说明在根据实施方式的有机发光器件的发射层中的能量转移的图。
具体实施方式
[0044]
有机发光器件可包括:第一电极;第二电极;以及在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括发射层的有机层,其中所述有机层可包括由式1表示的多环化合物和主体,并且所述多环化合物的含量可小于所述主体的含量。
[0045]
所述多环化合物可包括由式1表示的化合物:
[0046]
式1
[0047][0048]
式1a
[0049][0050]
其中,在式1和1a中,
[0051]
ar1可为由式1a表示的基团。在式1a中,*表示与式1的结合位点。
[0052]
在式1中,环cy1至cy2可各自独立地为c5‑
c
30
碳环基团或c1‑
c
30
杂环基团。
[0053]
在实施方式中,cy1和cy2可各自独立地选自a基团、b基团、其中至少两个选自a基团的基团稠合的稠环、其中至少两个选自b基团的基团稠合的稠环、以及其中至少一个选自a基团的基团和至少一个选自b基团的基团稠合的稠环:
[0054]
a基团可选自环戊

1,3

二烯基团、茚基团、薁基团、苯基团、萘基团、蒽基团、菲基团、并四苯基团、丁苯基团、芘基团、基团、苯并[9,10]菲基团、和芴基团,和
[0055]
b基团可选自呋喃基团、噻吩基团、吡咯基团、硼杂环戊二烯基团、噻咯基团、吡咯烷基团、咪唑基团、噻唑基团、三唑基团、唑基团、异唑基团、异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、哒嗪基团、三嗪基团、吲哚基团、异吲哚基团、吲嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、喹喔啉基团、异喹喔啉基团、咔唑基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、二苯并噻咯基团、和二苯并硼杂环戊二烯基团。
[0056]
在一种或多种实施方式中,a基团可选自苯基团、萘基团、和蒽基团,且b基团可选自咔唑基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、二苯并噻咯基团、和二苯并硼杂环戊二烯基团。
[0057]
例如,cy1和cy2可各自独立地选自苯基团、萘基团、蒽基团、和芴基团,但实施方式不限于此。
[0058]
在式1中,y1可为b、n、p、p(=o)、p(=s)、al、ga、as、si(r5)、或ge(r5)。例如,y1可为b、n、p、p(=o)、p(=s)、al、或ga。
[0059]
在式1中,x1和x2可各自独立地选自o、s、se、n(r6)、c(r6)(r7)、si(r6)(r7)、ge(r6)(r7)、和p(=o)(r6)。
[0060]
在实施方式中,x1和x2可彼此相同。例如,x1和x2可各自为o、s、n(r6)、c(r6)(r7)、或si(r6)(r7),但实施方式不限于此。
[0061]
在一种或多种实施方式中,x1和x2可彼此不同。例如,x1可为o,且x2可为s;x1可为o,且x2可为n(r6);x1可为o,且x2可为c(r6)(r7);x1可为o,且x2可为si(r6)(r7);x1可为s,且x2可为n(r6);x1可为s,且x2可为c(r6)(r7);x1可为s,且x2可为si(r6)(r7);x1可为n(r6),且x2可为c(r6)(r7);x1可为n(r6),且x2可为si(r6)(r7);或者x1可为c(r6)(r7),且x2可为si(r6)(r7)。例如,x2可为o,且x1可为s;x2可为o,且x1可为n(r6);x2可为o,且x1可为c(r6)(r7);x2可为o,且x1可为si(r6)(r7);x2可为s,且x1可为n(r6);x2可为s,且x1可为c(r6)(r7);x2可为s,且x1可为si(r6)(r7);x2可为n(r6),且x1可为c(r6)(r7);x2可为n(r6),且x1可为si(r6)(r7);或者x2可为c(r6)(r7),且x1可为si(r6)(r7)。
[0062]
在实施方式中,y1可为b,且x1和x2可各自独立地选自o、s、se、n(r6)、c(r6)(r7)、和si(r6)(r7),但实施方式不限于此。
[0063]
在式1和1a中,l1和l
11
可各自独立地选自单键、取代或未取代的c5‑
c
30
碳环基团、和取代或未取代的c1‑
c
30
杂环基团。
[0064]
在实施方式中,l1和l
11
可各自独立地选自:
[0065]
单键;
[0066]
亚苯基、亚茚基、亚萘基、亚薁基、亚庚搭烯基、亚苊基、亚芴基、亚非那烯基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、和亚基;和
[0067]
各自被如下的至少一个取代的亚苯基、亚茚基、亚萘基、亚薁基、亚庚搭烯基、亚苊基、亚芴基、亚非那烯基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、和亚基:氘、

f、

cl、

br、

i、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、c1‑
c
60
烷基、c2‑
c
60
烯基、c2‑
c
60
炔基、c1‑
c
60
烷氧基、c3‑
c
10
环烷基、c3‑
c
10
环烯基、c1‑
c
10
杂环烷基、c1‑
c
10
杂环烯基、c6‑
c
60
芳基、c6‑
c
60
芳氧基、c6‑
c
60
芳硫基、c7‑
c
60
芳烷基、c1‑
c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、和单价非芳族稠合杂多环基团;和
[0068]
各自被选自如下的至少一个取代的亚苯基、亚茚基、亚萘基、亚薁基、亚庚搭烯基、亚苊基、亚芴基、亚非那烯基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、和亚基:各自被选自氘、

f、

cl、

br、

i、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、c1‑
c
60
烷基、c2‑
c
60
烯基、c2‑
c
60
炔基、c1‑
c
60
烷氧基、c3‑
c
10
环烷基、c3‑
c
10
环烯基、c1‑
c
10
杂环烷基、c1‑
c
10
杂环烯基、c6‑
c
60
芳基、c6‑
c
60
芳氧基、c6‑
c
60
芳硫基、c7‑
c
60
芳烷基、c1‑
c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、和单价非芳族稠合杂多环基团的至少一个取代的苯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、苊基、芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、和基,但实施方式不限于此。
[0069]
例如,l1和l
11
可选自单键和由式3

1至3

32表示的基团,但实施方式不限于此:
[0070]
[0071][0072]
其中,在式3

1至3

32中,
[0073]
z
31
可选自氢、氘、

f、

cl、

br、

i、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、c1‑
c
60
烷基、c2‑
c
60
烯基、c2‑
c
60
炔基、c1‑
c
60
烷氧基、c3‑
c
10
环烷基、c3‑
c
10
环烯基、c1‑
c
10
杂环烷基、c1‑
c
10
杂环烯基、c6‑
c
60
芳基、c6‑
c
60
芳氧基、c6‑
c
60
芳硫基、c7‑
c
60
芳烷基、和c1‑
c
60
杂芳基,
[0074]
各自被选自如下的至少一个取代的c3‑
c
10
环烷基、c3‑
c
10
环烯基、c1‑
c
10
杂环烷基、c1‑
c
10
杂环烯基、c6‑
c
60
芳基、c6‑
c
60
芳氧基、c6‑
c
60
芳硫基、c7‑
c
60
芳烷基、和c1‑
c
60
杂芳基:氘、

f、

cl、

br、

i、

cd3、

cd2h、

cdh2、

cf3、

cf2h、

cfh2、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、c1‑
c
60
烷基、c2‑
c
60
烯基、c2‑
c
60
炔基、c1‑
c
60
烷氧基、c3‑
c
10
环烷基、c1‑
c
10
杂环烷基、c3‑
c
10
环烯基、c1‑
c
10
杂环烯基、c6‑
c
60
芳基、c6‑
c
60
芳氧基、c6‑
c
60
芳硫基、c7‑
c
60
芳烷基、c1‑
c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、

si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、

n(q
24
)(q
25
)、

b(q
26
)(q
27
)、和

p(=o)(q
28
)(q
29
),
[0075]
e4可为1

4的整数,
[0076]
e6可为1

6的整数,
[0077]
e8可为1

8的整数,和
[0078]
*和*'各自表示与相邻原子的结合位点。
[0079]
在式1和1a中,a1和a11可各自独立地为1

3的整数,并且当a1为2或更大时,至少两个l1可彼此相同或不同,和当a11为2或更大时,至少两个l
11
可彼此相同或不同。
[0080]
在式1和1a中,r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7、r
11
、和r
12
可各自独立地选自氢、氘、

f、

cl、

br、

i、

sf5、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基
团或其盐、取代或未取代的c1‑
c
60
烷基、取代或未取代的c2‑
c
60
烯基、取代或未取代的c2‑
c
60
炔基、取代或未取代的c1‑
c
60
烷氧基、取代或未取代的c3‑
c
10
环烷基、取代或未取代的c1‑
c
10
杂环烷基、取代或未取代的c3‑
c
10
环烯基、取代或未取代的c1‑
c
10
杂环烯基、取代或未取代的c6‑
c
60
芳基、取代或未取代的c6‑
c
60
芳氧基、取代或未取代的c6‑
c
60
芳硫基、取代或未取代的c7‑
c
60
芳烷基、取代或未取代的c1‑
c
60
杂芳基、取代或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、

n(q1)(q2)、

si(q3)(q4)(q5)、

b(q6)(q7)、和

p(=o)(q8)(q9),并且在式1中,r1和r2可任选地结合以形成取代或未取代的c5‑
c
30
碳环基团或者取代或未取代的c1‑
c
30
杂环基团。
[0081]
在一种或多种实施方式中,在式1中,r1和r2可各自独立地选自:
[0082]
氢、氘、

f、

cl、

br、

i、羟基、氰基(cn)、硝基、氨基、c1‑
c
60
烷基、和c1‑
c
60
烷氧基;
[0083]
各自被如下的至少一个取代的c1‑
c
60
烷基和c1‑
c
60
烷氧基:氘、

f、

cl、

br、

i、羟基、氰基(cn)、硝基、氨基、苯基、联苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、和基;
[0084]
环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、唑基、异唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并异噻唑基、苯并唑基、苯并异唑基、三唑基、四唑基、二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、和咔唑基;
[0085]
各自被如下的至少一个取代的环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、唑基、异唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并异噻唑基、苯并唑基、苯并异唑基、三唑基、四唑基、二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、和咔唑基:氘、

f、

cl、

br、

i、羟基、氰基、硝基、氨基、c1‑
c
60
烷基、c1‑
c
60
烷氧基、c7‑
c
60
芳烷基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、唑基、异唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并异噻唑基、苯并唑基、苯并异唑基、三唑基、四唑基、二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、

si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、

n(q
34
)(q
35
)、

b(q
36
)(q
37
)、和

p(=o)(q
38
)(q
39
);和
[0086]

n(q1)(q2)、

si(q3)(q4)(q5)、

b(q6)(q7)、和

p(=o)(q8)(q9),但实施方式不限于此。
[0087]
在一些实施方式中,r1和r2可各自独立地选自:
[0088]
氢、氘、

f、

cl、

br、

i、羟基、氰基、硝基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异
丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3

戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、和叔己基;
[0089]
各自被如下的至少一个取代的甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3

戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、和叔己基:氘、

f、

cl、

br、

i、羟基、氰基、硝基、和苯基。
[0090]
在实施方式中,r1和r2的至少一个可选自式5

1和5

2,但实施方式不限于此:
[0091][0092]
其中,在式5

1和5

2中,
[0093]
r
51

r
55
可各自独立地为:
[0094]
氘、

f、

cl、

br、

i、羟基、氰基、硝基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3

戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、苯基、联苯基、和三联苯基;和
[0095]
各自被如下的至少一个取代的甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3

戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、和叔己基:氘、

f、

cl、

br、

i、羟基、氰基、硝基、和苯基,
[0096]
r
54
和r
55
可任选地彼此结合以形成杂环,和
[0097]
b54和b55可各自独立地为0

4的整数。
[0098]
例如,在式5

1中,r
51

r
53
之一可为苯基,并且r
51

r
53
的另外两个可选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3

戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、和叔己基。
[0099]
例如,在式5

1中,r
51

r
53
可各自独立地选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3

戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、和叔己基。例如,在式5

1中,r
51

r
53
可各自为甲基。
[0100]
例如,在式5

2中,r
54
和r
55
可彼此结合以与成环原子n形成五边形环。
[0101]
在一种或多种实施方式中,在式1中,r3和r4可各自独立地选自:
[0102]
氢、氘、

f、

cl、

br、

i、羟基、氰基、硝基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3

戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、和叔己基;
[0103]
各自被如下的至少一个取代的甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3

戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、和叔己基:氘、

f、

cl、

br、

i、羟基、氰基、硝基、和苯基,但实施方式不限于此。
[0104]
例如,r3和r4可各自为氢。
[0105]
在实施方式中,在式1中,r5、r6和r7可各自独立地选自:
[0106]
氢、氘、

f、

cl、

br、

i、羟基、氰基、硝基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异
丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3

戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、和叔己基;
[0107]
各自被如下的至少一个取代的甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3

戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、和叔己基:氘、

f、

cl、

br、

i、羟基、氰基、硝基、和苯基,
[0108]
苯基、联苯基、萘基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基;
[0109]
各自被如下的至少一个取代的苯基、联苯基、萘基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基:苯基、联苯基、萘基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基,但实施方式不限于此。
[0110]
在实施方式中,在式1a中,r
11
可选自式4

1至4

42,
[0111]
r
12
可选自:氢、氘、

f、

cl、

br、

i、羟基、氰基、硝基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3

戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、和叔己基;
[0112]
各自被如下的至少一个取代的甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3

戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、和叔己基:氘、

f、

cl、

br、

i、羟基、氰基、硝基、和苯基,但实施方式不限于此:
[0113]
[0114][0115]
其中,在式4

1至4

42中,
[0116]
y
31
可为o、s、c(z
45
)(z
46
)、n(z
47
)、或si(z
48
)(z
49
),
[0117]
z
41

z
49
可各自独立地选自:
[0118]
氢、氘、

f、

cl、

br、

i、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、c1‑
c
20
烷基、c1‑
c
20
烷氧基、c7‑
c
60
芳烷基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、唑基、异唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并异噻唑基、苯并唑基、苯并异唑基、三唑基、四唑基、二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、和咔唑基;
[0119]
各自被如下的至少一个取代的环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、唑基、异唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并异噻唑基、苯并唑基、苯并异唑基、三唑基、四唑基、二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、和咔唑基:氘、

f、

cl、

br、

i、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、c1‑
c
20
烷基、c1‑
c
20
烷氧基、和c7‑
c
60
芳烷基例如枯基,但实施方式不限于此,
[0120]
f3可为1

3的整数,
[0121]
f4可为1

4的整数,
[0122]
f5可为1

5的整数,
[0123]
f6可为1

6的整数,
[0124]
f7可为1

7的整数,
[0125]
f9可为1

9的整数,和
[0126]
*表示与相邻原子的结合位点。
[0127]
在式1中,b1和b2可各自独立地为0

10的整数,并且当b1为2或更大时,至少两个r1可彼此相同或不同,和当b2为2或更大时,至少两个r2可彼此相同或不同。
[0128]
在式1a中,b11可为1

5的整数,并且当b11为2或更大时,至少两个r
11
可彼此相同或不同。
[0129]
在式1a中,b12可为1

8的整数,并且当b12为2或更大时,至少两个r
12
可彼此相同或不同。
[0130]
在式1a中,c11可为1

8的整数,并且当c11为2或更大时,至少两个

(l
11
)
a11

(r
11
)
b11
可彼此相同或不同。
[0131]
在式1a中,b12与c11之和可为9。例如,b12可为8,且c11可为1。
[0132]
在实施方式中,式1a可选自式1a

1至1a

5:
[0133][0134][0135]
其中在式1a

1至1a

5中,
[0136]
l
11
、a
11
、r
11
、和b
11
可分别通过参考本文中提供的l
11
、a
11
、r
11
、和b
11
的描述而理解,
[0137]
r
21

r
29
可各自通过参考本文中提供的r
12
的描述而理解,和
[0138]
*表示与相邻原子的结合位点。
[0139]
在实施方式中,所述多环化合物可包括由式2

1至2

8之一表示的化合物:
[0140][0141][0142]
其中,在式2

1至2

8中,
[0143]
y1、x1、x2、r1、r2、r3、r4、r5、l1、a1、和ar1可分别通过参考本文中提供的y1、x1、x2、r1、r2、r3、r4、r5、l1、a1、和ar1的描述而理解。
[0144]
在实施方式中,所述多环化合物可选自化合物1至468:
[0145]
[0146]
[0147]
[0148]
[0149]
[0150]
[0151]
[0152]
[0153]
[0154]
[0155]
[0156]
[0157]
[0158]
[0159]
[0160]
[0161]
[0162][0163]
作为式1,在所述多环化合物中,含有元素y1的核心可具有拥有多重共振的平面结构和通过共享苯环而稠合的刚性骨架。因此,所述多环化合物可呈现出高的色纯度。同时,由式1表示的荧光发射体可包括具有与核心结构的最低激发三线态(t1)类似的最低激发三线态(t1*)的蒽基,并且由于在t1和t1*之间的共振的通过自旋轨道耦合(soc)机理的反向系间窜越(risc)可被加强,因此显著改善效率。
[0164]
相关领域中的具有多重共振结构的化合物可实现色纯度的改善,但是由于在最高占据分子轨道(homo)和最低未占分子轨道(lumo)之间的减少的空间重叠而可无法实现效率的改善。另一方面,其中homo和lumo在空间上间隔开以减小

est值的给体

受体结构被
提出以改善效率。在该实施方式中,效率改善,然而,振子强度降低以由此降低色纯度。色纯度和效率处于折衷(trade

off)关系。
[0165]
然而,由于根据一种或多种实施方式的有机发光器件可包括由式1表示的多环化合物,因此通过同时使用多重共振机理和在三线态之间的共振机理的三线共振机理,色纯度和效率两者可都改善。
[0166]
在实施方式中,由式1表示的多环化合物可为荧光发射体。
[0167]
在实施方式中,所述发射层可进一步包括可满足方程1的敏化剂,并且所述主体的含量可大于所述敏化剂和所述多环化合物的总含量:
[0168]
方程1
[0169]
δe
st
≤0.3ev
[0170]
其中,在方程1中,δe
st
表示在最低激发单线态能级(s1)和最低激发三线态能级(t1)之间的能级间隙。
[0171]
这里,三线态能级和单线态能级可根据密度泛函理论(dft)方法评估,其中根据dft方法按照gaussian程序在b3lyp和6

31g(d,p)的程度上进行结构优化。
[0172]
所述敏化剂和所述多环化合物可满足条件1和2:
[0173]
条件1
[0174]
t
衰减
(pc)<t
衰减
(s)
[0175]
条件2
[0176]
t
衰减
(pc)<1.5μs
[0177]
其中,在条件1和2中,
[0178]
t
衰减
(pc)为所述多环化合物的衰减时间,和
[0179]
t
衰减
(s)为所述敏化剂的衰减时间。
[0180]
所述多环化合物的衰减时间是由关于40nm厚度的膜(下文中称作“膜(cd)”)在室温下的时间分辨光致发光光谱(trpl)计算的,所述膜是通过如下获得的:在10
‑7托的真空压力下将所述发射层中包括的主体和掺杂剂(即所述多环化合物)以90:10的重量比真空共沉积在石英基板上。
[0181]
所述敏化剂的衰减时间是由关于40nm厚度的膜(下文中称作“膜(s)”)在室温下的trpl计算的,所述膜是通过如下获得的:在10
‑7托的真空压力下将所述发射层中包括的主体和敏化剂以90:10的重量比真空共沉积在石英基板上。
[0182]
通常,知晓由于三线态激子长期地保持在激发态,因此它们影响有机发光器件的寿命的降低。然而,根据本公开内容,使用所述多环化合物以减少在其期间所述敏化剂的三线态激子保持在激发态的时间。因此,包括所述多环化合物的有机发光器件可具有延长的寿命。
[0183]
在一种或多种实施方式中,所述敏化剂具有的三线态激子越多,在所述敏化剂中积累的过剩的能量越多,导致越多的热激子。即,所述敏化剂的三线态激子的量与热激子的量成比例。所述热激子破坏发射层中包括的化合物和/或存在于发射层和其它层的界面处的化合物的各种化学键以使所述化合物劣化。因此,有机发光器件的寿命可降低。然而,根据本公开内容,通过使用多环化合物,所述敏化剂的三线态激子可被快速地转变成所述多环化合物的单线态激子,最终减少热激子的量和提高有机发光器件的寿命。
[0184]
在这点上,“热激子”通过如下产生或增加:由于发射层中的激子的密度的增加所致的激子

激子湮灭、由于发射层中的电荷不平衡所致的激子

电荷湮灭、和/或由于在主体和掺杂剂(例如,所述多环化合物)之间的电子的传送所致的自由基离子对。
[0185]
为了将所述敏化剂的三线态激子快速地转变成所述多环化合物的单线态激子,应满足条件1。
[0186]
另外,由于所述多环化合物发射荧光,因此可提供高色纯度的有机发光器件,且特别地,由于条件2被满足,在室温下处于激发态的所述多环化合物的单线态激子可被快速地转移,且因此,处于激发态的所述多环化合物的单线态可不积累,且有机发光器件的寿命可提高。
[0187]
另外,当条件3被进一步满足时,从所述敏化剂的三线态激子到所述多环化合物的单线态激子的跃迁可更顺利地发生。因此,有机发光器件的寿命可进一步延长:
[0188]
条件3
[0189]
t
衰减
(pc)/t
衰减
(s)<0.5
[0190]
其中,在条件3中,
[0191]
t
衰减
(pc)为所述多环化合物的衰减时间,和
[0192]
t
衰减
(s)为所述敏化剂的衰减时间。
[0193]
在一种或多种实施方式中,所述有机发光器件可进一步满足条件4:
[0194]
条件4
[0195]
bde(s)

t1(s)<3.0ev
[0196]
其中,在条件4中,
[0197]
bde(s)为所述敏化剂的键离解能级,和
[0198]
t1(s)为所述敏化剂的最低激发三线态能级。
[0199]
最后,所述有机发光器件可通过满足下面的条件5而具有目标水平的寿命:
[0200]
条件5
[0201]
r(hex)/e
10
<15
[0202]
其中,在条件5中,
[0203]
r(hex)为热激子的产生速率。
[0204]
在这点上,r(hex)经受(涉及)所述有机发光器件的光化学稳定性(光化学稳定性),且于是通过gaussian 09程序根据下面的方程c计算。
[0205]
方程c
[0206]
r(hex)=a
×
t
衰减
(s)
×
e

(bde(s)

t1
(s))
[0207]
其中,在方程c中,
[0208]
a为任意常数,
[0209]
t
衰减
(s)为所述敏化剂的衰减时间,
[0210]
bde(s)为所述敏化剂的键离解能级,和
[0211]
t1(s)为所述敏化剂的最低激发三线态能级。
[0212]
热激子产生速率被估计与(衰减时间)
×
e

(bde

t1)
成比例,并且为了获得所述有机发光器件的目标水平的寿命,(热激子产生速率)/e
10
应小于15。
[0213]
在这点上,根据以下方程p计算有机发光器件的退化(劣化)分析(pcs):
[0214]
方程p
[0215]
pcs(%)=i2/i1×
100
[0216]
其中,在方程p中,
[0217]
关于通过沉积其pcs待测量的化合物而形成的膜的i1为由如下pl光谱获得的最大光强度:所述pl光谱是在室温下在其中阻挡外部空气的ar气氛下在所述膜的形成之后立即通过使用kimmon

koha inc.的he

cd激光器(激发波长=325纳米,激光功率密度=100mw/cm2)评价的,和
[0218]
关于通过沉积其pcs待测量的化合物而形成的膜的i2为由如下pl光谱获得的最大光强度:所述pl光谱是在室温下在其中阻挡外部空气的ar气氛下通过将所述膜暴露于作为用于评价i1的泵浦激光器的kimmon

koha inc.的he

cd激光器(激发波长=325纳米,和激光功率密度=100mw/cm2)3小时且然后使用kimmon

koha inc.的he

cd激光器(激发波长=325纳米)评价的。在敏化剂的情况中,反向系间窜越(risc)和/或系间窜越(isc)活跃地发生,其容许在所述主体处产生的激子被传送到所述多环化合物。
[0219]
特别地,将参照图2a描述根据实施方式的有机发光器件的总的能量转移。
[0220]
在发射层中的主体处形成单线态和三线态激子,并且在主体处形成的单线态和三线态激子的能量被转移到敏化剂,然后通过能量转移(fret)被转移到多环化合物。此时,为了体现有机发光器件的高的效率和长的寿命,必须控制在发射层中产生的热激子,其要求能量转移的优化。
[0221]
特别地,将参照图2b描述根据实施方式的有机发光器件的总的能量转移(i型)。这是当敏化剂为满足δe
st
≤0.3ev的条件的热活化延迟荧光(tadf)发射体时的情况。
[0222]
为全部激子的25%的在主体处形成的单线态激子的能量通过fret被转移到敏化剂,并且为全部激子的75%的在主体处形成的三线态激子的能量被转移到敏化剂的单线态和三线态,其中被传送到三线态的能量经历risc成为单线态,然后,敏化剂的单线态能量通过fret被转移到多环化合物。
[0223]
特别地,将参照图2c描述根据实施方式的有机发光器件的总的能量转移(ii型)。在该情况中,敏化剂为包括pt的有机金属化合物。
[0224]
为全部激子的75%的在主体处形成的三线态激子的能量通过dexter能量转移被转移到敏化剂,并且为全部激子的25%的在主体处形成的单线态激子的能量被转移到敏化剂的单线态和三线态,其中被传送到单线态的能量经历isc成为三线态,然后,敏化剂的三线态能量通过fret被转移到多环化合物。
[0225]
因此,通过将在发射层中产生的所有单线态激子和三线态激子转移到掺杂剂,可获得具有改善的效率的有机发光器件。另外,由于可获得具有显著降低的能量损失的有机发光器件,因此所述有机发光器件的寿命特性可改善。
[0226]
所述发射层中的所述敏化剂的量可为约5重量%至约50重量%,相对于发射层的总重量。在这些范围内,可实现在所述发射层中的有效的能量转移,且因此,可获得具有高的效率和长的寿命的有机发光器件。
[0227]
在一种或多种实施方式中,所述主体、多环化合物、和敏化剂可进一步满足条件6:
[0228]
条件6
[0229]
t1(h)≥t1(s)≥s1(pc)
[0230]
其中,在条件6中,
[0231]
t1(h)为所述主体的最低激发三线态能级,
[0232]
s1(pc)为所述多环化合物的最低激发单线态能级,和
[0233]
t1(s)为所述敏化剂的最低激发三线态能级。
[0234]
当所述主体、多环化合物、和敏化剂各自满足条件6时,三线态激子可从所述主体有效地转移到所述多环化合物,且因此,可获得具有改善的效率的有机发光器件。
[0235]
所述发射层可由所述主体、多环化合物、和敏化剂组成。即,所述发射层可不进一步包括除所述主体、多环化合物、和敏化剂之外的材料。
[0236]
在一种或多种实施方式中,所述发射层可进一步包括光致发光掺杂剂,并且所述主体的含量可大于所述光致发光掺杂剂和由式1表示的多环化合物的总含量。所述光致发光掺杂剂可包括具有适当的s1和t1能级以接收来自所述多环化合物的激发s1能级的能量的光致发光掺杂剂。在该实施方式中,所述多环化合物可用作可转移能量的敏化剂,并且所述多环化合物和所述光致发光掺杂剂可同样地满足对于所述敏化剂和所述多环化合物的方程。
[0237]
通过参考本文中提供的合成实施例,合成由式1表示的多环化合物的方法对于本领域普通技术人员而言可为明晰的。
[0238]
在实施方式中,在所述有机发光器件中,
[0239]
所述第一电极可为阳极,所述第二电极可为阴极,
[0240]
所述有机层可包括在所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输区域以及在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区域,
[0241]
所述空穴传输区域可包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、缓冲层、或其组合,和
[0242]
所述电子传输区域可包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、或其组合,但实施方式不限于此。
[0243]
所述发射层可发射蓝色光。例如,所述蓝色光可具有在约440nm至约490nm的范围内的波长。
[0244]
图1为有机发光器件10的示例性实施方式的示意图。在下文中,将关于图1描述有机发光器件的示例性实施方式的结构和制造有机发光器件的方法的示例性实施方式。有机发光器件10包括顺序地堆叠的第一电极11、有机层15、和第二电极19。
[0245]
可另外在第一电极11下面或第二电极19上方设置基板。对于用作所述基板,可使用在通常的有机发光器件中使用的任何基板,且所述基板可为各自具有优异的机械强度、热稳定性、透明度、表面光滑度、易操作(处理)性、和耐水性的玻璃基板或透明聚合物基板。
[0246]
第一电极11可通过将用于形成第一电极11的材料沉积或溅射在基板上而形成。第一电极11可为阳极。用于形成第一电极11的材料可选自具有高的功函以促进空穴注入的材料。第一电极11可为反射性电极、半透射性电极、或透射性电极。用于形成第一电极11的材料可为例如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、或氧化锌(zno)。在一种或多种实施方式中,镁(mg)、铝(al)、铝

锂(al

li)、钙(ca)、镁

铟(mg

in)、或镁

银(mg

ag)可用作用于形成所述第一电极的材料。
[0247]
第一电极11可具有单层结构或者包括两个或更多个层的多层结构。在示例性实施
方式中,第一电极11可具有ito/ag/ito的三层结构,但第一电极11的结构不限于此。
[0248]
有机层15设置在第一电极11上。
[0249]
有机层15可包括空穴传输区域、发射层、和电子传输区域。
[0250]
所述空穴传输区域可设置在第一电极11和所述发射层之间。
[0251]
所述空穴传输区域可包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、缓冲层、或其组合。
[0252]
所述空穴传输区域可仅包括空穴注入层或空穴传输层。在一种或多种实施方式中,所述空穴传输区域可具有空穴注入层/空穴传输层结构或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构,其从第一电极11起以该陈述的次序顺序地堆叠。
[0253]
空穴注入层可通过使用选自真空沉积、旋涂、流延、或朗缪尔

布罗杰特(lb)沉积的一种或多种合适的方法形成于第一电极11上。
[0254]
当通过真空沉积形成空穴注入层时,沉积条件可根据用于形成所述空穴注入层的化合物、以及所述空穴注入层的结构和热特性而改变。在示例性实施方式中,沉积条件可包括约100℃至约500℃的沉积温度、约10
‑8托至约10
‑3托的真空压力、和约/秒至约/秒的沉积速率。然而,沉积条件不限于此。
[0255]
当使用旋涂形成所述空穴注入层时,涂覆条件可根据用于形成所述空穴注入层的材料、以及所述空穴注入层的结构和热性质而改变。在示例性实施方式中,涂覆速度可为约2,000rpm至约5,000rpm,并且在涂覆之后进行热处理以除去溶剂的温度可为约80℃至约200℃。然而,涂覆条件不限于此。
[0256]
通过参考用于形成所述空穴注入层的条件,可理解用于形成空穴传输层和电子阻挡层的条件。
[0257]
所述空穴传输区域可包括m

mtdata、tdata、2

tnata、npb、β

npb、tpd、螺

tpd、螺

npb、甲基化的npb、tapc、hmtpd、4,4',4
”‑
三(n

咔唑基)三苯基胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4

亚乙基二氧噻吩)/聚(4

磺苯乙烯)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4

磺苯乙烯)(pani/pss)、由下式201表示的化合物、由式202表示的化合物、或其组合:
[0258]
[0259][0260]
式201
[0261][0262]
式202
[0263][0264]
式201中的ar
101
和ar
102
可各自独立地为:
[0265]
亚苯基、亚并环戊二烯基、亚茚基、亚萘基、亚薁基、亚庚搭烯基、亚苊基、亚芴基、
亚非那烯基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚基、亚并四苯基、亚苉基、亚苝基、或亚并五苯基;或
[0266]
各自被如下取代的亚苯基、亚并环戊二烯基、亚茚基、亚萘基、亚薁基、亚庚搭烯基、亚苊基、亚芴基、亚非那烯基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚基、亚并四苯基、亚苉基、亚苝基、或亚并五苯基:氘、

f、

cl、

br、

i、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、c1‑
c
60
烷基、c2‑
c
60
烯基、c2‑
c
60
炔基、c1‑
c
60
烷氧基、c3‑
c
10
环烷基、c3‑
c
10
环烯基、c1‑
c
10
杂环烷基、c1‑
c
10
杂环烯基、c6‑
c
60
芳基、c6‑
c
60
芳氧基、c6‑
c
60
芳硫基、c1‑
c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、或单价非芳族稠合杂多环基团。
[0267]
在式201中,xa和xb可各自独立地为0

5的整数,或者可为0、1、或2。在示例性实施方式中,xa可为1且xb可为0,但本公开内容的实施方式不限于此。
[0268]
式201和202中的r
101

r
108
、r
111

r
119
、和r
121

r
124
可各自独立地为:
[0269]
氢、氘、

f、

cl、

br、

i、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、或c1‑
c
10
烷基(例如,甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等)、或c1‑
c
10
烷氧基(例如,甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基等);
[0270]
各自被如下取代的c1‑
c
10
烷基或c1‑
c
10
烷氧基:氘、

f、

cl、

br、

i、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、或其组合;
[0271]
苯基、萘基、蒽基、芴基、和芘基;或
[0272]
各自被如下取代的苯基、萘基、蒽基、芴基、和芘基:氘、

f、

cl、

br、

i、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、c1‑
c
10
烷基、c1‑
c
10
烷氧基、或其组合,但本公开内容的实施方式不限于此。
[0273]
式201中的r
109
可为:苯基、萘基、蒽基、和吡啶基;或
[0274]
各自被如下取代的苯基、萘基、蒽基、和吡啶基:氘、

f、

cl、

br、

i、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、c1‑
c
20
烷基、c1‑
c
20
烷氧基、苯基、萘基、蒽基、吡啶基、或其组合。
[0275]
在一种实施方式中,由式201表示的化合物可由式201a表示,但本公开内容的实施方式不限于此:
[0276]
式201a
[0277][0278]
式201a中的r
101
、r
111
、r
112
、和r
109
与以上描述的相同。
[0279]
在示例性实施方式中,由式201表示的化合物和由式202表示的化合物可包括化合物ht1至ht20,但本公开内容的实施方式不限于此:
[0280]
[0281]
[0282][0283]
所述空穴传输区域的厚度可在约至约例如约至约的范围内。当所述空穴传输区域包括空穴注入层和空穴传输层时,所述空穴注入层的厚度可在约至约和例如约至约的范围内,且所述空穴传输层的厚度可在约至约和例如约至约的范围内。当所述空穴传输区域、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时,可获得令人满意的空穴传输特性而没有驱动电压的显著增加。
[0284]
除这些材料之外,所述空穴传输区域可进一步包括用于改善导电性质的电荷产生材料。所述电荷产生材料可均匀地或非均匀地分散在所述空穴传输区域中。
[0285]
所述电荷产生材料可为例如p

掺杂剂。所述p

掺杂剂可为醌衍生物、金属氧化物、或包含氰基的化合物,但本公开内容的实施方式不限于此。所述p

掺杂剂的非限制性实例为醌衍生物例如四氰基醌二甲烷(tcnq)、2,3,5,6

四氟

四氰基

1,4

苯醌二甲烷(f4

tcnq);金属氧化物例如氧化钨或氧化钼;和包含氰基的化合物例如下面的化合物ht

d1或化合物ht

d2,但不限于此:
[0286][0287]
所述空穴传输区域可包括缓冲层。
[0288]
此外,所述缓冲层可根据从所述发射层发射的光的波长补偿光学谐振距离,且因此,所形成的有机发光器件的效率可改善。
[0289]
所述空穴传输区域可进一步包括电子阻挡层。所述电子阻挡层可包括,例如,mcp,但用于其的材料不限于此:
[0290][0291]
然后,可通过真空沉积、旋涂、流延、lb沉积等在所述空穴传输区域上形成发射层。当通过真空沉积或旋涂形成所述发射层时,沉积或涂覆条件可与在形成所述空穴注入层时应用的那些类似,尽管沉积或涂覆条件可根据用于形成所述发射层的化合物而改变。
[0292]
当所述有机发光器件为全色有机发光器件时,所述发射层可被图案化为红色发射层、绿色发射层、和蓝色发射层。在一种或多种实施方式中,由于包括红色发射层、绿色发射层、和/或蓝色发射层的堆叠结构,所述发射层可发射白色光。
[0293]
所述发射层可包括主体和掺杂剂,且所述掺杂剂可包括由式1表示的多环化合物。
[0294]
所述主体可包括如下的至少一种:tpbi、tbadn、adn(也称作“dna”)、cbp、cdbp、tcp、mcp、和化合物h50至化合物h52:
[0295][0296]
在一种或多种实施方式中,所述主体可进一步包括由下式301表示的化合物。
[0297]
式301
[0298][0299]
式301中的ar
111
和ar
112
可各自独立地为:
[0300]
亚苯基、亚萘基、亚菲基、亚芘基、或其任意组合;或
[0301]
各自被如下的至少一个取代的亚苯基、亚萘基、亚菲基、亚芘基、或其任意组合:苯基、萘基、蒽基、或其任意组合。
[0302]
式301中的ar
113

ar
116
可各自独立地为:
[0303]
c1‑
c
10
烷基、苯基、萘基、菲基、芘基、或其任意组合;或
[0304]
各自被如下的至少一个取代的苯基、萘基、菲基、芘基、或其任意组合:苯基、萘基、蒽基、或其任意组合。
[0305]
式301中的g、h、i、和j可各自独立地为0

4的整数,和可为例如0、1、或2。
[0306]
式301中的ar
113

ar
116
可各自独立地为:
[0307]
被如下的至少一个取代的c1‑
c
10
烷基:苯基、萘基、蒽基、或其任意组合;
[0308]
苯基、萘基、蒽基、芘基、菲基、芴基、或其任意组合;
[0309]
各自被如下的至少一个取代的苯基、萘基、蒽基、芘基、菲基、芴基、或其任意组合:氘、

f、

cl、

br、

i、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、c1‑
c
60
烷基、c2‑
c
60
烯基、c2‑
c
60
炔基、c1‑
c
60
烷氧基、苯基、萘基、蒽基、芘基、菲基、芴基、或其任意组合;或
[0310]
但本公开内容的实施方式不限于此。
[0311]
在一种或多种实施方式中,所述主体可包括由下式302表示的化合物:
[0312]
式302
[0313][0314]
式302中的ar
122

ar
125
与关于式301中的ar
113
详细地描述的相同。
[0315]
式302中的ar
126
和ar
127
可各自独立地为c1‑
c
10
烷基(例如,甲基、乙基、或丙基)。
[0316]
式302中的k和l可各自独立地为0

4的整数。例如,k和l可为0、1、或2。
[0317]
当所述发射层包括主体和掺杂剂时,基于100重量份的所述主体,所述掺杂剂的量可在约0.01重量份至约15重量份的范围内,但本公开内容的实施方式不限于此。
[0318]
所述发射层的厚度可在约至约例如约至约的范围内。当所述发射层的厚度在任意这些范围内时,可获得优异的发光特性而没有驱动电压的显著增加。
[0319]
然后,可在所述发射层上设置电子传输区域。
[0320]
所述电子传输区域可包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、或其组合。
[0321]
在示例性实施方式中,所述电子传输区域可具有空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构或电子传输层/电子注入层结构,但所述电子传输区域的结构不限于此。所述电子传输层可具有包括两种或更多种不同的材料的多层结构或单层结构。
[0322]
通过参考用于形成所述空穴注入层的条件,可理解用于形成构成所述电子传输区域的空穴阻挡层、电子传输层、和电子注入层的条件。
[0323]
当所述电子传输区域包括空穴阻挡层时,所述空穴阻挡层可包括,例如,bcp和bphen的至少一种,但也可包括其它材料:
[0324][0325]
所述空穴阻挡层的厚度可在约至约例如约至约至约的范围内。当所述空穴阻挡层的厚度在这些范围内时,所述空穴阻挡层可具有改善的空穴阻挡能力而没有驱动电压的显著增加。
[0326]
所述电子传输层可进一步包括bcp、bphen、alq3、balq、taz、ntaz、或其组合。
[0327][0328]
在一种或多种实施方式中,所述电子传输层可包括et1至et25,但不限于此:
[0329]
[0330]
[0331][0332]
所述电子传输层的厚度可在约至约例如约至约的范围内。当所述电子传输层的厚度在以上描述的范围内时,所述电子传输层可具有令人满意的电子传输特性而没有驱动电压的显著增加。
[0333]
此外,除以上描述的材料之外,所述电子传输层可进一步包括包含金属的材料。
[0334]
所述包含金属的材料可包括锂(li)络合物。所述li络合物可包括,例如,化合物et

d1(8

羟基喹啉锂,liq)或et

d2:
[0335][0336]
所述电子传输区域可包括促进电子从第二电极19流入其中的电子注入层(eil)。
[0337]
所述电子注入层可包括lif、nacl、csf、li2o、bao、或其组合。
[0338]
所述电子注入层的厚度可在约至约例如约至约的范围内。当所述电子注入层的厚度在以上描述的范围内时,所述电子注入层可具有令人满意的电子注入特性而没有驱动电压的显著增加。
[0339]
第二电极19可形成于有机层15上。第二电极19可为阴极。用于形成第二电极19的
材料可选自具有相对低的功函的金属、合金、导电化合物、及其组合。在示例性实施方式中,锂(li)、镁(mg)、铝(al)、铝

锂(al

li)、钙(ca)、镁

铟(mg

in)、或镁

银(mg

ag)可用作用于形成第二电极19的材料。在一种或多种实施方式中,为了制造顶发射型发光器件,使用ito或izo形成的透射性电极可用作第二电极19。
[0340]
在上文中,已经参照图1描述了有机发光器件,但本公开内容的实施方式不限于此。
[0341]
如本文中使用的术语“c5‑
c
30
碳环基团”指的是仅具有5

30个碳原子作为成环原子的饱和或不饱和环状基团。c5‑
c
30
碳环基团可为单环基团或多环基团。
[0342]
如本文中使用的术语“c1‑
c
30
杂环基团”指的是除1

30个碳原子之外具有至少一个n、o、p、si、s、或其任意组合作为成环原子的饱和或不饱和环状基团。c1‑
c
30
杂环基团可为单环基团或多环基团。
[0343]
如本文中使用的术语“c1‑
c
60
烷基”指的是具有1

60个碳原子的直链或支化的饱和脂族烃单价基团,并且其非限制性实例包括甲基、乙基、丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、和己基。如本文中使用的术语“c1‑
c
60
亚烷基”指的是具有与c1‑
c
60
烷基相同的结构的二价基团。
[0344]
如本文中使用的术语“c1‑
c
60
烷氧基”指的是由

oa
101
(其中a
101
为c1‑
c
60
烷基)表示的单价基团,并且其非限制性实例包括甲氧基、乙氧基、和异丙氧基。
[0345]
如本文中使用的术语“c2‑
c
60
烯基”指的是通过在c2‑
c
60
烷基的中间或者末端处代入至少一个碳

碳双键而形成的烃基团,并且其实例包括乙烯基、丙烯基、和丁烯基。如本文中使用的术语“c2‑
c
60
亚烯基”指的是具有与c2‑
c
60
烯基相同的结构的二价基团。
[0346]
如本文中使用的术语“c2‑
c
60
炔基”指的是通过在c2‑
c
60
烷基的中间或者末端处代入至少一个碳

碳三键而形成的烃基团,并且其实例包括乙炔基和丙炔基。如本文中使用的术语“c2‑
c
60
亚炔基”指的是具有与c2‑
c
60
炔基相同的结构的二价基团。
[0347]
如本文中使用的术语“c3‑
c
10
环烷基”指的是具有3

10个碳原子的单价饱和烃单环基团,并且其非限制性实例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、和环庚基。如本文中使用的术语“c3‑
c
10
亚环烷基”指的是具有与c3‑
c
10
环烷基相同的结构的二价基团。
[0348]
如本文中使用的术语“c1‑
c
10
杂环烷基”指的是具有至少一个选自n、o、p、si和s的杂原子作为成环原子和1

10个碳原子的单价饱和单环基团,并且其非限制性实例包括四氢呋喃基和四氢噻吩基。如本文中使用的术语“c1‑
c
10
亚杂环烷基”指的是具有与c1‑
c
10
杂环烷基相同的结构的二价基团。
[0349]
如本文中使用的术语“c3‑
c
10
环烯基”指的是在其环中具有3

10个碳原子和至少一个碳

碳双键且不具有芳香性的单价单环基团,并且其非限制性实例包括环戊烯基、环己烯基、和环庚烯基。如本文中使用的术语“c3‑
c
10
亚环烯基”指的是具有与c3‑
c
10
环烯基相同的结构的二价基团。
[0350]
如本文中使用的术语“c1‑
c
10
杂环烯基”指的是在其环中具有至少一个选自n、o、p、si、和s的杂原子作为成环原子、1

10个碳原子、以及至少一个双键且不具有芳香性的单价单环基团。c1‑
c
10
杂环烯基的非限制性实例包括2,3

二氢呋喃基和2,3

二氢噻吩基。如本文中使用的术语“c1‑
c
10
亚杂环烯基”指的是具有与c1‑
c
10
杂环烯基相同的结构的二价基团。
[0351]
如本文中使用的术语“c6‑
c
60
芳基”指的是具有拥有6

60个碳原子的碳环芳族体系
的单价基团,并且如本文中使用的术语“c6‑
c
60
亚芳基”指的是具有拥有6

60个碳原子的碳环芳族体系的二价基团。c6‑
c
60
芳基的非限制性实例包括苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、和基。当c6‑
c
60
芳基和c6‑
c
60
亚芳基各自包括两个或更多个环时,所述环可彼此稠合。
[0352]
如本文中使用的术语“c1‑
c
60
杂芳基”指的是具有拥有至少一个选自n、o、p、si、和s的杂原子作为成环原子和1

60个碳原子的杂环芳族体系的单价基团。如本文中使用的术语“c1‑
c
60
亚杂芳基”指的是具有拥有至少一个选自n、o、p、si、和s的杂原子作为成环原子和1

60个碳原子的杂环芳族体系的二价基团。c1‑
c
60
杂芳基的非限制性实例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、和异喹啉基。当c1‑
c
60
杂芳基和c1‑
c
60
亚杂芳基各自包括两个或更多个环时,所述环可彼此稠合。
[0353]
如本文中使用的术语“c6‑
c
60
芳氧基”指的是

oa
102
(其中a
102
为c6‑
c
60
芳基),且本文中使用的c6‑
c
60
芳硫基表示

sa
103
(其中a
103
为c6‑
c
60
芳基)。
[0354]
如本文中使用的术语“c7‑
c
60
芳烷基”指的是

a
104
a
105
(其中a
104
为c1‑
c
54
亚烷基,且a
105
为c6‑
c
59
芳基)。c7‑
c
60
芳烷基的非限制性实例为枯基(异丙苯基)。
[0355]
如本文中使用的术语“单价非芳族稠合多环基团”指的是如下的单价基团:其具有两个或更多个彼此稠合的环,仅具有碳原子(例如,碳原子的数量可在8

60的范围内)作为成环原子,并且在其整个分子结构方面不具有芳香性。单价非芳族稠合多环基团的非限制性实例包括芴基。如本文中使用的术语“二价非芳族稠合多环基团”指的是具有与单价非芳族稠合多环基团相同的结构的二价基团。
[0356]
如本文中使用的术语“单价非芳族稠合杂多环基团”指的是如下的单价基团:其具有两个或更多个彼此稠合的环,除碳原子(例如,碳原子的数量可在2

60的范围内)之外具有选自n、o、p、si、和s的杂原子作为成环原子,并且在其整个分子结构方面不具有芳香性。单价非芳族稠合杂多环基团的非限制性实例包括咔唑基。如本文中使用的术语“二价非芳族稠合杂多环基团”指的是具有与单价非芳族稠合杂多环基团相同的结构的二价基团。
[0357]
取代的c5‑
c
30
碳环基团、取代的c1‑
c
30
杂环基团、取代的c1‑
c
60
烷基、取代的c2‑
c
60
烯基、取代的c2‑
c
60
炔基、取代的c1‑
c
60
烷氧基、取代的c3‑
c
10
环烷基、取代的c1‑
c
10
杂环烷基、取代的c3‑
c
10
环烯基、取代的c1‑
c
10
杂环烯基、取代的c6‑
c
60
芳基、取代的c6‑
c
60
芳氧基、取代的c6‑
c
60
芳硫基、取代的c7‑
c
60
芳烷基、取代的c1‑
c
60
杂芳基、取代的单价非芳族稠合多环基团、和取代的单价非芳族稠合杂多环基团的至少一个取代基可为:
[0358]
氘、

f、

cl、

br、

i、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、c1‑
c
60
烷基、c2‑
c
60
烯基、c2‑
c
60
炔基、或c1‑
c
60
烷氧基;
[0359]
各自被如下取代的c1‑
c
60
烷基、c2‑
c
60
烯基、c2‑
c
60
炔基、和c1‑
c
60
烷氧基:氘、

f、

cl、

br、

i、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、c3‑
c
10
环烷基、c1‑
c
10
杂环烷基、c3‑
c
10
环烯基、c1‑
c
10
杂环烯基、c6‑
c
60
芳基、c6‑
c
60
芳氧基、c6‑
c
60
芳硫基、c1‑
c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、

si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、

n(q
14
)(q
15
)、

b(q
16
)(q
17
)、

p(=o)(q
18
)(q
19
)或其组合;
[0360]
c3‑
c
10
环烷基、c1‑
c
10
杂环烷基、c3‑
c
10
环烯基、c1‑
c
10
杂环烯基、c6‑
c
60
芳基、c6‑
c
60
芳氧基、c6‑
c
60
芳硫基、c7‑
c
60
芳烷基、c1‑
c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、或单价非芳族稠合杂多环基团;
[0361]
各自被如下取代的c3‑
c
10
环烷基、c1‑
c
10
杂环烷基、c3‑
c
10
环烯基、c1‑
c
10
杂环烯基、
c6‑
c
60
芳基、c6‑
c
60
芳氧基、c6‑
c
60
芳硫基、c7‑
c
60
芳烷基、c1‑
c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、和单价非芳族稠合杂多环基团:氘、

f、

cl、

br、

i、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、c1‑
c
60
烷基、c2‑
c
60
烯基、c2‑
c
60
炔基、c1‑
c
60
烷氧基、c3‑
c
10
环烷基、c1‑
c
10
杂环烷基、c3‑
c
10
环烯基、c1‑
c
10
杂环烯基、c6‑
c
60
芳基、c6‑
c
60
芳氧基、c6‑
c
60
芳硫基、c7‑
c
60
芳烷基、c1‑
c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、

si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、

n(q
24
)(q
25
)、

b(q
26
)(q
27
)、

p(=o)(q
28
)(q
29
)、或其组合,
[0362]

si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、

n(q
34
)(q
35
)、

b(q
36
)(q
37
)、

p(=o)(q
38
)(q
39
),和
[0363]
q1‑
q9、q
11

q
19
、q
21

q
29
、和q
31

q
39
可各自独立地为氢、取代或未取代的c1‑
c
60
烷基、取代或未取代的c2‑
c
60
烯基、取代或未取代的c2‑
c
60
炔基、取代或未取代的c1‑
c
60
烷氧基、取代或未取代的c3‑
c
10
环烷基、取代或未取代的c1‑
c
10
杂环烷基、取代或未取代的c3‑
c
10
环烯基、取代或未取代的c1‑
c
10
杂环烯基、取代或未取代的c6‑
c
60
芳基、取代或未取代的c6‑
c
60
芳氧基、取代或未取代的c6‑
c
60
芳硫基、取代或未取代的c7‑
c
60
芳烷基、取代或未取代的c1‑
c
60
杂芳基、取代或未取代的单价非芳族稠合多环基团、或者取代或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团。
[0364]
如本文中使用的术语“室温”指的是约25℃。
[0365]
如本文中使用的术语“联苯基”和“三联苯基”各自指的是其中两个或三个苯基团分别经由单键彼此连接的单价基团。
[0366]
下文中,将参照合成实施例和实施例详细地描述根据实施方式的化合物和有机发光器件。然而,有机发光器件不限于此。在描述合成实施例时使用的措辞“使用b代替a”意味着,就摩尔当量而言,所使用的a的量与所使用的b的量相同。
[0367]
实施例
[0368]
合成实施例1:化合物158的合成
[0369][0370]
中间体158(a)的合成
[0371]
将2.09克(g)(17.11毫摩尔(mmol))的苯基硼酸、5.0g(14.88mmol)的9,10

二溴蒽、1.72g(1.49mmol)的四(三苯基膦)钯(pd(pph3)4)、4.11g(29.76mmol)的碳酸钾k2co3、和1.22g(2.98mmol)的s

phos(2

二环己基膦基
‑2′
,6
′‑
二甲氧基联苯)添加至50毫升(ml)四氢呋喃和50ml蒸馏水,随后在回流下加热。一旦反应完成,将所得混合物冷却至室温。然后使用乙酸乙酯从其萃取有机层,并且将所得有机层使用无水硫酸钠(na2so4)干燥用于浓缩,
随后通过硅胶柱层析法(二氯甲烷/己烷)分离。将从其得到的固体使用己烷重结晶以由此获得4.23g的白色固体,中间体158(a)(产率:85%)。
[0372]
lc

质谱法(计算值:333.23g/mol,实测值:334.2g/mol(m+1))
[0373]
中间体158(b)的合成
[0374]
将4.2g(12.60mmol)的中间体158(a)、4.8g(18.91mmol)的双(频哪醇合)二硼、3.09g(31.51mmol)的乙酸钾(acok)、和0.46g(0.63mmol)的1,1'

[双(二苯基膦基)二茂铁]二氯化钯(ii)pd(dppf)cl2添加至反应容器,并且将混合物溶解于30ml的二氧六环中且在100℃的温度下搅拌。一旦反应完成,将所得混合物冷却至室温,并且通过使用乙酸乙酯和水进行萃取过程以由此获得有机层。使所获得的有机层经历通过硅胶柱层析法的过滤用于浓缩。所得固体化合物中间体158(b)在没有任何进一步的纯化过程的情况下用于之后的反应中。(4.1g,产率:86%)
[0375]
lc

质谱法(计算值:380.19g/mol,实测值:381.3g/mol(m+1))
[0376]
化合物158的合成
[0377]
将5.99g(15.76mmol)的中间体158(b)、4.0g(13.13mmol)的7



5,9

二氧杂

13b

硼杂萘并[3,2,1

de]蒽、0.38g(0.66mmol)的双(二亚苄基丙酮)钯(0)pd(dba)2、5.58g(26.27mmol)的磷酸三钾(k3po4)、和1.08g(2.63mmol)的s

phos添加至40ml甲苯和40ml蒸馏水。然后将混合物在回流下加热。一旦反应完成,将所得混合物冷却至室温。然后使用乙酸乙酯从其萃取有机层,并且将所得有机层使用无水硫酸钠(na2so4)干燥用于浓缩,随后通过硅胶柱层析法(二氯甲烷/己烷)分离。将从其得到的固体使用己烷重结晶以由此获得3.6g的黄色固体,化合物158(产率:52%)。
[0378]
lc

质谱法(计算值:522.41g/mol,实测值:523.4g/mol(m+1))
[0379]
合成实施例2:化合物160的合成
[0380]
化合物160的合成
[0381][0382]
以与合成实施例1中的化合物158的合成中基本上相同的方式合成4.2g的化合物160,除了如下之外:使用2,12

二叔丁基
‑7‑


5,9

二氧杂

13b

硼杂萘并[3,2,1

de]蒽代替7



5,9

二氧杂

13b

硼杂萘并[3,2,1

de]蒽(产率:69%)。
[0383]
lc

质谱法(计算值:634.3g/mol,实测值:635.3g/mol(m+1))
[0384]
合成实施例3:化合物170的合成
[0385]
化合物170的合成
[0386][0387]
以与合成实施例1中的化合物158的合成中基本上相同的方式合成4.2g的化合物170,除了如下之外:使用3,11

二叔丁基
‑7‑


5,9

二氧杂

13b

硼杂萘并[3,2,1

de]蒽代替7



5,9

二氧杂

13b

硼杂萘并[3,2,1

de]蒽(产率:69%)。
[0388]
lc

质谱法(计算值:634.3g/mol,实测值:635.3g/mol(m+1))
[0389]
合成实施例4:化合物165的合成
[0390][0391]
中间体165(a)的合成
[0392]
以与合成实施例1中的化合物158(a)的合成中基本上相同的方式合成5.24g的中间体165(a),除了如下之外:使用(3

溴苯基)硼酸代替苯基硼酸(产率:86%)。
[0393]
lc

质谱法(计算值:408.05g/mol,实测值:409.05g/mol(m+1))
[0394]
中间体165(b)的合成
[0395]
以与合成实施例1中的化合物158(b)的合成中基本上相同的方式合成5.8g的中间体165(a),除了如下之外:使用中间体165(a)代替中间体158(a)(产率:99%)。
[0396]
lc

质谱法(计算值:456.23g/mol,实测值:457.2g/mol(m+1))
[0397]
化合物165的合成
[0398]
以与合成实施例1中的化合物158的合成中基本上相同的方式合成2.6g的化合物165,除了如下之外:使用中间体165(b)代替中间体158(b)(产率:43%)。
[0399]
lc

质谱法(计算值:598.21g/mol,实测值:599.31g/mol(m+1))
[0400]
合成实施例5:化合物167的合成
[0401]
化合物167的合成
[0402][0403]
以与合成实施例2中的化合物160的合成中基本上相同的方式合成3.8g的化合物167,除了如下之外:使用中间体165(b)代替中间体158(b)(产率:55%)。
[0404]
lc

质谱法(计算值:710.34g/mol,实测值:711.3g/mol(m+1))
[0405]
评价实施例1:材料性质评价
[0406]
如表1中测量由式1表示的多环化合物的一些例如化合物158、160、和170的光学带隙e
g
、s1能级、pl光谱、半宽度(fwhm)。其结果示于表2中。
[0407]
表1
[0408][0409]
表2
[0410][0411]
参考表2的结果,发现由式1表示的多环化合物具有优异的发光特性和对于用作电子器件例如有机发光器件中的掺杂剂而言合适的电特性。
[0412]
评价实施例2:光致发光量子产率(plqy)和衰减时间的评价
[0413]
(1)薄膜的制备
[0414]
通过用氯仿和纯水洗涤而准备石英基板。然后,将如表2中所示的化合物(99.5重量%的pmma:0.5重量%的各化合物)各自溶解在二氯甲烷中以在旋涂中使用。因此,制造具有30nm的厚度的薄膜。
[0415]
(2)光致发光量子产率的评价
[0416]
通过使用其中安装氙灯光源、单色仪、光子多通道分析仪、和积分球的采用plqy测量软件的hamamatsu photonics绝对pl量子产率测量系统(hamamatsu photonics,ltd.,shizuoka,japan)评价所述薄膜中的光致发光量子产率。从而,相应地测量表2中所示的化合物的薄膜的plqy。
[0417]
(3)衰减时间评价
[0418]
通过使用时间分辨光致发光(trpl)测量系统fluotime 300(可得自picoquant)和泵浦源pls340(可得自picoquant,激发波长=340nm,光谱宽度=20nm)在室温下评价各薄膜的pl光谱。然后,测定所述pl光谱中的主峰的波长,并且在通过pls340向所述薄膜施加光子脉冲(脉冲宽度=500皮秒,ps)时,通过时间相关单光子计数(tcspc)随着时间重复地测量对于在各薄膜的主峰的波长处发射的光子的数量,由此获得可用于充分拟合的trpl曲线。通过将至少两个指数衰减函数对其结果拟合而获得所述薄膜的t
衰减
(e
x
)(衰减时间)。用于拟合的函数如方程1中所述,并且取在对于用于拟合的指数衰减函数各自的值之中具有最大值的衰减时间t
衰减
作为t
衰减
(e
x
),即,衰减时间。其结果示于表3中。使用剩余的衰减时间t
衰减
值来测定将衰减的典型荧光的寿命。这里,在与用于获得trpl曲线的测量时间相同的测量时间期间,在暗态(即,其中入射在所述膜各自上的泵浦信号被阻挡的状态)中再次重复相同的测量,由此获得用于拟合的基线或者可用作基线的背景信号曲线:
[0419]
方程1
[0420][0421]
表3
[0422][0423]
参考表3中所示的结果,发现由式1表示的多环化合物例如化合物158、160和170适于用作掺杂剂并且具有优异的plqy(在膜中)和衰减时间特性。
[0424]
实施例1
[0425]
将其上形成有ito电极的玻璃基板切割成50毫米(mm)
×
50mm
×
0.5mm的尺寸。然后将所述玻璃基板在丙酮、异丙醇和纯水中超声处理,在各溶剂中约15分钟,并且通过暴露于紫外线和臭氧30分钟而进行清洁。
[0426]
随后,将hat

cn沉积在所述玻璃基板的ito电极(阳极)上以形成具有的厚度的空穴注入层,将npb沉积在所述空穴注入层上以形成具有的厚度的第一空穴传输层,将tcta沉积在所述第一空穴传输层上以形成具有的厚度的第二空穴传输层,并且将mcp沉积在所述第二空穴传输层上以形成具有的厚度的电子阻挡层。
[0427]
将主体、敏化剂、和发射体如表4中所示以预定的重量比共沉积在所述电子阻挡层上以由此形成具有的厚度的发射层。
[0428]
将dbfpo沉积在所述发射层上以形成具有的厚度的空穴阻挡层。将dbfpo和liq以5:5的重量比共沉积在所述空穴阻挡层上以形成具有liq以5:5的重量比共沉积在所述空穴阻挡层上以形成具有的厚度的电子传输层。将liq沉积在所述电子传输层上以形成具有的厚度的电子注入层。将铝(al)沉积在所述电子注入层上以形成具有的厚度的阴极,由此完成有机发光器件的制造。
[0429][0430]
实施例2至5以及对比例1至3
[0431]
以与实施例1中相同的方式制造有机发光器件,除了如下之外:在发射层的形成中使用表4中所示的化合物。
[0432]
表4
[0433][0434]
[0435][0436][0437]
评价实施例3:有机发光器件的特性的评价
[0438]
测量在实施例1至5和对比例1至3中制造的有机发光器件的驱动电压、t95寿命(其表示各有机发光器件的亮度降低至其初始亮度的95%所用的时间(小时))、和量子产率,且对于对比例3的相对值示于表5中。
[0439]
表5
[0440][0441]
参考表5的结果,发现实施例1至5和对比例3的有机发光器件具有高的效率和/或长的寿命特性,并且发现对比例1和2的有机发光器件由于没有向掺杂剂的能量转移而不具有发光特性。
[0442]
由前面的描述明晰,根据实施方式的有机发光器件可具有高的效率和高的色纯度。
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