技术特征：
1.一种功率半导体器件封装结构，其特征在于：包括：位于环氧封装体（1）内的igbt芯片（2）、续流二极管（3）、第一导电基板（4）、第二导电基板（5）以及栅极引脚（6）、发射极引脚（7），所述第二导电基板（5）与第一导电基板（4）之间设置有一绝缘垫（8），所述第一导电基板（4）下端面延伸有一集电极引脚（9），所述第二导电基板（5）下端面延伸有一阴极引脚（10），所述栅极引脚（6）、发射极引脚（7）、集电极引脚（9）和阴极引脚（10）各自下端从环氧封装体（1）同侧延伸出；位于所述igbt芯片（2）下表面的集电区（201）与第一导电基板（4）电连接，位于所述igbt芯片（2）上表面的栅极区（202）、发射区（203）与栅极引脚（6）、发射极引脚（7）均通过金属导线（11）电连接，所述续流二极管（3）的阳极通过金属导线（11）连接到集电极引脚（9），所述续流二极管（3）的阴极与第二导电基板（5）电连接；所述栅极引脚（6）、发射极引脚（7）各自靠近第一导电基板（4）的一端沿左右两侧分别延伸有左延伸部（12）、右延伸部（13），所述栅极引脚（6）的左延伸部（12）、右延伸部（13）以及位于环氧封装体（1）内的区域分别开有第一小通孔（14），所述发射极引脚（7）的左延伸部（12）、右延伸部（13）以及位于环氧封装体（1）内的区域分别开有第二小通孔（15）；所述绝缘垫（8）与第二导电基板（5）和第一导电基板（4）各自接触的上表面、下表面均间隔地设置有若干个凸点（16），所述绝缘垫（8）上表面、下表面与第二导电基板（5）和第一导电基板均通过焊膏层（17）连接。2.根据权利要求1所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于：所述栅极引脚（6）位于左延伸部（12）、右延伸部（13）上各自的第一小通孔（14）沿着引脚方向呈对称设置。3.根据权利要求1所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于：所述发射极引脚（7）位于左延伸部（12）、右延伸部（13）上各自的第二小通孔（15）沿着引脚方向呈对称设置。4.根据权利要求1所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于：所述绝缘垫（8）为陶瓷绝缘片。5.根据权利要求1所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于：所述igbt芯片（2）、续流二极管（3）设置于第一导电基板（4）的下半部区域。
技术总结
本发明公开一种功率半导体器件封装结构，包括：位于环氧封装体内的IGBT芯片、续流二极管、第一导电基板、第二导电基板以及栅极引脚、发射极引脚，位于所述IGBT芯片下表面的集电区与第一导电基板电连接，位于所述IGBT芯片上表面的栅极区、发射区与栅极引脚、发射极引脚均通过金属导线电连接；栅极引脚、发射极引脚各自靠近第一导电基板的一端沿左右两侧分别延伸有左延伸部、右延伸部，所述绝缘垫与第二导电基板和第一导电基板各自接触的上表面、下表面均间隔地设置有若干个凸点。本发明功率半导体器件封装结构既提高了器件立体的整体结构强度，也能防止水汽进入器件内部，改善了电接触性能，提高了器件整体的可靠性。提高了器件整体的可靠性。提高了器件整体的可靠性。
技术研发人员：田伟 廖兵
受保护的技术使用者：苏州达晶半导体有限公司
技术研发日：2021.03.19
技术公布日：2022/9/26