本发明涉及硅片制绒工艺。
背景技术：
光伏发电是太阳能能源利用中最重要的组成部分，它是一种环保的，用之不竭的可再生能源，符合光伏行业高效率、低成本的追求。对于单晶硅电池，表面反射率是影响太阳能电池效率转换的重要因素之一，为降低表面反射率，制绒工艺起到了重要作用。
制绒的目的为在原生硅片表面产生织构以达到陷光作用，从而提高对太阳光的吸收率，进而提高电池的光电转换率。目前市面上的制绒工艺仍为传统的湿法工艺，此法在制绒结束后，硅片上会大概率出现白斑、亮点等问题，这严重影响了产线硅片的直通率，降低了产线效率。
技术实现要素：
为解决现有技术的缺陷，本发明提供一种硅片制绒工艺，在制绒之前，对硅片进行高温处理，使硅片表面的有机脏污分解，以去除硅片表面的有机脏污。
具体的，本发明硅片制绒工艺，包括如下具体步骤：
1）对硅片进行高温氧化处理，使硅片表面的有机脏污分解，以去除硅片表面的有机脏污，且在硅片表面形成第一氧化层；
2）采用第一酸液对步骤1）处理后的硅片进行酸洗，以去除硅片表面的第一氧化层；
3）对步骤2）处理后的硅片进行漂洗，以去除硅片表面残留的第一酸液；
4）采用氧化处理液对步骤3）处理后的硅片进行氧化处理，在硅片表面形成第二氧化层，以使硅片表面处于亲水态，且第二氧化层的厚度不大于0.6nm；
5）对步骤4）处理后的硅片进行漂洗，以去除硅片表面残留的氧化处理液；
6）采用制绒液对步骤5）处理后的硅片进行制绒，在硅片表面形成绒面结构。
经研究发现，之所以硅片制绒会出现白斑、亮点等问题，主要是因为硅片表面残留有有机脏污。本发明在制绒之前，对硅片进行高温处理，使硅片表面的有机脏污分解，可完全去除硅片表面的有机脏污，可避免因有机脏污残留在硅片表面而使制绒出现白斑、亮点等问题。
可在氧化炉/烧结炉中对表面残留有机脏污的硅片进行高温处理（即高温氧化处理），但本发明的发明人经研究发现，为了完全去除硅片表面的有机脏污，高温氧化处理的温度较高（300～800℃），时间较长（180～250s），高温氧化处理完成后，硅片表面会形成一层较厚的sio2层（即第一氧化层），该第一氧化层的厚度不小于2nm（第一氧化层的厚度为2～8nm），该较厚的第一氧化层会影响制绒，不利于制绒。
为了防止较厚的第一氧化层影响制绒，本发明采用第一酸液（氢氟酸溶液）对高温氧化处理后的硅片进行酸洗，完全去除硅片表面的第一氧化层。
但本发明的发明人经研究发现，第一氧化层去除后的硅片表面为疏水状态，硅片表面处于疏水状态也会影响制绒，也不利于制绒。
为了防止硅片表面处于疏水状态而影响制绒，本发明采用氧化处理液对去除第一氧化层的硅片进行再次氧化，使硅片表面再次形成sio2层（即第二氧化层），且本发明通过控制再次氧化的工艺参数（采用由2%～6%h2o2、1%～3%无机碱、余量为去离子水配制的氧化处理液，于60～70℃对硅片氧化处理2～3min），来控制第二氧化层的厚度，使第二氧化层的厚度不大于0.6nm（第二氧化层的厚度控制在0.2～0.6nm），该超薄的第二氧化层不仅不会影响制绒，还会使硅片表面变为亲水状态，降低了硅片的表面能，有利于制绒。
制绒的根本为si与制绒液进行反应。若硅片表面的sio2厚度不小于2nm，制绒时对硅片的表面处理会不够，导致反应不完全，硅片表面反射率过高。当sio2厚度不大于0.6nm时，配合现有的制绒工艺，能制绒完全，不会影响制绒。
综上所述，本发明不仅能解决因有机脏污残留在硅片表面而使制绒出现白斑、亮点等问题，还能降低制绒的不良率，具有推广价值。
具体实施方式
下面结合实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
本发明提供一种硅片制绒工艺，包括如下具体步骤：
1）对硅片进行高温氧化处理，高温氧化处理的温度为300～800℃，时间为180～250s，使硅片表面的有机脏污分解，以去除硅片表面的有机脏污，且在硅片表面形成第一氧化层，第一氧化层为sio2；
2）采用第一酸液对步骤1）处理后的硅片常温酸洗2～6min，以去除硅片表面的第一氧化层；第一酸液中各组分的质量百分含量为：hf5%～10%，余量为去离子水；
3）对步骤2）处理后的硅片常温漂洗3～9min，以去除硅片表面残留的第一酸液；
4）采用氧化处理液对步骤3）处理后的硅片于60～70℃氧化处理2～3min，在硅片表面形成第二氧化层，第二氧化层为sio2，以使硅片表面处于亲水态，且第二氧化层的厚度控制在0.2～0.6nm；氧化处理液中各组分的质量百分含量为：h2o22%～6%，无机碱1%～3%，余量为去离子水；无机碱可以选择koh或naoh；
5）对步骤4）处理后的硅片常温漂洗3～5min，以去除硅片表面残留的氧化处理液；
6）采用制绒液对步骤5）处理后的硅片于75～85℃制绒6～8min，在硅片表面形成绒面结构；制绒液中各组分的质量百分含量为：制绒添加剂0.5%～1%，无机碱1%～3%，余量为去离子水；无机碱可以选择koh或naoh；
7）对步骤6）处理后的硅片进行常温漂洗3～5min，以去除硅片表面残留的制绒液；
8）采用第二酸液对步骤7）处理后的硅片常温酸洗2～6min，以去除硅片表面的氧化层和金属离子；第二酸液中各组分的质量百分含量为：hf5%～10%，hcl5%～10%，余量为去离子水；
9）对步骤8）处理后的硅片常温漂洗3～9min，以去除硅片表面残留的第二酸液；
10）对步骤9）处理后的硅片于80～90℃烘干10～30min。
本发明的具体实施例如下：
实施例1
1）1200片硅片进入链式氧化炉进行高温氧化处理，温度为700℃，时间为180s；
2）经过步骤1）处理后的1200片硅片进入第一链式酸洗机的酸洗区进行5min常温酸洗，酸洗所用酸液由5wt%hf和95wt%去离子水配制而成；
3）经过步骤2）处理后的1200片硅片进入第一链式酸洗机的漂洗区进行6min常温漂洗；
4）经过步骤3）处理后的1200片硅片经第一插片机插片后进入氧化槽进行氧化处理，时间为2min10s，温度为60℃，氧化槽中的氧化处理液由5wt%h2o2、2wt%naoh、93wt%去离子水配制而成；
5）经过步骤4）处理后的1200片硅片进入第一清水槽常温漂洗3min；
6）经过步骤5）处理后的1200片硅片进入制绒槽于78℃制绒6min30s，制绒槽中的制绒液由1wt%制绒添加剂、2wt%naoh、97wt%去离子水配制而成；
7）经过步骤6）处理后的1200片硅片进入第二清水槽常温漂洗3min；
8）经过步骤7）处理后的1200片硅片经第二插片机放片后进入第二链式酸洗机的酸洗区进行5min常温酸洗，酸洗所用酸液由5wt%hf、5wt%hcl和90wt%去离子水配制而成；
9）经过步骤8）处理后的1200片硅片进入第二链式酸洗机的漂洗区进行6min常温漂洗；
10）经过步骤9）处理后的1200片硅片进入链式烘干炉中，于88℃烘干15min。
实施例1生产1200片制绒片，表面都无白斑、亮点，不良率为0.005%。
实施例2
1）1200片硅片进入链式氧化炉进行高温氧化处理，温度为500℃，时间为200s；
2）经过步骤1）处理后的1200片硅片进入第一链式酸洗机的酸洗区进行3min常温酸洗，酸洗所用酸液由7wt%hf和93wt%去离子水配制而成；
3）经过步骤2）处理后的1200片硅片进入第一链式酸洗机的漂洗区进行5min常温漂洗；
4）经过步骤3）处理后的1200片硅片经第一插片机插片后进入氧化槽进行氧化处理，时间为2min10s，温度为60℃，氧化槽中的氧化处理液由5wt%h2o2、2wt%naoh、93wt%去离子水配制而成；
5）经过步骤4）处理后的1200片硅片进入第一清水槽常温漂洗3min；
6）经过步骤5）处理后的1200片硅片进入制绒槽于78℃制绒6min30s，制绒槽中的制绒液由1wt%制绒添加剂、2wt%naoh、97wt%去离子水配制而成；
7）经过步骤6）处理后的1200片硅片进入第二清水槽常温漂洗3min；
8）经过步骤7）处理后的1200片硅片经第二插片机放片后进入第二链式酸洗机的酸洗区进行5min常温酸洗，酸洗所用酸液由5wt%hf、5wt%hcl和90wt%去离子水配制而成；
9）经过步骤8）处理后的1200片硅片进入第二链式酸洗机的漂洗区进行6min常温漂洗；
10）经过步骤9）处理后的1200片硅片进入链式烘干炉中，于88℃烘干15min。
实施例2生产1200片制绒片，表面都无白斑、亮点，不良率为0.01%。
实施例3
1）1200片硅片进入链式氧化炉进行高温氧化处理，温度为300℃，时间为240s；
2）经过步骤1）处理后的1200片硅片进入第一链式酸洗机的酸洗区进行2min30s常温酸洗，酸洗所用酸液由9wt%hf和91wt%去离子水配制而成；
3）经过步骤2）处理后的1200片硅片进入第一链式酸洗机的漂洗区进行3min常温漂洗；
4）经过步骤3）处理后的1200片硅片经第一插片机插片后进入氧化槽进行氧化处理，时间为2min，温度为60℃，氧化槽中的氧化处理液由6wt%h2o2、3wt%naoh、91wt%去离子水配制而成；
5）经过步骤4）处理后的1200片硅片进入第一清水槽常温漂洗3min；
6）经过步骤5）处理后的1200片硅片进入制绒槽于78℃制绒6min40s，制绒槽中的制绒液由0.8wt%制绒添加剂、2wt%naoh、97.2wt%去离子水配制而成；
7）经过步骤6）处理后的1200片硅片进入第二清水槽常温漂洗3min；
8）经过步骤7）处理后的1200片硅片经第二插片机放片后进入第二链式酸洗机的酸洗区进行5min常温酸洗，酸洗所用酸液由5wt%hf、5wt%hcl和90wt%去离子水配制而成；
9）经过步骤8）处理后的1200片硅片进入第二链式酸洗机的漂洗区进行6min常温漂洗；
10）经过步骤9）处理后的1200片硅片进入链式烘干炉中，于88℃烘干15min。
实施例3生产1200片制绒片，表面都无白斑、亮点，不良率为0。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。