1.一种电容结构，其特征在于，包括：
下电极；
依次形成在所述下电极上的电容介电结构、第一非金属氮化物层和上电极。
2.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述第一非金属氮化物层包括氮化硼层和/或硅硼氮层。
3.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述电容结构还包括：
第二非金属氮化物层，所述第二非金属氮化物层设置在所述下电极和所述电容介电结构之间。
4.根据权利要求3所述的电容结构，其特征在于，所述第二非金属氮化物层和所述第一非金属氮化物层的厚度不同。
5.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述第一非金属氮化物层的厚度小于所述电容介电结构的厚度。
6.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述电容介电结构包括堆叠结构。
7.根据权利要求6所述的电容结构，其特征在于，所述电容介电结构包括以下至少两种材料的堆叠结构：氧化锆、氧化铝、氧化铪和氧化钛。
8.根据权利要求7所述的电容结构，其特征在于，所述电容介电结构包括依次堆叠设置的氧化锆层、氧化铝层和氧化锆层。
9.根据权利要求7所述的电容结构，其特征在于，所述电容介电结构包括依次堆叠设置的氧化钛层、氧化铪层、氧化铝层和氧化铪层。
10.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述电容结构还包括：导电层，所述导电层覆盖所述上电极。
11.一种半导体器件，其特征在于，包括：
基底；以及，
如权利要求1至10中任意一项所述的电容结构，所述电容结构设置在所述基底上。
12.一种电容结构制备方法，其特征在于，包括：
沉积下电极；
在所述下电极上依次形成电容介电结构、第一非金属氮化物层和上电极。