低插入力触头及其制造方法与流程

文档序号:32152475发布日期:2022-11-11 21:15阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种低插入力触头,包括:主体以及在所述低插入力触头的配合端处从所述主体延伸的弹簧梁,所述弹簧梁具有配合接口,所述配合接口配置用于配合电连接至配合触头,所述弹簧梁包括:导电基层,其延伸到所述配合接口;银涂层,其设置在所述导电基层上,所述银涂层设置在所述配合端的所述配合接口处;以及硫化银表面层,其在所述配合端的所述配合接口处直接在所述银涂层上形成固体润滑剂,所述硫化银表面层形成薄膜,所述薄膜在所述配合端的所述配合接口处限定所述低插入力触头的表面,所述薄膜具有受控的厚度。2.如权利要求1所述的低插入力触头,其中所述硫化银表面层直接在所述银涂层上主动地形成。3.如权利要求1所述的低插入力触头,其中与所述银涂层的摩擦系数相比,所述硫化银表面层降低了所述低插入力触头的表面的摩擦系数。4.如权利要求1所述的低插入力触头,其中所述硫化银表面层是直接形成在所述银涂层上的添加性薄膜。5.如权利要求1所述的低插入力触头,其中所述硫化银表面层在所述配合接口处具有受控的着色。6.如权利要求1所述的低插入力触头,其中所述硫化银表面层是通过对所述银涂层的无害化学处理而形成的。7.如权利要求1所述的低插入力触头,其中所述硫化银表面层是所述银涂层上的润滑薄膜。8.如权利要求1所述的低插入力触头,其中所述硫化银表面层具有受控的厚度。9.如权利要求1所述的低插入力触头,其中所述硫化银表面层配置为在所述配合接口处配合至所述配合触头。10.如权利要求1所述的低插入力触头,其中所述导电基层的配合端的整个表面积由所述硫化银表面层覆盖。11.如权利要求1所述的低插入力触头,还包括所述导电基层和所述银涂层之间的镍涂层。12.如权利要求1所述的低插入力触头,其中所述导电基层是铜基层或铜合金基层中的一个。13.如权利要求1所述的低插入力触头,其中所述硫化银表面层覆盖所述低插入力触头的整个表面积。14.如权利要求1所述的低插入力触头,其中所述弹簧梁是第一弹簧梁,所述低插入力触头还包括从所述主体延伸的第二弹簧梁,所述第一弹簧梁与所述第二弹簧梁之间形成有插座,所述插座配置为接收所述配合触头,所述第二弹簧梁包括:导电基层,其延伸到所述配合接口;银涂层,其设置在所述导电基层上,所述银涂层设置在所述配合端的所述配合接口处;以及硫化银表面层,其在所述配合端的所述配合接口处直接在所述银涂层上形成固体润滑
剂,所述硫化银表面层形成薄膜,所述薄膜在所述配合端的所述配合接口处限定所述低插入力触头的表面,所述薄膜具有受控的厚度。15.一种低插入力触头,包括:主体以及在所述低插入力触头的配合端处从所述主体延伸的弹簧梁,所述弹簧梁具有配合接口,所述配合接口配置用于配合电连接至配合触头,所述弹簧梁包括:导电基层,其延伸到所述配合接口;银涂层,其设置在所述导电基层上,所述银涂层设置在所述配合端的所述配合接口处;镍涂层,其直接设置在所述导电基层上,所述镍涂层设置在所述配合端的所述配合接口处;以及硫化银表面层,其在所述配合端的所述配合接口处直接在所述银涂层上形成固体润滑剂,所述硫化银表面层形成薄膜,所述薄膜在所述配合端的所述配合接口处限定所述低插入力触头的表面,所述薄膜具有受控的厚度。16.一种制造低插入力触头的方法,所述方法包括:提供导电基层,其包括所述低插入力触头的配合端处的弹簧梁,所述弹簧梁包括所述配合端处的配合接口,所述配合接口配置用于配合电连接至配合触头;在所述弹簧梁的所述配合接口处将银涂层施加在所述导电基层上;以及在所述银涂层上直接形成硫化银表面层以限定固体润滑剂薄膜,所述固体润滑剂薄膜在所述弹簧梁的配合接口处限定所述低插入力触头的表面,所述固体润滑剂薄膜在所述弹簧梁的配合接口处具有受控的厚度的硫化银材料。17.如权利要求16所述的方法,其中形成所述硫化银表面层包括使用无害化学处理来化学处理所述银涂层,以在所述银涂层上形成所述硫化银表面层。18.如权利要求16所述的方法,其中形成所述硫化银表面层包括使用化学处理处理所述银涂层,以在所述银涂层上获得均匀的彩色薄膜。19.如权利要求16所述的方法,其中施加银涂层包括将所述银涂层镀覆在所述导电基层上。20.如权利要求16所述的方法,其中形成所述硫化银表面层包括在化学浴中处理所述银涂层。

技术总结
一种低插入力触头包括主体以及在该低插入力触头的配合端处从该主体延伸的弹簧梁。该弹簧梁具有配合接口,该配合接口配置用于配合电连接至配合触头。该弹簧梁包括延伸到该配合接口的导电基层。银涂层设置在该导电基层上。该银涂层设置在该配合接口处。硫化银表面层直接在该银涂层上形成固体润滑剂。该硫化银表面层形成薄膜,该薄膜在该配合接口处具有受控的厚度。厚度。厚度。


技术研发人员:M.K.迈尔斯
受保护的技术使用者:泰连公司
技术研发日:2021.05.10
技术公布日:2022/11/10
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