技术特征：
1.一种微电子器件，包括：重布线层，其包括嵌入在介电材料内的金属区段，所述金属区段包括位于所述重布线层的晶粒接合区域内的有源凸块垫以及位于所述晶粒接合区域外且位于横向围绕所述晶粒接合区域的周边区域内的电孤立的、闲置的虚设接垫；至少一有源晶粒，其安装在所述晶粒接合区域内且所述周边区域外的所述重布线层上，各个有源晶粒通过直接位于所述至少一有源晶粒的有源面以及相应有源凸块垫之间的第一凸块安装在所述有源凸块垫的一个有源凸块垫上；虚设晶粒，其安装在所述周边区域内且所述晶粒接合区域外的所述重布线层上，所述虚设晶粒包括虚设硅晶粒，所述虚设硅晶粒具有与所述至少一有源晶粒尺寸相似的尺寸，各个虚设晶粒通过直接位于所述各个虚设晶粒以及相应电孤立的、闲置的虚设接垫之间的第二凸块安装在所述电孤立的、闲置的虚设接垫的一个电孤立的、闲置的虚设接垫上，所述虚设晶粒的至少一者沿着所述至少一有源晶粒的每个侧表面延伸，使得所述虚设晶粒围绕所述至少一有源晶粒且占据大部分周边区域；以及成型模料，其覆盖所述至少一有源晶粒与所述虚设晶粒的侧表面，而不覆盖所述至少一有源晶粒与所述虚设晶粒的上表面。2.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述虚设晶粒完全位于所述周边区域内。3.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述周边区域位于邻近各个封装的外边缘处，所述晶粒接合区域通过所述周边区域与所述各个封装的所述外边缘分隔。4.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述有源凸块垫通过所述重布线层的所述介电材料与所述电孤立的、闲置的虚设接垫横向分隔。5.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述电孤立的、闲置的虚设接垫分别连接到所述虚设晶粒的相应不同的一个虚设晶粒。6.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述重布线层的至少一些金属区段与所述至少一有源晶粒和所述虚设晶粒中的一个或多个垂直对齐。7.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述金属区段和所述介电材料的外表面在所述重布线层的至少一侧彼此共面。8.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述至少一有源晶粒包括通过所述重布线层的金属区段彼此互连的两个或多个有源晶粒，所述两个或多个有源晶粒中的至少一些包括存储器芯片。9.根据权利要求1所述的微电子器件，进一步包括：钝化材料，其位于所述重布线层的至少一侧上；焊接凸块，其通过所述钝化材料中的开口直接接触所述重布线层的所述金属区段。10.一种微电子器件，包括：重布线层，其包括嵌入在介电材料内的金属区段，所述金属区段包括位于所述重布线层的晶粒接合区域内的有源凸块垫；至少一有源晶粒，其安装在所述晶粒接合区域内的所述重布线层上，各个有源晶粒通过直接位于所述至少一有源晶粒的有源面以及相应有源凸块垫之间的凸块安装在所述有源凸块垫的一个有源凸块垫上；虚设晶粒，其安装在所述晶粒接合区域外且横向围绕所述晶粒接合区域的周边区域内
的所述重布线层上，所述虚设晶粒包括虚设硅晶粒，所述虚设硅晶粒具有与所述至少一有源晶粒尺寸相似的尺寸，且所述虚设晶粒通过黏着剂直接安装在所述重布线层的所述介电材料上且与所述金属区段电孤立，所述虚设晶粒的至少一者沿着所述至少一有源晶粒的每个侧表面延伸，使得所述虚设晶粒围绕所述至少一有源晶粒且占据大部分周边区域；以及成型模料，其覆盖所述至少一有源晶粒与所述虚设晶粒的侧表面，而不覆盖所述至少一有源晶粒与所述虚设晶粒的上表面。11.根据权利要求10所述的微电子器件，其中所述至少一有源晶粒完全位于所述晶粒接合区域内而不位于所述周边区域内。12.根据权利要求10所述的微电子器件，其中所述至少一有源晶粒安装在所述有源凸块垫的一者上。13.根据权利要求10所述的微电子器件，其中各个有源凸块垫与所述至少一有源晶粒直接垂直对齐。14.根据权利要求10所述的微电子器件，其中所述虚设晶粒位于所述至少一有源晶粒的高度水平上，所述虚设晶粒与所述重布线层的电路电孤立。15.根据权利要求10所述的微电子器件，其中所述黏着剂直接位于所述虚设晶粒和所述重布线层的所述介电材料之间。16.根据权利要求10所述的微电子器件，其中所述至少一有源晶粒包括两个或多个有源晶粒，所述两个或多个有源晶粒和所述虚设晶粒中的每一者通过所述成型模料彼此横向分隔。17.根据权利要求10所述的微电子器件，其中所述成型模料直接接触所述重布线层的所述介电材料，所述虚拟晶粒位于并经配置以减少围绕所述至少一有源晶粒的所述成型模料的体积。18.根据权利要求10所述的微电子器件，进一步包括安装在与所述至少一有源晶粒相对的所述重布线层的一侧的焊接凸块，其中所述焊接凸块仅通过所述重布线层可操作地连接到所述至少一有源晶粒。19.根据权利要求18所述的微电子器件，其中所述重分布层的所述金属区段直接位于所述至少一有源晶粒和所述焊接凸块之间。20.根据权利要求18所述的微电子器件，其中所述焊接凸块中的至少一些与所述至少一有源晶粒和所述虚设晶粒中的一个或多个垂直对齐。
技术总结
本申请涉及半导体器件。半导体器件包括：一中介层，具有一第一面及相对于第一面的第二面；至少一有源芯片，通过多个第一凸块安装到所述第一面的一芯片接合区域内；至少一虚设芯片，安装到所述第一面的所述芯片接合区域旁的一周边区域内；一成型模料，设置在所述第一面上，并且所述成型模料覆盖所述至少一有源芯片与所述至少一虚设芯片；以及多个焊接凸块，设置在所述第二面上。置在所述第二面上。置在所述第二面上。
技术研发人员：施信益 施能泰
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2015.08.18
技术公布日：2021/9/9