显示装置的制作方法

1.本公开涉及一种显示装置。


背景技术：

2.有机发光显示装置包括两个电极和位于其之间的有机发光层，从一个电极注入的电子(electron)和从另一电极注入的空穴(hole)在有机发光层中复合而形成激子(exciton)。激子从激发态(exited state)跃迁到基态(ground state)，同时放出能量而发光。
3.这样的有机发光显示装置包括包括作为自发光元件的有机发光二极管的多个像素，在各像素形成有用于驱动有机发光二极管的多个晶体管以及一个以上的电容器(capacitor)。多个晶体管可以基本上包括开关晶体管以及驱动晶体管。
4.各像素可以包括传输补偿电压的晶体管。传输这样的补偿电压的路径与一部分布线重叠并增加电阻，补偿电压可能不能正常传输。由此，存在被识别到横线斑纹的问题。


技术实现要素：

5.实施例用于提供一种能够降低传输补偿电压的路径的电阻而顺利地传输补偿电压的显示装置。
6.实施例用于提供一种由此能够改善横线斑纹的显示装置。
7.根据一实施例的显示装置包括：发光二极管，连接于被施加驱动电压的驱动电压线与被施加公共电压的公共电压线之间；驱动晶体管，连接于所述驱动电压线与所述发光二极管之间；第二晶体管，连接于与所述驱动电压线连接的所述驱动晶体管的第一电极与被施加数据电压的数据线之间；第一扫描线，连接于所述第二晶体管的栅极电极；第三晶体管，连接于与所述发光二极管连接的所述驱动晶体管的第二电极与所述驱动晶体管的栅极电极之间；以及连接电极，连接所述驱动晶体管的栅极电极和所述第三晶体管，所述连接电极与所述第三晶体管彼此接触的接触部的至少一部分与所述第一扫描线不重叠。
8.可以是，所述接触部不与所述第一扫描线重叠。
9.可以是，所述第三晶体管包括：第一电极，与所述驱动晶体管的第一电极连接；第二电极，与所述连接电极连接；沟道，位于所述第一电极与所述第二电极之间；以及栅极电极，与所述沟道重叠，所述第三晶体管的第二电极与所述连接电极重叠。
10.可以是，根据一实施例的显示装置还包括：绝缘层，位于所述第三晶体管的第二电极与所述连接电极之间，所述绝缘层包括与所述第三晶体管的第二电极以及所述连接电极重叠的开口部，所述第三晶体管的第二电极与所述连接电极通过所述开口部连接，所述开口部不与所述第一扫描线重叠。
11.可以是，所述接触部位于所述开口部内。
12.可以是，根据一实施例的显示装置还包括：第二扫描线，与所述第三晶体管的栅极电极连接，所述开口部在平面上位于所述第一扫描线与所述第二扫描线之间。
13.可以是，所述开口部的一侧边缘与所述第一扫描线的一侧边缘一致。
14.可以是，所述连接电极与所述第一扫描线重叠。
15.可以是，所述开口部与所述第一扫描线隔开。
16.可以是，所述连接电极不与所述第一扫描线重叠。
17.可以是，所述驱动晶体管以及所述第二晶体管包含多晶半导体，并由p型晶体管构成，所述第三晶体管包含氧化物半导体，并由n型晶体管构成。
18.可以是，在相同的定时，与施加于所述第一扫描线的电压相反极性的电压施加于所述第二扫描线。
19.可以是，根据一实施例的显示装置还包括：升压电容器，连接于所述第二晶体管的栅极电极与所述第三晶体管的第二电极之间，所述接触部不与所述升压电容器重叠。
20.可以是，所述接触部的一部分与所述第一扫描线重叠，所述接触部的剩余一部分不与所述第一扫描线重叠。
21.可以是，所述第三晶体管包括：第一电极，与所述驱动晶体管的第一电极连接；第二电极，与所述连接电极连接；沟道，位于所述第一电极与所述第二电极之间；以及栅极电极，与所述沟道重叠，所述第三晶体管的第二电极与所述连接电极重叠。
22.可以是，根据一实施例的显示装置还包括：绝缘层，位于所述第三晶体管的第二电极与所述连接电极之间，所述绝缘层包括与所述第三晶体管的第二电极以及所述连接电极重叠的开口部，所述第三晶体管的第二电极与所述连接电极通过所述开口部连接，所述开口部的一部分与所述第一扫描线重叠，所述开口部的剩余一部分不与所述第一扫描线重叠。
23.可以是，所述接触部位于所述开口部内。
24.根据一实施例的显示装置包括：基板；驱动晶体管的第一电极、沟道以及第二电极，位于所述基板之上，并包含多晶半导体；第一栅极绝缘膜，位于所述驱动晶体管的第一电极、沟道以及第二电极之上；驱动晶体管的栅极电极，位于所述第一栅极绝缘膜之上，并与所述驱动晶体管的沟道重叠；第一扫描线，位于所述第一栅极绝缘膜之上；第二栅极绝缘膜，位于所述驱动晶体管的栅极电极以及所述第一扫描线之上；下第二扫描线，位于所述第二栅极绝缘膜之上；第一层间绝缘膜，位于所述下第二扫描线之上；第三晶体管的第一电极、沟道以及第二电极，位于所述第一层间绝缘膜之上，并包含氧化物半导体；第三栅极绝缘膜，位于所述第三晶体管的第一电极、沟道以及第二电极之上；第三晶体管的栅极电极，位于所述第三栅极绝缘膜之上；第二层间绝缘膜，位于所述第三晶体管的栅极电极之上；以及连接电极，位于所述第二层间绝缘膜之上，并连接所述驱动晶体管的栅极电极和所述第三晶体管的第二电极，所述连接电极与所述第三晶体管的第二电极接触的接触部的至少一部分与所述下第二扫描线不重叠。
25.可以是，所述第二层间绝缘膜以及所述第三栅极绝缘膜包括：开口部，与所述连接电极以及所述第三晶体管的第二电极重叠，所述接触部位于所述开口部内，所述开口部的至少一部分不与所述第一扫描线重叠。
26.可以是，根据一实施例的显示装置还包括：上第二扫描线，与所述第三晶体管的栅极电极一体构成，所述开口部在平面上位于所述第一扫描线与所述上第二扫描线之间，所述开口部不与所述上第二扫描线重叠。
27.可以是，根据一实施例的显示装置还包括：第二晶体管，连接于所述第一扫描线，所述驱动晶体管以及所述第二晶体管包含多晶半导体，并由p型晶体管构成，所述第三晶体管包含氧化物半导体，并由n型晶体管构成，在相同的定时，与施加于所述第一扫描线的电压相反极性的电压施加于所述上第二扫描线。
28.可以是，根据一实施例的显示装置还包括：第一升压电极，与所述第一扫描线一体构成；以及第二升压电极，与所述第三晶体管的第二电极一体构成，所述第一升压电极和所述第二升压电极将所述第二栅极绝缘膜以及所述第一层间绝缘膜置于之间并彼此重叠而构成升压电容器，所述接触部的至少一部分不与所述升压电容器重叠。
29.(发明效果)
30.根据实施例，能够降低传输补偿电压的路径的电阻而顺利地传输补偿电压，由此能够改善横线斑纹。
附图说明
31.图1是根据一实施例的显示装置的电路图。
32.图2是示出根据一实施例的显示装置的平面图。
33.图3是沿着图2的iii
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iii线示出的截面图。
34.图4是沿着图2的iv
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iv线示出的截面图。
35.图5至图10是按照根据一实施例的显示装置的制造顺序依次示出的平面图。
36.图11是示出根据一实施例的显示装置的一部分的平面图。
37.图12是示出根据比较例的显示装置的平面图。
38.图13是沿着图12的xiii
‑
xiii线示出的截面图。
39.图14是示出根据一实施例的显示装置的平面图。
40.图15是沿着图14的xv
‑
xv线示出的截面图。
41.图16是示出根据一实施例的显示装置的一部分的平面图。
42.图17是示出根据一实施例的显示装置的平面图。
43.图18是沿着图17的xviii
‑
xviii线示出的截面图。
44.图19是示出根据一实施例的显示装置的一部分的平面图。
45.(附图标记说明)
46.110：基板
47.127：第一初始化电压线
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128：第二初始化电压线
48.151：第一扫描线
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151a：第一升压电极
49.152：第二扫描线
50.153：初始化控制线
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154：旁路控制线
51.155：发光控制线
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171：数据线
52.172：驱动电压线
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741：公共电压线
53.1131：驱动晶体管的第一电极
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1133：驱动晶体管的第二电极
54.1151：驱动晶体管的栅极电极
55.1165：第一开口部
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1166：第二开口部
56.1175：第一连接电极
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3151：第三晶体管的栅极电极
57.3136：第三晶体管的第一电极
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3138：第三晶体管的第二电极
58.3138a：第二升压电极
59.cst：保持电容器
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cbt：升压电容器
具体实施方式
60.以下，以所附的附图作为参考，针对本发明的多个实施例进行详细说明，以使在本发明所属的技术领域中具有通常知识的人能够容易地实施。本发明可以以各种不同的形式实现，不限于在此说明的实施例。
61.为了明确地说明本发明，省略了与说明无关的部分，贯穿说明书全文，针对相同或相似的构成要件，标注相同的附图标记。
62.另外，为了便于说明，附图中出现的各结构的尺寸以及厚度任意地示出，因此本发明不是必须限于图示。在附图中，为了明确地呈现多个层以及区域，放大厚度而示出。而且，在附图中，为了便于说明，夸张地示出一部分层以及区域的厚度。
63.另外，当说到层、膜、区域、板等部分“在”另一部分“之上”或“上”时，不仅包括其“直接在”另一部分“之上”的情况，还包括在其中间有又另一部分的情况。相反地，当说到某部分“直接在”另一部分“之上”时，表示在中间没有其它部分。另外，存在于成为基准的部分“之上”或“上”是位于成为基准的部分之上或之下，不意指必须位于向重力相反方向侧的“之上”或“上”。
64.另外，在说明书全文中，当说到某部分“包括”某构成要件时，在没有特别相反的记载的情况下，其不是将其它构成要件除外，意指可以还包括其它构成要件。
65.另外，在说明书全文中，当说到“平面上”时，其意指从上看对象部分的时候，当说到“截面上”时，其意指从旁边看垂直截取对象部分的截面。
66.首先，参照图1，针对根据一实施例的显示装置的一像素进行如下说明。
67.图1是根据一实施例的显示装置的电路图。
68.如图1所示，根据一实施例的显示装置的一个像素px包括连接于多个布线127、128、151、152、153、154、155、171、172、741的多个晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6、t7、保持电容器cst、升压电容器cbt以及发光二极管led。
69.多个布线127、128、151、152、153、154、155、171、172、741连接于一个像素px。多个布线包括第一初始化电压线127、第二初始化电压线128、第一扫描线151、第二扫描线152、初始化控制线153、旁路控制线154、发光控制线155、数据线171、驱动电压线172以及公共电压线741。
70.第一扫描线151连接于栅极驱动部(未图示)而将第一扫描信号gw传输于第二晶体管t2。第二扫描线152可以在与第一扫描线151的信号相同的定时被施加与施加于第一扫描线151的电压相反极性的电压。例如，当负极性的电压施加于第一扫描线151时，正极性的电压可以施加于第二扫描线152。第二扫描线152将第二扫描信号gc传输于第三晶体管t3。
71.初始化控制线153将初始化控制信号gi传输于第四晶体管t4。旁路控制线154将旁路信号gb传输于第七晶体管t7。旁路控制线154可以由前端的第一扫描线151构成。发光控制线155将发光控制信号em传输于第五晶体管t5以及第六晶体管t6。
72.数据线171作为传输从数据驱动部(未图示)生成的数据电压data的布线，根据施
加于像素px的数据电压data，发光二极管led发光的亮度变化。
73.驱动电压线172施加驱动电压elvdd。第一初始化电压线127传输第一初始化电压vint，第二初始化电压线128传输第二初始化电压aint。公共电压线741将公共电压elvss施加至发光二极管led的阴极电极。在本实施例中，施加于驱动电压线172、第一及第二初始化电压线127、128以及公共电压线741的电压可以各自为一定的电压。
74.以下，针对多个晶体管的结构以及连接关系进行具体说明。
75.驱动晶体管t1可以具有p型晶体管特性，并可以包含多晶半导体。驱动晶体管t1是根据施加于驱动晶体管t1的栅极电极的数据电压data而调节输出至发光二极管led的阳极电极的电流的大小的晶体管。由于根据输出至发光二极管led的阳极电极的驱动电流的大小调节发光二极管led的亮度，可以根据施加于像素px的数据电压data调节发光二极管led的亮度。为此，驱动晶体管t1的第一电极配置为可以接收驱动电压elvdd的施加，经由第五晶体管t5而与驱动电压线172连接。另外，驱动晶体管t1的第一电极还与第二晶体管t2的第二电极连接而还接收数据电压data的施加。另一方面，驱动晶体管t1的第二电极配置为可以朝向发光二极管led输出电流，经由第六晶体管t6而与发光二极管led的阳极电极连接。另外，驱动晶体管t1的第二电极将施加至第一电极的数据电压data传输至第三晶体管t3。另一方面，驱动晶体管t1的栅极电极与保持电容器cst的一电极(以下称为“第二保持电极”)连接。对此，根据存储于保持电容器cst的电压，驱动晶体管t1的栅极电极的电压改变，由此驱动晶体管t1输出的驱动电流改变。另外，保持电容器cst还起到在一帧期间恒定保持驱动晶体管t1的栅极电极的电压的作用。
76.第二晶体管t2可以具有p型晶体管特性，并可以包含多晶半导体。第二晶体管t2是将数据电压data接收至像素px内的晶体管。第二晶体管t2的栅极电极与第一扫描线151以及升压电容器cbt的一电极(以下称为“第一升压电极”)连接。第二晶体管t2的第一电极与数据线171连接。第二晶体管t2的第二电极与驱动晶体管t1的第一电极连接。若基于通过第一扫描线151传输的第一扫描信号gw中的负极性的电压而第二晶体管t2导通，则通过数据线171传输的数据电压data传输至驱动晶体管t1的第一电极。
77.第三晶体管t3可以具有n型晶体管特性，并可以包含氧化物半导体。第三晶体管t3将驱动晶体管t1的第二电极和驱动晶体管t1的栅极电极电连接。其结果，第三晶体管t3是使得数据电压data经过驱动晶体管t1而改变的补偿电压传输于保持电容器cst的第二保持电极的晶体管。第三晶体管t3的栅极电极与第二扫描线152连接，第三晶体管t3的第一电极与驱动晶体管t1的第二电极连接。第三晶体管t3的第二电极与保持电容器cst的第二保持电极、驱动晶体管t1的栅极电极以及升压电容器cbt的另一电极(以下称为“第二升压电极”)连接。第三晶体管t3基于接收通过第二扫描线152传输的第二扫描信号gc中的正极性的电压而导通，使驱动晶体管t1的栅极电极与驱动晶体管t1的第二电极连接，并将施加于驱动晶体管t1的栅极电极的电压传输至保持电容器cst的第二保持电极而存储于保持电容器cst。
78.第四晶体管t4可以具有n型晶体管特性，并可以包含氧化物半导体。第四晶体管t4起到使驱动晶体管t1的栅极电极以及保持电容器cst的第二保持电极初始化的作用。第四晶体管t4的栅极电极与初始化控制线153连接，第四晶体管t4的第一电极与第一初始化电压线127连接。第四晶体管t4的第二电极经由第三晶体管t3的第二电极而连接于保持电容
器cst的第二保持电极、驱动晶体管t1的栅极电极以及第二升压电极。第四晶体管t4基于接收通过初始化控制线153传输的初始化控制信号gi中的正极性的电压而导通，此时，将第一初始化电压vint传输于驱动晶体管t1的栅极电极以及保持电容器cst的第二保持电极。由此，驱动晶体管t1的栅极电极的电压以及保持电容器cst被初始化。
79.第五晶体管t5可以具有p型晶体管特性，并可以包含多晶半导体。第五晶体管t5起到将驱动电压elvdd传输于驱动晶体管t1的作用。第五晶体管t5的栅极电极与发光控制线155连接，第五晶体管t5的第一电极与驱动电压线172连接，第五晶体管t5的第二电极与驱动晶体管t1的第一电极连接。
80.第六晶体管t6可以具有p型晶体管特性，并可以包含多晶半导体。第六晶体管t6起到将从驱动晶体管t1输出的驱动电流传输至发光二极管led的作用。第六晶体管t6的栅极电极与发光控制线155连接，第六晶体管t6的第一电极与驱动晶体管t1的第二电极连接，第六晶体管t6的第二电极与发光二极管led的正极电极连接。
81.第七晶体管t7可以具有p型晶体管特性，并可以包含多晶半导体。第七晶体管t7起到使发光二极管led的正极电极初始化的作用。第七晶体管t7的栅极电极与旁路控制线154连接，第七晶体管t7的第一电极与发光二极管led的正极电极连接，第七晶体管t7的第二电极与第二初始化电压线128连接。若通过旁路信号gb中的负极性的电压而第七晶体管t7导通，则第二初始化电压aint施加至发光二极管led的正极电极而被初始化。
82.以上说明为一个像素px包括七个晶体管t1～t7、一个保持电容器cst、一个升压电容器cbt，但是不限于此，晶体管的数量和电容器的数量及它们的连接关系可以进行各种变更。
83.在本实施例中，驱动晶体管t1可以包含多晶半导体。另外，第三晶体管t3以及第四晶体管t4可以包含氧化物半导体。第二晶体管t2、第五晶体管t5、第六晶体管t6以及第七晶体管t7可以包含多晶半导体。但是，不限于此，也可以是第二晶体管t2、第五晶体管t5、第六晶体管t6以及第七晶体管t7中的至少任一个包含氧化物半导体。在本实施例中，通过使第三晶体管t3以及第四晶体管t4包含与驱动晶体管t1彼此不同的半导体物质，能够更稳定地驱动，能够提高可靠性。
84.如前所述，当正极性的电压施加于第一扫描线151时，负极性的电压施加于第二扫描线152，当负极性的电压施加于第一扫描线151时，正极性的电压施加于第二扫描线152。即，由于施加于第二扫描线152的第二扫描信号gc由与施加于第一扫描线151的第一扫描信号gw反相的信号构成，写入数据后将驱动晶体管t1的栅极电压拉低。相反，第一扫描信号gw将驱动晶体管t1的栅极电压拉高。因此，在写入黑电压的情况下，黑电压可能减小。在本实施例中，通过使升压电容器cbt位于被施加第一扫描信号gw的第一扫描线151与驱动晶体管t1的栅极电极之间，能够使驱动晶体管t1的栅极电压上升而稳定地输出黑色电压。能够随着升压电容器cbt的容量增加，使驱动晶体管t1的栅极电压上升更多。通过调节升压电容器cbt的容量，能够控制驱动晶体管t1的栅极电压。
85.以下，参照图2至图10，进一步说明驱动晶体管t1、第三晶体管t3、第一扫描线151、升压电容器cbt等的平面以及截面上结构。
86.图2是示出根据一实施例的显示装置的平面图，图3是沿着图2的iii
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iii线示出的截面图，图4是沿着图2的iv
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iv线示出的截面图。图5至图10是按照根据一实施例的显示装
置的制造顺序依次示出的平面图。图2至图10示出相邻的两个像素，两个像素可以具有彼此对称的形状。但是，不限于此，两个像素也可以具有实质上相同的形状。以下，主要以位于左侧的像素为主进行说明。另外，在第七晶体管t7的情况下，由于连接于前端的第一扫描线151，省略其图示，代替示出后端的第七晶体管t7。
87.如图2至图10所述，在基板110之上可以配置包括驱动晶体管t1的沟道1132、第一电极1131以及第二电极1133的多晶半导体。图5示出多晶半导体。多晶半导体可以不仅包括驱动晶体管t1的沟道、第一电极以及第二电极，还包括第二晶体管t2、第五晶体管t5、第六晶体管t6以及第七晶体管t7各自的沟道、第一电极以及第二电极。
88.驱动晶体管t1的沟道1132可以以在平面上弯曲的形状构成。但是，驱动晶体管t1的沟道1132的形状不限于此，可以进行各种变更。例如，驱动晶体管t1的沟道1132也可以弯曲为其它形状，也可以以杆形状构成。驱动晶体管t1的第一电极1131以及第二电极1133可以位于驱动晶体管t1的沟道1132的两侧。驱动晶体管t1的第一电极1131在平面上向上下延伸，向下侧延伸的部分可以与第二晶体管t2的第二电极连接，向上侧延伸的部分可以与第五晶体管t5的第二电极连接。驱动晶体管t1的第二电极1133可以在平面上向上延伸而与第六晶体管t6的第一电极连接。
89.在基板110与包括驱动晶体管t1的沟道1132、第一电极1131以及第二电极1133的多晶半导体之间可以配置缓冲层111。缓冲层111可以具有单层或多层结构。缓冲层111可以包含有机绝缘物质或无机绝缘物质。
90.在包括驱动晶体管t1的沟道1132、第一电极1131以及第二电极1133的多晶半导体之上可以配置第一栅极绝缘膜141。第一栅极绝缘膜141可以包含氮化硅、氧化硅等。
91.在第一栅极绝缘膜141之上可以配置包括驱动晶体管t1的栅极电极1151的第一栅极导电体。图6一起示出多晶半导体以及第一栅极导电体。第一栅极导电体可以不仅包括驱动晶体管t1的栅极电极，还包括第二晶体管t2、第五晶体管t5、第六晶体管t6以及第七晶体管t7各自的栅极电极。
92.驱动晶体管t1的栅极电极1151可以与驱动晶体管t1的沟道1132重叠。驱动晶体管t1的沟道1132被驱动晶体管t1的栅极电极1151覆盖。
93.第一栅极导电体可以还包括第一扫描线151以及发光控制线155。第一扫描线151以及发光控制线155可以向大致横向方向延伸。第一扫描线151可以与第二晶体管t2的栅极电极以及第一升压电极151a连接。第一扫描线151可以与第二晶体管t2的栅极电极一体构成。第一扫描线151可以与第一升压电极151a一体构成。第一扫描线151可以与位于下一端的像素的第七晶体管t7的栅极电极连接。即，连接于第七晶体管t7的旁路控制线可以由前端的第一扫描线151构成。第五晶体管t5的栅极电极以及第六晶体管t6的栅极电极可以与发光控制线155连接。
94.在形成包括驱动晶体管t1的栅极电极1151的第一栅极导电体后，可以执行掺杂工艺。可以是，被第一栅极导电体遮盖的多晶半导体不进行掺杂，没有被第一栅极导电体覆盖的多晶半导体的部分进行掺杂而具有与导电体相同的特性。此时，可以以p型掺杂剂进行掺杂工艺，包括多晶半导体的驱动晶体管t1、第二晶体管t2、第五晶体管t5、第六晶体管t6以及第七晶体管t7可以具有p型晶体管特性。
95.在包括驱动晶体管t1的栅极电极1151的第一栅极导电体以及第一栅极绝缘膜141
之上可以配置第二栅极绝缘膜142。第二栅极绝缘膜142可以包含氮化硅、氧化硅等。
96.在第二栅极绝缘膜142之上可以配置包括保持电容器cst的第一保持电极1153、第三晶体管t3的光阻挡层3155以及第四晶体管t4的光阻挡层4155的第二栅极导电体。图7一起示出多晶半导体、第一栅极导电体以及第二栅极导电体。
97.第一保持电极1153与驱动晶体管t1的栅极电极1151重叠而构成保持电容器cst。在保持电容器cst的第一保持电极1153形成开口部1152。保持电容器cst的第一保持电极1153的开口部1152可以与驱动晶体管t1的栅极电极1151重叠。第三晶体管t3的光阻挡层3155可以与第三晶体管t3的沟道3137以及栅极电极3151重叠。第四晶体管t4的光阻挡层4155可以与第四晶体管t4的沟道4137以及栅极电极4151重叠。
98.第二栅极导电体可以还包括下第二扫描线152a、下初始化控制线153a以及第一初始化电压线127。下第二扫描线152a、下初始化控制线153a以及第一初始化电压线127可以向大致横向方向延伸。下第二扫描线152a可以与第三晶体管t3的光阻挡层3155连接。下第二扫描线152a可以与第三晶体管t3的光阻挡层3155一体构成。下初始化控制线153a可以与第四晶体管t4的光阻挡层4155连接。下初始化控制线153a可以与第四晶体管t4的光阻挡层4155一体构成。
99.在包括保持电容器cst的第一保持电极1153、第三晶体管t3的光阻挡层3155以及第四晶体管t4的光阻挡层4155的第二栅极导电体之上可以配置第一层间绝缘膜161。第一层间绝缘膜161可以包含氮化硅、氧化硅等。
100.在第一层间绝缘膜161之上可以配置包括第三晶体管t3的沟道3137、第一电极3136以及第二电极3138、第四晶体管t4的沟道4137、第一电极4136以及第二电极4138的氧化物半导体。图8一起示出多晶半导体、第一栅极导电体、第二栅极导电体以及氧化物半导体。
101.氧化物半导体可以包括铟(in)、锡(sn)或锌(zn)等一元素金属氧化物、in
‑
zn类氧化物、sn
‑
zn类氧化物、al
‑
zn类氧化物、zn
‑
mg类氧化物、sn
‑
mg类氧化物、in
‑
mg类氧化物或in
‑
ga类氧化物等二元素金属氧化物、in
‑
ga
‑
zn类氧化物、in
‑
al
‑
zn类氧化物、in
‑
sn
‑
zn类氧化物、sn
‑
ga
‑
zn类氧化物、al
‑
ga
‑
zn类氧化物、sn
‑
al
‑
zn类氧化物、in
‑
hf
‑
zn类氧化物、in
‑
la
‑
zn类氧化物、in
‑
ce
‑
zn类氧化物、in
‑
pr
‑
zn类氧化物、in
‑
nd
‑
zn类氧化物、in
‑
sm
‑
zn类氧化物、in
‑
eu
‑
zn类氧化物、in
‑
gd
‑
zn类氧化物、in
‑
tb
‑
zn类氧化物、in
‑
dy
‑
zn类氧化物、in
‑
ho
‑
zn类氧化物、in
‑
er
‑
zn类氧化物、in
‑
tm
‑
zn类氧化物、in
‑
yb
‑
zn类氧化物或in
‑
lu
‑
zn类氧化物等三元素金属氧化物以及in
‑
sn
‑
ga
‑
zn类氧化物、in
‑
hf
‑
ga
‑
zn类氧化物、in
‑
al
‑
ga
‑
zn类氧化物、in
‑
sn
‑
al
‑
zn类氧化物、in
‑
sn
‑
hf
‑
zn类氧化物或in
‑
hf
‑
al
‑
zn类氧化物等四元素金属氧化物中的至少一种。例如，氧化物半导体可以包括所述in
‑
ga
‑
zn类氧化物中的铟镓锌氧化物(igzo，indium
‑
gallium
‑
zinc oxide)。
102.第三晶体管t3的沟道3137、第一电极3136以及第二电极3138、第四晶体管t4的沟道4137、第一电极4136以及第二电极4138可以彼此连接而一体构成。第三晶体管t3的第一电极3136以及第二电极3138可以位于第三晶体管t3的沟道3137的两侧。第四晶体管t4的第一电极4136以及第二电极4138可以位于第四晶体管t4的沟道4137的两侧。第三晶体管t3的第二电极3138可以与第四晶体管t4的第二电极4138连接。第三晶体管t3的沟道3137可以与光阻挡层3155重叠。第四晶体管t4的沟道4137可以与光阻挡层4155重叠。
103.氧化物半导体可以还包括第二升压电极3138a。第二升压电极3138a可以与第三晶体管t3的第二电极3138连接。第二升压电极3138a可以与第三晶体管t3的第二电极3138一体构成。第二升压电极3138a可以与第四晶体管t4的第二电极4138连接。第二升压电极3138a可以与第四晶体管t4的第二电极4138一体构成。第二升压电极3138a可以与第一升压电极151a重叠。通过升压电容器cbt的第一升压电极151a与第二升压电极3138a的重叠区域、位于第一升压电极151a与第二升压电极3138a之间的第二栅极绝缘膜142以及第一层间绝缘膜161的厚度等，可以确定升压电容器cbt的电容。
104.在包括第三晶体管t3的沟道3137、第一电极3136以及第二电极3138、第四晶体管t4的沟道4137、第一电极4136以及第二电极4138的氧化物半导体之上可以配置第三栅极绝缘膜143。第三栅极绝缘膜143可以位于氧化物半导体以及第一层间绝缘膜161之上的整面。因此，第三栅极绝缘膜143可以覆盖第三晶体管t3的沟道3137、第一电极3136以及第二电极3138、第四晶体管t4的沟道4137、第一电极4136以及第二电极4138的上面以及侧面。但是，本实施例不限于此，第三栅极绝缘膜143也可以不位于氧化物半导体以及第一层间绝缘膜161之上的整面。例如，第三栅极绝缘膜143也可以与第三晶体管t3的沟道3137重叠，并不与第一电极3136以及第二电极3138重叠。另外，第三栅极绝缘膜143也可以与第四晶体管t4的沟道4137重叠，并不与第一电极4136以及第二电极4138重叠。
105.在第三栅极绝缘膜143之上可以配置包括第三晶体管t3的栅极电极3151以及第四晶体管t4的栅极电极4151的第三栅极导电体。图9一起示出多晶半导体、第一栅极导电体、第二栅极导电体、氧化物半导体以及第三栅极导电体。
106.第三晶体管t3的栅极电极3151可以与第三晶体管t3的沟道3137重叠。第三晶体管t3的栅极电极3151可以与第三晶体管t3的光阻挡层3155重叠。
107.第四晶体管t4的栅极电极4151可以与第四晶体管t4的沟道4137重叠。第四晶体管t4的栅极电极4151可以与第四晶体管t4的光阻挡层4155重叠。
108.第三栅极导电体可以还包括上第二扫描线152b以及上初始化控制线153b。上第二扫描线152b以及上初始化控制线153b可以向大致横向方向延伸。上第二扫描线152b与下第二扫描线152a一起构成第二扫描线152。上第二扫描线152b可以与第三晶体管t3的栅极电极3151连接。上第二扫描线152b可以与第三晶体管t3的栅极电极3151一体构成。上初始化控制线153b与下初始化控制线153a一起构成初始化控制线153。上初始化控制线153b可以与第四晶体管t4的栅极电极4151连接。上初始化控制线153b可以与第四晶体管t4的栅极电极4151一体构成。
109.在形成包括第三晶体管t3的栅极电极3151以及第四晶体管t4的栅极电极4151的第三栅极导电体后，可以执行掺杂工艺。可以是，被第三栅极导电体遮盖的氧化物半导体的部分不进行掺杂，没有被第三栅极导电体覆盖的氧化物半导体的部分进行掺杂而具有与导电体相同的特性。第三晶体管t3的沟道3137可以位于栅极电极3151之下，以与栅极电极3151重叠。第三晶体管t3的第一电极3136以及第二电极3138可以不与栅极电极3151重叠。第四晶体管t4的沟道4137可以位于栅极电极4151之下，以与栅极电极4151重叠。第四晶体管t4的第一电极4136以及第二电极4138可以不与栅极电极4151重叠。第二升压电极3138a可以不与第三栅极导电体重叠。氧化物半导体的掺杂工艺可以以n型掺杂剂进行，包含氧化物半导体的第三晶体管t3以及第四晶体管t4可以具有n型晶体管特性。
110.在包括第三晶体管t3的栅极电极3151以及第四晶体管t4的栅极电极4151的第三栅极导电体之上可以配置第二层间绝缘膜162。第二层间绝缘膜162可以包括第一开口部1165、第二开口部1166、第三开口部3165以及第四开口部3166。
111.第一开口部1165可以与驱动晶体管t1的栅极电极1151的至少一部分重叠。第一开口部1165可以还形成于第三栅极绝缘膜143、第一层间绝缘膜161以及第二栅极绝缘膜142。第一开口部1165可以与第一保持电极1153的开口部1152重叠。第一开口部1165可以位于第一保持电极1153的开口部1152的内侧。
112.第二开口部1166可以与第三晶体管t3的第二电极3138至少一部分重叠。第二开口部1166可以还形成于第三栅极绝缘膜143。第二开口部1166可以在平面上位于第一扫描线151与第二扫描线152之间。第二开口部1166可以不与第一扫描线151重叠。第二开口部1166的一侧边缘可以与第一扫描线151的一侧边缘一致。例如，第二开口部1166的下侧边缘可以与第一扫描线151的上侧边缘一致。但是，不限于此，第二开口部1166的一侧边缘与第一扫描线151的一侧边缘也可以不一致。例如，第二开口部1166的下侧边缘可以配置为与第一扫描线151的上侧边缘隔开，第二开口部1166的下侧边缘可以比第一扫描线151的上侧边缘位于上侧。第二开口部1166可以不与第二扫描线152重叠。此时，第二开口部1166可以不与上第二扫描线152b重叠。第二开口部1166可以与下第二扫描线152a也不重叠。第二开口部1166可以不与升压电容器cbt重叠。即，第二开口部1166可以不与第一升压电极151a和第二升压电极3138a的重叠部重叠。
113.第三开口部3165可以与驱动晶体管t1的第二电极1133的至少一部分重叠。第三开口部3165可以还形成于第三栅极绝缘膜143、第一层间绝缘膜161、第二栅极绝缘膜142以及第一栅极绝缘膜141。第四开口部3166可以与第三晶体管t3的第一电极3136的至少一部分重叠。第四开口部3166可以还形成于第三栅极绝缘膜143。
114.在第二层间绝缘膜162之上可以配置包括第一连接电极1175以及第二连接电极3175的第一数据导电体。图10一起示出多晶半导体、第一栅极导电体、第二栅极导电体、氧化物半导体、第三栅极导电体以及第一数据导电体。
115.第一连接电极1175可以与驱动晶体管t1的栅极电极1151重叠。第一连接电极1175可以通过第一开口部1165以及第一保持电极1153的开口部1152与驱动晶体管t1的栅极电极1151连接。第一连接电极1175可以与第三晶体管t3的第二电极3138重叠。第一连接电极1175可以通过第二开口部1166与第三晶体管t3的第二电极3138连接。因此，通过第一连接电极1175，驱动晶体管t1的栅极电极1151与第三晶体管t3的第二电极3138可以连接。此时，通过第一连接电极1175，驱动晶体管t1的栅极电极1151可以还与第二升压电极3138a以及第四晶体管t4的第二电极4138连接。
116.第一连接电极1175可以与第三晶体管t3的第二电极3138接触。第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138彼此接触的接触部可以位于第二开口部1166内。由于第二开口部1166不与第一扫描线151重叠，第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138的接触部可以不与第一扫描线151重叠。第一连接电极1175可以与第一扫描线151重叠。第一连接电极1175的一部分可以与第一扫描线151重叠。但是，不限于此，第一连接电极1175也可以不与第一扫描线151重叠。由于第二开口部1166不与第二扫描线152重叠，第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138的接触部的至少一部分可以不与第二扫描线152
重叠。第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138的接触部可以不与上第二扫描线152b重叠。第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138的接触部可以不与下第二扫描线152a重叠。第一连接电极1175可以不与第二扫描线152重叠。由于第二开口部1166不与升压电容器cbt重叠，第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138的接触部可以不与升压电容器cbt重叠。
117.第二连接电极3175可以与驱动晶体管t1的第二电极1133重叠。第二连接电极3175可以通过第三开口部3165与驱动晶体管t1的第二电极1133连接。第二连接电极3175可以与第三晶体管t3的第一电极3136重叠。第二连接电极3175可以通过第四开口部3166与第三晶体管t3的第一电极3136连接。因此，通过第二连接电极3175，驱动晶体管t1的第二电极1133与第三晶体管t3的第一电极3136可以连接。
118.第一数据导电体可以还包括第二初始化电压线128。第二初始化电压线128可以向大致横向方向延伸。
119.在包括第一连接电极1175以及第二连接电极3175的第一数据导电体之上可以配置第三层间绝缘膜180。
120.在第三层间绝缘膜180之上可以配置数据线171以及驱动电压线172。数据线171以及驱动电压线172可以向大致纵向方向延伸。数据线171可以与第二晶体管t2连接。驱动电压线172可以与第五晶体管t5连接。另外，驱动电压线172可以与第一保持电极1153连接。
121.尽管省略了图示，但是在数据线171以及驱动电压线172之上可以配置保护膜，在保护膜之上可以配置阳极电极。阳极电极可以与第六晶体管t6连接，并可以接收驱动晶体管t1的输出电流。在阳极电极之上可以配置隔壁。在隔壁形成有开口，隔壁的开口可以与阳极电极重叠。在隔壁的开口内可以配置发光元件层。在发光元件层以及隔壁之上可以配置阴极电极。阳极电极、发光元件层以及阴极电极构成发光二极管led。
122.如上所述，在根据一实施例的显示装置中，驱动晶体管t1可以包含多晶半导体，第三晶体管t3以及第四晶体管t4可以包含氧化物半导体。如前面所说明那样，通过使第三晶体管t3以及第四晶体管t4包含与驱动晶体管t1彼此不同的半导体物质，能够更稳定地驱动，能够提高可靠性。
123.以下，进一步参照图11，针对补偿电压经过第三晶体管而传输至驱动晶体管的栅极电极的路径进行说明。一起参照前面说明的图1至图10进行说明。
124.图11是示出根据一实施例的显示装置的一部分的平面图。图11示出第一扫描线、驱动晶体管、第三晶体管以及第四晶体管的一部分层。
125.如图11所示，通过第二晶体管t2施加的数据电压data通过驱动晶体管t1传输至第三晶体管t3。第三晶体管t3将驱动晶体管t1的第二电极1133与驱动晶体管t1的栅极电极1151电连接。第三晶体管t3的第一电极3136与驱动晶体管t1的第二电极1133连接，第三晶体管t3的第二电极3138与驱动晶体管t1的栅极电极1151连接。第三晶体管t3的第二电极3138与驱动晶体管t1的栅极电极1151通过第一连接电极1175连接。数据电压data通过第三晶体管t3而改变的补偿电压经过第一连接电极1175传输至驱动晶体管t1的栅极电极1151。包括在这样的补偿电压的传输路径ctr中的第三晶体管t3的第一电极3136、沟道3137以及第二电极3138由氧化物半导体构成。这样的第三晶体管t3的第二电极3138可以与第一扫描线151重叠。因为，第三晶体管t3的第二电极3138与第二升压电极3138a一体构成，第一扫描
线151与第一升压电极151a一体构成，第一升压电极151a和第二升压电极3138a彼此重叠而构成升压电容器cbt。
126.如前面所说明那样，彼此相反极性的电压在相同的定时施加于第一扫描线151和第二扫描线152。第一扫描线151与第二晶体管t2的栅极电极连接，第二扫描线152与第三晶体管t3的栅极电极连接。第二晶体管t2由p型晶体管构成，第三晶体管t3由n型晶体管构成。因此，当负极性的电压施加于第一扫描线151，正极性的电压施加于第二扫描线152时，第二晶体管t2以及第三晶体管t3导通。
127.由氧化物半导体构成的第三晶体管t3的第二电极3138与第一扫描线151重叠的部分可能由于施加于第一扫描线151的负极性的电压而受到影响。例如，由于施加于第一扫描线151的负极性的电压，在与第一扫描线151相邻的第三晶体管t3的第二电极3138的下面可能聚集正电荷。另外，在与第一扫描线151相对远离的第三晶体管t3的第二电极3138的上面可能聚集负电荷。由此，在第三晶体管t3的第二电极3138与第一扫描线151重叠的部分中，电阻相对升高，电压的传输可能不顺利。
128.在根据一实施例的显示装置中，第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138的接触部可以不与第一扫描线151重叠。由此，补偿电压的传输路径ctr能够避开第三晶体管t3的第二电极3138与第一扫描线151重叠的部分。因此，能够防止补偿电压的传输路径ctr的电阻增加，能够顺利地传输补偿电压，能够改善横线斑纹。
129.以上针对第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138的接触部不与第一扫描线151重叠的情况进行了说明，但是不限于此。使得第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138的接触部不仅与第一扫描线151不重叠，而且与被施加负极性的电压的其它布线也不重叠，从而能够具有相同或相似的效果。
130.以下，参照图12以及图13，针对根据比较例的显示装置进行说明。
131.图12是示出根据比较例的显示装置的平面图，图13是沿着图12的xiii
‑
xiii线示出的截面图。
132.如图12以及图13所述，根据比较例的显示装置具有与根据一实施例的显示装置大部分相同的结构。但是，区别在于第二开口部1166与第一扫描线151重叠。
133.在根据比较例的显示装置中，第二开口部1166的整体与第一扫描线151重叠。因此，第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138的接触部与第一扫描线151重叠。另外，第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138的接触部与升压电容器cbt重叠。
134.在根据比较例的显示装置中，补偿电压的传输路径经过第三晶体管t3的第二电极3138与第一扫描线151重叠的部分。因此，补偿电压的传输路径的电阻增加，使得补偿电压的传输不顺利，这可能导致被识别为横线斑纹。
135.在根据一实施例的显示装置中，通过使补偿电压的传输路径避开第三晶体管t3的第二电极3138与第一扫描线151重叠的部分，能够使得相比于在根据比较例的显示装置中实现补偿电压的顺利传输。
136.接下来，参照图14至图16，针对根据一实施例的显示装置的说明如下。
137.由于根据图14至图16所示的实施例的显示装置与根据图1至图11所示的实施例的显示装置相同的部分相应，省略关于相同部分的说明。在本实施例中，与前面实施例的不同点在于第一连接电极与第三晶体管的第二电极的接触部与第一扫描线一部分重叠，以下进
行进一步说明。
138.图14是示出根据一实施例的显示装置的平面图，图15是沿着图14的xv
‑
xv线示出的截面图，图16是示出根据一实施例的显示装置的一部分的平面图。
139.如图14至图16所示，根据一实施例的显示装置包括多个布线127、128、151、152、153、154、155、171、172、连接于布线的多个晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6、t7、保持电容器cst、升压电容器cbt及发光二极管(未图示)。
140.第三晶体管t3包括：第一电极3136，与驱动晶体管t1的第一电极1131连接；第二电极3138，与第一连接电极1175连接；沟道3137，位于第一电极3136与所述第二电极3138之间；以及栅极电极3151，与沟道3137重叠。
141.可以是，在第三晶体管t3的栅极电极3151之上配置第二层间绝缘膜162，第二层间绝缘膜162包括第一开口部1165、第二开口部1166、第三开口部3165以及第四开口部3166。
142.第二开口部1166可以与第三晶体管t3的第二电极3138至少一部分重叠。第二开口部1166可以还形成于第三栅极绝缘膜143。第二开口部1166可以在平面上位于第一扫描线151与第二扫描线152之间。第二开口部1166的至少一部分可以不与第一扫描线151重叠。第二开口部1166的一部分可以与第一扫描线151重叠，第二开口部1166的其余一部分可以不与第一扫描线151重叠。例如，可以是，第二开口部1166的一半与第一扫描线151重叠，第二开口部1166的其余一半不与第一扫描线151重叠。第二开口部1166可以不与第二扫描线152重叠。此时，第二开口部1166可以不与上第二扫描线152b重叠。第二开口部1166可以与下第二扫描线152a也不重叠。第二开口部1166的至少一部分可以不与升压电容器cbt重叠。即，第二开口部1166的至少一部分可以不与第一升压电极151a和第二升压电极3138a的重叠部重叠。第二开口部1166的一部分可以与升压电容器cbt重叠，第二开口部1166的其余一部分可以不与升压电容器cbt重叠。
143.第一连接电极1175可以通过第二开口部1166与第三晶体管t3的第二电极3138连接。
144.第一连接电极1175可以与第三晶体管t3的第二电极3138接触。第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138彼此接触的接触部可以位于第二开口部1166内。由于第二开口部1166的至少一部分不与第一扫描线151重叠，第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138的接触部的至少一部分可以不与第一扫描线151重叠。第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138的接触部的一部分可以与第一扫描线151重叠，第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138的接触部的其余一部分可以不与第一扫描线151重叠。第一连接电极1175可以与第一扫描线151重叠。第一连接电极1175的一部分可以与第一扫描线151重叠。由于第二开口部1166不与第二扫描线152重叠，第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138的接触部的至少一部分可以不与第二扫描线152重叠。第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138的接触部可以不与上第二扫描线152b重叠。第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138的接触部可以不与下第二扫描线152a重叠。第一连接电极1175可以不与第二扫描线152a重叠。由于第二开口部1166的至少一部分不与升压电容器cbt重叠，第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138的接触部的至少一部分可以不与升压电容器cbt重叠。第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138的接触部的一部分可以与升压电容器cbt重叠，第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二
电极3138的接触部的其余一部分可以不与升压电容器cbt重叠。
145.在根据一实施例的显示装置中，第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138的接触部的至少一部分可以不与第一扫描线151重叠。由此，补偿电压的传输路径ctr能够避开第三晶体管t3的第二电极3138与第一扫描线151重叠的部分。因此，能够防止补偿电压的传输路径ctr的电阻增加，能够顺利地传输补偿电压，能够改善横线斑纹
146.以上，针对第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138的接触部的至少一部分不与第一扫描线151重叠的情况进行了说明，但是不限于此。使得第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138的接触部的至少一部分不仅与第一扫描线151不重叠，而且与被施加负极性的电压的其它布线也不重叠，从而能够具有相同或相似的效果。
147.接下来，参照图17至图19，针对根据一实施例的显示装置的说明如下。
148.由于根据图17至图19所示的实施例的显示装置与根据图1至图11所示的实施例的显示装置相同的部分相应，省略关于相同部分的说明。在本实施例中，与前面实施例的不同点在于第一连接电极与第一扫描线不重叠，以下进行进一步说明。
149.图17是示出根据一实施例的显示装置的平面图，图18是沿着图17的xviii
‑
xviii线示出的截面图，图19是示出根据一实施例的显示装置的一部分的平面图。
150.如图17至图19所示，根据一实施例的显示装置包括多个布线127、128、151、152、153、154、155、171、172、连接于布线的多个晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6、t7、保持电容器cst、升压电容器cbt及发光二极管(未图示)。
151.第三晶体管t3包括：第一电极3136，与驱动晶体管t1的第一电极1131连接；第二电极3138，与第一连接电极1175连接；沟道3137，位于第一电极3136与所述第二电极3138之间；以及栅极电极3151，与沟道3137重叠。
152.可以是，在第三晶体管t3的栅极电极3151之上配置第二层间绝缘膜162，第二层间绝缘膜162包括第一开口部1165、第二开口部1166、第三开口部3165以及第四开口部3166。
153.第二开口部1166可以与第三晶体管t3的第二电极3138至少一部分重叠。第二开口部1166可以还形成于第三栅极绝缘膜143。第二开口部1166可以在平面上位于第一扫描线151与第二扫描线152之间。第二开口部1166可以不与第一扫描线151重叠。第二开口部1166可以与第一扫描线151隔开。第二开口部1166可以不与第二扫描线152重叠。此时，第二开口部1166可以不与上第二扫描线152b重叠。第二开口部1166可以与下第二扫描线152a也不重叠。第二开口部1166可以不与升压电容器cbt重叠。即，第二开口部1166可以不与第一升压电极151a和第二升压电极3138a的重叠部重叠。第二开口部1166可以与升压电容器cbt隔开。
154.第一连接电极1175可以通过第二开口部1166与第三晶体管t3的第二电极3138连接。
155.第一连接电极1175可以与第三晶体管t3的第二电极3138接触。第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138彼此接触的接触部可以位于第二开口部1166内。由于第二开口部1166不与第一扫描线151重叠，第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138的接触部可以不与第一扫描线151重叠。第一连接电极1175可以不与第一扫描线151重叠。第一连接电极1175可以与第一扫描线151隔开预定间隔。由于第二开口部1166不与第二扫描线152重叠，第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138的接触部的至少一部分
可以不与第二扫描线152重叠。第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138的接触部可以不与上第二扫描线152b重叠。第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138的接触部可以不与下第二扫描线152a重叠。第一连接电极1175可以不与第二扫描线152a重叠。由于第二开口部1166不与升压电容器cbt重叠，第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138的接触部可以不与升压电容器cbt重叠。
156.在根据一实施例的显示装置中，可以是，第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138的接触部不与第一扫描线151重叠，第一连接电极1175不与第一扫描线151重叠。由此，补偿电压的传输路径ctr能够避开第三晶体管t3的第二电极3138与第一扫描线151重叠的部分。因此，能够防止补偿电压的传输路径ctr的电阻增加，能够顺利地传输补偿电压，能够改善横线斑纹。
157.以上，针对第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138的接触部不与第一扫描线151重叠的情况进行了说明，但是不限于此。使得第一连接电极1175与第三晶体管t3的第二电极3138的接触部不仅与第一扫描线151不重叠，而且与被施加负极性的电压的其它布线也不重叠，从而能够具有相同或相似的效果。另外，也可以使得第一连接电极1175不仅与第一扫描线151不重叠，而且与被施加负极性的电压的其它布线也不重叠。
158.以上，针对本发明的实施例进行了详细说明，但是本发明的权利范围不限于此，利用在权利要求书中定义的本发明的基本概念的本领域技术人员的各种变形及改良形式也属于本发明的权利范围。