技术特征：
1.一种半导体器件，包括：基板；第一绝缘层，设置在所述基板上；导电接触，设置在所述第一绝缘层中；第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上，并包括暴露所述导电接触的顶表面的接触孔；下电极，设置在所述基板上方，呈具有被填充的内部的圆柱形，所述下电极在所述第二绝缘层的所述接触孔中延伸，并接触所述导电接触的所述顶表面；电介质层，设置在所述下电极上，并包括设置在所述下电极的上部上的第一部分和设置在所述下电极的下部上的第二部分；第一上电极，设置在所述电介质层的所述第一部分上，并包括主体部分和端部分；和第二上电极，设置在所述第一上电极上和所述电介质层的所述第二部分上，其中所述第二上电极包括设置在所述第一上电极上的第一部分、设置在所述电介质层的所述第二部分上的第二部分、以及邻近所述第一上电极的所述端部分设置的第三部分，所述第二上电极的所述第三部分设置在所述第二上电极的所述第一部分和所述第二部分之间，以及所述第二上电极的所述第三部分的厚度大于所述第二上电极的所述第一部分或所述第二上电极的所述第二部分中的至少一个的厚度。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一上电极的所述端部分比所述第一上电极的所述主体部分更靠近所述基板设置。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一上电极的所述主体部分的厚度大于所述第一上电极的所述端部分的厚度。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一上电极接触所述电介质层的所述第一部分的顶表面和侧表面。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一上电极与所述电介质层的所述第二部分间隔开。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一上电极包括过渡金属二硫属化物、石墨烯、磷烯或硼氮化物中的至少一种。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述下电极和所述第二上电极中的每个包括铜、铝、钨、钛、钽、钛氮化物、钽氮化物或钨氮化物中的至少一种，以及所述电介质层包括铪氧化物、锆氧化物、铪硅氧化物、锆硅氧化物、镧氧化物、钽氧化物或钛氧化物中的至少一种。8.一种半导体器件，包括：基板；第一绝缘层，设置在所述基板上；导电接触，设置在所述第一绝缘层中；第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上，并包括暴露所述导电接触的顶表面的接触孔；下电极，设置在所述基板上方，并具有包括内侧表面和内底表面的凹槽，所述下电极在所述第二绝缘层的所述接触孔中延伸，并接触所述导电接触的所述顶表面；电介质层，设置在所述下电极上，并包括设置在所述下电极的上部上的第一部分和设
置在所述下电极的下部上的第二部分；第一上电极，设置在所述电介质层的所述第一部分上，并包括主体部分和端部分；以及第二上电极，设置在所述第一上电极上和所述电介质层的所述第二部分上，其中所述第二上电极包括设置在所述第一上电极上的第一部分、设置在所述电介质层的所述第二部分上的第二部分、以及与所述第一上电极的所述端部分相邻地设置的第三部分，所述第二上电极的所述第三部分设置在所述第二上电极的所述第一部分和所述第二部分之间，以及所述第二上电极的所述第三部分的厚度大于所述第二上电极的所述第一部分或所述第二上电极的所述第二部分中的至少一个的厚度。9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述电介质层设置在所述凹槽的所述内侧表面和所述内底表面上，以及所述第二上电极设置于在所述凹槽的所述内侧表面和所述内底表面上设置的所述电介质层上。10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第一上电极接触所述电介质层的所述第一部分的顶表面、内侧表面和外侧表面。11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第一上电极的所述端部分比所述第一上电极的所述主体部分更靠近所述基板。12.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第一上电极的所述主体部分的厚度大于所述第一上电极的所述端部分的厚度。13.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第一上电极包括过渡金属二硫属化物、石墨烯、磷烯或硼氮化物中的至少一种。14.一种半导体器件，包括：基板；第一导电图案，设置在所述基板上方；第二导电图案，设置在所述第一导电图案的上部上，并包括主体部分和端部分；以及第三导电图案，设置在所述第一导电图案上和所述第二导电图案上，其中所述第三导电图案包括设置在所述第一导电图案上的第一部分、设置在所述第二导电图案上的第二部分、以及邻近所述第二导电图案的所述端部分设置的第三部分，所述第三导电图案的所述第三部分设置在所述第三导电图案的所述第一部分和所述第二部分之间，以及所述第三导电图案的所述第三部分的厚度大于所述第三导电图案的所述第一部分或所述第三导电图案的所述第二部分中的至少一个的厚度。15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中所述第二导电图案的所述端部分比所述第二导电图案的所述主体部分更靠近所述基板设置。16.根据权利要求14所述的半导体器件，其中所述第二导电图案的所述主体部分的厚度大于所述第二导电图案的所述端部分的厚度。17.根据权利要求14所述的半导体器件，其中所述第一导电图案是具有上开口端的圆柱形。
18.根据权利要求14所述的半导体器件，其中所述第一导电图案是具有被填充的内部的圆柱形。19.根据权利要求14所述的半导体器件，其中所述第二导电图案接触所述第一导电图案的所述上部的顶表面和侧表面。20.根据权利要求14所述的半导体器件，其中所述第二导电图案包括过渡金属二硫属化物、石墨烯、磷烯或硼氮化物中的至少一种。
技术总结
本发明提供一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在基板上形成三维(3D)结构；形成吸附控制层以覆盖3D结构的上部分；以及在吸附控制层上和在3D结构的没有被吸附控制层覆盖的下部分上形成材料层，其中在吸附控制层上的材料层的最小厚度小于在3D结构的下部分上的材料层的最大厚度。料层的最大厚度。料层的最大厚度。
技术研发人员：朴志云 李珍秀 丁炯硕
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2019.05.09
技术公布日：2021/9/24