发光显示装置的制作方法

发光显示装置
1.本技术要求享有于2020年12月31日提交的韩国专利申请no.10-2020-0190050的权益，通过引用将该专利申请并入本文，如同在本文完全阐述一样。
技术领域
2.本发明涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种可通过改变有源区域外侧的结构来防止像素收缩并且提高装置的可靠性的发光显示装置。


背景技术：

3.近来，作为有竞争力的应用，正在考虑自发光显示装置，自发光显示装置不需要单独的光源而实现装置紧凑性和清楚的色彩显示。
4.自发光显示装置包括在各个子像素中单独驱动的发光器件。发光器件可根据发光器件中设置的材料而分为有机发光器件和无机发光器件。
5.在包括有机发光器件的显示装置中，内部有机层易受湿气等影响，因而由于湿气渗透到内部，显示装置的可靠性和寿命降低。


技术实现要素：

6.因此，本发明旨在提供一种基本上克服了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题的发光显示装置，该发光显示装置配置成通过改变有源区域外侧的、堤部的结构和发光器件的内部结构来防止像素收缩并且提高可靠性。
7.本发明的一个目的是提供一种发光显示装置，该发光显示装置可通过改变有源区域外侧的、堤部孔的结构和发光器件的各个层的延伸部的构造，防止湿气通过堤部孔渗透，堤部孔配置为对应于电源电压线从而向阴极施加电源电压信号。
8.在下面的描述中将部分列出本发明的附加优点、目的和特征，这些优点、目的和特征的一部分在研究下文之后对于所属领域普通技术人员将变得显而易见或者可通过本发明的实施领会到。通过说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本发明的这些目的和其他优点。
9.为了实现这些目的和其他优点并根据本发明的意图，如在此具体化和概括描述的，根据本发明的一个方面，公开一种发光显示装置，包括：配置为具有有源区域和非有源区域的基板；设置在所述有源区域内的子像素中的多个发光器件；沿着所述基板的有源区域的边缘设置在所述非有源区域内的第一电压线；和堤部，所述堤部通过形成在所述有源区域中的多个第一孔暴露所述发光器件的发光部并且通过形成在所述非有源区域中的第二孔暴露所述第一电压线，其中所述发光器件的阴极通过所述第二孔连接至所述第一电压线。
10.根据本发明的另一方面，公开一种发光显示装置，包括：具有有源区域和非有源区域的基板；设置在所述有源区域内的子像素中的多个发光器件；沿着所述基板的有源区域的边缘设置在所述非有源区域内的电压线；和堤部，所述堤部通过所述有源区域中的多个
第一孔暴露所述发光器件的发光部并且通过所述非有源区域中的第二孔暴露所述电压线，其中所述发光器件的电子注入层设置在整个所述有源区域上，并且延伸到所述非有源区域并设置在所述第二孔的内部。所述发光器件的电子注入层设置在整个所述有源区域上，并且延伸到所述非有源区域并设置在所述第二孔的内部。
11.应当理解，本发明前面的大体性描述和下面的详细描述都是例示性的和解释性的，意在对要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
12.被包括用来对本发明提供进一步理解且被并入并构成本技术的一部分的附图图解了本发明的实施方式，并且与说明书一起用来解释本发明的原理。
13.在附图中：
14.图1是图解根据本发明一个实施方式的发光显示装置的平面图。
15.图2是沿图1的线i-i’截取的图1的剖面图。
16.图3a和图3b是图解图2中所示的区域a和区域b的剖面图。
17.图4a和图4b是图解根据本发明另一个实施方式的发光显示装置的图2中所示的区域a和区域b的剖面图。
18.图5是根据本发明一个实施方式的发光显示装置的每个子像素的电路图。
19.图6是图1中所示的具有宽度c的笔直区域的剖面图。
20.图7和图8是图解根据本发明的发光显示装置的变型例的剖面图。
21.图9是图解一个区域的一个示例的剖面图，在此区域中，图1中所示的第二孔横穿堤部的具有第三宽度的部分。
具体实施方式
22.现在将详细参考本发明的示例性实施方式，附图中图解了这些实施方式的一些例子。在实施方式和附图的以下描述中，在整个申请中由相同的参考标记表示相同或相似的元件。在本发明实施方式的以下描述中，当对本文涉及的已知功能和构造的详细描述反而会使本发明的主旨不清楚时，将省略其详细描述。此外，考虑到方便准备说明书而选取了在本发明实施方式的以下描述中使用的元件的名称，因此这些名称可能与实际产品的部分的名称不同。
23.为了描述本发明的实施方式而在附图中给出的形状、尺寸、比例、角度和数量仅仅是示例，因而本发明不限于图示的细节。在实施方式的以下描述中，术语“包括”、“包含”和“具有”应解释为表示本技术中所描述的一个或多个特征、数量、步骤、操作、元件或部分或者其组合的存在，不排除其他特征、数量、步骤、操作、元件、部分或者其组合的存在，或者不排除添加其他特征、数量、步骤、操作、元件、部分或者其组合的可能性，除非使用了术语“仅”。
24.在解释本发明各实施方式中包括的要素时，应解释为要素包括误差范围，除非另有说明。
25.在实施方式的以下描述中，将理解到，当表达位置关系时，例如，当称一元件位于另一元件“上”、“上方”、“下方”或“旁边”时，这两个元件可彼此直接接触，或者可在这两个
元件之间插入一个或多个其他元件，除非使用了术语“正好”或“直接”。
26.在实施方式的以下描述中，将理解到，当表达时间关系时，例如，当使用表达事件顺序的术语，比如“在
……
之后”、“随后”、“接下来”和“在
……
之前”时，这些术语涵盖事件之间的连续关系和事件之间的不连续关系，除非使用了术语“正好”或“直接”。
27.在实施方式的以下描述中，将理解到，当使用术语“第一”、“第二”等来描述各种要素时，这些术语仅用于区分相同或相似要素。因此，在不背离本发明的技术范围的情况下，下文中描述的第一要素可被命名为第二要素。
28.本发明各实施方式的各个特征可彼此部分或整体地结合或组合并且可以以各种技术方式互锁或驱动，且各个实施方式可彼此独立地实施，或者可通过它们之间的联系共同实施。
29.下文中，将描述根据本发明的发光显示装置。
30.图1是图解根据本发明一个实施方式的发光显示装置的平面图，图2是沿图1的线i-i’截取的图1的剖面图，图3a和图3b是图解图2中所示的区域a和区域b的剖面图。
31.如图1和图2中所示，根据本发明一个实施方式的发光显示装置1000可包括：具有有源区域aa和非有源区域na的基板100；分别设置在有源区域aa中的多个子像素中的发光器件oled；沿着有源区域aa的边缘设置在非有源区域na中的第一电源电压线106c；和堤部120，堤部120配置为通过有源区域aa中的多个第一孔emp暴露各个发光器件oled的发光部并且通过非有源区域na中的第二孔bct暴露第一电源电压线106c，并且发光器件oled的电子注入层eil可从有源区域aa中延伸而至少设置在非有源区域na的第二孔bct中。
32.就是说，电子注入层eil形成为与暴露于第二孔bct内部的堤部120的侧部直接接触，由此能够防止在外部湿气流入过程中或冷却过程中残留在第二孔bct中的一些湿气通过堤部120渗透。电子注入层eil形成为与第二孔bct交叠，因而保护第二孔bct和其周围区域。
33.电子注入层eil不仅形成在第二孔bct的侧部上，而且还进一步延伸到第二孔bct周围的堤部120的上表面上，即，电子注入层eil可与第二孔bct的侧部处的堤部120以及非有源区域na内的堤部120的上部接触，由此能够保护堤部120的上表面。
34.可在与发光器件oled的阴极(cat)200相同的腔室中和/或使用与发光器件oled的阴极200相同的掩模形成电子注入层eil，阴极200设置在电子注入层eil上。
35.第二孔bct大致设置成使得阴极200与第一电源电压线106c交叠，第一电源电压线106c可通过第二孔bct内部的电子注入层eil连接至阴极200。为了导电连接的目的，电子注入层eil包括包含金属的无机材料或无机化合物。例如，电子注入层eil可包括lif、yb、ag和mg中的至少之一，此外，可包括阴极200的一些成分。电子注入层eil用于促进电子从阴极200注入到发光器件oled内部的有机层os中，为了这个目的，电子注入层eil可包括相对于有机层os具有低界面电阻和较小功函数的金属。此外，电子注入层eil不形成为过厚，由此防止阴极200与设置在其下方的第一电源电压线106c之间的导电连接电阻增加。
36.现在，将简要描述根据本发明的发光显示装置1000中的电子注入层eil的功能。
37.例如，如果电子注入层eil包括镱(yb)，则当湿气流入第二孔bct中时，镱(yb)与羟基反应，从而产生氢分子，如以下式子1中所述，氢分子被释放到外部，由此可消除湿气的影响。
38.此外，如果电子注入层eil包括氟化锂(lif)，则当湿气流入第二孔bct中时，氟化锂(lif)电分离为锂(li)和氟(f)，锂(li)与羟基反应，从而产生氟化氢(hf)，如以下式子2中所述，氟化氢(hf)被释放到外部，由此可消除湿气的影响。
39.[式子1]
[0040]
2yb+6h2o
→
2yb(oh)3+3h2[0041]
[式子2]
[0042]
lif+h2o
→
lioh+hf
[0043]
就是说，在根据本发明的发光显示装置1000中，形成为覆盖第二孔bct的电子注入层eil与来自外部的湿气或在冷却过程中产生的湿气反应并且将氢或氟化氢(hf)释放到外部，由此能够消除湿气的影响并且防止由于湿气导致的子像素的发光部的收缩。
[0044]
图1图解了发光显示装置的堤部120的形状。堤部120可以以一体式形成，如图1中所示，并且堤部120可具有第一孔emp和第二孔bct，第一孔emp和第二孔bct形成在堤部120的内部区域中且彼此分隔开。堤部120由绝缘有机材料形成，并且具有与基板100的边缘向内分隔开指定宽度的端线bel。堤部120的端线bel与基板100的边缘分隔开的原因是为了防止由有机材料形成的堤部120的边缘的侧部直接接触环境空气，并且防止湿气渗入。此外，在堤部120的与焊盘部pad对应的区域中未形成第二孔bct。堤部120的形成有焊盘部pad的一侧可具有比堤部120的其他侧进一步向内设置的端线bel，以便实现焊盘部pad的焊盘电极(未示出)与驱动集成电路(ic)或包括驱动ic的柔性印刷电路板(fpcb)之间的连接。在这种情况下，被去除了堤部120的基板100上的焊盘电极和第一电源电压线106c可在焊盘部pad中彼此连接。
[0045]
堤部120的与有源区域aa中的发光部对应的第一孔emp彼此分隔开，堤部120设置在有源区域aa的除了第一孔emp以外的其他区域中，并且发光器件oled通过第一孔emp发光。堤部120围绕第一孔emp，并且可使用发光部与非发光部之间的高度差将发光部和非发光部彼此区分。第一孔emp的尺寸可根据由子像素发射的光的颜色而不同。例如，蓝色子像素中的第一孔emp可具有比绿色子像素中的第一孔emp的尺寸或红色子像素中的第一孔emp的尺寸大的尺寸。可考虑到各个发光器件oled的发光效率、所需的驱动电压和人对颜色的感知度来调节各个子像素中的第一孔emp的尺寸。
[0046]
第二孔bct以一体式设置在除了焊盘部pad之外的非有源区域na内，第一电源电压线106c设置在第二孔bct下方，并且发光器件oled的阴极200连接至第二孔bct的上部并与其形成导电状态。第一电源电压线106c延伸到焊盘部pad，因而可接收从连接至焊盘部pad的驱动器施加的信号。
[0047]
施加至第一电源电压线106c的信号是地电压或低电源电压信号，并且阴极200可通过施加至阴极200的地电压或低电源电压信号保持指定的电位。
[0048]
发光器件oled通过经由与按每一子像素图案化的阳极100连接的薄膜晶体管tft接收电信号而被选择性地驱动，因而从相应子像素执行光发射。
[0049]
例如，如图2中所示，薄膜晶体管tft包括栅极电极102、与栅极电极102交叠的半导体层104、以及与半导体层104的两侧连接的源极电极106a和漏极电极106b。
[0050]
栅极绝缘膜103设置在栅极电极102与半导体层104之间，沟道保护层105设置在半导体层104的沟道上，并且当半导体层104连接至源极电极106a和漏极电极106b时，沟道保
护层105保护沟道。
[0051]
半导体层104可包括氧化物半导体层、多晶硅层和非晶硅层中至少之一，并且在一些情况下，可通过堆叠由上述材料之中的相同材料或不同材料形成的两层或更多层来形成半导体层104。
[0052]
可设置第一平坦化膜107，从而保护薄膜晶体管tft。可穿过第一平坦化膜107形成第一接触孔ct1，从而暴露薄膜晶体管tft的源极电极106a。
[0053]
此外，可设置第一连接金属图案109，第一连接金属图案109通过第一接触孔ct1连接至源极电极106a。
[0054]
此外，可设置第二平坦化膜108，从而覆盖第一连接金属图案109，并且可穿过第二平坦化膜108形成第二接触孔ct2，从而暴露第一连接金属图案109。
[0055]
设置通过第二接触孔ct2和第一接触孔ct1连接至第一连接金属图案109的阳极110。
[0056]
在此，设置在发光器件oled下方，即，阳极110下方的所有元件可形成薄膜晶体管阵列基板500。薄膜晶体管阵列基板500可包括薄膜晶体管tft、设置在薄膜晶体管tft的电极之间的栅极绝缘膜103、第一平坦化膜107、第二平坦化膜108和第一连接金属图案109。
[0057]
当形成薄膜晶体管阵列基板500时，可在与栅极电极102相同的层中进一步设置信号线102a，并且可在与源极电极106a和漏极电极106b相同的层中进一步设置第一电源电压线106c。
[0058]
尽管为了重点关注与阴极200连接的线的描述，图2单独图解了第一电源电压线106c，但可进一步设置传输低电源电压信号或地电压以外的其他电压，即，高电源电压或基准电压的其他电源电压线。
[0059]
第一电源电压线106c可如图中所示设置在与源极电极106a和漏极电极106b相同的层中，或者可设置在与栅极电极102相同的层中。
[0060]
信号线102a可连接至设置在有源区域aa中的栅极线，或者可连接至设置在位于有源区域aa两侧的非有源区域na中的栅极驱动器gip。
[0061]
连接至发光器件oled的薄膜晶体管tft实质上是驱动薄膜晶体管，除了驱动薄膜晶体管以外，还可设置诸如开关薄膜晶体管之类的其他薄膜晶体管。为了能够使驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管表现出不同的功能，驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管的电极中的至少一个可位于不同的层中，例如，设置在与位于第一平坦化膜107上的第一连接金属图案109相同的层中的金属图案可用作驱动薄膜晶体管和其他薄膜晶体管的电极。在一些情况下，可省略第一连接金属图案109，阳极110可直接连接至源极电极106a。
[0062]
可在与第一连接金属图案109相同的层中进一步设置连接至第一电源电压线106c的第二连接金属图案109c。第二连接金属图案109c位于穿过第一平坦化膜107形成并暴露第一电源电压线106c的第一沟槽孔trt1的内部侧表面和底表面、以及位于第一沟槽孔trt1周围的第一平坦化膜107上。第二连接金属图案109c可连续地设置在第一沟槽孔trt1中以及第一平坦化膜107上。第二连接金属图案109c可电连接至设置在其下方的第一电源电压线106c，并且在第一沟槽孔trt1内部与第一电源电压线106c以及在第二连接金属图案109c上的连接图案110a形成堆叠结构。在一些情况下，可省略第二连接金属图案109c，连接图案110a可直接连接至第一电源电压线106c。
[0063]
穿过第二平坦化膜108的与第一沟槽孔trt1交叠的位置形成第二沟槽孔trt2，从而暴露第二连接金属图案109c，并且连接图案110a位于第二沟槽孔trt2的内部侧壁上以及第一沟槽孔trt1内部的第二连接金属图案109c上。
[0064]
通过与阳极110和阳极虚拟图案110b相同的工序形成连接图案110a。连接图案110a可设置为实现与第一电源电压线106c的导电连接，并且阳极虚拟图案110b可以是配置为检查有源区域aa的周围环境(surrounding)或实现与其他信号的连接的图案。
[0065]
基板100可具有至少四个拐角部(corner)，如图1中所示。拐角部可如图中所示具有弯曲形状，或者可具有由彼此交叉的两条直线形成的形状。在两个弯曲的拐角部之间可设置笔直区域(straight region)。如图1中所示，当基板100的边缘在其拐角部弯曲时，设置在基板100内的元件在其拐角部处也可弯曲。
[0066]
尽管第二孔bct在除了焊盘部pad之外的非有源区域na内设置为一体式，但第二孔bct可根据区域具有不同的宽度，如图1中所示。就是说，第二孔bct在非有源区域na的与焊盘部pad相对的区域中具有第一宽度a，在与配置为具有第一宽度a的非有源区域na的区域相连的非有源区域na的拐角部处具有第二宽度b，在与配置为具有第二宽度b的非有源区域na的拐角部相连并且配置为与基板100的两侧对应的非有源区域na的区域中具有第三宽度c，并且在与配置为具有第三宽度c的非有源区域na的区域相连且最靠近焊盘部pad的非有源区域na的拐角部处具有第四宽度d。
[0067]
在非有源区域na的拐角部处的第二孔bct的第二宽度b和第四宽度d大于在非有源区域na的笔直区域中的第二孔bct的第一宽度a和第三宽度c，其原因是：堤部120的第二孔bct在基板100的拐角部处与第一沟槽孔trt1和第二沟槽孔trt2交叠，从而经由多个有机膜120、108和107实现第一电源电压线106c与连接图案110a之间的直接导电连接。第一沟槽孔trt和第二沟槽孔的每一个的宽度可小于第二孔bct的宽度，并且第一沟槽孔trt和第二沟槽孔trt可具有不同的宽度。此外，在拐角部处，与内置在基板100中的栅极驱动器gip相邻的区域中的第一沟槽孔trt1和第二沟槽孔trt2可用作第一平坦化膜107和第二平坦化膜108中的湿气释放路径，并且为了在用作湿气释放路径的这些区域中实现第一沟槽孔trt1和第二沟槽孔trt2与第二孔bct之间的充分交叠，拐角部处的第二孔bct的宽度可大于笔直区域中的第二孔bct的宽度。
[0068]
第二孔bct的各个宽度a、b、c和d可满足关系a《c(笔直区域之间)和b《d(拐角部之间)。然而，第二孔bct的各个宽度a、b、c和d不限于此，笔直区域中的第二孔bct的宽度a和c可相等，并且拐角部处的第二孔bct的宽度b和d可相等。
[0069]
此外，在根据本发明的发光显示装置1000中，即使拐角部处的第二孔bct的宽度b和d也不超过100μm，因而可防止湿气经由与基板100的边缘靠近设置的第二孔bct渗透。将通过以下描述的测试来说明第二孔bct的宽度的重要性。
[0070]
如图3a中所示，发光器件oled包括位于彼此相对设置的阳极110与阴极200之间的有机层os。有机层os可包括空穴注入层hil、空穴传输层htl、发光层eml和电子传输层etl。
[0071]
阴极200包括形成在其下方的具有较小厚度的电子注入层eil，并且电子注入层eil由无机材料或无机化合物形成。就是说，可在同一腔室中形成阴极200和电子注入层eil。在这种情况下，用于形成阴极200的掩模延伸到整个有源区域aa并延伸到非有源区域na且在至少与第二孔bct对应的区域中具有开口，并且通过经由掩模的开口供应材料来形
成电子注入层eil和阴极200。在这种情况下，除了配置为在用于形成阴极200的腔室内供应用于阴极200的金属材料的金属材料供应单元以外，还进一步设置电子注入材料供应单元，并且通过首先在基板100上蒸镀来自电子注入材料供应单元的电子注入材料、然后在其上蒸镀用于阴极200的金属材料，来顺序地形成电子注入层eil和阴极200。
[0072]
阴极金属材料例如可以是mg、mg合金、ag或ag合金，并且可与阳极110实现反射谐振，但阴极金属材料并不限于此，可包括在最佳谐振条件下可透射光的任何半透半反射式金属材料。此外，电子注入材料例如可以是包括lif、yb、ag和mg中的至少之一的化合物。为了增加uv阻挡效果和/或电子注入效果，可进一步提供其他无机材料。
[0073]
根据本发明的电子注入层eil在与阴极200相同的腔室内部使用相同的掩模形成，因而可具有与阴极200相同的端线。
[0074]
此外，根据本发明的发光显示装置1000具有形成为与阴极200具有相同宽度的电子注入层eil。因此，如图3b中所示，与阴极200的形成一起形成的电子注入层eil延伸到非有源区域na，从而覆盖第二孔bct，由此保护第二孔bct的内部以及形成在第二孔bct下方的第一沟槽孔trt1和第二沟槽孔trt2的侧面构造。
[0075]
与图3a中所示的发光器件oled的构造相比，为了防止第一电源电压线106c和连接图案110a连接时的电阻，在非有源区域na中的第二孔bct内部不设置用作公共层的空穴注入层hil、空穴传输层htl和电子传输层etl，如图3b中所示。
[0076]
在整个操作过程中电子注入层eil形成为具有比阴极200的厚度(为至)小的厚度，并且形成在阴极下方200而具有小于或等于约的厚度。此外，因为电子注入层eil在与阴极200相同的腔室内部使用相同的掩模形成，所以电子注入层eil具有与阴极200相同的宽度和相同的尺寸。因此，阴极200下方的电子注入层eil直接接触位于第二孔bct的侧部处的堤部120，由此能够防止湿气渗透到暴露于第二孔bct内部的堤部120的侧部中。例如，当湿气渗透到具有较大宽度的第二孔bct中时，与具有较大宽度的第二孔bct相邻的有源区域aa内的子像素的发光部收缩，因此子像素的寿命会缩短。因此，在根据本发明的发光显示装置1000中，可能导致湿气渗透的第二孔bct的宽度被减小至小于或等于指定值，并且阴极200下方的电子注入层eil对应于第二孔bct延伸，由此能够保护第二孔bct。
[0077]
阴极200下方的电子注入层eil位于在第二孔bct内部的第二沟槽孔trt2和第一沟槽孔trt1的侧部处的连接图案110a和第二连接金属图案109c上，由此能够保护第二孔bct的下部的第一平坦化膜107和第二平坦化膜108，使其不被暴露并且免受外部湿气的影响。
[0078]
下文中，将通过高加速应力测试(hast)描述第二孔bct的宽度和电子注入层eil的厚度的重要性。
[0079]
在hast中，将发光显示装置置于严苛条件下，比如110℃温度，85％的湿度和1.2atm的大气压下指定时间，并且在测试例中，hast执行48小时和96小时。
[0080]
[表1]
[0081][0082]
作为参考，在表1中，在各个条件下执行30次hast，确定是否发生故障，并且记录发生故障的hast的尝试次数。
[0083]
如上面的表1中列出的，可确认，当第二孔bct的宽度大于等于102μm时，不管电子注入层eil的厚度如何，所有48小时的hast尝试都发生故障。
[0084]
此外，可确认，当第二孔bct的宽度为80μm时，不管电子注入层eil的厚度如何，所有48小时的hast尝试都未发生故障，并且当电子注入层eil的厚度小于或等于时，96小时的一些hast尝试发生故障；当电子注入层eil的厚度超过时，96小时的所有hast尝试都未发生故障。
[0085]
hast是这样一种测试，即，通过假设在发光显示装置出货后将被放置到严苛条件下来加速发光显示装置，当每个产品经过48小时的hast时，可确定相应的发光显示装置具有适当的可靠性。
[0086]
上面的表1的结果显示出：随着第二孔bct的宽度减小，并且当电子注入层eil的厚度超过或者在一些情况下为时，发光显示装置即使在高温高湿环境下仍具有可靠性。基于上述结果，可确认：当第二孔bct的宽度大于或等于102μm时，发光显示装置在高温高湿的加速条件下难以保持正常。
[0087]
下文中，将描述在测试例1至7中，如下面的表2中所述，通过将第二孔bct的宽度固定为100μm并且改变电子注入层eil的厚度执行的hast的结果。
[0088]
[表2]
[0089][0090]
如上面的表2中列出的，可确认：在电子注入层eil的厚度大于或等于的测试例3至7中，当hast执行48小时和96小时时，未发生发光显示装置的故障。作为参考，在表2中，在各个条件下执行30次hast，确定是否发生故障，并且记录发生故障的hast的尝试次数。
[0091]
在电子注入层eil的厚度小于的测试例1和2中，发生故障的原因如下。
[0092]
就是说，当电子注入层eil的厚度小于时，难以在bct的内表面上正常堆叠电子注入层eil，在这种情况下，外部湿气或在冷却过程中产生的湿气通过第二孔bct的侧部，经由与第二孔bct相邻的堤部120损坏有源区域aa的边缘处的有机层os，因而使有机层os劣化，这被观察为发光部的收缩。
[0093]
基于上述结果，根据本发明的发光显示装置1000的电子注入层eil的厚度可大于或等于但可小于或等于就是说，根据本发明的发光显示装置1000配置为：第二孔bct中的、堤部120所暴露到的电子注入层eil具有大于或等于的厚度，从而确保高温高湿环境下的可靠性，并且电子注入层eil具有小于或等于的厚度，从而防止关于电子注入层eil上的阴极200与第一电源电压线106c之间的导电连接的电阻的大幅增加。
[0094]
可在阴极200上进一步设置覆盖层，覆盖层配置为保护发光器件oled并且提高光提取效率。
[0095]
此外，可在阴极200上进一步设置配置为保护设置于其中的发光器件oled的封装结构300。
[0096]
例如，可通过交替堆叠无机封装层310和330与有机封装层320来设置封装结构300。为了有效防止侧向的湿气渗透，无机封装层310和330可形成为比有机封装层320更靠近基板100的边缘，或者无机封装层310和330可一直形成到基板100的边缘。
[0097]
根据本发明的发光显示装置1000使电子注入层eil能够进入堤部120的与第一电源电压线106c对应的第二孔bct，由此能够保护堤部120的暴露表面免受外部湿气影响。
[0098]
此外，根据本发明的发光显示装置1000将设置在基板100的有源区域aa外侧的堤部120的第二孔bct的宽度设为小于或等于指定值，以便将与薄膜晶体管阵列的形成一起形成的第一电源电压线106c连接至发光器件oled的阴极200，因而防止湿气通过第二孔bct渗透到堤部120中，由此能够防止与基板100的边缘靠近设置的子像素的发光部收缩的像素收缩现象。
[0099]
此外，根据本发明的发光显示装置1000使发光器件的公共层之中的与阴极200的形成一起形成的电子注入层eil能够由金属或金属化合物形成并且延伸到非有源区域na而与堤部120的第二孔bct交叠，因而电子注入层eil在堤部120的第二孔bct内部连接至第一电源电压线106c。因此，由金属成分形成的电子注入层eil覆盖堤部120的第二孔bct的内部并且用作湿气的阻挡部，因而防止在非有源区域中侧向暴露有机成分并且提高发光显示装置1000的可靠性。
[0100]
此外，根据本发明的发光显示装置1000使设置在非有源区域na中的堤部120的第二孔bct能够在非有源区域na的弯曲区域和笔直区域处具有不同宽度，但是即使是在弯曲区域中，第二孔bct的宽度也设为小于或等于100μm，从而缩短湿气传输路径的长度，并且使电极和金属成分覆盖第二孔bct的内表面和形成在下方的有机膜的内表面，由此增加发光显示装置1000的耐热性和耐湿性并因而提高发光显示装置1000的可靠性。
[0101]
在根据本发明的发光显示装置1000中，发光器件oled不限于上述单个堆叠结构，而是可应用于包括多个叠层的结构。
[0102]
图4a和图4b是图解根据本发明另一个实施方式的发光显示装置的图2中所示的区
域a和区域b的剖面图。
[0103]
如图4a中所示，在根据本发明另一个实施方式的发光显示装置中，设置在每个子像素中的发光器件oled可包括至少两个叠层s1和s2以及设置在叠层s1和s2之间的电荷生成层cgl。
[0104]
在各个叠层s1和s2之中，靠近阳极110的第一叠层s1可包括空穴注入层hil、第一公共层cml1、第一发光层eml1和第二公共层cml2。
[0105]
靠近阴极200的第二叠层s2可包括第三公共层cml3、第二发光层eml2、第四公共层cml4和电子注入层eil。
[0106]
第一公共层cml1和第三公共层cml3可以是与空穴传输相关的层并且包括空穴传输层、电子阻挡层等中的至少之一，第二公共层cml2和第四公共层cml4可以是与电子传输相关的层并且包括空穴阻挡层、电子传输层等中的至少之一。
[0107]
在一些情况下，除了图4a中所示的叠层s1和s2以外，还可进一步设置其他叠层。例如，叠层可包括空穴传输层、发光层和电子传输层。当设置两个或更多个叠层时，可在各个叠层之间进一步设置电荷生成层，从而向远离电极的叠层提供空穴和电子。
[0108]
此外，如图4b中所示，在根据本发明另一个实施方式的发光显示装置中，在第二孔bct中不设置由有机材料形成的元件s1、s2和cgl。在第二孔bct内部，由无机材料或无机化合物形成的电子注入层eil和阴极200直接堆叠在由阳极成分形成的第一连接图案110a上。因此，在第二孔bct内部不设置具有相对较大电阻的空穴传输层和电子传输层，因而在没有较大电阻的情况下，电信号可从第一电源电压线106c平稳地传输至阴极200。
[0109]
设置在有源区域aa中的发光器件oled可配置为可在所有子像素中形成白色发光器件，并且在各子像素的出射侧分别形成滤色器，从而根据各个子像素改变发射光的颜色，或者可在各个子像素中设置发射具有不同颜色的光的发光层，从而根据子像素呈现不同的颜色。
[0110]
下文中，将参照每个子像素的电路图描述子像素的操作以及施加至阴极200的地信号或低电源电压信号的重要性。
[0111]
图5是根据本发明一个实施方式的发光显示装置的每个子像素的电路图。
[0112]
根据本发明的发光显示装置的每个子像素例如可包括发光器件oled、驱动薄膜晶体管dr-t、开关薄膜晶体管sw-t、感测薄膜晶体管ss-t和存储电容器cst，如图5中所示。
[0113]
在根据本发明的发光显示装置中，驱动薄膜晶体管dr-t、开关薄膜晶体管sw-t、感测薄膜晶体管ss-t和存储电容器cst在结构上位于发光器件oled的下方。
[0114]
发光器件oled使用通过驱动薄膜晶体管dr-t提供的电流发光。发光器件oled的阳极可连接至驱动薄膜晶体管dr-t(图2中的tft)的第一电极(其可以是驱动薄膜晶体管dr-t的源极电极)(图2中的106a)，并且发光器件oled的阴极可连接至被提供第一电源电压的第一电源电压线vssl。第一电源电压线vssl可以是被提供低电源电压的低电压线、或地电压线。
[0115]
发光器件oled包括阳极(图2中的110)、发光层(图2中的os)和阴极(图2中的200)。在发光器件oled中，当电压施加至阳极和阴极时，空穴和电子移动至发光层，然后在发光层中组合，由此发光。
[0116]
驱动薄膜晶体管dr-t设置在被提供第二电源电压的第二电源电压线vddl与发光
器件oled之间。驱动薄膜晶体管dr-t通过驱动薄膜晶体管dr-t的栅极电极与源极电极(其可以是第一电极)之间的电压差调节从第二电源电压线vddl流到发光器件oled的电流。驱动薄膜晶体管dr-t的栅极电极可连接至开关薄膜晶体管sw-t的源极电极(开关薄膜晶体管sw-t的源极电极是下文的第三电极)，驱动薄膜晶体管dr-t的漏极电极(驱动薄膜晶体管dr-t的漏极电极是下文的第二电极)可连接至第二电源电压线vddl，并且第一电极(驱动薄膜晶体管dr-t的源极电极)可连接至发光器件oled的阳极。第二电源电压线vddl可以是被提供高电源电压的高电压线。
[0117]
开关薄膜晶体管sw-t利用来自扫描线的栅极信号导通，并且将数据线dl的电压提供至驱动薄膜晶体管dr-t的栅极电极。开关薄膜晶体管sw-t的栅极电极可连接至开关线sl，第三电极(开关薄膜晶体管sw-t的源极电极)可连接至驱动薄膜晶体管dr-t的栅极电极，并且开关薄膜晶体管sw-t的漏极电极(其为第四电极)可连接至数据线dl。
[0118]
感测薄膜晶体管ss-t可利用来自感测线ssl的启动信号(initiation signal)导通，并且将基准电压线rl连接至第一电极(驱动薄膜晶体管dr-t的源极电极)。感测薄膜晶体管ss-t的栅极电极可连接至感测线ssl，感测薄膜晶体管ss-t的漏极电极(其作为第六电极)可连接至基准电压线rl，并且感测薄膜晶体管ss-t的源极电极(其作为第五电极)可连接至第一电极(驱动薄膜晶体管dr-t的源极电极)。
[0119]
存储电容器cst形成在驱动薄膜晶体管dr-t的栅极电极与第一电极(驱动薄膜晶体管dr-t的源极电极之间)。存储电容器cst存储驱动薄膜晶体管dr-t的栅极电压与源极电压之间的差。
[0120]
存储电容器cst的一个电极可连接至驱动薄膜晶体管dr-t的栅极电极和开关薄膜晶体管sw-t的源极电极，并且存储电容器cst的另一个电极可连接至第一电极(驱动薄膜晶体管dr-t的源极电极)、第五电极(感测薄膜晶体管ss-t的源极电极)和发光器件oled的阳极。
[0121]
每个子像素的驱动薄膜晶体管dr-t、开关薄膜晶体管sw-t和感测薄膜晶体管ss-t可形成为基板上的薄膜晶体管。尽管图5示例性地图解了每个子像素的驱动薄膜晶体管dr-t、开关薄膜晶体管sw-t和感测薄膜晶体管ss-t为具有n型半导体特性的n型半导体晶体管，但本发明的实施方式不限于此。就是说，每个子像素的驱动薄膜晶体管dr-t、开关薄膜晶体管sw-t和感测薄膜晶体管ss-t可形成为具有p型半导体特性的p型半导体晶体管。当每个子像素的驱动薄膜晶体管dr-t、开关薄膜晶体管sw-t和感测薄膜晶体管ss-t形成为p型半导体晶体管时，每个薄膜晶体管的源极电极和漏极电极的方向可与n型半导体晶体管的那些相反。例如，与前述情形相反，驱动晶体管dr-t的漏极电极可连接至发光器件oled。在根据本发明的发光显示装置中，薄膜晶体管不限于n型或p型半导体晶体管。
[0122]
在根据本发明的发光显示装置中，每个子像素可包括图5中所示的上述电路，并且在一些情况下，可采用其中省略了感测薄膜晶体管的2t1c结构，或者可进一步包括配置为表现补偿功能的附加晶体管。根据本发明的发光显示装置通过改变有源区域外侧的装置的结构有效防止像素收缩，在子像素的内部结构方面没有限制。
[0123]
图6是图1中所示的具有宽度c的笔直区域的剖面图。
[0124]
如图6中所示，在根据本发明的发光显示装置中，形成在有源区域aa外侧的不与焊盘部对应的非有源区域的两侧处的堤部120的第二孔bct可形成到图1中所示的具有较小宽
度c的笔直区域中。
[0125]
下文中，将描述根据本发明的发光显示装置的变型例。
[0126]
图7和图8是图解根据本发明的发光显示装置的变型例的剖面图。
[0127]
在图7所示的根据本发明的发光显示装置的变型例中，第二孔bct可形成为相对于连接图案110a来说左右两侧对称。在这种情况下，也可在阴极200下方设置电子注入层eil，从而防止湿气渗透到第二孔bct的侧壁中。
[0128]
在图8所示的根据本发明的发光显示装置的变型例中，与基板100的笔直区域类似，在基板100的拐角部处的与第一电源电压线106c对应的堤部120的第二孔bct的宽度减小。在这种情况下，在除了图1中所示的焊盘部之外的基板100的各个侧部处的堤部120的第二孔bct的所有宽度可设为小于或等于100μm，并且堤部120的第二孔bct可配置为具有相同宽度或相似宽度，而与基板100的区域无关。在此，电子注入层eil位于第二孔bct内部的阴极200下方，因而覆盖堤部120的暴露的侧部和上部，由此能够防止湿气渗透到由有机材料形成的堤部120中。
[0129]
在图8所示的根据本发明另一实施方式的发光显示装置中，堤部120的第二孔bct形成为在比沟槽孔trt1和trt2更远离有源区域aa的位置处被开口。在这种情况下，电子注入层eil可位于连接图案110a的上表面上，使得在基板100的各个侧部处的堤部120的第二孔bct的所有宽度设为小于或等于100μm，并且堤部120的第二孔bct具有相同宽度或相似宽度，而与基板100的区域无关，由此能够防止湿气经由堤部120渗透并因而阻挡湿气传输到有源区域aa。
[0130]
图9是图解一个区域的一个示例的剖面图，在此区域中，图1中所示的第二孔横穿堤部的具有第三宽度c的部分。
[0131]
如图9中所示，在第二孔(堤部孔)bct的一些区域中，例如，在第二孔(堤部孔)bct的具有较小宽度的区域中，第一电源电压线106c和与之连接的第二连接金属图案109c可不直接连接至电子注入层eil或阴极200。在这种情况下，第二连接金属图案109c可在不与第二孔bct交叠的区域中通过穿过第二平坦化膜108形成的第二沟槽孔导电连接至连接图案110a。就是说，第二孔bct和第二沟槽孔可不彼此交叠。
[0132]
在具有图9的结构的发光显示装置中，电子注入层eil也设置在阴极200下方，由此能够通过第二孔bct及其周围区域保护堤部120的侧部和上部，并且防止外部湿气渗透到堤部120中。
[0133]
在图8和图9的发光显示装置中，例如，省略了设置在阴极200上的结构。可在阴极200上进一步设置通过交替堆叠无机封装层310和330与有机封装层320形成的图2中所示的封装结构300，或者封装基板可通过应用面密封或边缘密封接合至基板100或薄膜晶体管阵列基板500。
[0134]
为此目的，根据本发明的发光显示装置可包括：配置为具有有源区域和非有源区域的基板；设置在所述有源区域内的子像素中的多个发光器件；沿着所述基板的有源区域的边缘设置在所述非有源区域内的电压线；和堤部，所述堤部配置为通过形成在所述有源区域中的多个第一孔暴露所述发光器件的发光部并且通过形成在所述非有源区域中的第二孔暴露所述电压线，所述发光器件的电子注入层可设置在整个所述有源区域上并且延伸到所述非有源区域并设置在所述第二孔的内部。
[0135]
所述发光器件的每一个可包括配置为依次堆叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、所述电子注入层和阴极。
[0136]
在所述非有源区域内，所述阴极可设置在所述电子注入层上，并且在所述第二孔内部，所述电压线可连接至所述阴极，所述电子注入层插入在所述电压线与所述阴极之间。
[0137]
所述第二孔可以以一体式设置在除了焊盘部之外的所述非有源区域内。
[0138]
所述基板的至少四个拐角部的边缘可以是弯曲的，拐角部之间的边缘可以是笔直的，所述第二孔可在配置为与所述基板的弯曲区域平行的区域中具有第一宽度并且在配置为与所述基板的笔直区域平行的区域中具有第二宽度，所述堤部的边缘可相比所述基板的边缘进一步向内设置。
[0139]
所述第一宽度可小于或等于100μm。
[0140]
所述电子注入层可通过所述第二孔连接至所述电压线，并且可与所述第二孔的侧部处的堤部以及所述非有源区域内的堤部的上部接触。
[0141]
所述电子注入层的端线可相比所述非有源区域中的第二孔进一步向外设置。
[0142]
所述电子注入层可包括金属或金属化合物，并且可具有至的厚度。
[0143]
所述电子注入层可包括lif、yb、ag和mg中的至少之一。
[0144]
所述发光显示装置可进一步包括在与所述阳极相同的层中形成并与所述第二孔交叠的连接图案，所述连接图案可连接至设置在其下方的电压线并且可连接至设置在其上方的电子注入层。
[0145]
所述发光显示装置可进一步包括设置在所述电压线与所述堤部之间的第一平坦化膜和第二平坦化膜，所述第一平坦化膜和所述第二平坦化膜的每一个可包括沟槽孔，所述沟槽孔配置为与所述第二孔交叠并且具有比所述第二孔的宽度小的宽度。
[0146]
所述第一平坦化膜可包括第一沟槽孔，所述第二平坦化膜可包括第二沟槽孔，并且所述第一沟槽孔和所述第二沟槽孔可具有不同的宽度，其中所述第二孔可形成为在比所述第一沟槽孔和所述第二沟槽孔中的至少一个更远离所述有源区域的位置被开口。
[0147]
所述发光显示装置可进一步包括连续地设置在所述第一沟槽孔中以及在所述第一平坦化膜上的连接金属图案，所述连接金属图案可电连接至设置在其下方的电压线并且在所述第一沟槽孔的内部与所述电压线形成堆叠结构。
[0148]
所述电子注入层的端线和所述阴极的端线可相同。
[0149]
所述第二孔可与所述第一孔分隔开。
[0150]
从上面的描述显而易见的是，根据本发明的发光显示装置具有以下效果。
[0151]
第一，根据本发明的发光显示装置将形成在设置于基板的有源区域外侧的堤部中的第二孔的宽度设为小于或等于指定值，以便将与薄膜晶体管阵列的形成一起形成的第一电源电压线连接至发光器件的阴极，因而防止湿气通过第二孔渗透到堤部中，由此能够防止与基板的边缘靠近设置的子像素的发光部收缩的像素收缩现象。
[0152]
第二，根据本发明的发光显示装置使发光器件的公共层之中的与阴极的形成一起形成的电子注入层eil由金属或金属化合物形成并且延伸到基板的非有源区域而与堤部的第二孔交叠，因而电子注入层在堤部的第二孔内部连接至第一电源电压线。因此，由金属成分形成的电子注入层覆盖堤部的第二孔的内部并且用作湿气的阻挡部，因而防止在非有源区域中侧向暴露有机成分并且提高发光显示装置的可靠性。
[0153]
第三，根据本发明的发光显示装置使设置在非有源区域na中的堤部的第二孔能够在非有源区域的弯曲区域和笔直区域处具有不同宽度，但是即使是在弯曲区域中，第二孔的宽度也设为小于或等于100μm，从而缩短湿气传输路径的长度，并且使电极和金属成分覆盖第二孔的内表面和形成在下方的有机膜的内表面，由此增加发光显示装置的耐热性和耐湿性并因而提高发光显示装置的可靠性。
[0154]
对于所属领域技术人员来说将显而易见的是，在不背离本发明的精神或范围的情况下可在本发明中进行各种修改和变化。因此，本发明旨在涵盖落入所附权利要求书范围及其等同范围内的对本发明的修改和变化。