技术特征：
1.一种器件，包括：第一裸片，包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的侧壁、以及从所述第一表面到所述第二表面延伸穿过所述第一裸片的开口，所述开口延伸穿过所述第一裸片的中心部分，并且包括至少一个侧壁；空间，从所述开口的所述侧壁向外延伸朝向所述第一裸片的所述侧壁；第二裸片，在所述第一裸片上，所述第二裸片包括第三表面、与所述第三表面相对的第四表面、以及在所述第三表面处与所述第一裸片中的所述开口对准的感测部件；以及模塑料，在所述第二裸片的所述第三表面上，并且在所述第一裸片与所述第二裸片之间，所述模塑料在所述第一裸片的所述侧壁上。2.根据权利要求1所述的器件，还包括在所述第二裸片的所述第三表面上的导电结构，所述导电结构包围所述感测部件和所述开口。3.根据权利要求2所述的器件，其中所述模塑料在所述导电结构的表面上，所述导电结构的所述表面在所述第一裸片的所述第一表面与所述第二裸片的所述第三表面之间。4.根据权利要求1所述的器件，其中所述第二裸片还包括在所述第二裸片的所述第三表面上的接触件，所述接触件包围所述感测部件。5.根据权利要求4所述的器件，还包括在所述第三表面上被耦合到所述接触件的导电结构，所述导电结构包围所述第一裸片的所述开口，并且在所述第二裸片的所述第三表面与所述第一表面之间。6.根据权利要求5所述的器件，其中所述第一裸片包括在所述第一表面上包围所述开口的接触件，所述第一表面上的所述接触件与所述第二裸片的所述第三表面上的所述接触件对准，并且所述导电结构被耦合到所述第一裸片的所述第一表面上的所述接触件。7.根据权利要求6所述的器件，其中所述第一裸片的所述第一表面上的所述接触件被耦合到电连接，所述电连接延伸穿过所述第一裸片到所述第一裸片的所述第二表面。8.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一裸片还包括在所述第一表面上的接触件，所述第二裸片还包括在所述第三表面上的接触件，并且焊料球被耦合到所述第一表面上的所述接触件和所述第二表面上的所述接触件。9.根据权利要求8所述的器件，还包括被耦合到所述第二裸片的所述第三表面上的所述接触件的导电结构，所述接触件和所述导电结构包围所述第一裸片的所述开口和所述第二裸片的所述感测部件，所述导电结构在所述第二裸片的所述第三表面与所述第一裸片的所述第一表面之间。10.根据权利要求1所述的器件，其中所述开口在所述第一裸片的所述侧壁中的第一侧壁与第二侧壁之间具有第一尺寸，所述第二侧壁与所述第一侧壁相对，所述传感器部件在所述第二裸片的第三侧壁与第四侧壁之间具有第二尺寸，所述第四侧壁与所述第三侧壁相对，并且所述第一尺寸大于所述第二尺寸。11.一种器件，包括：第一裸片，包括延伸穿过所述第一裸片的中心部分的开口，所述第一裸片还包括：第一表面；第二表面，与所述第一表面相对；以及第一多个接触件，在所述第一表面上；
第二裸片，在所述第一裸片上，所述第二裸片包括与所述第一裸片中的所述开口对准的感测部件，所述第二裸片还包括：第三表面；第四表面，与所述第三表面相对；以及第二多个接触件，在所述第三表面上；多个焊料球，将所述第一多个接触件耦合到所述第二多个接触件；以及焊料结构，在所述第一裸片与所述第二裸片之间，并且所述焊料结构在所述第一裸片的所述开口与所述多个焊料球之间。12.根据权利要求11所述的器件，其中所述感测部件是压力传感器，所述压力传感器包括与所述第二裸片的所述第三表面间隔开的表面。13.根据权利要求11所述的器件，还包括在所述第一表面与所述第三表面之间延伸、并且在所述焊料结构与所述开口之间延伸的空间，所述空间包围所述开口和所述感测部件，并且所述空间与所述开口流体连通。14.根据权利要求11所述的器件，其中：所述开口具有跨所述开口延伸的第一尺寸；所述感测部件具有跨所述感测部件延伸的第二尺寸；所述空间具有跨所述空间、并且在所述焊料结构之间延伸的第三尺寸；所述第一尺寸大于所述第二尺寸；并且所述第三尺寸大于所述第一尺寸和所述第二尺寸。15.根据权利要求11所述的器件，其中所述第一裸片包括在所述第一裸片的所述中心部分处的非有源区，所述开口具有跨所述开口延伸的第一尺寸，所述非有源区具有跨所述非有源区延伸的第二尺寸，所述第二尺寸大于所述第一尺寸。16.根据权利要求11所述的器件，其中所述感测部件是可移动电极。17.一种方法，包括：形成开口，所述开口从衬底的第一表面到所述衬底的第二表面延伸穿过所述衬底，所述第二表面与所述第一表面相对；在裸片的第一接触件上形成焊料球；在所述裸片的第二接触件上形成焊料结构，所述焊料结构包围所述裸片的感测部件和所述裸片的所述开口；以及在所述第一裸片的侧壁上、所述衬底的表面上以及所述焊料结构的表面上形成模塑料。18.根据权利要求17所述的方法，还包括：在所述衬底的所述第一表面上的接合垫上形成第一接触件；在所述衬底的所述第一表面上形成第一非导电层，所述第一非导电层部分覆盖所述第一接触件；将所述第一非导电层耦合到支撑件；在所述衬底中形成导电通孔，所述导电通孔延伸至所述第二表面中到所述衬底的所述第一表面上的所述接合垫，形成所述导电通孔包括：形成孔，所述孔延伸至所述衬底的所述第一表面中到所述接合垫；以及
在所述孔中形成导电材料；在所述导电通孔的端部上以及所述衬底的所述第二表面上形成第二接触件；以及在所述衬底的所述第二表面上形成第二非导电层，所述第二非导电层部分覆盖所述第二接触件。19.根据权利要求18所述的方法，还包括：在所述第一非导电层中形成开口，以暴露所述衬底的所述第一表面的第一部分；以及在所述第二非导电层中形成开口，以暴露所述衬底的所述第二表面的第二部分，所述第二部分与所述第一部分对准。20.根据权利要求17所述的方法，还包括：在所述衬底的所述第一表面上形成接触件，所述接触件包围延伸穿过所述衬底的所述开口；以及在所述衬底的所述第二表面上的所述接触件上形成所述焊料结构，以利用所述焊料结构包围所述衬底中的所述开口。
技术总结
本公开涉及在衬底(例如，专用集成电路裸片(ASIC)、集成电路、或者具有有源电路的某些其他类型的裸片)上具有传感器裸片并且被包封在模塑料中的封装件(例如，芯片尺寸封装件、晶片级芯片尺寸封装件(WLCSP)或者包含传感器裸片的封装件)。传感器裸片包括感测部件，感测部件与延伸穿过衬底的位于中心的开口对准。位于中心的开口在衬底的非有源部分处延伸穿过衬底。位于中心的开口将传感器裸片的感测部件暴露于封装件外部的外部环境。露于封装件外部的外部环境。露于封装件外部的外部环境。
技术研发人员：栾竟恩
受保护的技术使用者：意法半导体有限公司
技术研发日：2021.06.21
技术公布日：2022/1/6