技术特征：
1.一种高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上依次形成第一缓冲层、磁性介质层和第二缓冲层；在所述第二缓冲层上形成漂移层；在所述漂移层上分别形成源极金属、漏极金属和栅极金属，所述源极金属、所述漏极金属和所述栅极金属在所述衬底的正投影均位于所述磁性介质层在所述衬底上的正投影内。2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述第一缓冲层、所述磁性介质层和所述第二缓冲层的厚度之和小于3μm。3.如权利要求1或2所述的高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述磁性介质层的厚度为10nm至100nm。4.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述在所述第二缓冲层上形成漂移层之后，所述方法还包括：通过台面隔离工艺或绝缘离子注入工艺在所述漂移层上界定出有源区和无源区，所述磁性介质层位于所述漂移层的有源区。5.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述在所述漂移层上分别形成源极金属、漏极金属和栅极金属包括：在所述漂移层上形成钝化层；刻蚀所述钝化层以形成源极开口和漏极开口；在所述源极开口和所述漏极开口内的漂移层上蒸镀金属以分别形成源极金属和漏极金属，所述源极金属和所述漏极金属分别与所述漂移层欧姆接触；在所述源极金属和所述漏极金属之间的钝化层上刻蚀形成栅极开口；在所述栅极开口内的漂移层上蒸镀金属形成栅极金属，所述栅极金属与所述漂移层形成肖特基接触。6.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述漂移层包括依次形成于所述第二缓冲层上的沟道层、插入层和势垒层。7.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述磁性介质层为cr2ge2te6、fe3gete2、cri3、bi系陶瓷薄膜和ir系陶瓷薄膜中的一种。8.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述漂移层包括依次形成的gan层和algan层，所述栅极金属为ni。9.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括衬底，设置在所述衬底上的第一缓冲层，设置在所述第一缓冲层上的磁性介质层，设置在所述磁性介质层上的第二缓冲层，设置在所述第二缓冲层上的漂移层，设置在所述漂移层上的源极金属、漏极金属和栅极金属，所述源极金属、所述漏极金属和所述栅极金属在所述衬底的正投影均位于所述磁性介质层在所述衬底上的正投影内。10.如权利要求9所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述磁性介质层为cr2ge2te6、fe3gete2、cri3、bi系陶瓷薄膜和ir系陶瓷薄膜中的一种。
技术总结
本发明提供一种高电子迁移率晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上依次形成第一缓冲层、磁性介质层、第二缓冲层和漂移层；在漂移层上分别形成源极金属、漏极金属和栅极金属，源极金属、漏极金属和栅极金属在衬底的正投影均位于磁性介质层在衬底上的正投影内，在此状态下，磁性介质层工作在交变电场中，在射频磁场介入时，会产生交变电场，进而产生磁场，磁性介质层会产生感应电流，进而形成微导电通道，抵消由于trapping效应中捕获载流子引发的器件电流崩塌现象，以此来调控陷阱态造成的电流降低现象，有效的缩短了栅延迟时间，改善射频应用中的功率压缩和高频散射，提升HEMT器件的性能和稳定性。提升HEMT器件的性能和稳定性。提升HEMT器件的性能和稳定性。
技术研发人员：ꢀ(74)专利代理机构
受保护的技术使用者：厦门市三安集成电路有限公司
技术研发日：2021.06.29
技术公布日：2021/9/28