技术特征：
1.一种发光结构，其特征在于，包括：一基板；一第一半导体叠层，设置于该基板之上，其中该第一半导体叠层具有一第一厚度结构以及一第二厚度结构，且该第一厚度结构的一厚度大于该第二厚度结构的一厚度；一发光层，设置于该第一半导体叠层的该第一厚度结构之上；一氧化层，设置于该发光层之上，其中该氧化层具有一第一孔洞，且该第一孔洞具有一第一孔径；一第二半导体叠层，设置于该氧化层之上，且该第二半导体叠层透过该第一孔洞与该发光层电性连接；一第一绝缘介电层，设置于该第二半导体叠层之上，其中该第一绝缘介电层具有一第二孔洞，且该第二孔洞具有一第二孔径；以及一透明导电层，设置于该第一绝缘介电层之上，且该透明导电层透过该第二孔洞与该第二半导体叠层电性连接。2.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，该第一孔径大于该第二孔径。3.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，垂直投影于该基板时，该第一孔洞的几何中心与该第二孔洞的几何中心相重叠。4.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，该第一孔径介于约8微米至约13微米之间。5.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，该第二孔径介于约5微米至约10微米之间。6.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，该发光层发射出一第一光路径及一第二光路径；该第一光路径自该发光层经该第一孔洞、该第二半导体叠层、该第二孔洞及该透明导电层射出，且该第一光路径具有一第一反射率；以及该第二光路径自该发光层经该第一孔洞、该第二半导体叠层、该第一绝缘介电层及该透明导电层射出，且该第二光路径具有一第二反射率；其中该第一反射率大于该第二反射率。7.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，该发光层发射出一第一光路径及一第二光路径；该第一光路径自该发光层经该第一孔洞、该第二半导体叠层、该第二孔洞及该透明导电层射出，且该第一光路径具有一第一反射率为约99.5％；以及该第二光路径自该发光层经该第一孔洞、该第二半导体叠层、该第一绝缘介电层及该透明导电层射出，且该第二光路径具有一第二反射率为约98％。8.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，该发光层发出波长为λ的光，则该第一绝缘介电层的厚度为约0.25λ
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n，其中n为奇数，而该透明导电层的厚度为约0.5λ
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m，其中m为整数。9.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，该发光层发出波长为λ的光，则该第一绝缘介电层的厚度为约0.25λ，该透明导电层的厚度为约0.5λ。10.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，还包括一第二绝缘介电层，覆盖该透
明导电层的上表面、该透明导电层的侧壁、该第一绝缘介电层的侧壁、该第二半导体叠层的侧壁、该氧化层的侧壁、该发光层的侧壁、该第一半导体叠层的该第一厚度结构的侧壁以及该第一半导体叠层的该第二厚度结构的上表面；其中于俯视下，该第二绝缘介电层具有一环状孔洞，位于该透明导电层之上，且垂直投影于该基板时，该环状孔洞环绕该第一孔洞以及该第二孔洞。11.根据权利要求10所述的发光结构，其特征在于，该发光层发出波长为λ的光，则该第一绝缘介电层的厚度为约0.25λ
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n，该透明导电层的厚度为约0.25λ
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n，该第二绝缘介电层于该透明导电层之上的厚度为约0.25λ
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n，其中n为奇数。12.根据权利要求10所述的发光结构，其特征在于，该发光层发出波长为λ的光，则该第一绝缘介电层的厚度为约0.25λ，该透明导电层的厚度为约0.25λ，该第二绝缘介电层于该透明导电层之上的厚度为约0.75λ。13.根据权利要求10所述的发光结构，其特征在于，还包括：一第一导电层，设置于该基板之下；以及一第二导电层，覆盖该第二绝缘介电层的侧壁及部分上表面，并透过该环状孔洞与该透明导电层电性连接。14.根据权利要求13所述的发光结构，其特征在于，该第二导电层具有一第三孔洞，且垂直投影于该基板时，该第三孔洞的几何中心相重叠于该第一孔洞的几何中心及该第二孔洞的几何中心。15.根据权利要求14所述的发光结构，其特征在于，该第三孔洞的一第三孔径大于该第一孔径及该第二孔径。16.根据权利要求14所述的发光结构，其特征在于，该第三孔洞的一第三孔径介于约10微米至约20微米。17.根据权利要求14所述的发光结构，其特征在于，该发光层发射出一第三光路径及一第四光路径；该第三光路径自该发光层经该第一孔洞、该第二半导体叠层、该第二孔洞、该透明导电层、该第二绝缘介电层及该第三孔洞射出，且该第三光路径具有一第三反射率；以及该第四光路径自该发光层经该第一孔洞、该第二半导体叠层、该第一绝缘介电层、该透明导电层、该第二绝缘介电层及该第三孔洞射出，且该第四光路径具有一第四反射率；其中该第三反射率大于该第四反射率。18.根据权利要求14所述的发光结构，其特征在于，该发光层发射出一第三光路径及一第四光路径；该第三光路径自该发光层经该第一孔洞、该第二半导体叠层、该第二孔洞、该透明导电层、该第二绝缘介电层及该第三孔洞射出，且该第三光路径具有一第三反射率为约99.778％；以及该第四光路径自该发光层经该第一孔洞、该第二半导体叠层、该第一绝缘介电层、该透明导电层、该第二绝缘介电层及该第三孔洞射出，且该第四光路径具有一第四反射率为约97.043％。19.一种发光装置，其特征在于，包括如权利要求1至权利要求18中任一项所述的发光结构。
技术总结
本揭露提出一种发光结构及其装置，发光结构包括第一半导体叠层、发光层、氧化层、第二半导体叠层、第一绝缘介电层以及透明导电层。发光层设置于第一半导体叠层的第一厚度结构之上。氧化层设置于发光层之上，且氧化层具有第一孔洞，第一孔洞具有第一孔径。第二半导体叠层设置于氧化层之上，且第二半导体叠层透过第一孔洞与发光层电性连接。第一绝缘介电层设置于第二半导体叠层之上，且第一绝缘介电层具有第二孔洞，第二孔洞具有第二孔径。透明导电层设置于第一绝缘介电层之上，且透明导电层透过第二孔洞与第二半导体叠层电性连接。本揭露改变发光结构中的电流路径，进而产生小角度光型。型。型。
技术研发人员：李俊毅 徐子傑
受保护的技术使用者：隆达电子股份有限公司
技术研发日：2021.07.05
技术公布日：2023/1/11