技术特征：
1.一种半导体装置结构，包括：一基板；一源极/漏极接点，位于该基板上；一第一介电层，位于该源极/漏极接点上；一蚀刻停止层，位于该第一介电层上；一源极/漏极导电层，位于该蚀刻停止层与该第一介电层中，其中该源极/漏极导电层位于该源极/漏极接点上；以及一间隔物结构，位于该蚀刻停止层与该第一介电层中，其中该间隔物结构围绕该源极/漏极导电层的侧壁，其中该间隔物结构包括：一第一间隔物层，包括一第一部分；一第二间隔物层，与该第一间隔物层的该第一部分相邻并与该第一间隔物层的该第一部分隔有一气隙；以及一密封层，位于该第一间隔物层的该第一部分与该第二间隔物层之间。
技术总结
本发明实施例提出一种半导体装置结构。半导体装置结构包括基板；源极/漏极接点，位于基板上；第一介电层，位于源极/漏极接点上；蚀刻停止层，位于第一介电层上；以及源极/漏极导电层，位于蚀刻停止层与第一介电层中。结构还包括间隔物结构，位于蚀刻停止层与第一介电层中。间隔物结构围绕源极/漏极导电层的侧壁，并包括第一间隔物层，包括第一部分；以及第二间隔物层，与第一间隔物层的第一部分相邻。第一间隔物层的第一部分与第二间隔物层隔有气隙。结构还包括密封层。结构还包括密封层。结构还包括密封层。
技术研发人员：黄麟淯 游力蓁 庄正吉 程冠伦 王志豪
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.07.28
技术公布日：2022/4/12