一种垂直腔面发射激光器的制作方法

1.本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种垂直腔面发射激光器。


背景技术：

2.垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting laser，vcsel)是一种垂直表面出光的新型激光器，因具有体积小、圆形输出光斑、阈值电流低、高调制频率、易于光纤耦合、易于成为大面积阵列等优点，在光通信、光互联、光信息处理、手机以及无人驾驶汽的激光雷达等领域的应用越来越广泛。
3.现有的垂直腔面发射激光器包括衬底和在衬底表面阵列排布的发光单元，受限于现有的结构设置，阵列排布的发光单元中，多个发光单元的同一端共用一个公共焊盘，公共焊盘位于发光单元远离衬底的一侧，不同公共焊盘之间设置有最小间距，且公共焊盘覆盖对应的发光单元以及发光单元之间的间隔区域，导致不同公共焊盘对应的发光单元之间的间距无法继续缩小，导致发光单元的密度较小。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本发明实施例提供了一种垂直腔面发射激光器，以提高垂直腔面发射激光器中发光单元之间的密度。
5.本发明实施例提供了一种垂直腔面发射激光器，包括：衬底；
6.阵列排布的发光单元，所述发光单元位于所述衬底的表面；
7.第一钝化层，所述第一钝化层位于所述发光单元远离所述衬底的表面，所述第一钝化层设置有第一过孔；
8.第二钝化层，所述第二钝化层设置有第二过孔；
9.第一焊盘，所述第一焊盘包括第一子焊盘和至少一个第二子焊盘，所述第一子焊盘的数量和所述发光单元的数量相等，所述第一子焊盘位于所述第一钝化层远离所述衬底的一侧，通过所述第一过孔与所述发光单元连接，所述第二钝化层覆盖所述第一子焊盘和所述第一钝化层，所述第二子焊盘通过所述第二过孔与所述第一子焊盘连接。
10.可选的，还包括外延层，所述外延层位于所述衬底和所述发光单元之间；
11.所述垂直腔面发射激光器设置有阵列排布的氧化沟槽，所述氧化沟槽围绕所述发光单元设置，所述氧化沟槽露出所述外延层远离所述衬底的表面。
12.可选的，所述第二子焊盘在所述衬底的投影和所述第一子焊盘在所述衬底的投影有交叠。
13.可选的，还包括第一焊盘信号连接端；
14.第i行所述发光单元的第二子焊盘与所述第一焊盘信号连接端连接，所述i的取值大于或等于1；
15.第i+1行所述发光单元的第一子焊盘设置与所述第一焊盘信号连接端连接。
16.可选的，相互连接的所述第二子焊盘与所述第一焊盘信号连接端位于同一层，且
材料相同；
17.相互连接的所述第一子焊盘设置与所述第一焊盘信号连接端位于同一层，且材料相同。
18.可选的，还包括第二欧姆金属层，所述第二欧姆金属层与所述发光单元连接；
19.所述第一钝化层还设置有第二欧姆金属层开口结构；
20.所述第二欧姆金属层位于所述第二欧姆金属层开口结构内，围绕所述发光单元设置。
21.可选的，还包括第二欧姆金属层连接端，所述第二欧姆金属层连接端与所述第一焊盘绝缘设置；
22.所述第二钝化层设置有第三过孔；
23.所述第二欧姆金属层连接端与所述第二子焊盘位于同一层，通过所述第三过孔与所述第二欧姆金属层连接。
24.第二欧姆金属层第二欧姆金属层第二欧姆金属层第二欧姆金属层
25.可选的，所述发光单元包括发射窗口和包括所述发射窗口的边缘区域；
26.所述第一子焊盘设置有发光窗口，所述发光窗口在所述衬底的投影和所述发射窗口在所述衬底的投影重合。
27.可选的，所述第二子焊盘在所述衬底的投影和所述发射窗口在所述衬底的投影无交叠。
28.可选的，所述第一子焊盘围绕所述发光单元设置，所述第一子焊盘关于所述发光单元的中心对称设置。
29.可选的，所述第一子焊盘在所述衬底所在平面的截面图形包括圆形、正多边形、矩形、以及菱形中的任一一种。
30.可选的，相邻两行的发光单元的中心的连线之间的间距小于同一行相邻发光单元的中心之间的间距。
31.可选的，相邻两列的发光单元的中心的连线之间的间距小于同一列相邻发光单元的中心之间的间距。
32.可选的，相邻两行的发光单元的中心的连线之间的间距与2的乘积等于同一行相邻发光单元的中心之间的间距，且第a
(i+1)(j+1)
个所述发光单元的中心到第a
ij
个所述发光单元的中心的距离等于第a
(i+1)(j+1)
个发光单元的中心到第a
(i)(j+2)
个发光单元的中心的距离，所述i的取值包括大于或等于1的整数，所述j的取值包括大于或等于1等整数。
33.可选的，相邻两列的发光单元的中心的连线之间的间距与2的乘积等于同一列相邻发光单元的中心之间的间距，且第a
(i+1)(j+1)
个发光单元的中心到第a
ij
个发光单元的中心的距离等于第a
(i+1)(j+1)
个发光单元的中心到第a
(i+2)(j)
个发光单元的中心的距离，所述i的取值包括大于或等于1的整数，所述j的取值包括大于或等于1等整数。
34.本发明实施例提供的技术方案，每一个发光单元远离衬底的一侧设置有一个独立的第一子焊盘，第一子焊盘位于发光单元的表面，无需全部覆盖相邻的发光单元的间隔区域，在满足相邻第一子焊盘之间的最小间距满足预设范围，保证不同第一子焊盘不发生短路的基础上，在通过光刻和刻蚀工艺形成独立的第一子焊盘的过程中，光刻胶可以分布在相邻的发光单元的间隔区域或者在邻近间隔区域设置，避免了光刻胶的长度与宽度的比值
过大，导致其容易倾斜的问题，且发光单元可以设置在相邻的发光单元的间隔区域或者在邻近间隔区域设置，进而降低了发光单元之间的最小间距，增加了衬底表面可以设置的发光单元的数量和密度。第二子焊盘和第一子焊盘之间间隔有第二钝化层，且第二子焊盘通过第二过孔与第一子焊盘连接，第二子焊盘无需覆盖发光单元，在保证不同第二子焊盘之间不发生短路的基础上，可以灵活设置第二子焊盘的数量和位置。且第二子焊盘的设置可以实现部分或者全部第一子焊盘共用一个第二子焊盘的技术方案，进而可以实现部分或者全部发光单元共用一个第二子焊盘的技术方案。且第二子焊盘的面积越大，第一焊盘的电阻越小，第一焊盘承受更大的电流时，可以避免损伤到垂直腔面发射激光器的电路元件。
附图说明
35.图1为现有技术中的一种垂直腔面发射激光器的俯视图；
36.图2为图1中a1
‑
a2的剖面结构示意图；
37.图3为本发明实施例提供的一种垂直腔面发射激光器的俯视图；
38.图4为图3中b1
‑
b2方向的一种剖面结构示意图；
39.图5为图3中b1
‑
b2方向的另一种剖面结构示意图；
40.图6为本发明实施例提供的又一种垂直腔面发射激光器的俯视图；
41.图7为本发明实施例提供的又一种垂直腔面发射激光器的俯视图；
42.图8为本发明实施例提供的又一种垂直腔面发射激光器的俯视图；
43.图9为图8中b1
‑
b2方向的剖面结构示意图；
44.图10为图8中c1
‑
c2方向的剖面结构示意图；
45.图11为图8中d1
‑
d2方向的剖面结构示意图；
46.图12为本发明实施例提供的又一种垂直腔面发射激光器的俯视图；
47.图13为本发明实施例提供的又一种垂直腔面发射激光器的俯视图；
48.图14为本发明实施例提供的又一种垂直腔面发射激光器的俯视图；
49.图15为本发明实施例提供的又一种垂直腔面发射激光器的俯视图。
具体实施方式
50.下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
51.发明人经过长期研究发现，现有的垂直腔面发射激光器包括阵列排布的发光单元，发光单元的密度较小。图1为现有技术中的一种垂直腔面发射激光器的俯视图。图2为图1中a1
‑
a2的剖面结构示意图。示例性的，图1中示出了衬底10以及衬底10表面的2行发光单元20，每一行发光单元20的第一端共用一个第一焊盘30，第一焊盘30位于发光单元20远离衬底10的一侧，第一焊盘30作为公共焊盘，覆盖对应的发光单元20以及发光单元20之间的区域。如果第一行的发光单元20和第二行的发光单元20的第一焊盘30的间距太小，在通过光刻和刻蚀工艺形成独立的第一焊盘30的过程中，分布在第一行的发光单元20和第二行的发光单元20的第一焊盘30的间距的光刻胶的长度与宽度的比值过大，导致其容易倾斜，因此第一行发光单元20对应的第一焊盘30和第二行发光单元20对应的第一焊盘30之间需要
保持最小间距l01大于或等于理论距离。综上，第二行的发光单元20无法设置在第一行的发光单元20的间隔区域内，或者靠近间隔区域设置，以避免不同行的发光单元20之间的光刻胶容易倾斜的问题。因此，现有技术中不同行发光单元20之间的最小间距无法继续缩小，导致发光单元20的密度较小。
52.针对上述技术问题，本发明实施例提供了如下技术方案：
53.图3为本发明实施例提供的一种垂直腔面发射激光器的俯视图。图4为图3中b1
‑
b2方向的一种剖面结构示意图。参见图3和图4，该垂直腔面发射激光器包括：衬底10；阵列排布的发光单元20，发光单元20位于衬底10的表面；第一钝化层40，第一钝化层40位于发光单元20远离衬底10的表面，第一钝化层40设置有第一过孔40a；第二钝化层41，第二钝化层41设置有第二过孔41a；第一焊盘30，第一焊盘30包括第一子焊盘31和至少一个第二子焊盘32，第一子焊盘31的数量和发光单元20的数量相等，第一子焊盘31位于第一钝化层40远离衬底10的一侧，通过第一过孔40a与发光单元20连接，第二钝化层41覆盖第一子焊盘31和第一钝化层40，第二子焊盘32通过第二过孔41a与第一子焊盘31连接。
54.需要说明的是，图3中示例性的示出了2个第一子焊盘31共用一个第二子焊盘32的技术方案，本发明实施例对于共用一个第二子焊盘32的第一子焊盘31的数量不作限定。
55.需要说明的是，图3中示出的垂直腔面发射激光器的俯视图仅仅示出了衬底10、发光单元20、第一焊盘30和第二过孔41a。非发光单元20的衬底上可依具体设计同时保留所需的外延层级，本发明并不做相关限制。
56.可选的，发光单元20包括第一反射镜21、有源层22和第二反射镜23，第一反射镜21和第二反射镜23的折射率不同，光学厚度均为四分之一波长奇数倍的半导体材料周期性生长而成，有源层22为量子阱发光材料。
57.可选的，还包括第一欧姆金属层24，第一欧姆金属层24位于第一子焊盘31和发光单元20之间，使得第一欧姆金属层24和发光单元20的表面具有良好的欧姆接触。
58.可选的，第一反射镜21内还设置有限制氧化层90，限制氧化层90用于定义氧化孔，即用于限定发光单元20的发光孔。图3中的虚线可示意发光孔的位置。
59.可选的，该垂直腔面发射激光器还包括一负极(附图未显示)，设置于衬底10远离发光单元20的一面。
60.本发明实施例提供的技术方案，每一个发光单元20远离衬底10的一侧设置有一个独立的第一子焊盘31，第一子焊盘31位于发光单元20的表面，无需全部覆盖相邻的发光单元20的间隔区域，在满足相邻第一子焊盘31之间的最小间距l02满足预设范围，保证不同第一子焊盘31不发生短路的基础上，在通过光刻和刻蚀工艺形成独立的第一子焊盘31的过程中，光刻胶可以分布在相邻的发光单元20的间隔区域或者在邻近间隔区域设置，避免了光刻胶的长度与宽度的比值过大，导致其容易倾斜的问题，且发光单元20可以设置在相邻的发光单元20的间隔区域或者在邻近间隔区域设置，进而降低了发光单元20之间的最小间距，增加了衬底10表面可以设置的发光单元20的数量和密度。第二子焊盘32和第一子焊盘31之间间隔有第二钝化层41，且第二子焊盘32通过第二过孔41a与第一子焊盘31连接，第二子焊盘32无需覆盖发光单元20，在保证不同第二子焊盘32之间不发生短路的基础上，可以灵活设置第二子焊盘32的数量和位置。且第二子焊盘32的设置可以实现部分或者全部第一子焊盘31共用一个第二子焊盘32的技术方案，进而可以实现部分或者全部发光单元20共用
一个第二子焊盘32的技术方案。且第二子焊盘32的面积越大，第一焊盘30的电阻越小，第一焊盘30承受更大的电流时，可以避免损伤到垂直腔面发射激光器的电路元件。
61.图5为图3中b1
‑
b2方向的另一种剖面结构示意图。可选的，参见图5，还包括外延层11，外延层11位于衬底10和发光单元20之间；垂直腔面发射激光器设置有阵列排布的氧化沟槽10a，氧化沟槽10a围绕发光单元设置20，氧化沟槽10a露出外延层11远离衬底10的表面。
62.具体的，氧化沟槽10a制作完成后，通过氧化工艺，对限制氧化层90所在的膜层进行氧化，以定义出氧化孔。外延层11的表面质量和离子掺杂均匀度优于衬底10，便于形成良率更高的发光单元20。
63.可选的，外延层11的材料和第二反射镜23的材料相同。根据具体的设计，外延层11可以包括第二反射镜23和/或欧姆金属接触层。
64.图6为本发明实施例提供的又一种垂直腔面发射激光器的俯视图。可选的，参见图6，第二子焊盘32在衬底10的投影和第一子焊盘31在衬底10的投影有交叠。
65.具体的，第二子焊盘32在衬底10的投影和第一子焊盘31在衬底10的投影有交叠，进一步增大了第二子焊盘32的面积，使得第一焊盘30的电阻进一步越小，第一焊盘30承受更大的电流时，可以避免损伤到垂直腔面发射激光器的电路元件。
66.图7为本发明实施例提供的又一种垂直腔面发射激光器的俯视图。可选的，参见图7，还包括第一焊盘信号连接端70(亦即正极)；第i行发光单元20的第二子焊盘32与第一焊盘信号连接端70连接，i的取值大于或等于1；第i+1行发光单元20的第一子焊盘31设置与第一焊盘信号连接端70连接。
67.示例性的，图7中仅仅示出了2行发光单元，第1行发光单元20的第二子焊盘32与第一焊盘信号连接端70连接；第2行发光单元20的第一子焊盘31设置与第一焊盘信号连接端70连接。本发明实施例对于i的取值不作限定。
68.具体的，第i行发光单元20中的第二子焊盘32通过第二过孔41a与第一子焊盘31连接，第二子焊盘32将第一焊盘信号连接端70的第一电流信号通过第一子焊盘31传递至发光单元20。第i+1行发光单元20中的第一子焊盘31通过第一过孔41a与第二子焊盘32连接，第一子焊盘31将第一焊盘信号连接端70的第一电流信号传递至发光单元20。
69.可选的，参见图7，相互连接的第二子焊盘32与第一焊盘信号连接端70位于同一层，且材料相同；相互连接的第一子焊盘31设置与第一焊盘信号连接端70位于同一层，且材料相同。
70.具体的，相互连接的第二子焊盘32与第一焊盘信号连接端70位于同一层，且材料相同，可以在制备第二子焊盘32时，同时完成第一焊盘信号连接端70的制作，简化了垂直腔面发射激光器的制备工艺。相互连接的第一子焊盘31设置与第一焊盘信号连接端70位于同一层，且材料相同，可以在完成第一子焊盘31时，同时完成第一焊盘信号连接端70的制作，简化了垂直腔面发射激光器的制备工艺。
71.图8为本发明实施例提供的又一种垂直腔面发射激光器的俯视图。图9为图8中b1
‑
b2方向的剖面结构示意图。图10为图8中c1
‑
c2方向的剖面结构示意图。图11为图8中d1
‑
d2方向的剖面结构示意图。
72.可选的，参见图8
‑
图11，还包括第二欧姆金属层50，第二欧姆金属层50设置于外延
层11上，并且与发光单元20连接；第一钝化层40还设置有第二欧姆金属层开口结构40b；第二欧姆金属层50位于第二欧姆金属层开口结构40b内，围绕发光单元20设置。
73.可选的，参见图8
‑
图11，还包括第二欧姆金属层连接端80(亦即负极)，第二欧姆金属层连接端80与第一焊盘30绝缘设置；第二钝化层41设置有第三过孔41b；第二欧姆金属层连接端80与第二子焊盘32位于同一层，通过第三过孔41b与第二欧姆金属层50连接。
74.具体的，第二欧姆金属层连接端80用于将第二电流信号传递给第二欧姆金属层50。第一焊盘30将第一电流信号施加在第一反射镜21上。部分或者全部发光单元20可以共用第一焊盘30，每一个发光单元20的第二反射镜23通过第二欧姆金属层50来获得第二电流信号。在电流信号的作用下有源层22发光，发出的光在第一反射镜21和第二反射镜23之间进行反射后从第一反射镜21出射。
75.可选的，在上述技术方案的基础上，参见图5，发光单元20包括发射窗口20a和包括发射窗口20a的边缘区域20b；第一子焊盘31设置有发光窗口31a，发光窗口31a在衬底10的投影和发射窗口20a在衬底10的投影重合。
76.具体的，第一子焊盘31设置有发光窗口31a，发光窗口31a在衬底10的投影和发射窗口20a在衬底10的投影重合，可以避免第一子焊盘31对于从发射窗口20a出射的光进行阻挡，从而提高了垂直腔面发射激光器的出光效率。
77.可选的，在上述技术方案的基础上，参见图5，第二子焊盘32在衬底10的投影和发射窗口20a在衬底10的投影无交叠。
78.具体的，第二子焊盘32在衬底10的投影和发射窗口20a在衬底10的投影无交叠，可以避免第二子焊盘32对于从发射窗口20a出射的光进行阻挡，从而提高了垂直腔面发射激光器的出光效率。
79.可选的，在上述技术方案的基础上，参见图3，第一子焊盘31围绕发光单元20设置，第一子焊盘31关于发光单元20的中心对称设置。
80.具体的，第一子焊盘31围绕发光单元20设置，第一子焊盘31关于发光单元20的中心对称设置，可以简化第一子焊盘31的布局难度。
81.可选的，在上述技术方案的基础上，第一子焊盘31在衬底10所在平面的截面图形包括圆形、正多边形、矩形、以及菱形中的任一一种，上述图形属于中心对称图形，可以在简化第一子焊盘31的布局难度的基础上，降低了第一子焊盘31的制作难度。
82.图12为本发明实施例提供的又一种垂直腔面发射激光器的俯视图。示例性的，图12是以图3示出的垂直腔面发射激光器的俯视图为例进行改进的。可选的，在上述技术方案的基础上，参见图12，相邻两行的发光单元20的中心的连线之间的间距l1小于同一行相邻发光单元20的中心之间的间距l2。
83.具体的，在上述技术方案的基础上，相邻两行的发光单元20的中心的连线之间的间距l1小于同一行相邻发光单元20的中心之间的间距l2，可以使得发光单元20设置在相邻的发光单元20的间隔区域或者在邻近间隔区域设置，进而降低了发光单元20之间的最小间距，增加了衬底10表面可以设置的发光单元20的数量和密度。
84.图13为本发明实施例提供的又一种垂直腔面发射激光器的俯视图。示例性的，图13是以图3示出的垂直腔面发射激光器的俯视图为例进行改进的。可选的，在上述技术方案的基础上，参见图13，相邻两列的发光单元20的中心的连线l3之间的间距小于同一列相邻
发光单元20的中心之间的间距l4。
85.具体的，在上述技术方案的基础上，相邻两列的发光单元20的中心的连线l3之间的间距小于同一列相邻发光单元20的中心之间的间距l4，在满足相邻第一子焊盘31之间的最小间距l02满足预设范围，保证不同第一子焊盘31不发生短路的基础上，在通过光刻和刻蚀工艺形成独立的第一子焊盘31的过程中，光刻胶可以分布在相邻的发光单元20的间隔区域或者在邻近间隔区域设置，避免了光刻胶的长度与宽度的比值过大，导致其容易倾斜的问题，且可以使得发光单元20设置在相邻的发光单元20的间隔区域或者在邻近间隔区域设置，进而降低了发光单元20之间的最小间距，增加了衬底10表面可以设置的发光单元20的数量和密度。
86.图14为本发明实施例提供的又一种垂直腔面发射激光器的俯视图。示例性的，图14是以图3示出的垂直腔面发射激光器的俯视图为例进行改进的。可选的，在上述技术方案的基础上，参见图14，相邻两行的发光单元20的中心的连线之间的间距l1与2的乘积等于同一行相邻发光单元20的中心之间的间距l2，且第a
(i+1)(j+1)
个发光单元20的中心到第a
ij
个发光单元20的中心的距离l5等于第a
(i+1)(j+1)
个发光单元20的中心到第a
(i)(j+2)
个发光单元20的中心的距离l5，i的取值包括大于或等于1的整数，j的取值包括大于或等于1等整数。
87.图14示例性的示出了圆心分别为o1、o2、o3和o4的4个发光单元20。4个发光单元20呈2行4列的阵列排布。当i的取值为1，j的取值为2时，第a
(i+1)(j+1)
个发光单元20的中心o2到第a
ij
个发光单元20的中心o1的距离l5等于第a
(i+1)(j+1)
个发光单元20的中心o2到第a
(i)(j+2)
个发光单元20的中心o3的距离l5。且相邻两行的发光单元20的中心的连线之间的间距l1与2的乘积等于同一行相邻发光单元20的中心之间的间距l2。其中，o2
‑
c之间的距离为o2、o3和o4构成的三角形的高线，等于相邻两行的发光单元20的中心的连线之间的间距l1。即在相邻两行的发光单元20的中心的连线之间的间距l1与2的乘积等于同一行相邻发光单元20的中心之间的间距l2的基础上，第a
(i+1)(j+1)
个发光单元20的中心可以设置在与同行相邻的第a
(i+1)(j+1)
个发光单元20和第a
(i)(j+2)
个发光单元20的中心连线o1
‑
o3垂直的中线上，在满足相邻第一子焊盘31之间的最小间距l02满足预设范围，保证不同第一子焊盘31不发生短路的基础上，在通过光刻和刻蚀工艺形成独立的第一子焊盘31的过程中，光刻胶可以分布在相邻的发光单元20的间隔区域或者在邻近间隔区域设置，避免了光刻胶的长度与宽度的比值过大，导致其容易倾斜的问题，且进一步降低了相邻两个发光单元20之间的最小间距，增加了衬底10表面可以设置的发光单元20的数量和密度。
88.图15为本发明实施例提供的又一种垂直腔面发射激光器的俯视图。示例性的，图15是以图3示出的垂直腔面发射激光器的俯视图为例进行改进的。可选的，在上述技术方案的基础上，参见图15，相邻两列的发光单元20的中心的连线之间的间距l3与2的乘积等于同一列相邻发光单元20的中心之间的间距l4，且第a
(i+1)(j+1)
个发光单元20的中心o6到第a
ij
个发光单元20的中心o5的距离l6等于第a
(i+1)(j+1)
个发光单元20的中心o6到第a
(i+2)(j)
个发光单元20的中心o7的距离l6，i的取值包括大于或等于1的整数，j的取值包括大于或等于1等整数。
89.图15示例性的示出了圆心分别为o5、o6、o7和o8的4个发光单元20。4个发光单元20呈3行3列的阵列排布。i的取值为1，j的取值为2，第a
(i+1)(j+1)
个发光单元20的中心o2到第a
ij
个发光单元20的中心o1的距离l5等于第a
(i+1)(j+1)
个发光单元20的中心o2到第a
(i+2)(j)
个发
光单元20的中心o3的距离l5。且相邻两列的发光单元20的中心的连线之间的间距l3与2的乘积等于同一列相邻发光单元20的中心之间的间距l4。其中，o2
‑
c之间的距离为o2、o3和o4构成的三角形的高线，等于相邻两列的发光单元20的中心的连线之间的间距l3。即相邻两列的发光单元20的中心的连线之间的间距l3与2的乘积等于同一列相邻发光单元20的中心之间的间距l4基础上，第a
(i+1)(j+1)
个发光单元20的中心o6可以设置在与同列相邻的第a
ij
个发光单元20和第a
(i+2)(j)
个发光单元20的中心连线o5
‑
o7垂直的中线上，在满足相邻第一子焊盘31之间的最小间距l02满足预设范围，保证不同第一子焊盘31不发生短路的基础上，在通过光刻和刻蚀工艺形成独立的第一子焊盘31的过程中，光刻胶可以分布在相邻的发光单元20的间隔区域或者在邻近间隔区域设置，避免了光刻胶的长度与宽度的比值过大，导致其容易倾斜的问题，且进一步降低了相邻两个发光单元20之间的最小间距，增加了衬底10表面可以设置的发光单元20的数量和密度。
90.注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。