一种电子设备的制作方法

1.本技术涉及无线通信领域，尤其涉及一种电子设备。


背景技术：

2.随着信息时代的发展，对数据速率的要求越来越高，高速诉求对天线的空中下载技术测试(over the air，ota)诉求也在增长。用户握持手机、平板等电子设备时，人体会吸收部分电磁波，从天线性能的角度来看，人体会对部分天线的辐射效率造成影响，例如智能手机在头手(besidehead with hand,bhh)状态下，对低频天线(低频可以例如，频率在1ghz以下)的辐射效率可能产生8-10db左右的降幅，对中高频天线(中高频可以例如，频率在1ghz以上)可能产生6-8db左右的降幅。同时，法律法规要求具有天线的电子设备，需满足电磁波吸收比值(specific absorption rate，sar)的要求。
3.因此，现在对终端设备的天线设计提出的要求，既要满足高性能的ota，又满足低sar。
4.在现有的解决方案中，可以通过软件设计，智能的区分用户场景来调整天线在辐射效率和sar之间的平衡，也可以通过多天线辅助、多天线切换来选用合适的天线或天线组合，等等，而无需改变天线本身的设计，从而保证了较高的辐射效率。因此，如何通过天线本身的设计，来同时满足辐射效率和低sar的要求，显然是目前极为棘手的问题。


技术实现要素：

5.本技术提供一种电子设备，包括天线结构，该天线结构利用电子设备的部分边框作为辐射体，通过引入的金属枝节构造反向电流，对电流进行的微弱控制，减弱电子设备的地板上的电流对天线结构的sar的影响。
6.第一方面，提供了一种电子设备，包括：天线结构，包括第一辐射体、第二辐射体、第三辐射体；地板，所述天线结构通过所述地板接地；边框，所述边框的一部分上依次具有第一位置，第二位置和第三位置，其中，所述第一位置和所述第二位置之间的边框作为所述第一辐射体，所述第二位置和所述第三位置之间的边框作为所述第二辐射体；所述边框的第二位置处开设有第一缝隙；所述第二辐射体和所述地板之间形成第二缝隙；所述第一辐射体在第一方向上延伸，并与所述第三辐射体在第二方向上之间隔，所述第二方向垂直于所述第一方向，且所述第三辐射体和所述第一辐射体在所述第二方向上的投影至少部分重合；所述第三辐射体或所述第一辐射体设置有第一馈电点，所述第一馈电点用于为所述天线结构馈电。
7.根据本技术实施例的技术方案，由第三辐射体作为馈电枝节，通过耦合的方式为第二辐射体提供能量，进而通过第二缝隙产生辐射。同时，可以通过控制第一辐射体和第三辐射体之间的耦合的能量以及控制第一辐射体和地板之间的耦合的能量，使第一辐射体上分别产生两个反向电流，两者相互抵消。第三辐射体在作为馈电枝节的同时可以在电子设备的边框上构造与地板反向电流减少地板上的电流对边框的影响，从而达到降sar的目的。
8.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第三辐射体设置有所述第一馈电点，所述第一馈电点设置在所述第三辐射体上远离所述第二辐射体的一端。
9.根据本技术实施例的技术方案，第一馈电点也可以设置在第一辐射体上，将第一辐射体作为馈电枝节为天线结构馈电，也可以达到相同的技术效果，本技术对此并不做限制。
10.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第二辐射体与所述第三辐射体在第三方向上间隔，且所述第二辐射体和所述第三辐射体在所述第三方向上的投影至少部分重合。
11.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述天线结构还包括第一电容，所述第一电容的第一端与所述第三辐射体电连接，所述第一电容的第二端与所述第二辐射体电连接。结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一电容的第二端与所述第二辐射体位于所述第一缝隙的一端电连接。
12.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一电容的第一端与所述第三辐射体靠近所述第二位置的一端电连接。
13.根据本技术实施例的技术方案，第一电容可以串联在第三辐射体和第二辐射体之间的任意位置，本技术对此并不做限制。
14.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一电容的电容值小于或等于1pf。
15.根据本技术实施例的技术方案，通过调整第一电容的电容值，可以控制第二辐射体由第三辐射体传递的能量，进而控制天线结构的辐射特性。
16.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第三辐射体为金属薄片。
17.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述金属薄片的厚度小于所述边框的最小厚度。
18.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第三辐射体的电长度小于第一波长的四分之一，所述第一波长为所述天线结构的工作频段对应的波长。
19.根据本技术实施例的技术方案，可以控制第三辐射体的电长度小于第一波长的四分之一，以使第二缝隙被充分激励，保证天线结构的辐射特性，并且可以利用第三辐射体极度不平衡的工作状态激励起天线结构的不同工作模式，拓展天线结构的带宽。
20.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述边框的第一位置处开设有第三缝隙。
21.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一位置和所述第二位置之间的所述第一辐射体为不接地的悬浮金属。
22.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一辐射体在第一位置处不开设缝隙，所述第一辐射体在所述第一位置处与所述地板电连接。
23.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第一辐射体的长度大于所述第二辐射体的长度。
24.根据本技术实施例的技术方案，对于第一辐射体一端接地的结构来说，当其谐振频段高于第二辐射体的谐振频段时，第一辐射体上的电流较大，sar值较高，因此，第一辐射体的长度可以大于第二辐射体的长度，其中，长度可以理解为电长度或物理长度，使第一辐
射体产生的谐振频段可以低于第二辐射体产生的谐振频段。并且，第一辐射体产生的谐振频段可以用于拓展天线结构的低频的通信频段，使天线结构工作在更多的通信频段，以提升用户体验。
25.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述天线结构还包括第二电容，所述第二电容的第一端与所述第三辐射体电连接，所述第二电容的第二端与所述第一辐射体电连接。
26.根据本技术实施例的技术方案，通过调整第二电容的电容值，可以控制第一辐射体由第三辐射体传递的能量，进而控制天线结构的辐射特性。
27.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第二电容的第二端与所述第一辐射体位于所述第一缝隙的一端电连接。
28.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第二电容的第一端与所述第三辐射体靠近所述第二位置的一端电连接。
29.根据本技术实施例的技术方案，第二电容可以串联在第三辐射体和第一辐射体之间的任意位置，本技术对此并不做限制。
30.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第二电容的电容值小于或等于1pf。
31.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述第二辐射体在位于所述第一缝隙的一端与所述地板电连接，所述第二辐射体在所述第三位置与所述地板电连接。
32.根据本技术实施例的技术方案，第二辐射体与地板形成缝隙天线向外辐射能量。
33.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述天线结构还包括调谐器；所述调谐器的一端与所述第二辐射体位于所述第一缝隙的一端电连接，所述调谐器的另一端与所述地板电连接，用于切换所述天线结构的工作频段。
34.根据本技术实施例的技术方案，调谐器可以用于切换与第二辐射体电连接的不同电子元件，以切换天线结构的谐振点，从而使天线结构工作在不同的频段。
附图说明
35.图1是本技术实施例提供的电子设备的示意图。
36.图2是本技术实施例提供的一种电子设备100的结构示意图。
37.图3是本技术实施例提供的天线结构的工作模式的示意图。
38.图4是图2所示的天线结构的s参数仿真图。
39.图5是图2所示的天线结构的史密斯圆图。
40.图6是图2所示的天线结构在1.8ghz的电流分布示意图。
41.图7是图2所示的天线结构在2.3ghz的电流分布示意图。
42.图8是图2所示的天线结构在1.8ghz的方向图。
43.图9是图2所示的天线结构在2.3ghz的方向图。
44.图10为电子设备沿第二方向的横截面示意图。
45.图11是本技术实施例提供的电流分布示意图。
46.图12是图2所示的天线结构的磁场分布示意图。
47.图13是本技术实施例提供的另一种天线结构的示意图。
48.图14是本技术实施例提供的一种电子设备200的结构示意图。
49.图15是图14所示的天线结构的s参数仿真图。
50.图16是本技术实施例提供的电流分布示意图。
51.图17是本技术实施例提供的另一种天线结构的示意图。
52.图18是图14所示的天线结构的磁场分布示意图。
53.图19是图17所示的天线结构的磁场分布示意图。
具体实施方式
54.下面将结合附图，对本技术中的技术方案进行描述。
55.应理解，在本技术中“电连接”可理解为元器件物理接触并电导通；也可理解为线路构造中不同元器件之间通过印制电路板(printed circuit board，pcb)铜箔或导线等可传输电信号的实体线路进行连接的形式；也可理解为通过间接耦合的方式，隔空电导通。“耦合”可理解为通过间接耦合的方式隔空电导通，其中，本领域人员可以理解的是，耦合现象即指两个或两个以上的电路元件或电网络的输入与输出之间存在紧密配合与相互影响，并通过相互作用从一侧向另一侧传输能量的现象。“连接”、“相连”均可以指一种机械连接关系或物理连接关系，例如，a与b连接或a与b相连可以指，a与b之间存在紧固的构件(如螺钉、螺栓、铆钉等)，或者a与b相互接触且a与b难以被分离。
56.天线方向图：也称辐射方向图。是指在离天线一定距离处，天线辐射场的相对场强(归一化模值)随方向变化的图形，通常采用通过天线最大辐射方向上的两个相互垂直的平面方向图来表示。
57.天线方向图通常都有多个辐射波束。其中辐射强度最大的辐射波束称为主瓣，其余的辐射波束称为副瓣或旁瓣。在副瓣中，与主瓣相反方向上的副瓣也叫后瓣。
58.天线回波损耗：可以理解为经过天线电路反射回天线端口的信号功率与天线端口发射功率的比值。反射回来的信号越小，说明通过天线向空间辐射出去的信号越大，天线的辐射效率越大。反射回来的信号越大，说明通过天线向空间辐射出去的信号越小，天线的辐射效率越小。
59.天线回波损耗可以用s11参数来表示，s11属于s参数中的一种。s11表示反射系数，此参数能够表征天线发射效率的优劣。s11参数通常为负数，s11参数越小，表示天线回波损耗越小，天线本身反射回来的能量越小，也就是代表实际上进入天线的能量就越多，天线的系统效率越高；s11参数越大，表示天线回波损耗越大，天线的系统效率越低。
60.需要说明的是，工程上一般以s11值为-4db作为标准，当天线的s11值小于-4db时，可以认为该天线可正常工作，或可认为该天线的发射效率较好。
61.史密斯(smith)圆图：是在反射系散平面上标绘有归一化输入阻抗(或导纳)等值圆族的计算图。该图由三个圆系构成，用以在传输线和某些波导问题中利用图解法求解，以避免繁琐的运算。
62.天线隔离度：是指一个天线发射信号，通过另一个天线接收的信号与该发射天线信号的比值。隔离度是用来衡量天线互耦程度大小的物理量。假定两个天线构成一个双端口网络，那么两个天线之间的隔离度就是天线之间的s21、s12。天线隔离度可以用s21、s12参数表示。s21、s12参数通常为负数。s21、s12参数越小，表示天线之间的隔离度越大，天线
互耦程度越小；s21、s12参数越大，表示天线之间的隔离度越小，天线互耦程度越大。天线的隔离度取决于天线辐射方向图、天线的空间距离、天线增益等。
63.地(地板)：可泛指电子设备(比如手机)内任何接地层、或接地板、或接地金属层等的至少一部分，或者上述任何接地层、或接地板、或接地部件等的任意组合的至少一部分，“地”可用于电子设备内元器件的接地。一个实施例中，“地”可以是电子设备的电路板的接地层，也可以是电子设备中框形成的接地板或屏幕下方的金属薄膜形成的接地金属层。一个实施例中，电路板可以是印刷电路板(printed circuit board，pcb)，例如具有8、10、12、13或14层导电材料的8层、10层或12至14层板，或者通过诸如玻璃纤维、聚合物等之类的介电层或绝缘层隔开和电绝缘的元件。一个实施例中，电路板包括介质基板、接地层和走线层，走线层和接地层通过过孔进行电连接。一个实施例中，诸如显示器、触摸屏、输入按钮、发射器、处理器、存储器、电池、充电电路、片上系统(system on chip，soc)结构等部件可以安装在电路板上或连接到电路板；或者电连接到电路板中的走线层和/或接地层。例如，射频源设置于走线层。
64.上述任何接地层、或接地板、或接地金属层由导电材料制得。一个实施例中，该导电材料可以采用以下材料中的任一者：铜、铝、不锈钢、黄铜和它们的合金、绝缘基片上的铜箔、绝缘基片上的铝箔、绝缘基片上的金箔、镀银的铜、绝缘基片上的镀银铜箔、绝缘基片上的银箔和镀锡的铜、浸渍石墨粉的布、涂覆石墨的基片、镀铜的基片、镀黄铜的基片和镀铝的基片。本领域技术人员可以理解，接地层/接地板/接地金属层也可由其它导电材料制得。
65.本技术提供的技术方案适用于采用以下一种或多种通信技术的电子设备：蓝牙(blue-tooth，bt)通信技术、全球定位系统(global positioning system，gps)通信技术、无线保真(wireless fidelity，wifi)通信技术、全球移动通讯系统(global system for mobile communications，gsm)通信技术、宽频码分多址(wideband code division multiple access，wcdma)通信技术、长期演进(long term evolution，lte)通信技术、5g通信技术以及未来其他通信技术等。本技术实施例中的电子设备可以是手机、平板电脑、笔记本电脑、智能家居、智能手环、智能手表、智能头盔、智能眼镜等。电子设备还可以是蜂窝电话、无绳电话、会话启动协议(session initiation protocol，sip)电话、无线本地环路(wireless local loop，wll)站、个人数字助手(personal digital assistant，pda)、具有无线通信功能的手持设备、计算设备或连接到无线调制解调器的其它处理设备、车载设备，5g网络中的电子设备或者未来演进的公用陆地移动通信网络(public land mobile network，plmn)中的电子设备等，本技术实施例对此并不限定。图1示例性示出了本技术提供的电子设备，以电子设备为手机进行说明。
66.如图1所示，电子设备10可以包括：盖板(cover)13、显示屏/模组(display)15、印刷电路板(printed circuit board，pcb)17、中框(middle frame)19和后盖(rear cover)21。应理解，在一些实施例中，盖板13可以是玻璃盖板(cover glass)，也可以被替换为其他材料的盖板，例如超薄玻璃材料盖板，pet(polyethylene terephthalate，聚对苯二甲酸乙二酯)材料盖板等。
67.其中，盖板13可以紧贴显示模组15设置，可主要用于对显示模组15起到保护、防尘作用。
68.在一个实施例中，显示模组15可以包括液晶显示面板(liquid crystal display，
lcd)，发光二极管(light emitting diode，led)显示面板或者有机发光半导体(organic light-emitting diode，oled)显示面板等，本技术对此并不做限制。
69.中框19主要起整机的支撑作用。图1中示出pcb17设于中框19与后盖21之间，应可理解，在一个实施例中，pcb17也可设于中框19与显示模组15之间，本技术对此并不做限制。其中，印刷电路板pcb17可以采用耐燃材料(fr-4)介质板，也可以采用罗杰斯(rogers)介质板，也可以采用rogers和fr-4的混合介质板，等等。这里，fr-4是一种耐燃材料等级的代号，rogers介质板是一种高频板。pcb17上承载电子元件，例如，射频芯片等。在一个实施例中，印刷电路板pcb17上可以设置一金属层。该金属层可用于印刷电路板pcb17上承载的电子元件接地，也可用于其他元件接地，例如支架天线、边框天线等，该金属层可以称为地板，或接地板，或接地层。在一个实施例中，该金属层可以通过在pcb17中的任意一层介质板的表面蚀刻金属形成。在一个实施例中，用于接地的该金属层可以设置在印刷电路板pcb17上靠近中框19的一侧。在一个实施例中，印刷电路板pcb17的边缘可以看作其接地层的边缘。可以在一个实施例中，金属中框19也可用于上述元件的接地。电子设备10还可以具有其他地板/接地板/接地层，如前所述，此处不再赘述。
70.其中，电子设备10还可以包括电池(图中未示出)。电池可以设置于设于中框19与后盖21之间，或者可设于中框19与显示模组15之间，本技术对此并不做限制。在一些实施例中，pcb17分为主板和子板，电池可以设于所述主板和所述子板之间，其中，主板可以设置于中框19和电池的上边沿之间，子板可以设置于中框19和电池的下边沿之间。
71.电子设备10还可以包括边框11，边框11可以由金属等导电材料形成。边框11可以设于显示模组15和后盖21之间并绕电子设备10的外围周向延伸。边框11可以具有包围显示模组15的四个侧边，帮助固定显示模组15。在一种实现方式中，金属材料制成的边框11可以直接用作电子设备10的金属边框，形成金属边框的外观，适用于金属工业设计(industrial design，id)。在另一种实现方式中，边框11的外表面还可以为非金属材料，例如塑料边框，形成非金属边框的外观，适用于非金属id。
72.中框19可以包括边框11，包括边框11的中框19作为一体件，可以对整机中的电子器件起支撑作用。盖板13、后盖21分别沿边框的上下边沿盖合从而形成电子设备的外壳或壳体(housing)。在一个实施例中，盖板13、后盖21、边框11和/或中框19，可以统称为电子设备10的外壳或壳体。应可理解，“外壳或壳体”可以用于指代盖板13、后盖21、边框11或中框19中任一个的部分或全部，或者指代盖板13、后盖21、边框11或中框19中任意组合的部分或全部。
73.或者，可以不将边框11看做中框19的一部分。在一个实施例中，边框11可以和中框19连接并一体成型。在另一实施例中，边框11可以包括向内延伸的突出件，以与中框19相连，例如，通过弹片、螺丝、焊接等方式相连。边框11的突出件还可以用来接收馈电信号，使得边框11的至少一部分作为天线的辐射体收/发射频信号。作为辐射体的这一部分边框，与中框30之间可以存在间隙42，从而保证天线辐射体具有良好的辐射环境，使得天线具有良好的信号传输功能。
74.其中，后盖21可以是金属材料制成的后盖，也可以是非导电材料制成的后盖，如玻璃后盖、塑料后盖等非金属后盖。
75.图1仅示意性的示出了电子设备10包括的一些部件，这些部件的实际形状、实际大
小和实际构造不受图1限定。
76.应理解，在本技术中，可以认为电子设备的显示屏所在的面为正面，后盖所在的面为背面，边框所在的面为侧面。
77.应理解，在本技术中，认为用户握持(通常是竖向并面对屏幕握持)电子设备时，电子设备所在的方位具有顶部、底部、左侧部和右侧部。
78.sar是计量多少无线电频率辐射能量被身体所实际吸收的表示单位，称作特殊吸收比率，以瓦特/每千克(w/kg)或毫瓦/每克(mw/g)来表示。sar的准确定义是：给定的物质密度(ρ—人体组织密度)下的单位体积单元(dv)单位物质(dm)吸收的单位能量(dw)相对于时之间取导数。
79.目前国际通用的标准有两个，一个是欧洲标准2w/kg，一个是美国标准1.6w/kg，以欧洲标准来讲其具体含义是指，以6分钟为计时，每公斤人体组织吸收的电磁辐射能量不得超过2瓦。
80.就人体而言，暴露在30-300mhz频率范围内人体会非常有效地吸收电磁能量。所以对于频率范围之外的，比如现用的移动终端产品都是采用sar的限值范围，其被写入很多市场法规条陈，一旦超出可能有法律风险，所以sar是所有设计者都必须遵守的一个门限值。于是就涌现了很多sar相关的控制手段，例如，电子设备可以采用智能切换，通过识别天线的各种状态，通过控制天线的发射功率降sar。或者，也可以通过构造无源结构，或，增大天线的辐射体的尺寸，及通过增大辐射口径来降sar，但这类方案由于尺寸过大，在电子设备日益紧张的内部空之间的状况下，实际的实用性很差。
81.本技术实施例提供了一种电子设备，例如终端设备，包括天线结构，该天线结构包括终端设备的部分边框，以及在壳体内设置的金属枝节，其中该部分边框作为辐射体，通过金属枝节来影响终端设备的边框和地板上的电流分布，以减弱地板上的电流对天线结构的sar的影响。
82.图2是本技术实施例提供的一种电子设备100的结构示意图。
83.如图2所示，电子设备100可以包括边框11、天线结构120和地板110。
84.其中，边框11的一部分上，依次设置第一位置101，第二位置102和第三位置103。第一位置101和第二位置102之间的边框11作为天线结构120的第一辐射体122，第二位置102和第三位置103之间的边框11作为天线结构120的第二辐射体123。天线结构120可以包括设置于电子设备100的壳体内的第三辐射体121。边框11的第二位置102处开设有第一缝隙131，第二辐射体123和地板110之间形成第二缝隙132。第一辐射体122在第一方向上延伸，并和第三辐射体121在第二方向上间隔，第二方向垂直于第一方向，且第三辐射体121和第一辐射体122在第二方向上的投影至少部分重合。第三辐射体121设置有第一馈电点141，第一馈电点141与馈电单元142电连接或耦合连接，用于为天线结构120馈电。本技术中的“在第一方向上延伸”应理解为辐射体呈直条形且该直条形在第一方向上延伸，或者辐射体呈弯折形且该弯折形的至少一部分或整体在第一方向上延伸。本技术中的“第二方向上间隔”应理解为辐射体的整体在第二方向上均未接触，包括均匀的间隔开，或者不均匀的间隔开。
85.应可理解，本技术中的“第一位置”、“第二位置”、“第三位置”应包括边框的一个点，和/或边框的一段。例如，“边框11的第二位置102处开设有第一缝隙131”可以理解为，该第二位置102包括边框上的该第一缝隙131，或者该第二位置102是该第一缝隙131处。又例
如，“第二辐射体123在第三位置103与地板110电连接”可以理解为，该第三位置103为边框上的一个点或边框上的一段，第二辐射体123包括该第三位置103，并在该第三位置接地，可以具体是第二辐射体123在该第三位置处向内延伸以与地板110电连接，或者具体是第二辐射体123在该第三位置处连接弹片或拧紧结构，该弹片或拧紧结构与地板110电连接。
86.在一个实施例中，第三辐射体121在第一方向上延伸，或者第三辐射体121的部分边缘在第一方向上延伸。例如，第三辐射体121上靠近第一辐射体122的边缘在第一方向上延伸。
87.应理解，本技术实施例为表述的简洁，仅以第三辐射体121作为馈电枝节为例进行说明，在实际应用中，第一馈电点141也可以设置在第一辐射体122上，将第一辐射体122作为馈电枝节为天线结构120馈电，也可以达到相同的技术效果，本技术对此并不做限制。同时，在本技术中，地板110可以理解为上述任意一种地板，或者，与上述任意一种地板电连接的金属层。
88.在一个实施例中，第一馈电点141可以设置在第三辐射体121远离第二辐射体123的一端。本技术中提到的“辐射体的一端/第一端/第二端”(例如，第三辐射体121的一端)并不能狭义的理解为一定是一个点，还可以认为是第三辐射体121上包括端点的一段辐射体区域，例如，当第三辐射体121的长度为l时，可以认为第三辐射体121的一端是距离端点处1/4l以内的区域。在一个实施例中，“辐射体的一端/第一端/第二端”可以是距离其端点处5mm以内的区域，或者2mm以内的区域。在一个实施例中，第一馈电点141设置在第一辐射体122的第一端，第一辐射体122的第一端为靠近第一位置101的一端。
89.在本技术实施例提供的天线结构120中，由第三辐射体121作为馈电枝节，通过电连接或耦合的方式为第二辐射体123馈电，从而使第二辐射体123产生辐射。第一辐射体122和第三辐射体121之间间隔并耦合，第一辐射体122和地板110之间间隔并耦合。在一个实施例中，第三辐射体121与第二辐射体123的电流基本同向，地板110的电流与第二辐射体123的电流基本反向。因此第三辐射体121和地板110，分别使得第一辐射体122上产生反向的电流，两者至少可以部分抵消。第三辐射体在作为馈电枝节的同时在电子设备的边框上产生感应电流，与地板在该边框上产生的感应电流基本反向，可以减少地板110上的电流对边框11的影响，从而达到降sar的目的。其中，电流基本同向可以理解为电流的主要方向(例如，大于70％的电流)相同。电流基本反向可以理解为电流的主要方向(例如，大于70％的电流)相反。同时，电流的主要方向同向和电流的主要方向相反，并不是指空间意义上的相同或相反的方向，由于电子设备内部的空间布局，辐射体的形状可能不是规则的矩形，可以为折线型，电流的方向可以理解为其矢量方向，当弯折部分不存在电流的反向点(零点)，则辐射体弯折并不改变电流的方向。
90.应可理解，天线结构120可以具有多个工作模式，上述对电流分布的分析可以仅应用于其中一个或多个工作模式，而不要求应用在每个工作模式上。本技术对此不做限制。
91.在一个实施例中，第三辐射体121的电长度可以小于第一波长的四分之一，第一波长为天线结构120的工作频段对应的波长，其中天线结构120的工作频段对应的波长可以认为是天线结构120所支持频段的中心频率对应的波长，或者，也可以认为是天线结构120的工作频段内产生的谐振点对应的波长。电长度可以是指，物理长度(即机械长度或几何长度)乘以电或电磁信号在媒介中的传输时间与这一信号在自由空间中通过跟媒介物理长度
一样的距离时所需的时间的比来表示，电长度可以满足以下公式：
[0092][0093]
其中，l为物理长度，a为电或电磁信号在媒介中的传输时间，b为在自由空间中的传输时间。
[0094]
或者，电长度也可以是指物理长度(即机械长度或几何长度)与所传输电磁波的波长之比，电长度可以满足以下公式：
[0095][0096]
其中，l为物理长度，λ为电磁波的波长。
[0097]
在一个实施例中，第三辐射体121产生的谐振位于天线结构120的工作频段内，或者，通过一些方式(例如，增加匹配电路)将第三辐射体121产生的谐振调整至天线结构120的工作频段内。在天线结构120中，第一辐射体123作为主要辐射体，第三辐射体121作为馈电枝节，参与天线结构120在第一工作频段内的辐射较弱，因此，第三辐射体121与第一辐射体123的能量分配比极不均衡。在一个实施例中，第三辐射体121在天线结构120的第一工作频段内不产生谐振，且第三辐射体121的的谐振频率高于天线结构120的第一工作频段中的最高频率，并激励第二辐射体123产生辐射。在一个实施例中，当第三辐射体121的电长度小于第一波长的四分之一，可以更充分地激励第二辐射体123，保证天线结构120的辐射特性。在一个实施例中，可以利用第三辐射体121激励起天线结构120的不同工作模式，拓展天线结构120的带宽。在一个实施例中，第三辐射体121产生的谐振频率可以用以支持天线结构120在第二工作频段工作，其中第二工作频段高于第一工作频段。
[0098]
如图3所示，由于第三辐射体121极度不平衡的工作状态可以激励起天线结构120两种不同工作模式。如图3中的(a)所示，为天线结构120的第一工作模式，在这种工作模式下，第三辐射体121的电流和第二辐射体123的电流在虚拟线两侧基本同向，其中，虚拟线可以是第三辐射体121和第二辐射体123之间的任意线，与第一方向垂直。如图3中的(b)所示，为天线结构120的第二工作模式，在这种工作模式下，第三辐射体121的电流和第二辐射体123的电流在虚拟线两侧基本反向。通过设置作为馈电枝节的第三辐射体121，可以增加第二辐射体123的模式，从而增加天线结构120的工作模式，扩展天线结构120的带宽。
[0099]
在一个实施例中，第二辐射体123在第一缝隙131的一端与地板110电连接，第二辐射体123在第三位置103与地板110电连接。例如，第二辐射体123在第一缝隙131的一端与地板110电连接。
[0100]
在一个实施例中，边框11的第一位置101处开设有第三缝隙133。更进一步的，第一缝隙131和第三缝隙133中可以填充介质，以提升边框11的物理强度。第二缝隙132可以填充塑胶粒子，例如，耐燃材料(fr-4)或其他材料。
[0101]
在一个实施例中，天线结构120还可以包括调谐器(tuner)151，调谐器151的一端与第二辐射体123在第一缝隙131的一端电连接，另一端与地板110电连接。在一个实施例中，第二辐射体123通过调谐器在工作频段产生谐振。在一个实施例中，调谐器151可以用于对天线结构120产生的单个谐振进行调整。在一个实施例中，第二辐射体123通过调谐器切换与不同电子元件的电连接关系，以改变天线结构120的谐振频段，从而使天线结构120工
作在不同的频段范围。
[0102]
天线结构120中的第三辐射体121通过与第二辐射体123电连接或者耦合的方式为第二辐射体123馈电。
[0103]
在一个实施例中，第三辐射体121和第二辐射体123在一方向上间隔，且第三辐射体121和第二辐射体123在该方向上的投影至少部分重合，以提供上述耦合的方式。应可理解，第三辐射体121和第二辐射体123间隔的方向可以是上述第一方向，或第二方向，或其他任意方向，根据电子设备壳体内的空间布局而设，本技术不做任何限制。
[0104]
在一个实施例中，天线结构120还可以包括电容152，电容152可以串联在第三辐射体121和第二辐射体123之间，电容152的一端与第三辐射体121电连接，另一端与第二辐射体123电连接，例如，电容152的一端可以与第二辐射体123在第一缝隙131的一端电连接，电容152的另一端可以与第三辐射体121的一端电连接。在一个实施例中，通过调整电容152的电容值，可以控制第二辐射体123由第三辐射体121传递的能量，进而控制天线结构120的辐射特性。在一个实施例中，电容152的电容值小于或等于1pf。在本技术实施例中，仅以电容152的电容值为0.2pf为例进行说明，在实际的应用中，可以根据生产或设计需求进行调整，本技术对此并不做限制。
[0105]
在一个实施例中，天线结构还可以包括电容153，电容153可以串联在第三辐射体121和第一辐射体122之间，电容153的第一端与第三辐射体121电连接，第二端与第一辐射体122电连接。在一个实施例中，电容153的第二端可以与第一辐射体122在第一缝隙131的一端电连接。在一个实施例中，电容153的第一端可以与第三辐射体121靠近第二位置102的一端电连接。在一个实施例中，通过调整电容153的电容值，可以控制第一辐射体122由第三辐射体121传递的能量，进而控制天线结构120的辐射特性。
[0106]
在一个实施例中，第三辐射体121可以具有朝向第二辐射体123弯折的部分，和/或第二辐射体123可以具有朝向第三辐射体121弯折的部分，以在弯折的部分提供上述电连接或者耦合的方式。
[0107]
图4至图9是图2所示的天线结构的仿真结果图。其中，图4是图2所示的天线结构的s参数仿真图。图5是图2所示的天线结构的史密斯圆图。图6是图2所示的天线结构在1.8ghz的电流分布示意图。图7是图2所示的天线结构在2.3ghz的电流分布示意图。图8是图2所示的天线结构在1.8ghz的方向图。图9是图2所示的天线结构在2.3ghz的方向图。
[0108]
应理解，为了论述的简洁，本技术实施例以lte中的b1频段为例进行说明，并不限制本技术所提供的技术方案应用的通信频段。
[0109]
如图4所示，以s11小于-4db为界限，天线结构的谐振频段可以包括1.86-2.32ghz，可以包括lte中b1频段的发射频段(1920-1980mhz)和接收频段(2110-2170mhz)，使电子设备可以在b1频段正常工作。
[0110]
如图5所示，在史密斯圆图中，频点1.78ghz和2.44ghz分别位于零轴两侧，通常认为曲线穿过零轴一次，天线结构就具有一种工作模式，因此，天线结构就有两种工作模式，与图3所示的天线结构的工作模式对应。
[0111]
如图6所示，为天线结构在1.8ghz的电流分布示意图，第三辐射体121的电流和第二辐射体123的电流在虚拟线两侧基本同向，对应于图3中的(a)所示的天线结构的第一工作模式。因此，天线结构的第一工作模式产生的谐振主要位于天线结构的工作频段中的低
频段，可以包括b1频段的发射频段(1920-1980mhz)。
[0112]
如图7所示，为天线结构在2.3ghz的电流分布示意图，第三辐射体121的电流和第二辐射体123的电流在虚拟线两侧基本反向，对应于图3中的(b)所示的天线结构的第二工作模式。因此，天线结构的第一工作模式产生的谐振主要位于天线结构的工作频段中的高频段，可以包括b1频段的接收频段(2110-2170mhz)。
[0113]
如图8和图9所示，由于天线结构的第一工作模式和第二工作模式的电流分布不同，天线结构在1.8ghz和2.3ghz的最大辐射方向基本垂直，因此，天线结构的第一工作模式和第二工作模式所覆盖的方向不同。在一个实施例中，可以根据用户的不同手持方式，调整天线结构的最大辐射方向，有效提升用户体验，避免由于用户手持姿势引起的信号衰弱。
[0114]
图10和图11是本技术实施例提供的电子设备的示意图。其中，图10为电子设备沿第二方向的横截面示意图。图11是本技术实施例提供的电流分布示意图。
[0115]
如图10所示，第三辐射体121在第三方向上位于地板110和电子设备的后盖21之间，其中，第三方向是电子设备的厚度方向。举例说明，第三辐射体121与后盖21之间的间距小于地板110与后盖21之间的间距。在一个实施例中，第三辐射体121在第三方向上位于地板110和电子设备的玻璃盖板13之间。举例说明，第三辐射体121与玻璃盖板13之间的间距小于地板110与玻璃盖板13之间的间距。应可理解，第三辐射体121可以在该第三方向上与地板110部分错开或完全错开。在一个实施例中，第三辐射体121可以设置在地板110和电子设备的后盖21/玻璃盖板13之间的支架上，例如通过在支架中内嵌钢片形成第三辐射体121，或例如在支架上通过激光直接成型技术(laser-direct-structuring，lds)形成第三辐射体121。第三辐射体121也可以通过其他方式实现，例如，悬浮金属(floating metal，flm)，柔性电路板(flexible printed circuit，fpc)等形式实现，本技术对此并不做限制。
[0116]
在一个实施例中，第三辐射体121为金属薄片，例如钢片，金属薄片延着地板110的延伸方向设置。金属薄片的厚度小于边框11的厚度，例如，小于边框11最窄处的厚度。
[0117]
在一个实施例中，第三辐射体121可以呈矩形，折线型，u型或不规则形状，本技术对此并不做限制。在一个实施例中，可以根据地板110、第一辐射体122和第二辐射体123与第三辐射体121之间的相对位置，调整第三辐射体121的形状，大小、厚度等，以有效利用电子设备的内部空间。在一个实施例中，还可以根据实际的生产或设计需求调整第三辐射体121的形状，大小，厚度，或电长度等参数，以使第三辐射体121在第一辐射体122上产生的第二感应电流的幅度与上述第一感应电流的幅度大致相同，有效降低天线结构的sar。
[0118]
应理解，sar作为天线的发射指标，对于图2所示的天线结构来说，其发射频段(1920-1980mhz)对应的工作模式为第一工作模式，如图3中的(a)所示。
[0119]
如图11所示，边框11的第一位置和第二位置开设有第一缝隙和第三缝隙，在这种情况下，第一辐射体122为悬浮枝节，其两端不与地板110电连接。对第一辐射体122来说，第一辐射体122的电流主要来源有两部分，一部分是由于天线结构的辐射枝节(第二辐射体123)在地板110上产生的电流，进而在第一辐射体122上引起的第一感应电流，第一感应电流与第二辐射体123上的电流基本同向，另一部分是由于天线结构的馈电枝节(第三辐射体121)在第一辐射体122上引起的第二感应电流，第二感应电流与第三辐射体121上的电流基本反向。即第一辐射体122上同时存在第一感应电流和第二感应电流，且第一感应电流和第二感应电流的方向相反。当第一感应电流的幅度和第二感应电流的幅度接近时，呈现的结
果是至少部分电流的相互抵消，出现的是电流的零点，由于磁场本身是由电流产生的，在这种天线结构中，反相(相位相差约180
°
)的第一感应电流和第二感应电流产生的磁场则会相互抵消，会出现磁场的零点(或接近零点)，进而降低天线结构的sar。
[0120]
应理解，本技术实施例提供的天线结构利用电子设备的部分边框作为辐射体，在天线结构的设计中，可以通过调节第三辐射体121的相对位置及第三辐射体121和第二辐射体123之间的电容的电容值，调节第三辐射体121的相对位置即调节地板110、第一辐射体122和第二辐射体123与第三辐射体121之间的相对位置，使由于第三辐射体121在第一辐射体122上产生的第二感应电流的幅度与上述第一感应电流的幅度相同，有效降低天线结构的sar。
[0121]
在一个实施例中，对于第一辐射体122来说，其在第二辐射体123产生的谐振频段用于使第一感应电流和第二感应电流至少部分抵消，而第一辐射体122在第二辐射体123产生的谐振频段内并不产生谐振。在一个实施例中，第一辐射体122产生的谐振频段可以设置在第二辐射体123产生的谐振频段外。对应的，第一辐射体122的长度可以与第二辐射体123的长度不同，第一辐射体122的长度可以大于或小于第二辐射体123的长度，第一辐射体122产生的谐振频段可以高于或低于第二辐射体123产生的谐振频段，其中，长度可以理解为电长度或物理长度。
[0122]
在一个实施例中，第一辐射体122产生的谐振频段可以用于拓展天线结构的通信频段，使天线结构工作在更多的通信频段，以提升用户体验。
[0123]
在一个实施例中，以下关于第三辐射体121的设置位置，都会影响第三辐射体121在第一辐射体122上产生的第二感应电流的幅度：1、第三辐射体121和第一辐射体122之间的距离l1，如图10所示。2、在第一方向和第二方向构成的平面中，第三辐射体121与第一辐射体122所呈角度α，即第三辐射体121正对第一辐射体122的面积。3、第三辐射体121与第一辐射体122之间的介质。本技术对此并不做限制，上述仅作为举例使用。
[0124]
图12是图2所示的天线结构的磁场分布示意图。
[0125]
如图12所示，利用反相(相位相差约180
°
)的第一感应电流和第二感应电流产生的磁场则会相互抵消，在电子设备外侧，靠近第一辐射体的附近磁场具有零点(接近于零点)，并且天线结构的磁场并不存在强点，可以有效降低天线结构的sar。
[0126]
图13是本技术实施例提供的另一种天线结构的示意图。
[0127]
如图13所示，该天线结构与图2所示的天线结构的区别仅在于不包括第三辐射体，由第一辐射体作为馈电枝节为天线结构馈电，其余均与图2所示的天线结构相同，图13所示的天线结构在本技术中作为对比的天线结构。
[0128]
下表1为图2所示天线结构和图13所示的天线结构的实测结果。
[0129]
表1
[0130] 图2所示天线结构图13所示天线结构自由空间(free space，fs)效率-1.23db-2.1dbsar2w/kg2.65w/kg归一化sar(-4db)1.06w/kg1.75w/kg
[0131]
如上表1所示，本技术实施例提供的天线结构(图2所示天线结构)在相同的条件下，其sar值相较于对比的天线结构(图13所示的天线结构)，得到大幅改善。
[0132]
图14是本技术实施例提供的一种电子设备200的结构示意图。
[0133]
如图14所示，电子设备200可以包括边框11，地板210和天线结构220。
[0134]
边框11的一部分上，依次设置第一位置201，第二位置202和第三位置203。第一位置201和第二位置202之间的边框11作为天线结构220的第一辐射体222，第二位置202和第三位置203之间的边框11作为天线结构220的第二辐射体223。边框11的第二位置202处开设有第一缝隙231，第二辐射体223和地板210之间形成第二缝隙232。第一辐射体222在第一位置201处不开设缝隙，第一辐射体222在第一位置201处与地板210电连接。第二辐射体223在第三位置203处不开设缝隙，第二辐射体222在第三位置203处与地板210电连接。天线结构220可以包括设置于电子设备200的壳体内的第三辐射体221。第一辐射体222在第一方向上延伸，并和第三辐射体221在第二方向上间隔，第二方向垂直于第一方向，且第三辐射体221和第一辐射体222在第二方向上的投影至少部分重合。第三辐射体221设置有第一馈电点241，第一馈电点241与馈电单元242电连接，用于为天线结构220馈电。
[0135]
在一个实施例中，第三辐射体221在第一方向上延伸，或者第三辐射体221的部分边缘在第一方向上延伸。例如，第三辐射体221上靠近第一辐射体222的边缘在第一方向上延伸。
[0136]
天线结构120中的第三辐射体221通过与第二辐射体223电连接或者耦合的方式为第二辐射体223馈电。
[0137]
在一个实施例中，第三辐射体221和第二辐射体223在一方向上间隔，且第三辐射体221和第二辐射体223在该方向上的投影至少部分重合，以提供上述耦合的方式。应可理解，第三辐射体221和第二辐射体223间隔的方向可以是上述第一方向，或第二方向，或其他任意方向，根据电子设备壳体内的空间布局而设，本技术不做任何限制。
[0138]
在一个实施例中，天线结构220还可以包括第一电容251，第一电容251可以串联在第三辐射体221和第二辐射体223之间，第一电容251的第一端与第三辐射体221电连接，第二端与第二辐射体223电连接。在一个实施例中，第一电容251的第一端与第三辐射体221靠近第二位置202的一端电连接。在一个实施例中，第一电容251的第二端可以与第二辐射体223在第一缝隙231的一端电连接。在一个实施例中，通过调整第一电容251的电容值，可以控制第二辐射体223由第三辐射体221传递的能量，进而控制天线结构220的辐射特性。
[0139]
在一个实施例中，第一电容251的电容值小于或等于1pf。在本技术实施例中，仅以第一电容251的电容值为0.2pf为例进行说明，在实际的应用中，可以根据生产或设计需求进行调整，本技术对此并不做限制。
[0140]
在一个实施例中，第三辐射体221可以具有朝向第二辐射体223弯折的部分，和/或第二辐射体223可以具有朝向第三辐射体221弯折的部分，以在弯折的部分提供上述电连接或者耦合的方式。
[0141]
在本技术实施例提供的天线结构220中，由第三辐射体221作为馈电枝节，通过电连接或耦合的方式为第二辐射体223馈电，从而使第二辐射体223产生辐射。第一辐射体222和第三辐射体221之间电连接或耦合，第一辐射体222在第一位置201处和地板210之间电连接。在一个实施例中，第三辐射体221与第二辐射体223的电流基本同向，地板110的电流与第二辐射体123的电流基本反向。因此第三辐射体121和地板110，分别使得第一辐射体122上产生反向的感应电流，两者至少可以部分抵消。第三辐射体在作为馈电枝节的同时在电
子设备的边框上产生电流，与地板在该边框上产生的电流基本反向，可以减少地板110上的电流对边框11的影响，从而达到降sar的目的。
[0142]
在一个实施例中，第三辐射体221与第一辐射体222通过间隔一定距离，以提供上述耦合的方式。
[0143]
在一个实施例中，天线结构220还可以包括第二电容252，第二电容252可以串联在第三辐射体221和第一辐射体222之间，第二电容252的第一端与第三辐射体221电连接，第二端与第一辐射体222电连接。在一个实施例中，第二电容252的第二端可以与第一辐射体222在第一缝隙231的一端电连接。在一个实施例中，第二电容252的第一端可以与第三辐射体221靠近第二位置202的一端电连接。在一个实施例中，通过调整第二电容252的电容值，可以控制第一辐射体222由第三辐射体221传递的能量，进而控制天线结构220的辐射特性。
[0144]
在一个实施例中，第二电容252的电容值小于或等于1pf。在本技术实施例中，仅以第二电容252的电容值为0.2pf为例进行说明，在实际的应用中，可以根据生产或设计需求进行调整，本技术对此并不做限制。
[0145]
在一个实施例中，第三辐射体221可以具有朝向第一辐射体222弯折的部分，和/或第一辐射体222可以具有朝向第三辐射体221弯折的部分，以在弯折的部分提供上述电连接或者耦合的方式。
[0146]
在一个实施例中，天线结构220还可以包括调谐器253，调谐器253的一端与第二辐射体223在第一缝隙231的一端电连接，另一端与地板210电连接，可以用于切换与第二辐射体223电连接的不同电子元件，以改变天线结构120的谐振，从而使天线结构120工作在不同的频段。应理解，调谐器253也可以设置在第三位置203处连接在地板310和第二辐射体223之间，本技术对此并不做限制。
[0147]
在一个实施例中，第三辐射体221的电长度可以小于第一波长的四分之一，第一波长为天线结构220的工作频段对应的波长。第三辐射体221产生的谐振位于天线结构220的工作频段内，或者，通过一些方式(例如，增加匹配电路)将第三辐射体221产生的谐振调整至天线结构220的工作频段内。与前述实施例类似，此处不再赘述。
[0148]
应可理解，第三辐射体221在电子设备中的相对位置设置(例如，地板110和电子设备的后盖21/玻璃盖板13之间)，或者其实现形式(例如，支架内嵌钢片、lds、悬浮金属、柔性电路板等)，或者其形状等，和前述实施例类似，此处不再赘述。
[0149]
图15是图14所示的天线结构的s参数仿真图。
[0150]
如图15所示，以s11小于-4db为界限，天线结构的谐振频段可以包括lte中b1频段的发射频段(1920-1980mhz)和接收频段(2110-2170mhz)，使电子设备可以在b1频段正常工作。
[0151]
图16是本技术实施例提供的电流分布示意图。
[0152]
如图16所示，边框11在第二位置开设有第一缝隙，第一辐射体222在第一位置与地板210电连接。对第一辐射体222来说，第一辐射体222的电流主要来源有两部分，一部分是由于天线结构的辐射枝节(第二辐射体223)在地板210上产生的电流，进而在第一辐射体222上引起的第一感应电流，第一感应电流与第二辐射体223上的电流基本同向，另一部分是由于天线结构的馈电枝节(第三辐射体221)在第一辐射体222上引起的第二感应电流，第二感应电流与第三辐射体221上的电流基本反向。即第一辐射体222上同时存在第一感应电
流和第二感应电流，且第一感应电流和第二感应电流的方向相反。当第一感应电流的幅度和第二感应电流的幅度接近时，呈现的结果是电流的至少部分抵消，出现的是电流的零点，由于磁场本身是由电流产生的，在这种天线结构中，反相(相位相差约180
°
)的第一感应电流和第二感应电流产生的磁场则会在相互抵消，会出现磁场的零点(或接近零点)，进而降低天线结构的sar。
[0153]
在一个实施例中，对于第一辐射体222来说，其在第二辐射体223产生的谐振频段用于使第一感应电流和第二感应电流至少部分抵消，因此，第一辐射体222在第二辐射体223产生的谐振频段内并不产生谐振，第一辐射体222产生的谐振频段应设置在第二辐射体223产生的谐振频段外。并且，对于第一辐射体222一端接地的结构来说，当其谐振频段高于第二辐射体223的谐振频段时，第一辐射体222上的电流较大，sar值较高，因此，第一辐射体222的长度可以大于第二辐射体223的长度，使第一辐射体222产生的谐振频段可以低于第二辐射体223产生的谐振频段，其中，长度可以理解为电长度或物理长度。并且，第一辐射体222产生的谐振频段可以用于拓展天线结构的低频的通信频段，使天线结构工作在更多的通信频段，以提升用户体验。
[0154]
图17是本技术实施例提供的另一种天线结构的示意图。
[0155]
如图17所示，该天线结构与图14所示的天线结构的区别仅在于不包括第三辐射体，由第一辐射体作为馈电枝节为天线结构馈电，其余均与图14所示的天线结构相同，图17所示的天线结构在本技术中作为对比的天线结构。
[0156]
图18和图19分别是图14和图17所示的天线结构的磁场分布示意图。
[0157]
如图18和图19所示，相较于图17所示的天线结构，图14所示的天线结构利用反相(相位相差约180
°
)的第一感应电流和第二感应电流，使产生的磁场相互抵消，天线结构产生的磁场分布较为均匀，并且在天线结构的磁场几种区域并不存在强点，可以有效降低天线结构的sar。
[0158]
下表2和表3分别为图14所示天线结构和图17所示的天线结构的实测结果。
[0159]
表2(图14所示天线结构)
[0160]
测试频段fs效率sar归一化sar(-4db)b3-4db1.1w/kg1.1w/kgb1-3.2db1.31w/kg1.08w/kgb7-3.4db1.02w/kg0.9w/kg
[0161]
表3(图17所示天线结构)
[0162]
测试频段fs效率sar归一化sar(-4db)b3-3db1.99w/kg1.58w/kgb1-2.1db2.25w/kg1.45w/kgb7-2.8db2.53w/kg1.91w/kg
[0163]
如上表2和表3所示，本技术实施例提供的天线结构相同的条件下，其sar值相较于对比的天线结构，得到大幅改善。
[0164]
本领域技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本技术的范围。
[0165]
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统、
装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
[0166]
在本技术所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统、装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的之间接耦合或通信连接，可以是电性或其它的形式。
[0167]
以上所述，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。