技术特征：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一具有高压器件区和中压器件区的衬底；形成多个浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构位于所述高压器件区和所述中压器件区的交界处以及间隔分布于所述高压器件区和所述中压器件区中；刻蚀所述高压器件区中相邻的两个浅沟槽隔离结构之间的衬底以形成第一沟槽；形成第一栅氧结构，所述第一栅氧结构填充所述第一沟槽；以及，形成第二栅氧结构，所述第二栅氧结构位于所述中压器件区中相邻的两个所述浅沟槽隔离结构之间的衬底表面。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，刻蚀所述高压器件区的相邻的两个浅沟槽隔离结构、所述浅沟槽隔离结构之间的衬底以形成第一沟槽。3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，刻蚀打开的所述浅沟槽隔离结构在宽度上的尺寸均为4.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，刻蚀厚度为的所述浅沟槽隔离结构，并且刻蚀厚度为的所述衬底，以形成台阶式的所述第一沟槽。5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成第二栅氧结构的步骤包括：形成掩膜层，所述掩膜层覆盖所述浅沟槽隔离结构、所述第一栅氧结构和部分所述衬底；刻蚀所述中压器件区中相邻的两个所述浅沟槽隔离结构上的所述掩膜层以在所述掩膜层中形成第二沟槽；采用热氧化工艺形成第一栅氧化层，所述第一栅氧化层覆盖所述第二沟槽的底壁；采用ald工艺形成第二栅氧化层，所述第二栅氧化层覆盖所述第一栅氧化层、所述第二沟槽的侧壁以及所述掩膜层；去除所述掩膜层和所述第二沟槽的侧壁上的所述第二栅氧化层；以及，去除剩余的所述掩膜层。6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一栅氧化层的厚度为7.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二栅氧化层的厚度为8.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，采用热氧化工艺形成所述第一栅氧结构。9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一栅氧结构的厚度为10.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中具有高压器件区和中压器件区；多个浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构位于所述高压器件区和所述中压器件区的交界处以及间隔分布于所述高压器件区和所述中压器件区中，其中，所述高压器件区中相
邻的两个所述浅沟槽隔离结构之间的衬底中形成有第一沟槽；第一栅氧结构，所述第一栅氧结构填充所述第一沟槽；以及第二栅氧结构，所述第二栅氧结构位于所述中压器件区中相邻的两个所述浅沟槽隔离结构之间的衬底表面。
技术总结
本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供一具有高压器件区和中压器件区的衬底；形成多个浅沟槽隔离结构；刻蚀所述高压器件区的衬底以形成第一沟槽；在所述第一沟槽中形成第一栅氧结构以及在中压器件区的衬底表面形成第二栅氧结构。本发明还提供一种半导体器件。本申请通过在所述高压器件区的衬底中形成第一栅氧结构来降低所述高压器件区的第一栅氧结构的高度，改善后续所述第一栅氧结构上方形成的dummy poly的高度均匀性，避免了在后续ILD0CMP工艺中所述高压器件区的dummy poly被过分误研磨的情况，为后续金属栅极的顺利填充奠定了基础。充奠定了基础。充奠定了基础。
技术研发人员：岳庆文 夏禹
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2021.09.28
技术公布日：2022/1/14