一种TMAH刻蚀中增加氧含量的方法与流程

本发明涉及半导体，特别是涉及一种tmah刻蚀中增加氧含量的方法。

背景技术：

1、芯片加工制造过程中，当一定量的锗加入硅中，会使得硅锗的晶格常数大于纯硅，因而在源漏区产生压应力。sige流程主要由四个步骤构成，sige硬掩膜定义刻蚀边界，sigma形状是由干刻和湿刻共同形成的，最后完成sige沉积。

2、tmah湿法刻蚀目前使用到三种化学物质，其中dhf作用是去除si表面的自然oxide，tmah完成对硅的刻蚀，sc1的作用是去除颗粒污染物。tmah对硅的三个晶向的刻蚀速率不同，<111>晶向的腐蚀速率远低于另外两个晶向的腐蚀速率，因此能够形成sigma形状，而tmah中氧含量不同，会对tmah刻蚀速率产生不同影响。

3、因此需要提出一种新的方法解决上述问题。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种tmah刻蚀中增加氧含量的方法，用于解决现有技术中tmah刻蚀速率不同导致sigma形状不良的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种tmah刻蚀中增加氧含量的方法，至少包括：

3、步骤一、提供湿法刻蚀机台，所述湿法刻蚀机台中包含提供tmah管路和tmah回流管路；所述tmah管路的出液口和tmah回流管路的出液口通往混合液罐；所述tmah回流管路的进液口连接有回流罐；

4、步骤二、在含有tmah的所述回流罐中通入氮气，以减少所述回流罐中tmah的氧含量；

5、步骤三、将tmah经所述tmah管路的出液体口通入所述混合液罐，使所述混合液罐持续通入第一时间段的tmah；

6、步骤四、将所述回流罐中tmah经所述tmah回流管路的出液口通入所述混合液罐，使所述混合液罐持续通入第二时间段的tmah，使得所述混合液罐中tmah的氧浓度为7.8～8.2ppm。

7、优选地，步骤三中的所述第一时间段为60秒。

8、优选地，步骤四中的所述第二时间段为10秒。

9、优选地，步骤三中所述tmah经所述tmah管路的出液体口通入所述混合液罐的tmah的流速为300ml/min。

10、优选地，步骤四中所述tmah经所述tmah回流管路的出液体口通入所述混合液罐的tmah的流速为6000ml/min。

11、优选地，步骤一前还包括dhf对硅的湿法刻蚀，通入dhf的刻蚀时间为60秒。

12、优选地，步骤四中的所述混合液罐中的tmah为40l。

13、优选地，tmah的刻蚀速率为69a/min～75a/min。

14、如上所述，本发明的方法，具有以下有益效果：本发明回流罐中增加一路n2管路，使回流罐充满n2氛围，以减少回流罐中tmah的氧含量，从而混合罐中氧浓度维持稳定，使得tmah刻蚀维持稳定，能够刻蚀硅形成更好的sigma形状。

技术特征：

1.一种tmah刻蚀中增加氧含量的方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的tmah刻蚀中增加氧含量的方法，其特征在于：步骤三中的所述第一时间段为60秒。

3.根据权利要求1所述的tmah刻蚀中增加氧含量的方法，其特征在于：步骤四中的所述第二时间段为10秒。

4.根据权利要求1所述的tmah刻蚀中增加氧含量的方法，其特征在于：步骤三中所述tmah经所述tmah管路的出液体口通入所述混合液罐的tmah的流速为300ml/min。

5.根据权利要求1所述的tmah刻蚀中增加氧含量的方法，其特征在于：步骤四中所述tmah经所述tmah回流管路的出液体口通入所述混合液罐的tmah的流速为6000ml/min。

6.根据权利要求1所述的tmah刻蚀中增加氧含量的方法，其特征在于：步骤四中的所述混合液罐中的tmah为40l。

7.根据权利要求1所述的tmah刻蚀中增加氧含量的方法，其特征在于：步骤一前还包括dhf对硅的湿法刻蚀，通入dhf的刻蚀时间为60秒。

8.根据权利要求1所述的tmah刻蚀中增加氧含量的方法，其特征在于：tmah的刻蚀速率为69a/min～75a/min。

技术总结
本发明提供一种TMAH刻蚀中增加氧含量的方法，提供湿法刻蚀机台，湿法刻蚀机台中包含TMAH管路和TMAH回流管路；TMAH管路的出液口和TMAH回流管路的出液口通往混合液罐；TMAH回流管路的进液口连接有回流罐；在含有TMAH的回流罐中通入氮气，以减少回流罐中TMAH的氧含量；将TMAH经TMAH管路的出液口通入混合液罐，使混合液罐持续通入第一时间段的TMAH；将回流罐中TMAH经TMAH回流管路的出液口通入混合液罐，使混合液罐持续通入第二时间段的TMAH，使得混合液罐中TMAH的氧浓度为7.8～8.2ppm。本发明可以使得混合罐中氧浓度维持稳定，从而TMAH刻蚀维持稳定，能够刻蚀硅形成更好的Sigma形状。

技术研发人员：王英,王春伟,杨谊
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12