显示面板及其制作方法、显示装置与流程

1.本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。


背景技术：

2.随着显示行业的蓬勃发展，微型发光二极管(micro led)作为新一代显示技术已经登上时代舞台，micro led比现有的oled以及lcd等技术具有亮度更高、功耗更低、发光效率更好以及寿命更长等特点。
3.目前微型发光二极管在制作的过程中，需要通过巨量转移技术将几千甚至上万个红绿蓝三原色led微小晶粒焊接到所对应像素的特定区域。而目前的转移技术无法实现micro led的一次性精准对位，从而引起micro led位置产生偏差。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本公开的目的在于提出一种显示面板及其制作方法、显示装置。
5.基于上述目的，本公开提供了一种显示面板，包括：
6.衬底基板；
7.第一电极层，设置于所述衬底基板上，包括连接垫；
8.短路金属层，设置于所述第一电极层上，包括以所述连接垫为中心的第一过孔，所述短路金属层通过所述第一过孔与所述第一电极层连接；
9.微型发光二极管，包括发光层以及位于所述发光层两侧的第一电极、第二电极，所述微型发光二极管设置于所述第一过孔内且所述第一电极与所述连接垫连接；
10.第二电极层，与所述第二电极电连接。
11.可选的，还包括：
12.第一绝缘层，设置于所述第一电极层与所述短路金属层之间，包括与所述第一过孔同心设置的第二过孔，且所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影位于所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影内。
13.可选的，还包括：
14.扫描线，与所述第二电极层连接；
15.短路金属引线，与所述短路金属层连接；
16.其中，所述扫描线、所述短路金属引线和所述短路金属层同层设置。
17.可选的，还包括：
18.数据线，与所述扫描线、所述短路金属引线垂直绝缘交叉设置于所述衬底基板上，与所述第一电极层连接且与所述第一电极层同层设置。
19.可选的，还包括：
20.第二绝缘层，设置于所述衬底基板与所述第一电极层之间；
21.第三绝缘层，设置于所述短路金属层与所述第二电极层之间。
22.可选的，所述连接垫设置有第一键合金属单元，所述微型发光二极管面向所述衬
底基板的一侧设置有第二键合金属单元，所述第一键合金属单元与所述第二键合金属单元键合连接。
23.可选的，所述第一电极层设置有第三过孔，所述第一键合金属单元设置于所述第三过孔内；所述第一键合金属单元远离所述衬底基板的一面与所述衬底基板之间的距离与所述第一电极层远离所述衬底基板的一面与所述衬底基板之间的距离相同。
24.可选的，所述第一过孔为圆形孔。
25.可选的，所述第二电极层，包括：
26.第一电极部，与所述扫描线平行，一端与所述微型发光二极管连接；
27.第二电极部，与所述扫描线垂直，一端与所述第一电极部的另一端连接，另一端与所述扫描线连接。
28.本公开还提供了一种显示装置，包括如上述任一项所述的显示面板。
29.本公开还提供了一种显示面板的制作方法，包括：
30.提供一衬底基板；
31.在所述衬底基板上形成第一电极层，所述第一电极层包括连接垫；
32.在所述第一电极层上形成短路金属层，所述短路金属层包括以所述连接垫为中心的第一过孔，且所述短路金属层在所述第一过孔的边缘处与所述第一电极层连接；
33.在所述第一过孔内形成键合牺牲层，所述键合牺牲层以所述连接垫为中心；
34.将微型发光二极管转移至所述键合牺牲层所在区域并使所述微型发光二极管悬浮于所述键合牺牲层远离所述衬底基板的一面；
35.控制所述短路金属层对所述键合牺牲层进行加热以改变所述键合牺牲层的相态，使所述微型发光二极管移动至所述键合牺牲层的中心，并使所述微型发光二极管的第一电极与所述连接垫连接；
36.形成第二电极层，所述第二电极层与所述微型发光二极管的第二电极电连接。
37.可选的，所述键合牺牲层包括水汽层或热固性材料膜层；
38.所述控制所述短路金属层对所述键合牺牲层进行加热以改变所述键合牺牲层的相态，使所述微型发光二极管移动至所述键合牺牲层的中心，并使所述微型发光二极管的第一电极与所述连接垫连接，包括：
39.对所述短路金属层施加微电流以使所述短路金属层与所述第一电极层的连接处发热，以对所述键合牺牲层进行加热，使所述键合牺牲层从边缘至中心逐步蒸发或固化以使所述微型发光二极管移动至所述连接垫处并使所述第一电极与所述连接垫连接。
40.从上面所述可以看出，本公开提供的显示面板及其制作方法、显示装置，通过在第一电极层上设置短路金属层，使得在制作显示面板时，即使在转移过程中微型发光二极管没有被放置于键合区域的中心，也可通过短路金属层对形成于第一过孔内的键合牺牲层进行加热，从而使得键合牺牲层从边缘至中心逐步蒸发或固化时将微型发光二极管推至键合区域的中心并与第一电极层上的连接垫连接，从而无需增加工艺制程的前提下提高了微型发光二极管转移时的对位精度。
附图说明
41.为了更清楚地说明本公开或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术
描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
42.图1为相关技术中微型发光二极管的对准示意图；
43.图2为本公开实施例所述显示面板的层级结构示意图；
44.图3为本公开实施例所述显示面板的另一结构示意图；
45.图4为本公开实施例所述显示面板的平面示意图；
46.图5为本公开实施例微型发光二极管的对准示意图；
47.图6为本公开实施例所述显示面板的阵列示意图；
48.图7为本公开实施例所述显示面板的制作方法的流程示意图；
49.图8为本公开实施例微型发光二极管的转移过程示意图。
具体实施方式
50.为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本公开进一步详细说明。
51.需要说明的是，除非另外定义，本公开实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
52.微型发光二极管(micro led)具有led低功耗、高亮度、超高分辨率、色彩饱和度高、响应速度快、寿命长等特性。与lcd和oled相比，由于micro led的单位能量密度高，因此在同样亮度要求下，micro led功耗更低，或者说在相同功耗条件下，micro led亮度更高，发光面积更小，所以其可实现更高的分辨率。目，前micro led面板分辨率可达到1500ppi，因此，micro led显示面板的优势毋庸置疑。
53.微型发光二极管的结构主要包括基板、微型发光二极管晶粒和驱动ic。其中，微型发光二极管难以在玻璃基板上直接生长出来，需要按照光学和电气学的必要规范，依靠转移技术将在其他基板上生长的微型发光二极管晶粒均匀转移到玻璃基板上，且允许的不良率仅有几十万分之一。
54.而鉴于微型发光二极管晶粒微小的尺寸(一般小于等于50μm)、较大的生长密度和巨大的转移数量，一般需要使用超高精度转移设备和转移头实现，这对转移设备和转移技术带来较大的困难与挑战，成为阻碍微型发光二极管晶粒量产的最大的难题之一。目前的转移技术难以实现精准对位，在转移头吸附微型发光二极管晶粒以及微型发光二极管晶粒与键合金属对位的过程中均会导致微型发光二极管晶粒的位置产生偏差，如图1所示。同时，大尺寸的转移背板本身也会因外界温度或湿度的变化产生较大的形变(热胀冷缩等)，同样会导致转移均一性变差。
55.鉴于此，本公开实施例提供一种显示面板，该显示面板能够实现微型发光二极管晶粒的精准对位。如图2所示，所述显示面板包括衬底基板1、第一电极层3、短路金属层5、微型发光二极管10以及第二电极层12。
56.其中，衬底基板1可以为玻璃基板、pi基底等。在一些实施例中，衬底基板1还可以为tft阵列基板，本实施例对此不作限制。
57.第一电极层3设置于所述衬底基板1上，其包括一连接垫，该连接垫用于实现第一电极层3与微型发光二极管10的连接。在一些实施例中，第一电极层3包括一键合区域，该键合区域用于实现微型发光二极管10与第一电极层3的键合连接，连接垫即设置于该键合区域内。可选的，该连接垫可设置于该键合区域的中心。第一电极层3可以为金属电极，例如为铜(cu)电极。
58.短路金属层5设置于所述第一电极层3上，其包括第一过孔13，且该第一过孔13以所述连接垫为中心；同时，所述短路金属层5通过所述第一过孔13的与所述第一电极层3连接。具体的，短路金属层5在第一过孔13的边缘处与第一电极层3连接，所述短路金属层5在所述第一过孔13的非边缘处与所述第一电极层3绝缘设置。
59.在一些实施例中，如图3所示，第一过孔13内还设置有键合牺牲层7。短路金属层5用于对键合牺牲层7进行加热，以改变所述键合牺牲层的相态，从而使所述微型发光二极管10移动至所述键合牺牲层7的中心并与所述连接垫连接。
60.具体的，当巨量转移设备的转移头(transfer head)将微型发光二极管10移动至第一电极层3的连接垫上方，并通过解胶、静电释放、真空释放等方式将微型发光二极管10放置于第一电极层3的键合区域时，该键合牺牲层可以承载该微型发光二极管10并使得该微型发光二极管10悬浮于键合牺牲层7远离衬底基板1的一面上。
61.键合牺牲层7的材料可以包括在加热条件下相态可变的材料，例如水汽、热固性材料等。这样，当对短路金属层5施加微电流时，短路金属层5与第一电极层3的连接处即第一过孔13的边缘处因为短路先发热，且由于第一电极层3为金属材料，金属具有热传导，热量由短路金属层5与第一电极层3的连接处向内逐步传递；在热量传导的这个过程中，键合牺牲层7会沿着热量传导的方向逐步蒸发或固化，即键合牺牲层7从边缘至中心逐步蒸发或固化，在蒸发或固化的过程中，悬浮在键合牺牲层7表面的微型发光二极管10受键合牺牲层7的表面张力或粘性力的作用被推入到第一过孔13的中心，也即键合区域中心处连接垫所在的位置，从而使得微型发光二极管10可以与位于键合区域中心的连接垫连接。
62.即，本实施例中，短路金属层5用于在微电流的作用下发热，从而对键合牺牲层7进行加热，使得键合牺牲层7从边缘至中心逐步蒸发或固化以改变键合牺牲层7的表面张力或粘性力，并根据所述表面张力或所述粘性力控制所述微型发光二极管10移动至所述连接垫处且与所述连接垫活性连接。如图5所示，微型发光二极管10可与键合区域对准。
63.微型发光二极管10设置于所述第一过孔13内。微型发光二极管10为垂直结构，其包括发光层以及位于所述发光层两侧的第一电极、第二电极，其中第一电极、发光层以及第二电极沿远离衬底基板1的方向依次设置，且微型发光二极管10的第一电极与所述连接垫连接，即微型发光二极管10的第一电极与第一电极层3连接，从而可以通过第一电极层3向微型发光二极管10输入第一电极信号。
64.其中，发光层的材料可以为氮化镓(gan)。同时，第一电极可以为n型电极，第二电
极为p型电极；或者，第一电极也可以为p型电极，第二电极为n型电极，本实施例对此不做限制。
65.本实施例中，微型发光二极管10与连接垫活性连接后，可对微型发光二极管10施加一定压力从而使得微型发光二极管10与第一电极层3的连接垫生共晶键合并最终实现微型发光二极管10与第一电极层3的刚性连接。
66.第二电极层12设置于所述微型发光二极管10远离衬底基板1的一侧，且第二电极层12与所述微型发光二极管10的第二电极电连接，从而可以通过第二电极层12向微型发光二极管10输入第二电极信号，使得微型发光二极管10在第一电极信号、第二电极信号的控制下发光显示。可选的，第二电极层12可为透明电极，例如可以为氧化铟锡(ito)，从而可以提高光出射的效率。
67.可选的，第一电极层3为阳极层，第二电极层12可为阴极层。在有需要的情况下，第一电极层3也可为阴极层，第二电极层12可为阳极层，本实施例对此不作限制。
68.本实施例所述显示面板，通过在第一电极层上设置短路金属层，使得在制作显示面板时，即使在转移过程中微型发光二极管没有被放置于键合区域的中心，也可通过短路金属层对形成于第一过孔内的键合牺牲层进行加热，从而使得键合牺牲层从边缘至中心逐步蒸发或固化时将微型发光二极管推至键合区域的中心并与第一电极层上的连接垫连接，从而无需增加工艺制程的前提下提高了微型发光二极管转移时的对位精度。
69.可选的，在上述实施例中，键合牺牲层7为水汽层时，短路金属层5用于在微电流的作用下发热，从而对水汽层进行加热，使得水汽层从边缘至中心逐步蒸发以改变水汽层的表面张力，根据所述表面张力控制所述微型发光二极管移动至所述连接垫处且与所述连接垫活性连接。
70.可选的，键合牺牲层7为不饱和聚酯树脂(uf)、环氧树脂(ep)、有机硅树脂(si)、聚氨酯(pu)、氟树脂、org层等热固性材料层时，短路金属层5用于在微电流的作用下发热，从而对热固性材料层进行加热，使得热固性材料层从边缘至中心逐步固化以改变热固性材料层的粘性力，根据所述粘性力控制所述微型发光二极管10移动至所述连接垫处。其中，热固性材料层在固化前为具有一定粘性的液态膜层，从而可以承载微型发光二极管10并使得微型发光二极管10悬浮于热固性材料层上；当对其进行加热时，热固性材料层在固化的过程中逐渐变化为凝胶状，其表面的粘性力变化，使得微型发光二极管10移动至热固性材料层的中心区域，即连接垫的上方；之后对微型发光二极管10施加压力，使得微型发光二极管10可以直接与第一电极层3上的连接垫连接。而对于遗留于第一过孔13内的部分热固性材料层，可以剥离该部分热固性材料层；或者，采用与第三绝缘层11相同或相似的材料制作该键合牺牲层7，这样即使第一过孔13内遗留有部分热固性材料层，在后续制作第三绝缘层11时，遗留的部分热固性材料与第三绝缘层11的材料一同固化形成第三绝缘层11。
71.在一些实施例中，如图2所示，所述显示面板还包括第一绝缘层4。其中，第一绝缘层4设置于所述第一电极层3与所述短路金属层5之间，包括与所述第一过孔13同心设置的第二过孔14，且所述第一过孔13在所述衬底基板1上的正投影位于所述第二过孔14在所述衬底基板1上的正投影内，即第一过孔13小于第二过孔14，从而使得短路金属层5可以在第一过孔13的边缘与第一电极层3连接。
72.在一些实施例中，如图4所示，所述显示面板还包括扫描线6和短路金属引线51。其
中，扫描线6设置于所述短路金属层51的一侧，且扫描线6与所述第二电极层12连接，通过扫描线6为第二电极层12输入第二电极信号。短路金属引线51设置于所述短路金属层5的另一侧且与所述扫描线6平行；短路金属引线51与所述短路金属层5连接，用于向短路金属层5输入微电流以使短路金属层5与第一电极层3的连接处短路发热。
73.可选的，如图4所示，第一电极层3和短路金属层5均可以为矩形结构，或者也可以为圆形、菱形等结构，且具有矩形、圆形或菱形等结构的短路金属层5可以作为微型发光二极管10键合过程中的对位标记(mark)。同时，短路金属层5的面积需大于第二过孔14的面积，即第二过孔14的边缘在衬底基板1上的正投影位于短路金属层5在衬底基板1上的正投影内，从而使得在向短路金属层5输入微电流时，保证短路金属层5与第一电极层3的连接处可以均匀的实现短路发热。短路金属引线51设置于短路金属层5的上方且沿水平方向延伸，短路金属层5靠近短路金属引线51的一侧通过引线与短路金属引线51连接；扫描线6设置于短路金属层5的下方。
74.第二电极层12包括第一电极部121和第二电极部122；其中，第一电极部121与扫描线6平行设置，第一电极部121的一端与微型发光二极管10连接；第二电极部122与所述扫描线6垂直设置，且第二电极部122的一端与第一电极部121的另一端连接，第二电极部122的另一端与扫描线6连接。在这种情况下，即使显示面板上某个微型发光二极管10出现发光不良、坏点或因未对准导致短路等缺陷，该第二电极层12的结构设置可以允许通过激光切割等方式将对应的第二电极层12切断而不会影响其他微型发光二极管10的发光显示，且切断第二电极层12的过程中也不会影响到其他结构。
75.可选的，第三绝缘层11上设置有第五过孔15，第二电极部122的另一端通过该第五过孔15与扫描线6连接。其中，所述扫描线6、所述短路金属引线51和所述短路金属层5同层设置，从而可以通过一次构图工艺形成扫描线6、短路金属引线51和短路金属层5。
76.在一些实施例中，如图4所示，所述显示面板还包括数据线31。其中，数据线31与所述扫描线6、所述短路金属引线51垂直绝缘交叉设置于所述衬底基板1上，数据线31与所述第一电极层3连接，从而可以通过数据线31向第一电极层3输入第一电极信号。数据线31与所述第一电极层3同层设置，从而可以通过一次构图工艺形成数据线31和第一电极层3。
77.可选的，如图4所示，数据线31沿竖直方向延伸且与扫描线6、短路金属引线51垂直设置，数据线31穿过第一电极层3的中心并与第一电极层3连接。
78.可选的，在上述实施例中，所述衬底基板1上包括多条扫描线6、数据线31和短路金属引线51。如图6所示，多条扫描线6和多条数据线31在衬底基板1上形成多个显示单元，每个显示单元均包括第一电极层3、第二电极层12、短路金属层5及微型发光二极管10。可选的，显示面板上还设置有第一驱动单元以及第二驱动单元；第一驱动单元与数据线31连接，用于通过数据线31向第一电极层3输入第一电极信号；第二驱动单元与扫描线6、短路金属引线51连接，用于通过扫描线6向第二电极层12输入第二电极信号，以及通过短路金属引线51向短路金属层5输入微电流。
79.可选的，第一驱动单元与第二驱动单元均可以为ic芯片。可选的，第二驱动单元还可以包括栅极驱动电路(gate drive on array，goa)，通过ic芯片向栅极驱动电路输入驱动信号，栅极驱动电路再基于ic芯片输入的驱动信号输出第二电极信号及微电流。
80.可选的，通过短路金属引线51向短路金属层5输入微电流的大小为100na～5μa。
81.在一些实施例中，如图2所示，所述显示面板还包括第二绝缘层2和第三绝缘层11。其中，第二绝缘层2设置于所述衬底基板1与所述第一电极层3之间；第三绝缘层11设置于所述短路金属层5与所述第二电极层12之间，用于实现扫描线6、短路金属引线51和短路金属层5与第二电极层12之间的绝缘。
82.在一些实施例中，如图2、图3所示，所述连接垫设置有第一键合金属单元8，所述微型发光二极管10面向所述衬底基板1的一侧设置有第二键合金属单元9，所述第一键合金属单元8与所述第二键合金属单元9键合连接。可选的，第一键合金属单元8和第二键合金属单元9均为键合金属，且键合金属可为金属锡(sn)或锡合金。
83.在本实施例中，当设置有第二键合金属单元9的微型发光二极管10被放置于键合牺牲层7上时，即使第二键合金属单元9没有与设置于连接垫的第一键合金属单元8精准对齐，只要对短路金属层5施加微电流使得短路金属层5与第一电极层3的连接处短路发热，从而使得键合牺牲层7从边缘至中心逐步蒸发或固化，设置有第二键合金属单元9的微型发光二极管10会被键合牺牲层7的表面张力或粘性力的作用下推至第一键合金属单元8上方并暂时的活性连接，后续增加微电流的电量并在微型发光二极管10上方施加一定的压力，使得第一键合金属单元8与第二键合金属单元9之间产生共晶键合并最终实现微型发光二极管10在第一电极层3上的刚性连接。
84.可选的，如图2、图3所示，所述第一电极层3设置有第三过孔，且所述第一键合金属单元8设置于所述第三过孔内；同时，所述第一键合金属单元8远离所述衬底基板1的一面与所述衬底基板1之间的距离与所述第一电极层3远离所述衬底基板1的一面与所述衬底基板1之间的距离相同，从而保证第一键合金属单元8远离所述衬底基板1的一面与第一电极层3远离所述衬底基板1的一面齐平，避免因第一键合金属单元8凸起导致微型发光二极管10在移动的过程中被阻挡而无法移动到相应位置。
85.可选的，第二绝缘层2上也可相应设置用于容纳第一键合金属单元8的第四过孔，从而保证第一键合金属单元8的厚度，使得第一键合金属单元8可以满足与第二键合金属单元9之间键合连接的需要。
86.可选的，在上述实施例中，第一过孔13为圆形孔，从而保证短路金属层5与第一电极层3的连接处为环形结构，从而使得该环形结构在短路发热时的热量能够均匀的从边缘传递至中心，进而保证微型发光二极管10可以与位于第一过孔13中心的连接垫连接。在有需要的情况下，第一过孔13也可以为矩形、正方形以及其他形状，本实施例对此不作限制。
87.基于同一发明构思，本公开实施例还提供一种显示面板的制作方法，用于实现上述实施例中所述显示面板的制作。如图7所示，所述方法包括：
88.步骤s101，提供一衬底基板。
89.步骤s102，在所述衬底基板上形成第一电极层，所述第一电极层包括连接垫。其中，该连接垫用于实现第一电极层3与微型发光二极管10的连接。
90.可选的，衬底基板1上还包括与第一电极层3同层设置的数据线31，且数据线31与第一电极层3连接，用于向第一电极层3输入第一电极信号。
91.因此，步骤s102还包括：在所述衬底基板1上形成第一金属膜层，通过一次构图工艺形成包括第一电极层3、数据线31的图形。
92.其中，可采用沉积、涂敷、溅射等多种方式在衬底基板1上形成第一金属膜层，之后
通过光刻胶涂敷、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工艺步骤形成包括第一电极层3、数据线31的图形。
93.在一些实施例中，所述连接垫设置有第一键合金属单元8，该第一键合金属单元8用于与微型发光二极管10上的第二键合金属单元9键合连接。
94.可选的，步骤s102与步骤s103之间，还包括：在所述第一电极层3上形成第一绝缘层4。第一绝缘层4包括与所述第一过孔13同心设置的第二过孔14，且所述第一过孔13在所述衬底基板1上的正投影位于所述第二过孔14在所述衬底基板1上的正投影内，即第一过孔13小于第二过孔14，从而使得短路金属层5可以在第一过孔13的边缘与第一电极层3连接。
95.其中，可采用沉积、涂敷、溅射等多种方式在第一电极层3上形成第一绝缘材料膜层，之后通过光刻胶涂敷、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等构图工艺步骤形成第一绝缘层4的图形。
96.步骤s103，在所述第一电极层上形成短路金属层，所述短路金属层包括以所述连接垫为中心的第一过孔，且所述短路金属层通过所述第一过孔与所述第一电极层连接。
97.具体的，短路金属层5在第一过孔13的边缘处与第一电极层3连接，所述短路金属层在所述第一过孔的非边缘处与所述第一电极层绝缘。
98.可选的，显示面板还包括与短路金属层5同层设置的扫描线6和短路金属引线51，因此步骤s103还包括：在所述第一绝缘层4上形成第二金属膜层，通过一次构图工艺形成包括短路金属层5、扫描线6、短路金属引线51的图形。
99.本实施例中，可采用沉积、涂敷、溅射等多种方式在第一绝缘层4上形成第二金属膜层，之后通过光刻胶涂敷、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等构图工艺步骤形成短路金属层5、扫描线6、短路金属引线51的图形。
100.步骤s104，在所述第一过孔内形成键合牺牲层，所述键合牺牲层以所述连接垫为中心。
101.可选的，键合牺牲层7可以为水汽层。可先将包括短路金属层5的基板降温至冰点温度下，从而可以在第一过孔内内即键合区域内凝结成一层水汽层，后续可以利用水汽层的表面张力将微型发光二极管预粘附放置于键合区域内。其中，水汽的多少可由温度控制。
102.可选的，键合牺牲层7可以为热固性材料层。由于热固性材料层在固化之前具有一定的粘性，因此可利用该热固性材料层的粘性力将微型发光二极管预粘附放置于键合区域内。其中，键合牺牲层7可以为不饱和聚酯树脂(uf)、环氧树脂(ep)、有机硅树脂(si)、聚氨酯(pu)、氟树脂、org层等材料。
103.步骤s105，将微型发光二极管转移至所述键合牺牲层所在区域并使所述微型发光二极管悬浮于所述键合牺牲层远离所述衬底基板的一面。
104.其中，微型发光二极管10为垂直结构，其包括发光层以及位于所述发光层两侧的第一电极、第二电极，其中第一电极、发光层以及第二电极沿远离衬底基板1的方向依次设置。
105.图8为本公开实施例所述微型发光二极管的转移过程示意图。如图a所示，将转印头基板(transfer head substrate)上的转移头(transfer head)对准承载面板(carrier substrate)上的微型发光二极管；如图b所示，转移头通过有机粘合、静电吸附、真空吸附等方式吸附微型发光二极管；如图c所示，通过转移头拾取微型发光二极管；如图d所示，将微
型发光二极管与键合区域对位；如图e所示，微型发光二极管通过第二键合金属单元9与键合区域上的第一键合金属单元8进行键合；如图f所示，转移头通过解胶、静电释放、真空释放等方式与微型发光二极管分离。
106.在上述步骤中，即使图a中转移头对准微型发光二极管以及图d中将微型发光二极管与键合区域对位时出现偏差，也可保证微型发光二极管落入键合区域的键合牺牲层7上。
107.步骤s106，控制所述短路金属层对所述键合牺牲层进行加热以改变所述键合牺牲层的相态，使所述微型发光二极管移动至所述键合牺牲层的中心，并使所述微型发光二极管的第一电极与所述连接垫连接。
108.可选的，所述键合牺牲层包括水汽层或热固性材料膜层；步骤s106中所述控制所述短路金属层对所述键合牺牲层进行加热以改变所述键合牺牲层的相态，使所述微型发光二极管移动至所述键合牺牲层的中心，并使得微型发光二极管10的第一电极与所述连接垫连接，包括：对所述短路金属层施加微电流以使所述短路金属层与所述第一电极层的连接处发热，以对所述键合牺牲层的边缘进行加热，使所述键合牺牲层从边缘至中心逐步蒸发或固化以使所述微型发光二极管移动至所述连接垫处与所述连接垫连接。
109.具体的，当所述键合牺牲层为水汽层时，步骤s106具体包括：对所述短路金属层施加微电流以使所述短路金属层与所述第一电极层的连接处发热，以对所述水汽层的进行加热，使所述水汽层从边缘至中心逐步蒸发以改变所述水汽层的表面张力，根据所述表面张力控制所述微型发光二极管移动至所述连接垫处并使所述第一电极与所述连接垫活性连接。
110.当所述键合牺牲层为热固性材料膜层时，步骤s106具体包括：对所述短路金属层施加微电流以使所述短路金属层与所述第一电极层的连接处发热，以对所述热固性材料膜层进行加热，使所述热固性材料膜层从边缘至中心逐步固化以改变所述热固性材料膜层粘性力，根据所述粘性力控制所述微型发光二极管移动至所述连接垫处并使所述第一电极与所述连接垫活性连接。
111.本实施例中，通过短路金属引线51向短路金属层5输入100na～5μa的微电流，使得短路金属层5与第一电极层3的连接处短路发热，热量由短路金属层5与第一电极层3的连接处向内逐步传递；在热量传导的这个过程中，键合牺牲层7会沿着热量传导的方向逐步蒸发或固化，即键合牺牲层7从边缘至中心逐步蒸发或固化，在蒸发或固化的过程中，悬浮在键合牺牲层7表面的微型发光二极管10受键合牺牲层7的表面张力或粘性力的作用被推入到键合区域中心，使得设置于微型发光二极管上的第二键合金属单元9与连接垫处的第一键合金属单元8对准并暂时性的活性连接，后续增加微电流的电量并在微型发光二极管10上方施加一定的压力，使得第一键合金属单元8与第二键合金属单元9之间产生共晶键合并最终实现微型发光二极管10在第一电极层3上的刚性连接。
112.步骤s107，形成第二电极层，所述第二电极层与所述微型发光二极管的第二电极电连接。
113.可选的，步骤s107之前，还包括：在微型发光二极管10上形成第三绝缘层11。其中，第三绝缘层11上包括第五过孔15和第六过孔，第五过孔15用于实现第二电极层12与扫描线6的连接，第六过孔用于实现第二电极层12与微型发光二极管10的连接。
114.本实施例所述显示面板的制作方法，未增加mask数量的前提下，有效解决现有转
移技术造成的微型发光二极管对位精度偏差的问题，提升键合成功率的同时降低了后续因为键合精度差造成的显示不良率；通过键合牺牲层以及微型发光二极管独立的阳极及阴极走线可实现单颗或者组合多颗微型发光二极管的多次精准转移，为后续实现micro led面板坏点修复及全彩化显示提供了技术基础。
115.需要说明的是，上述对本公开的一些实施例进行了描述。其它实施例在所附权利要求书的范围内。在一些情况下，在权利要求书中记载的动作或步骤可以按照不同于上述实施例中的顺序来执行并且仍然可以实现期望的结果。另外，在附图中描绘的过程不一定要求示出的特定顺序或者连续顺序才能实现期望的结果。在某些实施方式中，多任务处理和并行处理也是可以的或者可能是有利的。
116.所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本公开的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本公开实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。
117.另外，为简化说明和讨论，并且为了不会使本公开实施例难以理解，在所提供的附图中可以示出或可以不示出与集成电路(ic)芯片和其它部件的公知的电源/接地连接。此外，可以以框图的形式示出装置，以便避免使本公开实施例难以理解，并且这也考虑了以下事实，即关于这些框图装置的实施方式的细节是高度取决于将要实施本公开实施例的平台的(即，这些细节应当完全处于本领域技术人员的理解范围内)。在阐述了具体细节(例如，电路)以描述本公开的示例性实施例的情况下，对本领域技术人员来说显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下或者这些具体细节有变化的情况下实施本公开实施例。因此，这些描述应被认为是说明性的而不是限制性的。
118.尽管已经结合了本公开的具体实施例对本公开进行了描述，但是根据前面的描述，这些实施例的很多替换、修改和变型对本领域普通技术人员来说将是显而易见的。例如，其它存储器架构(例如，动态ram(dram))可以使用所讨论的实施例。
119.本公开实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本公开实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。