有机发光二极管和包含其的有机发光装置的制作方法

有机发光二极管和包含其的有机发光装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求2020年12月21日在韩国提交的第10-2020-0179675号韩国专利申请的权益，其通过引用的方式全文并入本文中。
技术领域
3.本公开涉及有机发光二极管(oled)，更具体而言，涉及具有低驱动电压和高发光效率及寿命的oled以及包含该oled的有机发光装置。


背景技术：

4.目前，对占用面积小的平板显示装置的需求不断上升。在平板显示装置中，包括oled的有机发光显示装置的技术发展迅速。
5.oled通过将电子从作为电子注入电极的阴极和将空穴从作为空穴注入电极的阳极注入有机发射层，使电子与空穴结合，产生激子，并将激子从激发态转变为基态来发光。柔性透明基板，例如塑料基板，可以用作在其上形成元件的基底基板。此外，oled可以在比操作其它显示装置所需的电压更低的电压(例如，10v或更低)下操作，并且具有较低的功耗。此外，来自oled的光具有极佳的颜色纯度。
6.oled可以包括第一电极作为阳极，面向第一电极的第二电极作为阴极，以及在所述第一和第二电极之间的有机发光层。
7.为了提高oled的发光效率，有机发射层可以包括依序堆叠在第一电极上的空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、发射材料层(eml)、电子传输层(etl)和电子注入层(eil)。
8.在oled中，来自作为阳极的第一电极的空穴通过hil和htl传输到eml中，来自作为阴极的第二电极的电子通过eil和etl传输到eml中。空穴和电子在eml中结合形成激子，并且激子从激发态转变为基态而发光。
9.为提供低oled的驱动电压和足够的发光效率以及寿命，需要足够的空穴注入效率和足够的空穴传输效率。


技术实现要素：

10.本公开的实施方案涉及oled和有机发光装置，其基本上消除了与相关常规技术的限制和缺陷有关的一个或多个问题。
11.本公开的其它特征和优点在下面的描述中阐述，并且从描述中其将显而易见，或者通过本公开的实践而清楚可见。本公开的目的和其它优点通过本文以及附图中描述的特征来实现和获得。
12.为了根据本公开的实施方案的目的实现这些和其它优点，如本文所述，本公开的一个方面是一种有机发光二极管，其包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；第一p型掺杂层，其位于第一电极和所述第二电极之间；第二p型掺杂层，其位于所述第一p型掺杂层与所述第二电极之间；第三p型掺杂层，其位于所述第二p型掺杂层与第二电极之间；第一
发射材料层，其位于第一p型掺杂层和第二p型掺杂层之间；第二发射材料层，其位于第二p型掺杂层和第三p型掺杂层之间；以及第三发射材料层，其位于第三p型掺杂层与第二电极之间，其中第三p型掺杂层的电导率大于第一p型掺杂层的电导率且等于或小于所述第二p型掺杂层的电导率。
13.本公开的另一方面是一种有机发光装置，其包括：基板；有机发光二极管，其位于所述基板上并包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；第一p型掺杂层，其位于第一电极和所述第二电极之间；第二p型掺杂层，其位于所述第一p型掺杂层与所述第二电极之间；第三p型掺杂层，其位于所述第二p型掺杂层与第二电极之间；第一发射材料层，其位于第一p型掺杂层和第二p型掺杂层之间；第二发射材料层，其位于第二p型掺杂层和第三p型掺杂层之间；第三发射材料层，其位于第三p型掺杂层与第二电极之间；以及覆盖所述有机发光二极管的封装膜，其中所述第三p型掺杂层的电导率大于所述第一p型掺杂层的电导率且等于或小于所述第二p型掺杂层的电导率。
14.应理解的是，前面的一般性描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在进一步解释所主张的本公开。
附图说明
15.所包含的附图用于提供对本公开的进一步理解且并入本说明书中并且构成本说明书中的一部分，附图示出了本公开的实施方案并且与说明书一起用于解释本公开的原理。
16.图1是本公开的有机发光显示装置的示意性电路图。
17.图2是根据本公开的第一实施方案的有机发光装置的示意性截面图。
18.图3是根据本公开的第二实施方案的oled的示意性截面图。
19.图4是根据本公开的第三实施方案的有机发光装置的示意性截面图。
20.图5是根据本公开的第四实施方案的oled的示意性截面图。
具体实施方式
21.现在将详细参考附图中示出的一些示例和优选实施方案。
22.本公开涉及oled和包括所述oled的有机发光装置。例如，有机发光装置可以是有机发光显示装置或有机发光装置。作为示例，将主要描述有机发光显示装置，其为包括本公开的oled的显示装置。
23.图1是本公开的有机发光显示装置的示意性电路图。
24.如图1所示，栅极线gl和数据线dl以及电源线pl形成在有机发光显示装置中，栅极线gl和数据线dl彼此交叉以限定像素(像素)p。开关薄膜晶体管(tft)ts、驱动tft td、存储电容器cst和oled d形成在像素p中。像素p可以包括红色像素、绿色像素和蓝色像素。此外，像素p还可以包括白色像素。
25.开关薄膜晶体管ts连接到栅极线gl和数据线dl，并且驱动薄膜晶体管td和存储电容器cst连接在开关薄膜晶体管ts和电源线pl之间。oled d连接到驱动薄膜晶体管td。当通过栅极线gl施加的栅极信号导通开关薄膜晶体管ts时，通过数据线dl施加的数据信号通过开关薄膜晶体管ts施加到驱动薄膜晶体管td的栅电极和存储电容器cst的一个电极中。
26.驱动薄膜晶体管td通过施加到栅电极中的数据信号导通，使得与数据信号成比例的电流通过驱动薄膜晶体管tr从电源线pl供应给oled d。oled d发出光，其亮度与流过驱动薄膜晶体管td的电流成比例。在这种情况下，存储电容器cst被与数据信号成比例的电压充电，使得驱动薄膜晶体管td中的栅电极的电压在一帧期间保持恒定。因此，有机发光显示装置能够显示所需的图像。
27.图2是根据本公开的第一实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
28.如图2所示。有机发光显示装置100包括基板110、tft tr和oled d，oled d设置在平坦化层150上并连接到tft tr。例如，有机发光显示装置100可以包括红色像素、绿色像素和蓝色像素，且oled d可以形成在红色、绿色和蓝色像素的每一个中。也就是说，发射红光、绿光和蓝光的oled d可以分别设置在红色、绿色和蓝色像素中。或者，在红色像素、绿色像素和蓝色像素中的oled d可以发生相同颜色的光，例如白光。
29.基板110可以是玻璃基板或柔性基板。例如，柔性基板可以是聚酰亚胺(pi)基板、聚醚砜(pes)基板、聚萘二甲酸乙二酯(pen)基板、聚对苯二甲酸乙二酯(pet)基板或聚碳酸酯(pc)基板。
30.所述基板上形成缓冲层120，缓冲层120上形成tft tr。缓冲层120可以省略。
31.在缓冲层120上形成半导体层122。半导体层122可以包括氧化物半导体材料或多晶硅。
32.当半导体层122包括氧化物半导体材料时，可以在半导体层122下方形成遮光图案(未示出)。通过遮光图案遮蔽或阻挡到半导体层122的光，从而可以防止半导体层122的热降解。另一方面，当半导体层122包括多晶硅时，可将杂质掺杂到半导体层122的两侧中。
33.在半导体层122上形成栅极绝缘层124。栅极绝缘层124可以由诸如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料形成。
34.在栅绝缘层124上形成由导电材料(例如金属)形成的栅电极130，以与半导体层122的中心对应。
35.在图2中，在基板110的整个表面上形成栅极绝缘层124。或者，栅极绝缘层124可以图案化以具有与栅电极130相同的形状。
36.在栅电极130上形成由绝缘材料形成的层间绝缘层132。层间绝缘层132可以由无机绝缘材料(例如氧化硅或氮化硅)或有机绝缘材料(例如苯并环丁烯或光丙烯(photo-acryl))形成。
37.层间绝缘层132包括暴露半导体层122两侧的第一接触孔134和第二接触孔136。第一接触孔134和第二接触孔136位于栅电极130的两侧，以从栅电极130分隔开。
38.第一接触孔134和第二接触孔136穿过栅极绝缘层124形成。或者，当栅极绝缘层124经图案化以具有与栅电极130相同的形状时，仅穿过层间绝缘层132形成第一和第二接触孔134和136。
39.在层间绝缘层132上形成由导电材料(例如金属)形成的源电极140和漏电极142。
40.源电极140和漏电极142相对于栅电极130彼此隔开，并分别穿过第一和第二接触孔134和136接触半导体层122的两侧。
41.半导体层122、栅电极130、源电极140和漏电极142构成tft tr。tft tr用作驱动元件。即，tft tr可以对应于驱动tft td(图1)。
42.在tft tr中，栅电极130、源电极140和漏电极142位于半导体层122之上。即，tft tr具有共平面结构。
43.或者，在tft tr中，栅电极可以位于半导体层下方，并且源电极和漏电极可以位于半导体层之上，使得tft tr可以具有倒置交错结构。在这种情况下，半导体层可以包括非晶硅。
44.尽管未示出，栅极线和数据线彼此交叉以限定像素，并且所形成的开关tft与栅极线和数据线相连。开关tft连接到作为驱动元件的tft tr。
45.此外，还可以形成与栅极线和数据线中的一条平行且间隔开的电源线，以及用于在一帧中保持tft tr的栅电极的电压的存储电容器。
46.形成平坦化层150以覆盖tft tr，平坦化层150包括暴露tft tr的漏电极142的漏极接触孔152。
47.通过漏极接触孔152连接tft tr的漏电极142的第一电极160分别形成在每个像素中和平坦化层150上。第一电极160可以是阳极，并且可以由具有相对高功函数的导电材料(例如透明导电氧化物(tco))形成。例如，第一电极160可以由氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化铟锡锌(itzo)、氧化锡(sno)、氧化锌(zno)、氧化铟铜(ico)或氧化铝锌(al:zno、azo)形成。
48.当有机发光显示装置100以底发光型操作时，第一电极160可以具有透明导电氧化物的单层结构。当有机发光显示装置100以顶发光型操作时，反射电极或反射层可以形成在第一电极160下方。例如，反射电极或反射层可以由银(ag)或铝-钯-铜(apc)合金形成。在这种情况下，第一电极160可以具有ito/ag/ito或ito/apc/ito的三层结构。
49.在平坦化层150上形成堤岸层166，以覆盖第一电极160的边缘。即，堤岸层166位于像素的边界处，并且暴露像素中的第一电极160的中心。
50.在第一电极160上形成有机发射层162，且在形成有机发射层162的基板110上形成第二电极164。第二电极164覆盖显示区域的整个表面，并且可以由具有相对低功函数的导电材料形成以用作阴极。例如，第二电极164可以由铝(al)、镁(mg)、银(ag)或它们的合金(例如，al-mg合金(almg)或ag-mg合金(mgag))形成。在顶发光型有机发光显示装置100中，第二电极164可以具有薄的轮廓(小厚度)以提供光透射特性(或半透射特性)。
51.即，第一电极160和第二电极164中的一个是透明(或半透明)电极，第一电极160和第二电极164中的另一个是反射电极。
52.尽管未示出，但有机发射层162包括位于第一电极160和第二电极164之间的第一p型掺杂层、位于第一p型掺杂层和第二电极164之间的第二p型掺杂层和位于第一和第二p型掺杂层之间的第三p型掺杂层，并且第三p型掺杂层的电导率大于第一p型掺杂层且等于或小于第二p型掺杂层。因此，在oled d和有机发光显示装置100中，降低了驱动电压，并且提高了发射效率和寿命。
53.第一电极160、有机发射层162和第二电极164构成oled d。
54.在第二电极164上形成封装膜170，以防止湿气渗透到oled d中。封装膜170包括依序堆叠的第一无机绝缘层172、有机绝缘层174和第二无机绝缘层176，但并不局限于此。封装膜170可以省略。
55.有机发光显示装置100还可以包括滤色器层(未示出)。滤色器层可以包括分别对
262之间的ebl和第n个eml 262与第n个电子辅助层266之间的hbl中的至少一个。
70.htl可包括选自以下组中的至少一种化合物：n,n'-二苯基-n,n'-双(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(tpd)、n,n'-二苯基-n,n'-双(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4
”‑
二胺(npd)、4,4'-双(n-咔唑基)-1,1'-联苯(cbp)、聚[n,n'-双(4-丁基苯基)-n,n'-双(苯基)-联苯胺](聚tpd)、(聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-共-(4,4'-(n-(4-仲丁基苯基)二苯胺))](tfb)、二-[4-(n,n-二-对甲苯基-氨基)-苯基]环己烷(tapc)、3,5-二(9h-咔唑-9-基)-n,n-二苯基苯胺(dcdpa)、n-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-n-(4-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)苯基)-9h-芴-2-胺和n-(联苯-4-基)-n-(4-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)苯基)联苯-4-胺，但并不局限于此。
[0071]
例如，htl可以包括npd，并且可以具有5-150nm的厚度，优选10-120nm。优选地，第一空穴辅助层244的第一htl、第m个空穴辅助层254的第m个htl和第n个空穴辅助层264的第n个htl可以包括相同的材料，例如npd。此外，第n个空穴辅助层264的第n个htl的厚度可以小于第一空穴辅助层244的第一htl的厚度，并且可以大于第m个空穴辅助层254的第m个htl的厚度。
[0072]
ebl可包括选自下列的至少一种化合物：三(4-咔唑基-9-基-苯基)胺(tcta)、三[4-(二乙氨基)苯基]胺、n-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-n-(4-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)苯基)-9h-芴-2-胺、tapc、4,4’,4
”‑
三(3-甲基苯基氨基)三苯胺(mtdata)、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mcp)、3,3
’‑
双(n-咔唑基)-1,1
’‑
联苯(mcbp)、酞菁铜(cupc)、n,n
’‑
双[4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基]-n,n
’‑
二苯基-[1,1
’‑
联苯]-4,4'-二胺(dntpd)、1,3,5-三[4-(二苯基氨基)苯基]苯(tdapb)、dcdpa和2,8-双(9-苯基-9h-咔唑-3-基)二苯并[b,d]噻吩，但并不局限于此。ebl的厚度可以为1-35nm，优选10-20nm。
[0073]
hbl可包括选自下列的至少一种化合物：三-(8-羟基喹啉)铝(alq3)、2-联苯-4-基-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(pbd)，螺环-pbd、羟基喹啉锂(liq)、2,2’,2
”‑
(1,3,5-苯三基)-三(1-苯基-1-h苯并咪唑)(tpbi)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-n1,o8)-(1,1
’‑
联苯-4-羟连)铝(balq)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、2,9-双(萘-2-基)4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(nbphen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)，3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(taz)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4h-1,2,4-三唑(ntaz)、1,3,5-三(对吡啶-3-基-苯基)苯(tppypb)、2,4,6-三(3'-(吡啶-3-基)联苯-3-基)1,3,5-三嗪(tmpppytz)、聚[9,9-双(3
’‑
(((n,n-二甲基)-n-乙基铵)-丙基)-2,7-芴]-alt-2,7-(9,9-二辛基芴)](pfnbr)、三(苯基喹喔啉)(tpq)和二苯基-4-三苯基甲硅烷基-苯基氧化膦(tspo1)，但并不局限于此。例如，hbl的厚度可以为1-35nm，优选10-20nm。
[0074]
etl可包括选自下列的至少一种化合物：1,3,5-三(间吡啶-3-基苯基)苯(tmpypb)、2,2’,2
”‑
(1,3,5-苯三基)-三(1-苯基-1-h苯并咪唑)(tpbi)、三(8-羟基-喹啉)铝(alq3)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(pbd)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(taz)、2-联苯基-4-基-4,6-双-(4'-吡啶-2-基-联苯-4-基)-[1,3,5]三嗪(dpt)和双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-(苯基酚合)铝(balq)，但并不局限于此。例如，etl可以包括基于吖嗪的化合物，例如tmpypb，或者基于咪唑的化合物，例如tpbi，并且可以具有50至的厚度，优选10-40nm。
[0075]
例如，第一电子辅助层246的第一etl和第n个电子辅助层266的第n个etl中的每一
个可以包括基于吖嗪的化合物，例如，tmpypb，并且第m个电子辅助层256的第m个etl可以包括基于咪唑的化合物，例如tpbi。第一电子辅助层246的第一etl和第m个电子辅助层256的第m个etl中的每一个可以具有相同的厚度，并且第n个电子辅助层266的第n个etl的厚度可以大于第一电子辅助层246的第一etl和第m个电子辅助层256的第m个etl中每一个的厚度。
[0076]
可以包含在第n个电子辅助层266中的eil可以包括碱金属(例如li)、碱卤化合物(例如lif、csf、naf或baf2)和有机金属化合物(例如liq、苯甲酸锂或硬脂酸钠)中的至少一种，但并不局限于此。例如，eil可以具有1-10nm的厚度，优选1-5nm。
[0077]
第一eml 242、第m个eml 252和第n个eml 262可以发射具有相同颜色或不同颜色的光。或者，第一eml 242、第m个eml 252和第n个eml 262中的两个可以发射第一颜色，即相同的颜色，且第一eml 242、第m个eml 252和第n个eml 262中的另一个可以发射与第一颜色不同的第二颜色。
[0078]
当第一eml 242、第m个eml 252和第n个eml 262中的一个是红色eml时，红色eml包括主体和红色掺杂剂。当第一eml 242、第m个eml 252和第n个eml 262中的一个是绿色eml时，绿色eml包括主体和绿色掺杂剂。当第一eml 242、第m个eml 252和第n个eml 262中的一个是蓝色eml时，蓝色eml包括主体和蓝色掺杂剂。红色掺杂剂、绿色掺杂剂和蓝色掺杂剂中的每一个可以是荧光化合物、磷光化合物或延迟荧光化合物。
[0079]
例如，在红色eml中，主体可以是4,4'-双(咔唑-9-基)-联苯(cbp)，且红色掺杂剂可以选自双(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱(piqir(acac))、双(1-苯基喹啉)乙酰丙酮铱(pqir(acac))、三(1-苯基喹啉)铱(pqir)和八乙基卟啉铂(ptoep)。红色像素中的eml可以提供具有约600～650nm的波长范围(例如，发射波长范围)的光。
[0080]
在绿色eml中，主体可以是cbp，且绿色掺杂剂可以是面式-三(2-苯基吡啶)铱(ir(ppy)3)或三(8-羟基喹啉并)铝(alq3)。绿色像素中的eml可以提供具有约510～570nm波长范围的光。
[0081]
在蓝色eml中，主体可以是蒽衍生物，且蓝色掺杂剂可以是芘衍生物。例如，主体可以是9,10-二(萘-2-基)蒽,且蓝色掺杂剂可以是1,6-双(二苯基氨基)芘。在蓝色eml中，蓝色掺杂剂可以具有0.1-20的重量％，优选1-10重量％。蓝色eml厚度可以为10重量％。蓝色eml厚度可以为优选并且可以提供具有大约440～480nm波长范围的光。
[0082]
第一p型掺杂层210向第一发射部分240中提供空穴，第m个p型掺杂层220向第m个发射部分250中提供空穴，且第n个p型掺杂层230向第n个发射部分260中提供空穴。
[0083]
例如，空穴从第一p型掺杂层210通过第一空穴辅助层244提供到第一eml 242中，且空穴从第m个p型掺杂层220通过第m个空穴辅助层254提供到第m个eml 252中。此外，空穴从第n个p型掺杂层230通过第n个空穴辅助层264提供到第n个eml 262中。
[0084]
第一p型掺杂层210可以接触第一电极160，并且可以是空穴注入层。或者，在第一p型掺杂层210下方设置n型电荷产生层(未示出)，且第一p型掺杂层210可以是p型电荷产生层。在这种情况下，第一p型掺杂层210与在该第一p型掺杂层210下方的n型电荷产生层构成电荷产生层(cgl)。
[0085]
在第m个p型掺杂层220下方设置n型cgl 226，且第m个p型掺杂层220可以是p型cgl。在这种情况下，第m个p型掺杂层220与在该第m个p型掺杂层220下方的n型cgl 226构成cgl 228。
[0086]
在第n个p型掺杂层230下方设置n型cgl 236，且第n个p型掺杂层230可以是p型cgl。在这种情况下，第n个p型掺杂层230与在该第n个p型掺杂层230下方的n型cgl 226构成cgl 238。
[0087]
n型cgl 226和236将电子提供到电子辅助层246和256中，并且电子通过电子辅助层246和256提供到第一发射部分240和第m个发射部分250中。因此，具有多个串联结构的oled d的驱动电压降低，并且oled d的发射效率提高。
[0088]
n型cgl 226和236中的每一个包括n型电荷产生材料，并且可以具有10-20nm的厚度。例如，n型电荷产生材料可选自：三-(8-羟基喹啉)铝(alq3)、2-联苯-4-基-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(pbd)，螺环-pbd、羟基喹啉锂(liq)、1,3,5-三(n-苯基苯并咪唑-2-基)苯(tpbi)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-n1,o8)-(1,1
’‑
联苯-4-羟连)铝(balq)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、2,9-双(萘-2-基)4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(nbphen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)，3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(taz)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4h-1,2,4-三唑(ntaz)、1,3,5-三(对吡啶-3-基-苯基)苯(tppypb)、2,4,6-三(3'-(吡啶-3-基)联苯-3-基)1,3,5-三嗪(tmpppytz)、聚[9,9-双(3
’‑
(((n,n-二甲基)-n-乙基铵)-丙基)-2,7-芴]-alt-2,7-(9,9-二辛基芴)](pfnbr)、三(苯基喹喔啉)(tpq)和二苯基-4-三苯基甲硅烷基-苯基氧化膦(tspo1)。在本公开的一个实施方案中，n型电荷产生材料可以是菲咯啉衍生物，例如，红菲咯啉(bphen)。
[0089]
此外，n型cgl 226和236中的每一个还可以包括辅助型n型电荷产生材料。例如，辅助型n型电荷产生材料可以是碱金属，例如li、cs、k、rb、na或fr，或者碱土金属，例如be、mg、ca、sr、ba或ra。在n型cgl 226和236中的每一个中，辅助型n型电荷产生材料可具有约0.1至20重量％，优选约1至10重量％。
[0090]
第一p型掺杂层210具有第一电导率，第m个p型掺杂层220具有第二电导率，且第n个p型掺杂层230具有第三电导率。第二电导率和第三电导率中的每一个大于第一电导率，并且第二电导率等于或大于第三电导率。优选地，第二电导率可以大于第三电导率。
[0091]
即，更靠近作为阳极的第一电极160的第一p型掺杂层210的电导率小于距离第一电极160较远的第m个p型掺杂层220和第n个p型掺杂层230中每一个的电导率。此外，更靠近作为阴极的第二电极164的第n个p型掺杂层230的电导率等于或小于位于第一p型掺杂层210和第n个p型掺杂层230之间的第m个p型掺杂层220的电导率。
[0092]
换言之，第n个p型掺杂层230具有大于第一p型掺杂层210且等于或小于第m个p型掺杂层220的电导率。
[0093]
例如，第一p型掺杂层210的电导率可以在1*10-5-1*10-4
s/
㎝
的范围内，第m个p型掺杂层220的电导率可以在1*10-4-1*10-3
s/
㎝
的范围内，并且第n个p型掺杂层230的电导率可以在3*10-5-6*10-4
s/
㎝
的范围内。
[0094]
第一p型掺杂层210、第m个p型掺杂层220和第n个p型掺杂层230中的每一个分别包括p型掺杂剂212、222和232和主体214、224和234。在第一p型掺杂层210、第m个p型掺杂层220和第n个p型掺杂层230中的每一个中，p型掺杂剂212、222和232的重量百分比小于主体214、224和234的重量百分比。
[0095]
第一p型掺杂层210、第m个p型掺杂层220和第n个p型掺杂层230中的每一个的p型掺杂剂212、222和232可以是第一有机化合物，该第一有机化合物是被丙二腈基团取代的引
达省衍生物(例如，引达省化合物)。第一有机化合物可由式1-1表示。
[0096]
[式1-1]
[0097][0098]
在式1-1中，r1和r2各自独立地选自氢(h)、氘(d)、卤素和氰基。r3至r6中每一个独立地选自卤素、氰基、丙二腈、c1-c10卤代烷基和c1-c10卤代烷氧基，并且r3和r4中的至少一个和r5和r6中的至少一个是丙二腈。x和y各自独立地为被c1-c10烷基、卤素、氰基、丙二腈、c1-c10卤代烷基和c1-c10卤代烷氧基中的至少一种取代的苯基。
[0099]
例如，c1-c10卤代烷基可以是三氟甲基，c1-c10卤代烷氧基可以是三氟甲氧基。此外，卤素可以是f、cl、br和i中的一个。
[0100]
在式1-1中，r3和r4中的一个以及r5和r6中的一个可以是丙二腈，r3和r4中的另一个以及r5和r6中的另一个可以是氰基。
[0101]
例如，在式1-1中，r3和r6可以是丙二腈。或者，在式1-1中，r4和r6可以是丙二腈。即，式1-1中的有机化合物可以由式1-2或1-3表示。
[0102]
[式1-2]
[0103][0104]
在式1-1中，在引达省核的第一侧处的取代基可以与在引达省核的第二侧处的取代基相同，使得式1-1中的第一有机化合物可以具有对称结构。
[0105]
或者，在式1-1中，在引达省核的第一侧处的取代基可以不同于在引达省核的第二侧处的取代基，使得式1-1中的有机化合物可以具有不对称结构。
[0106]
例如，x和y中的每一个可以独立地是被c1-c10烷基、卤素、氰基、丙二腈、c1-c10卤代烷基和c1-c10卤代烷氧基中的至少一个取代的苯基，并且x和y可以在取代基中的至少一个和取代基的位置上具有差异。即，为x的苯基部分和为y的苯基部分可以具有不同的取代基和/或可以在不同位置具有相同的取代基或不同的取代基。
[0107]
例如，式1-1中的有机化合物可以由式1-4表示。
[0108]
[式1-4]
[0109][0110]
在式1-4中，x1至x3中的每一个和y1至y3中的每一个独立地选自h、c1-c10烷基、卤
素、氰基、丙二腈、c1-c10卤代烷基和c1-c10卤代烷氧基，并且满足以下条件中的至少一个：i)x1和y1不同，ii)x2不同于y2和y3，或x3不同于y2和y3。
[0111]
为p型掺杂剂212、222和232的第一有机化合物具有优异的空穴注入、传输和/或生成性能，因此提高了空穴向第一至第三发射部分240、250和260的空穴注入和/或传输效率。
[0112]
第一p型掺杂层210、第m个p型掺杂层220和第n个p型掺杂层230中的每一个的主体214、224和234可以是为芴衍生物(例如螺芴衍生物)的第二有机化合物。第二有机化合物可由式2-1表示。
[0113]
[式2-1]
[0114][0115]
式2-1中，x和y各自独立地选自c6-c30芳基和c5-c30杂芳基，l选自c6-c30亚芳基和c5-c30杂亚芳基，a为0或1。r1至r14中的每一个独立地选自h、d、c1-c10烷基、c6-c30芳基和c5-c30杂芳基，或者r1至r14中相邻的两个彼此连接(结合或接合)以形成稠环。
[0116]
在式2-1中，c6至c30芳基(或亚芳基)可选自：苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、并环萜烯基(pentanenyl)、茚基、茚并茚基、庚搭烯基(heptalenyl)、联亚苯基(biphenylenyl)、引达省基、菲基、苯并菲基、二苯并菲基、薁基、芘基、荧蒽基、三亚苯基(triphenylenyl)、基、四苯基、tetrasenyl、苉基、五苯基(pentaphenyl)、并五苯基(pentacenyl)、芴基、茚并芴基和螺芴基。
[0117]
在式2-1中，c5-c30杂芳基(或杂亚芳基)可选自：吡咯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、咪唑基、吡唑基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、吲嗪基、吡咯嗪基(pyrrolizinyl)、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、吲哚咔唑基、茚并咔唑基、苯并呋喃咔唑基、苯并噻吩咔唑基、喹啉基、异喹啉基、酞嗪基、喹喔啉基、噌啉基、喹唑啉基、quinozolinyl、喹啉基、嘌呤基、酞嗪基、喹喔啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、苯并喹唑啉基、苯并喹喔啉基、吖啶基、菲咯啉基、啶基(perimidinyl)、菲啶基、蝶啶基、噌啉基、萘啶基、呋喃基、噁嗪基、噁唑基、噁二唑基、三唑基、dioxynyl、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、噻喃基、氧杂蒽基(xantenyl)、色满基、异色满基、硫代嗪基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、二呋喃吡嗪基、苯并呋喃二苯并呋喃基、苯并噻吩苯并噻吩基、苯并噻吩二苯并噻吩基、苯并噻吩苯并呋喃基和苯并噻吩二苯并呋喃基。
[0118]
在式2-1中，c6-c30芳基和c5-c30杂芳基中的每一个可以包括取代的和未取代的。
即，c6-c30芳基和c5-c30杂芳基中的每一个可以是未取代的或被c1-c10烷基(例如甲基、乙基或叔丁基)取代的。
[0119]
在式2-1中，x和y可以相同或不同。x和y中的每一个可以选自芴基、螺芴基、苯基、联苯基、三联苯基、叔丁基苯基、芴基苯基、咔唑基和咔唑基苯基，且l可以是亚苯基。r1至r14中的每一个可以选自h、d、c1-c10烷基(例如叔丁基)和c6-c30芳基(例如苯基)，且r1至r14中相邻的两个(例如r1和r6)可以连接形成稠环。所述稠环可以是芳香环、脂环族环和杂芳环中的一种。
[0120]
式2-1中的第二有机化合物可由式2-2或2-3表示。
[0121]
[式2-2]
[0122][0123]
[式2-3]
[0124][0125]
式2-2中的第二有机化合物和式2-3中的第二有机化合物在氨基(或联接基l1)位置处有所不同。即，在式2-2的第二有机化合物中，氨基(或连接基l1)连接到芴部分或螺芴部分的第二位置，而在式2-3的第二有机化合物中，氨基(或连接基l1)连接到芴部分或螺芴
部分的第三位置。
[0126]
式1-1中的第一有机化合物可以是式3中的化合物之一。
[0127]
[式3]
[0128]
[0129]
[0130]
[0131]
[0132]
[0133]
[0134][0135]
式2-1中的第二有机化合物可以是式4中的化合物之一。
[0136]
[式4]
[0137]
[0138][0139]
[合成]
[0140]
1.化合物a04的合成
[0141]
(1)化合物4-a
[0142]
[反应式1-1]
[0143][0144]
将2,2'-(4,6-二溴-1,3-亚苯基)二乙腈(180g,573mmol)、甲苯(6l)、碘化铜(cui,44mmol)、四(三苯基膦)钯(44mmol)、二异丙胺(2885mmol)和1-乙炔基-4-(三氟甲基)苯(637mmol)混合并加热至100℃。反应后，蒸馏出溶剂(5l)。将混合物冷却至室温并过滤，得到固体。将固体溶于氯仿并用水萃取后，加入硫酸镁和酸性粘土并搅拌1小时。过滤混合物，并将溶剂再次蒸馏。混合物用乙醇重结晶得到化合物4-a(104g)。(收率45％，ms[m+h]+＝403)
[0145]
(2)化合物4-b
[0146]
[反应式1-2]
[0147][0148]
将化合物4-a(104g，258mmol)、甲苯(3l)、cui(21mmol)、四(三苯基膦)钯(21mmol)、二异丙胺(1290mmol)和1-乙炔基-4-(三氟甲氧基)苯(258mmol)混合，加热至100℃，并搅拌2小时。反应后，蒸馏出溶剂(2l)。将混合物冷却至室温并过滤，得到固体。将固体溶于氯仿并用水萃取后，加入硫酸镁和酸性粘土并搅拌1小时。过滤混合物后，再次蒸馏溶剂。混合物用四氢呋喃和乙醇重结晶得到化合物4-b(39.3g)。(收率30％，ms[m+h]+＝509)。
[0149]
(3)化合物4-c
[0150]
[反应式1-3]
[0151][0152]
将化合物4-b(39g，77mmol)、1,4-二噁烷(520ml)、二苯基亚砜(462mmol)、溴化铜(ii)(cubr(ii)，15mmol)、醋酸钯(15mmol)混合，加热至100℃，并搅拌5小时。反应后，蒸馏
出溶剂。将混合物溶于氯仿后，加入酸性粘土并搅拌1小时。过滤混合物后，再次蒸馏溶剂。将混合物用己烷反向沉淀，得到固体。该固体用四氢呋喃和己烷重结晶，并过滤后得到化合物4-c(7g)。(收率17％，ms[m+h]+＝537)
[0153]
(4)化合物a04
[0154]
[反应式1-4]
[0155][0156]
加入化合物4-c(7g,13mmol)、二氯甲烷(220ml)和丙二腈(96mmol)，并冷却至0℃。缓慢加入氯化钛(iv)(65mmol)，并在保持0℃下搅拌1小时。在0℃下将溶于二氯甲烷(75ml)中的吡啶(97.5mmol)缓慢加入混合物中，并搅拌1小时。反应完成后，加入乙酸(130mmol)，并再搅拌30分钟。反应溶液用水萃取后，在己烷中反向沉淀有机层，得到固体。固体经乙腈过滤后，加入硫酸镁和酸性粘土，并搅拌30分钟。将溶液过滤后，用乙腈和甲苯重结晶，并用甲苯洗涤。固体用乙腈和叔丁基甲基醚重结晶，并通过升华提纯得到化合物a04(1.6g)。(收率20％，ms[m+h]+＝633)
[0157]
2.化合物a13的合成
[0158]
(1)化合物13-a
[0159]
[反应式2-1]
[0160][0161]
将2,2'-(4,6-二溴-1,3-亚苯基)二乙腈(200g，637mmol)、甲苯(6l)、碘化铜(cui,51mmol)、四(三苯基膦)钯(51mmol)、二异丙胺(3185mmol)和1-乙炔基-3,5-双(三氟甲基)苯(637mmol)混合并加热至100℃。反应后，蒸馏出溶剂(5l)。将混合物冷却至室温并过滤，得到固体。将固体溶于氯仿并用水萃取后，加入硫酸镁和酸性粘土并搅拌1小时。过滤混合物，并将溶剂再次蒸馏。混合物用乙醇重结晶得到化合物13-a(105g)。(收率35％，ms[m+h]+＝471)
[0162]
(2)化合物13-b
[0163]
[反应式2-2]
[0164][0165]
将化合物13-a(105g，223mmol)、甲苯(3l)、cui(18mmol)、四(三苯基膦)钯(18mmol)、二异丙胺(1115mmol)和4-乙炔基-2-(三氟甲基)苯甲腈(223mmol)混合，加热至100℃，并搅拌2小时。反应后，蒸馏出溶剂(2l)。将混合物冷却至室温并过滤，得到固体。将固体溶于氯仿并用水萃取后，加入硫酸镁和酸性粘土并搅拌1小时。过滤混合物后，再次蒸馏溶剂。混合物用四氢呋喃和乙醇重结晶得到化合物13-b(32.6g)。(收率25％，ms[m+h]+＝586)
[0166]
(3)化合物13-c
[0167]
[反应式2-3]
[0168][0169]
将化合物13-b(32g，55mmol)、1,4-二噁烷(480ml)、二苯基亚砜(330mmol)、cubr(ii)(11mmol)、醋酸钯(11mmol)混合，加热至100℃，并搅拌5小时。反应后，蒸馏出溶剂。将混合物溶于氯仿后，加入酸性粘土并搅拌1小时。过滤混合物后，再次蒸馏溶剂。将混合物用己烷反向沉淀，得到固体。该固体用四氢呋喃和己烷重结晶，过滤后得到化合物13-c(5g)。(收率15％，ms[m+h]+＝614)
[0170]
(4)化合物a13
[0171]
[反应式2-4]
[0172][0173]
加入化合物13-c(5g,8.2mmol)、二氯甲烷(150ml)和丙二腈(49.2mmol)，并冷却至0℃。缓慢加入氯化钛(iv)(41mmol)，并在保持0℃下搅拌1小时。在0℃下将溶于二氯甲烷(50ml)中的吡啶(61.5mmol)缓慢加入混合物中，并搅拌1小时。反应完成后，加入乙酸(82mmol)，并再搅拌30分钟。反应溶液用水萃取后，在己烷中反向沉淀有机层，得到固体。固
体经乙腈过滤后，加入硫酸镁和酸性粘土，并搅拌30分钟。将溶液过滤后，用乙腈和甲苯重结晶，并用甲苯洗涤。固体用乙腈和叔丁基甲基醚重结晶，并升华提纯得到化合物a13(1g)。(收率18％，ms[m+h]+＝710)
[0174]
3.化合物a37的合成
[0175]
(1)化合物37-a
[0176]
[反应式3-1]
[0177][0178]
将2,2'-(4,6-二溴-2-氟-1,3-亚苯基)二乙腈(300g，903.7mmol)、甲苯(9l)、cui(72.3mmol)、四(三苯基膦)钯(72.3mmol)、二异丙胺(4518mmol)和1-乙炔基-3,5-双(三氟甲基)苯(903.7mmol)混合并加热至100℃。反应后，蒸馏出溶剂(8l)。将混合物冷却至室温并过滤，得到固体。将固体溶于氯仿并用水萃取后，加入硫酸镁和酸性粘土并搅拌1小时。过滤混合物，并将溶剂再次蒸馏。混合物用乙醇重结晶，得到化合物37-a(137g)。(收率31％，ms[m+h]+＝489)
[0179]
(2)化合物37-b
[0180]
[反应式3-2]
[0181][0182]
将化合物37-a(137g，280mmol)、甲苯(4.1l)、cui(22mmol)、四(三苯基膦)钯(22mmol)、二异丙胺(1400mmol)和4-乙炔基-2-(三氟甲基)苯甲腈(280mmol)混合，加热至100℃，并搅拌2小时。反应后，蒸馏出溶剂(3l)。将混合物冷却至室温并过滤，得到固体。将固体溶于氯仿并用水萃取后，加入硫酸镁和酸性粘土并搅拌1小时。过滤混合物后，再次蒸馏溶剂。混合物用四氢呋喃和乙醇重结晶，得到化合物37-b(33.8g)。(收率20％，ms[m+h]+＝603)
[0183]
(3)化合物37-c
[0184]
[反应式3-3]
[0185][0186]
将化合物37-b(33g，54.7mmol)、1,4-二噁烷(500ml)、二苯基亚砜(328.2mmol)、cubr(ii)(10.9mmol)、醋酸钯(10.9mmol)混合，加热至100℃，并搅拌5小时。反应后，蒸馏出溶剂。将混合物溶于氯仿后，加入酸性粘土并搅拌1小时。过滤混合物后，再次蒸馏溶剂。将混合物用己烷反向沉淀，得到固体。该固体用四氢呋喃和己烷重结晶，并过滤后得到化合物37-c(4.8g)。(收率14％，ms[m+h]+＝632)
[0187]
(4)化合物37
[0188]
[反应式3-4]
[0189][0190]
加入化合物37-c(4.8g,7.6mmol)、二氯甲烷(145ml)和丙二腈(45.6mmol)，并冷却至0℃。缓慢加入氯化钛(iv)(38mmol)，并在保持0℃下搅拌1小时。在0℃下将溶于二氯甲烷(48ml)中的吡啶(57mmol)缓慢加入混合物中，并搅拌1小时。反应完成后，加入乙酸(76mmol)，并再搅拌30分钟。反应溶液用水萃取后，在己烷中反向沉淀有机层，得到固体。固体经乙腈过滤后，加入硫酸镁和酸性粘土，并搅拌30分钟。将溶液过滤后，用乙腈和甲苯重结晶，然后用甲苯洗涤。固体用乙腈和叔丁基甲基醚重结晶，并升华提纯得到化合物a37(1.1g)。(收率20％，ms[m+h]+＝728)
[0191]
第一p型掺杂层210中的p型掺杂剂212的重量百分比可以小于第m个p型掺杂层220中的p型掺杂剂222和第n个p型掺杂层230中的p型掺杂剂232中的每一个的重量百分比。此外，当第m个p型掺杂层220中的p型掺杂剂222和第n个p型掺杂层230中的p型掺杂剂232都可以是对称的引达省衍生物(例如式3中的化合物s01至s49)或者不对称的引达省衍生物(例如化合物a01至a96)时，第m个p型掺杂层220中的p型掺杂剂222的重量百分比可以大于第n个p型掺杂层230中的p型掺杂剂232的重量百分比。
[0192]
第一p型掺杂层210中的p型掺杂剂212可以具有1-20的重量％，第m个p型掺杂层220中的p型掺杂剂222可以具有10-50的重量％，且第n个p型掺杂层230中的p型掺杂剂232可以具有5-25的重量％。例如，第一p型掺杂层210中的p型掺杂剂212可以具有5-15的重量％，第m个p型掺杂层220中的p型掺杂剂222可以具有10-30的重量％，且第n个p型掺杂层230中的p型掺杂剂232可以具有10-20的重量％。
[0193]
第一p型掺杂层210、第m个p型掺杂层220和第n个p型掺杂层230的p型掺杂剂212、222和232可以相同或不同。例如，当第一p型掺杂层210、第m个p型掺杂层220和第n个p型掺
杂层230的p型掺杂剂212、222和232是式1-4中的不对称化合物时，oled d的寿命进一步增加。
[0194]
第一p型掺杂层210、第m个p型掺杂层220和第n个p型掺杂层230的主体214、224和234可以相同或不同。例如，第一p型掺杂层210和第n个p型掺杂层230的主体214和234可以是式2-3中的第二有机化合物，并且第m个p型掺杂层220的主体224可以是式2-2中的第二有机化合物。
[0195]
如上所述，oled d包括更靠近作为阳极的第一电极160的第一p型掺杂层210、更靠近作为阴极的第二电极164的第n个p型掺杂层230以及位于第一p型掺杂层210和第n个p型掺杂层230之间的第m个p型掺杂层220，并且第n个p型掺杂层230的电导率大于第一p型掺杂层210的电导率，且等于或小于第m个p型掺杂层220的电导率。因此，oled d在驱动电压、发射效率和寿命方面都具有优势。
[0196]
此外，当第m个p型掺杂层220的电导率大于第n个p型掺杂层230的电导率时，oled d的驱动电压进一步降低，并且oled d的发射效率和寿命进一步增加。
[0197]
此外，当第一p型掺杂层210、第m个p型掺杂层220和第n个p型掺杂层230中的每一个包括式1-1中的第一有机化合物作为p型掺杂剂212、222和232以及式2-1中的第二有机化合物作为主体214、224和234时，oled d的驱动电压显著降低，并且oled d的发射效率和寿命显著增加。
[0198]
图4是根据本公开的第三实施方案的有机发光装置的示意性截面图，且图5是根据本公开的第四实施方案的oled的示意性截面图。
[0199]
如图4所示，有机发光显示装置300包括：第一基板310，其中限定了红色像素bp、绿色像素gp和蓝色像素bp；面向第一基板310的第二基板370；位于第一基板310和第二基板370之间并提供白光发射的oled d，以及位于oled d和第二基板370之间的滤色器层380。
[0200]
第一基板310和第二基板370中的每一个可以是玻璃基板或柔性基板。例如，第一基板310和第二基板370中的每一个可以是聚酰亚胺(pi)基板、聚醚砜(pes)基板、聚萘二甲酸乙二酯(pen)基板、聚对苯二甲酸乙二酯(pet)基板或聚碳酸酯(pc)基板。
[0201]
在所述基板上形成缓冲层320，在缓冲层320上形成与红色、绿色、蓝色像素rp、gp和bp中的每一个对应的tft tr。缓冲层320可以省略。
[0202]
在缓冲层320上形成半导体层322。半导体层322可以包括氧化物半导体材料或多晶硅。
[0203]
栅极绝缘层324形成在半导体层322上。栅极绝缘层324可以由诸如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料形成。
[0204]
在栅绝缘层324上形成由导电材料(例如金属)形成栅电极330，以与半导体层322的中心对应。
[0205]
在栅电极330上形成由绝缘材料形成的层间绝缘层332。层间绝缘层332可以由无机绝缘材料(例如氧化硅或氮化硅)或有机绝缘材料(例如苯并环丁烯或光丙烯)形成。
[0206]
层间绝缘层332包括暴露半导体层322两侧的第一接触孔334和第二接触孔336。第一接触孔334和第二接触孔336位于栅电极330的两侧，以与栅电极330分隔开。
[0207]
在层间绝缘层332上形成由导电材料(例如金属)形成的源电极340和漏电极342。
[0208]
源电极340和漏电极342相对于栅电极330彼此隔开，并分别穿过第一接触孔334和
第二接触孔336接触半导体层322的两侧。
[0209]
半导体层322、栅电极330、源电极340和漏电极342构成tft tr。tft tr用作驱动元件。即，tft tr可以对应于驱动tft td(图1)。
[0210]
尽管未示出，栅极线和数据线彼此交叉以限定像素，并且所形成的开关tft与栅极线和数据线相连。开关tft连接到作为驱动元件的tft tr。
[0211]
此外，还可以形成与栅极线和数据线中的一条平行并间隔开的电源线，以及用于在一帧中保持tft tr的栅电极的电压的存储电容器。
[0212]
所形成的平坦化层350覆盖tft tr，平坦化层350包括暴露tft tr的漏电极342的漏极接触孔352。
[0213]
通过漏极接触孔352连接tft tr的漏电极342的第一电极360分别形成在每个像素中和平坦化层350上。第一电极360可以是阳极，并且可以由具有相对高功函数的导电材料(例如透明导电氧化物(tco))形成。第一电极360可进一步包括反射电极或反射层。例如，反射电极或反射层可以由银(ag)或铝-钯-铜(apc)合金形成。在顶发光型有机发光显示装置300中，第一电极360可以具有ito/ag/ito或ito/apc/ito的三层结构。
[0214]
在平坦化层350上形成堤岸层366，以覆盖第一电极360的边缘。即，堤岸层366位于像素的边界处，并且暴露像素中的第一电极360的中心。由于oled d在红色、绿色、蓝色像素rp、gp和bp中发射白光，所以有机发射层162可以不加分离地形成为红色、绿色和蓝色像素rp、gp和bp中的共有层。可以形成堤岸层366以防止在第一电极360的边缘处电流泄漏，且堤岸层366可以省略。
[0215]
在第一电极360上形成有机发射层362。
[0216]
参考图5，有机发射层362包括第一发射部分440、第二发射部分450、第三发射部分460、位于第一发射部分440和第一电极360之间的第一p型掺杂层410、位于第一发射部分440和第二发射部分450之间的第二p型掺杂层420以及位于第二发射部分450和第三发射部分460之间的第三p型掺杂层430。
[0217]
即，本公开的oled d包括三个发射部分440、450和460以及三个p型掺杂层410、420和430。
[0218]
第一发射部分440包括第一eml 442。
[0219]
此外，第一发射部分440还可以包括位于第一eml 442下方的第一空穴辅助层444和位于第一eml 442上(或上方)的第一电子辅助层446中的至少一个。即，第一空穴辅助层444设置在第一p型掺杂层410与第一eml 442之间，且第一电子辅助层446设置在第一eml 442与第二p型掺杂层420之间。例如，第一空穴辅助层444可以是空穴传输层(htl)，且第一电子辅助层446可以是电子传输层(etl)。
[0220]
尽管未示出，但第一发射部分440还可以包括位于第一空穴辅助层444与第一eml442之间的电子阻挡层(ebl)和位于第一eml 442与第一电子辅助层446之间的空穴阻挡层(hbl)中的至少一个。
[0221]
第二发射部分450包括第二eml 452。
[0222]
此外，第二发射部分450还可以包括第二eml 452下方的第二空穴辅助层454和第二eml 452上(或上方)的第二电子辅助层456中的至少一个。即，第二空穴辅助层454设置在第二p型掺杂层420与第二eml 452之间，且第二电子辅助层456设置在第二eml 452与第三p
型掺杂层430之间。例如，第二空穴辅助层454可以是htl，且第二电子辅助层456可以是etl。
[0223]
第三发射部分460包括第三eml 462。
[0224]
此外，第三发射部分460还可以包括在第三eml 462下方的第三空穴辅助层464和在第三eml 462上(或上方)的第三电子辅助层466中的至少一个。即，第三空穴辅助层464设置在第三p型掺杂层430与第三eml 462之间，且第三电子辅助层466设置在第三eml 462与第二电极364之间。例如，第三空穴辅助层464可以是htl，且第三电子辅助层466可以包括etl和电子注入层(eil)中的至少一个。
[0225]
尽管未示出，但第三发射部分460还可以包括位于第三空穴辅助层464与第三eml 462之间的电子阻挡层(ebl)和位于第三eml 462与第三电子辅助层466之间的空穴阻挡层(hbl)中的至少一个。
[0226]
包括在第一空穴辅助层444中的第一htl、包括在第二空穴辅助层454中的第二htl和包括在第三空穴辅助层464中的第三htl可以包括相同的材料，例如npd。包括在第三空穴辅助层464中的第三htl的厚度可以小于包括在第一空穴辅助层444中的第一htl的厚度，并且可以大于包括在第二空穴辅助层454中的第二htl的厚度。
[0227]
包括在第一电子辅助层446中的第一etl和包括在第三电子辅助层466中的第三etl可以包括基于吖嗪的化合物，例如，tmpypb，且包括在第二电子辅助层456中的第二etl可以包括基于咪唑的化合物，例如tpbi。包括在第一电子辅助层446中的第一etl和包括在第二电子辅助层456中的第二etl可以具有相同的厚度，并且包括在第三电子辅助层466中的第三etl的厚度可以大于包括在第一电子辅助层446中的第一etl和包括在第二电子辅助层456中的第二etl中的每一个的厚度。
[0228]
包括在第三电子辅助层466中的eil可以包括碱金属(例如，li)、碱卤化物材料(例如lif、csf、naf或baf2)和有机金属材料(例如liq、苯甲酸锂或硬脂酸钠)中的至少一种，但并不局限于此。例如，eil可以具有1-10nm的厚度，优选1-5nm。
[0229]
第一eml 442和第三eml 462中的每一个提供具有约440～480nm波长范围的光，且第二eml452提供具有约500～550nm波长范围的光。第一eml 442和第三eml 462中的每一个的厚度可以等于或小于第二eml 452的厚度。
[0230]
在图5中，第二eml 452具有单层结构。或者，第二eml 452可以具有双层结构，该双层结构具有包括主体和红色掺杂剂并发射红光的第一层和包括主体和绿色掺杂剂并发射绿光的第二层，或者可以具有三层结构，该三层结构具有包括主体和红色掺杂剂并发射红光的第一层、包括主体和黄绿掺杂剂并发射黄绿光的第二层和包括主体和绿色掺杂剂并发射绿光的第三层。
[0231]
在具有440～480nm波长范围的第一eml 442和第三eml 462的每一个中，主体可以是蒽衍生物，且掺杂剂可以是芘衍生物。例如，在第一eml 442和第三eml 462的每一个中，主体可以是9,10-二(萘-2-基)蒽，且掺杂剂可以是1,6-双(二苯基氨基)芘。
[0232]
在具有500～550nm波长范围的第二eml 452中，主体可以是咔唑衍生物，且掺杂剂可以是铱衍生物(配合物)。例如，在第二eml 452中，主体可以是4,4
’‑
双(n-咔唑基)-1,1'-联苯(cbp)，且掺杂剂可以是三(2-苯基吡啶)铱(ⅲ)(ir(ppy)3)。
[0233]
第一p型掺杂层410向第一发射部分440中提供空穴，第二p型掺杂层420向第二发射部分450中提供空穴，且第三p型掺杂层430向第三发射部分460中提供空穴。
[0234]
例如，空穴从第一p型掺杂层410通过第一空穴辅助层444提供到第一eml 442中，且空穴从第二p型掺杂层420通过第二空穴辅助层454提供到第二eml 452中。此外，空穴从第三p型掺杂层430通过第三空穴辅助层464提供到第三eml 462中。
[0235]
第一p型掺杂层410可以接触第一电极360，并且可以是空穴注入层。在第二p型掺杂层420下方设置n型cgl 226，且第二p型掺杂层420可以是p型cgl。在这种情况下，第二p型掺杂层420与在所述第二p型掺杂层420下方的n型cgl 426构成第一cgl 428。在第三p型掺杂层430下方设置n型cgl 436，且第三p型掺杂层430可以是p型cgl。在这种情况下，第三p型掺杂层430与在所述第三p型掺杂层430下方的n型cgl 436构成第二cgl 438。
[0236]
即，第二p型掺杂层420可以包括在设置在第一发射部分440和第二发射部分450之间的第一cgl 428中，且第三p型掺杂层430可以包括在设置在第二发射部分450和第三发射部分460之间的第二cgl 438中。
[0237]
n型cgl 426和436分别将电子提供到电子辅助层446和456中，并且电子通过电子辅助层446和456提供到第一发射部分440和第二发射部分450中。因此，具有多个串联结构的oled d的驱动电压降低，并且oled d的发射效率提高。
[0238]
例如，n型cgl 426和436中的每一个可以包括n型电荷产生材料，例如，bphen，并且可以具有10-20nm的厚度。此外，n型cgl 426和436中的每一个还可以包括辅助型n型电荷产生材料，例如li。
[0239]
作为hil的第一p型掺杂层410具有第一电导率，作为第一cgl 428的p型cgl的第二p型掺杂层420具有第二电导率，且作为第二cgl 438的p型cgl的第三p型掺杂层430具有第三电导率。第二电导率和第三电导率中的每一个大于第一电导率，并且第二电导率等于或大于第三电导率。优选地，第二电导率可以大于第三电导率。
[0240]
即，更靠近作为阳极的第一电极360的第一p型掺杂层410的电导率小于距离第一电极360更远的第二p型掺杂层420和第三p型掺杂层430中每一个的电导率。此外，更靠近作为阴极的第二电极364的第三p型掺杂层430的电导率等于或小于位于第一p型掺杂层410和第三p型掺杂层430之间的第二p型掺杂层420的电导率。
[0241]
换言之，第三p型掺杂层430具有大于第一p型掺杂层410且等于或小于第二p型掺杂层420的电导率。
[0242]
例如，第一p型掺杂层410的电导率可以在1*10-5-1*10-4
s/
㎝
的范围内，第二p型掺杂层420的电导率可以在1*10-4-1*10-3
s/
㎝
的范围内，且第三p型掺杂层430的电导率可以在3*10-5-6*10-4
s/
㎝
的范围内。
[0243]
第一p型掺杂层410、第二p型掺杂层420和第三p型掺杂层430中的每一个分别包括p型掺杂剂412、422和432和主体414、424和434。在第一p型掺杂层410、第二p型掺杂层420和第三p型掺杂层430中的每一个中，p型掺杂剂412、422和432的重量百分比小于主体414、424和434的重量百分比。
[0244]
第一p型掺杂层410、第二p型掺杂层420和第三p型掺杂层430的p型掺杂剂412、422和432可以是式1-1中的第一有机化合物，且第一p型掺杂层410、第二p型掺杂层420和第三p型掺杂层430的主体414、424和434可以是式2-1中的第二有机化合物。
[0245]
第一p型掺杂层410中的p型掺杂剂412的重量百分比可以小于第二p型掺杂层420中的p型掺杂剂422和第三p型掺杂层430中的p型掺杂剂432中的每一个的重量百分比。此
外，第二p型掺杂层420中的p型掺杂剂422的重量百分比可以大于第三p型掺杂层430中的p型掺杂剂432的重量百分比。
[0246]
第一p型掺杂层410中的p型掺杂剂412可以具有1-20重量％，第二p型掺杂层420中的p型掺杂剂422可以具有10-50重量％，且第三p型掺杂层430中的p型掺杂剂432可以具有5-25重量％。例如，第一p型掺杂层410中的p型掺杂剂412可以具有5-15重量％，第二p型掺杂层420中的p型掺杂剂422可以具有10-30重量％，且第三p型掺杂层430中的p型掺杂剂432可以具有10-20重量％。
[0247]
第一p型掺杂层410、第二p型掺杂层420和第三p型掺杂层430的p型掺杂剂412、422和432可以相同或不同。例如，当第一p型掺杂层410、第二p型掺杂层420和第三p型掺杂层430的p型掺杂剂412、422和432是式1-4中的不对称化合物时，oled d的寿命进一步增加。
[0248]
第一p型掺杂层410、第二p型掺杂层420和第三p型掺杂层430的主体414、424和434可以相同或不同。例如，第一p型掺杂层410和第三p型掺杂层430的主体414和434可以是式2-3中的第二有机化合物，且第二p型掺杂层420的主体424可以是式2-2中的第二有机化合物。
[0249]
包括第一发射部分440和第三发射部分460以及第二发射部分450的oled提供白光发射。由于包括式1-1中的第一有机化合物和式2-1中的第二有机化合物的第一cgl 428和第二cgl 438分别设置在第一发射部分440和第二发射部分450之间以及第二发射部分450和第三发射部分460之间，oled d在驱动电压、发射效率和寿命方面具有优势。
[0250]
此外，oled d包括更靠近作为阳极的第一电极360的第一p型掺杂层410、更靠近作为阴极的第二电极364的第三p型掺杂层430和位于第一p型掺杂层410和第三p型掺杂层430之间的第二p型掺杂层420，并且第三p型掺杂层430的电导率大于第一p型掺杂层410的电导率且等于或小于第二p型掺杂层420的电导率。因此，oled d在驱动电压、发射效率和寿命方面具有优势。
[0251]
此外，当第二p型掺杂层420的电导率大于第三p型掺杂层430的电导率时，oled d的驱动电压进一步降低，并且oled d的发射效率和寿命进一步增加。
[0252]
此外，当第一p型掺杂层410、第二p型掺杂层420和第三p型掺杂层430中的每一个包括式1-1中的第一有机化合物作为p型掺杂剂412、422和432以及式2-1中的第二有机化合物作为主体414、424和434时，oled d的驱动电压显著降低，并且oled d的发射效率和寿命显著增加。
[0253]
在其中形成有机发射层362的第一基板310上形成第二电极364。
[0254]
在有机发光显示装置300中，由于从有机发射层362发射的光通过第二电极364入射到滤色器层380，所以第二电极364具有用于透射光的薄轮廓。
[0255]
第一电极360、有机发光层362和第二电极364构成oled d。
[0256]
滤色器层380位于oled d上方，并包括分别对应于红色、绿色和蓝色像素rp、gp和bp的红色滤色器382、绿色滤色器384和蓝色滤色器386。红色滤色器382可以包括红色染料和红色颜料中的至少一种，绿色滤色器384可以包括绿色染料和绿色颜料中的至少一种，且蓝色滤色器386可以包括蓝色染料和蓝色颜料中的至少一种。
[0257]
尽管未示出，但是滤色器层380可以通过使用粘合剂层附着到oled d。或者，滤色器层380可以直接在oled d上形成。
[0258]
可以形成封装膜(未示出)以防止湿气渗透到oled d中。例如，封装膜可以包括依序堆叠的第一无机绝缘层、有机绝缘层和第二无机绝缘层，但并不局限于此。封装膜可以省略。
[0259]
可以在顶发光型oled d上设置用于减少环境光反射的偏振板(未示出)。举例而言，所述偏振板可以是圆形偏振板。
[0260]
在图4的oled中，第一电极360和第二电极364分别是反射电极和透明(或半透明)电极，并且滤色器层380设置在oled d上。或者，当第一电极360和第二电极364分别是透明(或半透明)电极和反射电极时，滤色器层380可以设置在oled d和第一基板310之间。
[0261]
可以在oled d和滤色器层380之间形成颜色转换层(未示出)。颜色转换层可以包括分别对应于红色、绿色和蓝色像素rp、gp和bp的红色转换层、绿色转换层和蓝色转换层。通过所述红色、绿色、蓝色转换层将来自oled d的白光分别转换为红光、绿光和蓝光。例如，颜色转换层可以包括量子点。因此，可以进一步提高有机发光显示装置300的色纯度。
[0262]
可以包括颜色转换层来代替滤色器层380。
[0263]
如上所述，在有机发光显示装置300中，红色、绿色和蓝色像素rp、gp和bp中的oled d发射白光，并且来自有机发光二极管d的白光穿过红色滤色器382、绿色滤色器384和蓝色滤色器386。因此，从红色像素rp、绿色像素gp和蓝色像素bp中分别提供红光、绿光和蓝光。
[0264]
在图4中，将发射白光的oled d用于显示装置。或者，oled d可以形成在基板的整个表面上，而不需要驱动元件和滤色层器中的至少一个用于照明装置。每一个都包括本公开的oled d的显示装置和照明装置可以称为有机发光装置。
[0265]
在oled d和有机发光显示装置300中，作为hil的第一p型掺杂层410、作为p型cgl的第二p型掺杂层420和作为p型cgl的第三p型掺杂层430中的每一个包括式1-1中的第一有机化合物(例如p型掺杂剂)和式2-1中的第二有机化合物(例如主体)，且更靠近作为阳极的第一电极360的第一p型掺杂层410的电导率小于第二p型掺杂层420和第三p型掺杂层430中的每一个。因此，降低了oled d和有机发光显示装置300的驱动电压，并且增加了oled d和有机发光显示装置300的发射效率和寿命。
[0266]
此外，更靠近作为阴极的第二电极364的第三p型掺杂层430的电导率小于第二p型掺杂层420的电导率。因此，oled d和有机发光显示装置300的驱动电压进一步降低，并且oled d和有机发光显示装置300的发射效率和寿命进一步增加。
[0267]
[oled1]
[0268]
在阳极(ito)上，依次沉积hil(10nm)、第一htl(htl1，100nm，npd)、第一eml(eml1，20nm，主体(9,10-二(萘-2-基)蒽)和掺杂剂(1,6-二(二苯基氨基)芘，3wt％))、第一etl(eyl1，20nm，1,3,5-三(间吡啶-3-基苯基)苯(tmpypb))、第一n型cgl(n-cgl1，15nm,bphen+li(2wt％))、第一p型cgl(p-cgl1,10nm)、第二htl(htl2,15nm，npd)、第二eml(eml2，主体(cbp)和掺杂剂(ir(ppy))3，8wt％))、第二etl(etl2，20nm，2,2’,2
”‑
(1,3,5-苯三甲基)-三(1-苯基-1-h苯并咪唑)(tpbi))、第二n型cgl(n-cgl2,15nm,bphen+li(2wt％))、第二p型cgl(p-cgl2,10nm)、第三htl(htl2，80nm，npd)、第三eml(eml3，20nm、主体(9,10-二(萘-2-基)蒽)和掺杂剂(1,6-二(二苯基氨基)芘，3wt％)、第三etl(etl3，25nm，tmpypb)、eil(lif，1nm)和阴极(al，150nm)以形成oled。
[0269]
1.比较例
[0270]
(1)比较例1(ref1)
[0271]
用式3中的化合物s7(10wt％)和式4中的化合物c12(90wt％)形成hil，用式3中的化合物s7(10wt％)和式4中的化合物c12(90wt％)形成第一p型cgl，且用式3中的化合物s7(20wt％)和式4中的化合物c12(80wt％)形成第二p型cgl。
[0272]
(2)比较例2(ref2)
[0273]
用式3中的化合物s7(10wt％)和式4中的化合物c12(90wt％)形成hil，用式3中的化合物s7(20wt％)和式4中的化合物c12(80wt％)形成第一p型cgl，且用式3中的化合物s7(30wt％)和式4中的化合物c12(70wt％)形成第二p型cgl。
[0274]
(3)比较例3(ref3)
[0275]
用式3中的化合物s7(10wt％)和式4中的化合物c12(90wt％)形成hil，用式3中的化合物s7(20wt％)和式4中的化合物d8(80wt％)形成第一p型cgl，且用式3中的化合物s7(20wt％)和式4中的化合物c12(80wt％)形成第二p型cgl。
[0276]
2.实施例
[0277]
(1)实施例1(ex1)
[0278]
用式3中的化合物s7(10wt％)和式4中的化合物c12(90wt％)形成hil，用式3中的化合物s7(20wt％)和式4中的化合物c12(80wt％)形成第一p型cgl，且用式3中的化合物s7(20wt％)和式4中的化合物c12(80wt％)形成第二p型cgl。
[0279]
(2)实施例2(ex2)
[0280]
用式3中的化合物s7(5wt％)和式4中的化合物c12(95wt％)形成hil，用式3中的化合物s7(20wt％)和式4中的化合物c12(80wt％)形成第一p型cgl，且用式3中的化合物s7(20wt％)和式4中的化合物c12(80wt％)形成第二p型cgl。
[0281]
(3)实施例3(ex3)
[0282]
用式3中的化合物s7(15wt％)和式4中的化合物c12(85wt％)形成hil，用式3中的化合物s7(20wt％)和式4中的化合物c12(80wt％)形成第一p型cgl，且用式3中的化合物s7(20wt％)和式4中的化合物c12(80wt％)形成第二p型cgl。
[0283]
(4)实施例4(ex4)
[0284]
用式3中的化合物s7(10wt％)和式4中的化合物c12(90wt％)形成hil，用式3中的化合物s7(30wt％)和式4中的化合物c12(70wt％)形成第一p型cgl，且用式3中的化合物s7(20wt％)和式4中的化合物c12(80wt％)形成第二p型cgl。
[0285]
(5)实施例5(ex5)
[0286]
用式3中的化合物s7(10wt％)和式4中的化合物c12(90wt％)形成hil，用式3中的化合物s7(20wt％)和式4中的化合物c12(80wt％)形成第一p型cgl，且用式3中的化合物s7(10wt％)和式4中的化合物c12(90wt％)形成第二p型cgl。
[0287]
(6)实施例6(ex6)
[0288]
用式3中的化合物s7(10wt％)和式4中的化合物d8(90wt％)形成hil，用式3中的化合物s7(20wt％)和式4中的化合物c12(80wt％)形成第一p型cgl，且用式3中的化合物s7(20wt％)和式4中的化合物c12(80wt％)形成第二p型cgl。
[0289]
(7)实施例7(ex7)
[0290]
用式3中的化合物s7(10wt％)和式4中的化合物c12(90wt％)形成hil，用式3中的
化合物s7(20wt％)和式4中的化合物c12(80wt％)形成第一p型cgl，且用式3中的化合物s7(20wt％)和式4中的化合物d8(80wt％)形成第二p型cgl。
[0291]
(8)实施例8(ex8)
[0292]
用式3中的化合物s7(5wt％)和式4中的化合物c12(95wt％)形成hil，用式3中的化合物s7(30wt％)和式4中的化合物c12(70wt％)形成第一p型cgl，且用式3中的化合物s7(10wt％)和式4中的化合物c12(90wt％)形成第二p型cgl。
[0293]
(9)实施例9(ex9)
[0294]
用式3中的化合物s7(5wt％)和式4中的化合物c12(95wt％)形成hil，用式3中的化合物s7(30wt％)和式4中的化合物c12(70wt％)形成第一p型cgl，且用式3中的化合物s7(20wt％)和式4中的化合物d8(80wt％)形成第二p型cgl。
[0295]
(10)实施例10(ex10)
[0296]
用式3中的化合物s7(10wt％)和式4中的化合物d8(90wt％)形成hil，用式3中的化合物s7(30wt％)和式4中的化合物c12(70wt％)形成第一p型cgl，且用式3中的化合物s7(20wt％)和式4中的化合物d8(80wt％)形成第二p型cgl。
[0297]
(11)实施例11(ex11)
[0298]
用式3中的化合物s20(10wt％)和式4中的化合物c12(90wt％)形成hil，用式3中的化合物s20(30wt％)和式4中的化合物c12(70wt％)形成第一p型cgl，且用式3中的化合物s20(20wt％)和式4中的化合物d8(80wt％)形成第二p型cgl。
[0299]
(12)实施例12(ex12)
[0300]
用式3中的化合物s20(10wt％)和式4中的化合物d8(90wt％)形成hil，用式3中的化合物s20(30wt％)和式4中的化合物d8(70wt％)形成第一p型cgl，且用式3中的化合物s20(20wt％)和式4中的化合物d8(80wt％)形成第二p型cgl。
[0301]
(13)实施例13(ex13)
[0302]
用式3中的化合物s20(10wt％)和式4中的化合物d8(90wt％)形成hil，用式3中的化合物s20(30wt％)和式4中的化合物c12(70wt％)形成第一p型cgl，且用式3中的化合物s20(20wt％)和式4中的化合物c12(80wt％)形成第二p型cgl。
[0303]
(14)实施例14(ex14)
[0304]
用式3中的化合物s20(10wt％)和式4中的化合物d8(90wt％)形成hil，用式3中的化合物s20(30wt％)和式4中的化合物c12(70wt％)形成第一p型cgl，且用式3中的化合物s20(10wt％)和式4中的化合物c12(90wt％)形成第二p型cgl。
[0305]
(15)实施例15(ex15)
[0306]
用式3中的化合物s20(10wt％)和式4中的化合物d8(90wt％)形成hil，用式3中的化合物s20(10wt％)和式4中的化合物c12(90wt％)形成第一p型cgl，且用式3中的化合物s20(20wt％)和式4中的化合物d8(80wt％)形成第二p型cgl。
[0307]
(16)实施例16(ex16)
[0308]
用式3中的化合物s20(10wt％)和式4中的化合物d8(90wt％)形成hil，用式3中的化合物s20(30wt％)和式4中的化合物c12(70wt％)形成第一p型cgl，且用式3中的化合物s20(20wt％)和式4中的化合物d8(80wt％)形成第二p型cgl。
[0309]
(17)实施例17(ex17)
[0310]
用式3中的化合物a13(10wt％)和式4中的化合物c12(90wt％)形成hil，用式3中的化合物a13(30wt％)和式4中的化合物c12(70wt％)形成第一p型cgl，且用式3中的化合物a13(20wt％)和式4中的化合物d8(80wt％)形成第二p型cgl。
[0311]
(18)实施例18(ex18)
[0312]
用式3中的化合物a13(10wt％)和式4中的化合物d8(90wt％)形成hil，用式3中的化合物a13(30wt％)和式4中的化合物d8(70wt％)形成第一p型cgl，且用式3中的化合物a13(20wt％)和式4中的化合物d8(80wt％)形成第二p型cgl。
[0313]
(19)实施例19(ex19)
[0314]
用式3中的化合物a13(10wt％)和式4中的化合物d8(90wt％)形成hil，用式3中的化合物a13(30wt％)和式4中的化合物c12(70wt％)形成第一p型cgl，且用式3中的化合物a13(20wt％)和式4中的化合物c12(80wt％)形成第二p型cgl。
[0315]
(20)实施例20(ex20)
[0316]
用式3中的化合物a13(10wt％)和式4中的化合物d8(90wt％)形成hil，用式3中的化合物a13(30wt％)和式4中的化合物c12(70wt％)形成第一p型cgl，且用式3中的化合物a13(10wt％)和式4中的化合物c12(90wt％)形成第二p型cgl。
[0317]
(21)实施例21(ex21)
[0318]
用式3中的化合物a13(10wt％)和式4中的化合物d8(90wt％)形成hil，用式3中的化合物a13(10wt％)和式4中的化合物c12(90wt％)形成第一p型cgl，且用式3中的化合物a13(20wt％)和式4中的化合物d8(80wt％)形成第二p型cgl。
[0319]
(22)实施例22(ex22)
[0320]
用式3中的化合物a13(10wt％)和式4中的化合物d8(90wt％)形成hil，用式3中的化合物a13(30wt％)和式4中的化合物c12(70wt％)形成第一p型cgl，且用式3中的化合物a13(20wt％)和式4中的化合物d8(80wt％)形成第二p型cgl。
[0321]
在比较例1至3(ref1至ref3)和实施例1至22(ex1至ex22)的oled中，测量并在表1和表2中列出hil、第一p型cgl(p-cgl1)和第二p型cgl(p-cgl2)中的每一个的电导率(s)和性能，即驱动电压(v)、效率(cd/a)和寿命(hr)。
[0322]
表1
[0323][0324]
表2
[0325][0326]
如表1和表2所示，与其中第一p型cgl(例如，第二p型掺杂层)的电导率不大于hil(例如，第一p型掺杂层)的电导率和/或小于第二p型cgl(例如，第三p型掺杂层)的电导率的ref1至ref3的oled相比，在ex1至ex22的oled中，其中第二p型cgl(例如，第三p型掺杂层)的电导率大于hil(例如，第一p型掺杂层)的电导率并且等于或小于第一p型cgl(例如，第二p型掺杂层)的电导率，降低了驱动电压，并且提高了发射效率。特别地，ex1至ex22的oled的寿命显著增加。
[0327]
此外，与使用具有对称结构的引达省衍生物作为p型掺杂剂的ex1至ex16的oled相比，使用具有不对称结构的引达省衍生物作为p型掺杂剂的ex17至ex22的oled的寿命进一步增加。
[0328]
此外，在ex10、ex15、ex16、ex21和ex22的oled中，其中在hil(例如，第一p型掺杂层)和第二p型cgl(例如，第三p型掺杂层)中包括式2-3中的第一有机化合物，并且在第一p型cgl(例如，第二p型掺杂层)中包括式2-2中的第一有机化合物，寿命显著增加。
[0329]
对于本领域的技术人员来说显而易见的是，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以对本公开的实施方案进行各种修改和变化。因此，只要这些修改和变化落入所附权利要求及其等同物的范围内，这些修改和变化就包含在本公开中。