发光元件的制作方法

本发明涉及一种发光元件，特别是涉及一种具有多层电极结构的发光元件。

背景技术：

1、发光元件具有低功率消耗、高亮度、高演色性、及体积小等优点，已广泛用于各式照明及显示装置。举例而言，发光元件作为显示装置的像素或背光，可以实现更高画质的显示效果。现有发光元件包含分别设置在p型半导体层及n型半导体层上的p型电极及n型电极，以及设置于发光元件表面的保护层，保护层具有开口露出p型电极及n型电极，露出的p型电极及n型电极可作为打线(wiring bond)的部位。

2、然而，现有发光元件可能存在下列问题：在发光元件的打线制作工艺中或制作工艺后，在电极上方有应力的存在，因此在保护层和电极之间可能发生裂隙，保护层无法提供有效的保护功能，使得环境的水气、氧气或污染物侵入发光元件而导致失效；或是p、n电极在电场施加下，电极中的金属成分发生扩散迁徙(migration)现象，使得电极结构被破坏或变质而导致发光元件失效。

技术实现思路

1、本发明公开一种发光元件，包含：半导体叠层；电极，位于半导体叠层上且电连接半导体叠层，包含下部电极以及上部电极位于下部电极上；以及保护层，覆盖半导体叠层及下部电极，包含开口位于下部电极上并露出上部电极；其中下部电极包含第一主体结构以及第一金属接着层，第一金属接着层位于第一主体结构的上表面及侧表面上并相接于上部电极。

2、本发明另公开一种发光元件封装体，包含：主体；腔体，位于主体中；导线端子，位于腔体的底部；发光元件，位于底部；导线以及金属焊球，位于腔体中；以及封装材料，设置在腔体中并覆盖发光元件；其中，发光元件包含：一半导体叠层；一电极位于半导体叠层上且电连接半导体叠层，包含下部电极以及上部电极位于下部电极上；以及保护层，覆盖半导体叠层及下部电极，包含开口位于下部电极上并露出上部电极；其中下部电极包含第一主体结构以及第一金属接着层，第一金属接着层位于第一主体结构的上表面及侧表面上并相接于上部电极；其中，金属焊球位于上部电极上，导线连接金属焊球及导线端子。

技术特征：

1.一种发光元件，包含：

2.如权利要求1所述的发光元件，其中该上部电极包含第二金属接着层，该第一金属接着层相接于该第二金属接着层。

3.如权利要求2所述的发光元件，其中该第一金属接着层与该第二金属接着层包含相同材料。

4.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一金属接着层包含铬(cr)、钨(w)、钛(ti)、镍(ni)、钼(mo)、钽(ta)、铑(rh)、锡(sn)或上述材料的叠层或合金，及该第一金属接着层的厚度介于

5.如权利要求1所述的发光元件，其中：

6.如权利要求1所述的发光元件，其中该下部电极的厚度介于0.5～2.0μm，及/或该上部电极的厚度与该下部电极的厚度的比值介于0.8～3。

7.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一主体结构包含功能结构以及第一金属基层位于该第一金属接着层与该功能结构之间；其中该上部电极包含第二主体结构，该第二主体结构包含第二金属基层；以及

8.如权利要求7所述的发光元件，其中该第一金属基层与该第二金属基层包含相同材料。

9.如权利要求1所述的发光元件，其中该上部电极的上表面积与该下部电极的上表面积的比值介于50％～96％，及/或该上部电极的该上表面积小于或等于该开口的面积。

10.一种发光元件封装体，包含：

技术总结
本发明公开一种发光元件，包含：半导体叠层；电极，位于半导体叠层上且电连接半导体叠层，包含下部电极以及上部电极位于下部电极上；以及保护层，覆盖半导体叠层及下部电极，包含开口位于下部电极上并露出上部电极；其中下部电极包含第一主体结构以及第一金属接着层，第一金属接着层位于第一主体结构的上表面及侧表面上并相接于上部电极。

技术研发人员：谢冰璋,陈俊昌
受保护的技术使用者：晶元光电股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13