一种P型IBC电池结构的制作方法

本技术涉及一种p型ibc电池结构，属于太阳能电池生产。

背景技术：

1、随着光伏行业的发展，降本提效的需求日益迫切，其中提升太阳能电池的光电转换效率是降本提效最主要的途径之一。当前的高效电池结构主要包括topcon、hit以及ibc电池等，以上电池结构均以n型晶硅为基底，其中ibc电池结构与其它高效电池结构具有很好的兼容性。

2、ibc电池由于具备以下优点而逐渐受到青睐：（1）正面无遮光，短路电流isc提升明显；（2）正面无金属接触复合，有利于提升开路电压voc；（3）与其它高效工艺具有很好的兼容性；（4）组件可以实现二维封装，降低片间距，有利于提升组件单位面积的发电功率，且外观优美；（5）可以实现薄片化，降低硅片成本。但是传统的ibc电池具有20步以上的工艺步骤，工艺复杂，成本高昂，不利于商业化生产。

3、因此简化ibc电池的工艺流程，降低商业化生产成本，对于本技术领域的研发人员来说具有非常重要的意义。

技术实现思路

1、解决上述技术问题，本实用新型提出了一种p型ibc电池结构以及工艺制备方法，将传统ibc电池复杂的工艺步骤降低到12步，生产成本降低非常明显，有利于ibc电池的商业化推广。

2、本实用新型为一种p型ibc电池结构，包括依次设置的正面减反射和钝化膜叠层、p型单晶硅基底、背面n型扩散层、背面减反射和钝化膜叠层以及设置于背面减反射和钝化膜叠层之上的正负金属电极；

3、所述p型单晶硅基底的背面设有抛光面，在所述抛光面为背面n型扩散层。

4、进一步的，所述p型单晶硅基底包括正面和背面，所述正面构造为金字塔绒面结构；所述背面构造呈金字塔绒面和抛光面间隔排列。

5、进一步的，所述正面减反射和钝化膜叠层为氧化铝、氮化硅、氮氧化硅中的一种或多种的组合。

6、进一步的，所述背面n型扩散层包括氧化硅层以及掺杂p元素的多晶硅层，且叠层贴合设置于单晶硅基底背面抛光区域。

7、更进一步的，所述背面减反射和钝化膜叠层为氧化铝、氮化硅、氮氧化硅中的一种或多种的组合。

8、进一步的，所述背面金属电极包括正电极al栅线以及负电极ag栅线，所述正电极al栅线置于背面绒面区域，所述负电极ag栅线置于背面抛光区域。

9、与传统ibc电池相比，本实用新型提出的p型ibc电池结构，具备如下有益效果：

10、1、与topcon高效工艺叠加，效率较高；

11、2、利用p型单晶硅衬底作为p区，正背面均无需b掺杂，且无需掩膜和光刻，工艺步骤简单；

12、3、p区正电极采用al浆，ag浆使用量降低50%，且采用p型单晶硅作为基底，明显降低了生产成本。

技术特征：

1.一种p型ibc电池结构，其特征在于，包括依次设置的正面减反射和钝化膜叠层、p型单晶硅基底、背面n型扩散层、背面减反射和钝化膜叠层以及设置于背面减反射和钝化膜叠层之上的正负金属电极；

2.根据权利要求1所述的一种p型ibc电池结构，其特征在于，所述p型单晶硅基底包括正面和背面，所述正面的构造为金字塔绒面结构；所述背面的构造呈金字塔绒面和抛光面间隔排列。

3.根据权利要求1所述的一种p型ibc电池结构，其特征在于，所述背面n型扩散层包括氧化硅层以及掺杂p元素的多晶硅层，且叠层贴合设置于单晶硅基底背面抛光区域。

4.根据权利要求1所述的一种p型ibc电池结构，其特征在于，所述背面金属电极包括正电极al栅线以及负电极ag栅线，所述正电极al栅线置于背面绒面区域，所述负电极ag栅线置于背面抛光区域。

技术总结
本技术公开一种P型IBC电池结构，电池结构包括依次设置的正面减反射和钝化膜叠层、P型单晶硅基底、背面N型扩散层、背面减反射和钝化膜叠层以及设置于背面减反射和钝化膜叠层之上的正负金属电极；所述P型单晶硅基底的背面设有抛光面，在所述抛光面为背面N型扩散层。本技术提出的P型IBC电池结构，与Topcon高效工艺叠加，效率较高；利用P型单晶硅衬底作为P区，正背面均无需B掺杂，且无需掩膜和光刻，工艺步骤简单，将传统IBC电池复杂的工艺步骤降低到12步，生产成本降低非常明显，有利于IBC电池的商业化推广。

技术研发人员：廖光明,王伟,吴仕梁,张凤鸣
受保护的技术使用者：江苏日托光伏科技股份有限公司
技术研发日：20210325
技术公布日：2024/1/11