技术特征：
1.一种高性能sgt mosfet器件，包括mosfet器件体，其特征在于：所述mosfet器件体虚拟分割成cell区域(1)和ring区域(2)，所述mosfet器件体的底部设有n
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衬底层(3)，所述n
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衬底层(3)的上部设有epi1层(4)，所述epi1层(4)的上部设有epi2层(5)，所述epi2层(5)的顶部注入形成p型杂质b+层(6)，所述p型杂质b+层(6)的顶部设有介质淀积层(7)，所述介质淀积层(7)的顶部设有金属层(8)，所述cell区域(1)和所述ring区域(2)分别开设有沟槽(9)，所述沟槽(9)的底部穿透所述epi1层(4)处于所述epi2层(5)的内部，所述沟槽(9)的内壁设有淀积氧化层(10)，所述cell区域(1)内的所述沟槽(9)的内部设有第一多晶硅(11)和第四多晶硅(14)，所述ring区域(2)内的所述沟槽(9)内分别设有第二多晶硅(12)和第三多晶硅(13)。2.根据权利要求1所述的一种高性能sgt mosfet器件，其特征在于：所述n
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衬底层(3)采用的是红磷衬底，所述epi1层(4)和所述epi2层(5)的电阻率分别是0.2-0.4ohm.cm和0.1-0.2ohm.cm，所述epi1层(4)和所述epi2层(5)的厚度均是2-4um。3.根据权利要求1所述的一种高性能sgt mosfet器件，其特征在于：所述淀积氧化层采用的是热生长薄氧化层500a和cvd淀积氧化层2000a-2500a，所述淀积氧化层上再进行hdp淀积氧化层，且隔离氧化层厚度为2500-3000a。4.根据权利要求1所述的一种高性能sgt mosfet器件，其特征在于：所述p型杂质b+层(6)在所述epi2层(5)的顶部浇注推进形成p阱区，所述p阱区的结深为0.7um。5.根据权利要求1所述的一种高性能sgt mosfet器件，其特征在于：所述p型杂质b+层(6)的顶部一端设有n
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光刻槽，所述n
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光刻槽内注入有n
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层(15)。6.根据权利要求1所述的一种高性能sgt mosfet器件，其特征在于：所述金属层(8)包覆在所述介质淀积层(7)上，所述金属层(8)的一端镶嵌在所述介质淀积层(7)和所述p型杂质b+层(6)的端部。7.根据权利要求1所述的一种高性能sgt mosfet器件，其特征在于：所述第一多晶硅(11)用于引出源极，所述第四多晶硅(14)用于引出栅极，所述金属层(8)背面金属化引出漏极。
技术总结
本实用新型公开了一种高性能SGT MOSFET器件，其技术方案要点是：包括MOSFET器件体，所述MOSFET器件体虚拟分割成Cell区域和Ring区域，所述MOSFET器件体的底部设有N
技术研发人员：刘锋 殷允超 费国芬
受保护的技术使用者：捷捷微电（无锡）科技有限公司
技术研发日：2021.09.29
技术公布日：2022/5/25