技术特征：
1.一种系统，其包括：电子束源，其产生电子束；射束限制孔隙，其安置于所述电子束的路径中；下韦内电极，其安置于所述电子束的所述路径中；上韦内电极，其在所述电子束的所述路径中安置于所述下韦内电极与所述射束限制孔隙之间；环形检测器，其安置于所述上韦内电极的面向所述下韦内电极的表面上；磁性聚光透镜，其在所述电子束的所述路径中安置于所述上韦内电极与所述射束限制孔隙之间，其中所述磁性聚光透镜包含极片及聚光透镜线圈；偏转器，其在所述电子束的所述路径中安置于所述上韦内电极与所述聚光透镜之间；磁性物镜线圈，其在所述电子束的所述路径中安置于所述偏转器与所述上韦内电极之间；及接地管，其安置于所述电子束的所述路径中，其中所述磁性物镜线圈安置于所述接地管周围。2.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括在所述电子束的所述路径中安置于所述聚光透镜与所述射束限制孔隙之间的孔隙。3.根据权利要求1所述的系统，其中所述电子束源包含具有小于1μm的半径的尖端。4.根据权利要求1所述的系统，其中所述偏转器是磁性偏转器或维恩滤波器。5.根据权利要求4所述的系统，其中所述偏转器是所述磁性偏转器，且所述系统进一步包括上磁性偏转器及中间磁性偏转器，所述上磁性偏转器在所述电子束的所述路径中安置于所述偏转器与所述磁性聚光透镜之间，且所述中间磁性偏转器在所述电子束的所述路径中安置于所述上磁性偏转器与所述磁性偏转器之间。6.根据权利要求5所述的系统，其中所述上磁性偏转器经配置以将所述电子束偏转到所述中间磁性偏转器，其中所述中间磁性偏转器经配置以在与所述上磁性偏转器的方向相反的方向上偏转所述电子束朝向所述磁性偏转器，且其中所述磁性偏转器经配置以偏转所述电子束且沿着所述路径将所述电子束准直到所述接地管中。7.根据权利要求5所述的系统，其中所述磁性偏转器、所述上磁性偏转器及所述中间磁性偏转器中的每一者具有旋转对称的八个磁极片。8.根据权利要求5所述的系统，其进一步包括安置于所述中间磁性偏转器与所述磁性偏转器之间的侧向检测器，其中所述侧向检测器经配置以收集至少二次电子。9.根据权利要求8所述的系统，其进一步包括安置于所述中间磁性偏转器与所述磁性偏转器之间的电子束弯曲器，其中所述电子束弯曲器经配置以在所述侧向检测器处的所述二次电子与反向散射电子之间进行过滤。10.一种方法，其包括：使用电子束源产生电子束；引导所述电子束穿过射束限制孔隙；引导所述电子束穿过沿着所述电子束的路径安置于所述射束限制孔隙下游的磁性聚光透镜；引导所述电子束穿过沿着所述电子束的路径安置于所述磁性聚光透镜下游的偏转器；
引导所述电子束穿过物镜，其中所述物镜包含接地管、上韦内电极及下韦内电极；从所述下韦内电极引导所述电子束到晶片的表面处；及在安置于所述上韦内电极的表面上的环形检测器处接收来自所述晶片的反向散射电子，其中所述上韦内电极的所述表面面向所述下韦内电极。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述电子束的射束电压是从50kv到100kv且具有从50kev到100kev的着陆能量。12.根据权利要求10所述的方法，其中所述磁性聚光透镜经配置以形成所述电子束以具有小焦深模式及大焦深模式，其中数值孔径针对所述大焦深模式比针对所述小焦深模式更小。13.根据权利要求10所述的方法，其中所述晶片包含三维半导体结构。14.根据权利要求10所述的方法，其中所述电子束的焦深是高达20μm。15.根据权利要求10所述的方法，其中所述电子束源包含具有小于1μm的半径的尖端。16.根据权利要求10所述的方法，其中所述偏转器是磁性偏转器或维恩滤波器。17.根据权利要求16所述的方法，其中所述偏转器是所述磁性偏转器，且所述方法进一步引导所述电子束穿过沿着所述电子束的所述路径安置于所述偏转器与所述磁性聚光透镜之间的上磁性偏转器及中间磁性偏转器。18.根据权利要求17所述的方法，其中所述上磁性偏转器经配置以将所述电子束偏转到所述中间磁性偏转器，其中所述中间磁性偏转器经配置以在与所述上磁性偏转器的方向相反的方向上偏转所述电子束朝向所述磁性偏转器，且其中所述磁性偏转器经配置以偏转所述电子束且沿着所述路径将所述电子束准直到所述接地管中。19.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括在安置于所述中间磁性偏转器与所述磁性偏转器之间的侧向检测器处接收二次电子。20.根据权利要求19所述的方法，其进一步包括在所述中间磁性偏转器与所述磁性偏转器之间弯曲从所述晶片返回的电子，借此在所述侧向检测器处的所述二次电子与反向散射电子之间进行过滤。
技术总结
一种用于3D装置的晶片检验及检视的电子束系统提供高达20微米的焦深。为了检验且检视具有在数百到数千电子伏特的低着陆能量的晶片表面或次微米以下表面缺陷，可搭配能量增强上韦内电极使用具有三个磁性偏转器的无维恩滤波器的射束分离光学器件以减小物镜的球差及色差系数。及色差系数。及色差系数。
技术研发人员：姜辛容 C
受保护的技术使用者：科磊股份有限公司
技术研发日：2021.04.13
技术公布日：2022/11/25