显示装置的制作方法

文档序号:33079627发布日期:2023-01-31 17:29阅读:34来源:国知局
显示装置的制作方法

1.本公开涉及一种显示装置。


背景技术:

2.随着多媒体的发展,显示装置已经越来越重要,并且已经使用诸如有机发光二极管(oled)显示装置或液晶显示(lcd)装置等的各种类型的显示装置。
3.通常,作为用于显示图像的装置的显示装置包括诸如oled显示面板或lcd面板的显示面板。显示面板可以包括诸如发光二极管(led)的发光元件,并且led可以被分类为使用有机材料作为荧光材料的oled和使用无机材料作为荧光材料的无机led(iled)。


技术实现要素:

4.技术问题
5.本公开的实施例提供了一种包括新的电极结构的无机发光元件显示装置。
6.此外,本公开的实施例提供了一种能够防止布线之间的短路并且减少每个像素中的发射面积损失或使每个像素中的发射面积损失最小化的显示装置。
7.应当注意的是,本公开的方面不限于上述方面,并且本领域技术人员将通过以下描述清楚地理解本公开的其他未提及的方面。
8.技术方案
9.根据本公开的实施例,显示装置包括:导电层,包括在第一方向上延伸的第一电压线和第二电压线;层间绝缘层,在导电层上并且包括暴露导电层的部分的多个接触孔;多个第一类型电极,在层间绝缘层上并且通过多个接触孔电连接到导电层,多个第一类型电极在第一方向上延伸;多个第二类型电极,在层间绝缘层上并且在第一方向上延伸,多个第二类型电极在第一方向上或在第二方向上与多个第一类型电极间隔开;多个发光元件,在第一类型电极和第二类型电极中的在第二方向上彼此间隔开的成对的电极上;第一类型接触电极,在第一类型电极上并与发光元件接触;以及第二类型接触电极,在第二类型电极上并且与发光元件接触,其中,第二类型接触电极中的每个包括在第二类型电极上的多个接触电极延伸部以及使接触电极延伸部连接的接触电极连接器,并且其中,接触电极连接器在沿第一方向彼此间隔开的第一类型电极与第二类型电极之间。
10.第一类型电极和第二类型电极可以包括在第一方向上延伸的电极延伸部以及从电极延伸部的在第一方向上的两侧弯曲的电极弯曲部分,第一类型接触电极可以在第一类型电极的电极延伸部上,并且第二类型接触电极中的每个的接触电极延伸部可以在第二类型电极的电极延伸部上。
11.第一类型电极的电极延伸部与第二类型电极的电极延伸部之间的距离可以比第一类型电极的电极弯曲部分与第二类型电极的电极弯曲部分之间的最大距离小。
12.第二类型电极可以不与导电层接触。
13.第一类型电极可以包括电连接到第一电压线的第一电极和电连接到第二电压线
的第二电极,发光元件可以包括电连接到第一电极的第一发光元件和电连接到第二电极的第二发光元件,并且第一类型接触电极可以包括与第一电极并且与第一发光元件接触的第一接触电极以及与第二电极并且与第二发光元件接触的第二接触电极。
14.第二类型电极可以包括第三电极和第四电极,第三电极在第二方向上与第一电极间隔开并且在第一方向上与第二电极间隔开,第四电极在第一方向上与第一电极间隔开并且在第二方向上与第二电极间隔开,第一发光元件在第一电极和第三电极上,第二发光元件在第二电极和第四电极上,并且第二类型接触电极可以包括第三接触电极,第三接触电极包括在第三电极和第四电极上的接触电极延伸部以及在第一电极与第四电极之间的接触电极连接器。
15.第一电极和第二电极可以在第二方向上彼此间隔开,并且第二类型电极可以包括第三电极、第四电极、第五电极、第六电极、第七电极和第八电极,第三电极在第一电极与第二电极之间,第四电极在第一方向上与第一电极间隔开,第五电极在第一方向上与第三电极间隔开,第六电极在第二方向上与第五电极间隔开,第七电极在第五电极与第六电极之间并且在第一方向上与第二电极间隔开,第八电极在第一方向上与第六电极间隔开并且在第二方向上与第二电极间隔开。
16.第一发光元件可以在第一电极和第三电极上,第二发光元件可以在第二电极和第八电极上,并且发光元件还可以包括在第四电极和第五电极上的第三发光元件以及在第六电极和第七电极上的第四发光元件。
17.第二类型接触电极还可以包括:第三接触电极,包括在第三电极和第四电极上的接触电极延伸部以及在第一电极与第四电极之间的接触电极连接器,第四接触电极,包括在第五电极和第六电极上的接触电极延伸部以及在第七电极的在第一方向上的第一侧的接触电极连接器,以及第五接触电极,包括在第七电极和第八电极上的接触电极延伸部以及在第七电极的在第一方向上的第二侧的接触电极连接器。
18.导电层还可以包括第一导电图案,显示装置还可以包括第一晶体管,第一晶体管定位在导电层下方并且包括连接到第一电压线的第一端部和连接到第一导电图案的第二端部,第一电极可以通过第一接触孔与第一导电图案接触,并且第二电极可以通过第二接触孔与第二电压线接触。
19.第一电压线和第二电压线可以包括从第一电压线和第二电压线突出的布线触点,显示装置还可以包括第一电极图案和第二电极图案,第一电极图案通过穿透层间绝缘层的第三接触孔与第一电压线的布线触点接触,第二电极图案通过穿透层间绝缘层的第四接触孔与第二电压线的布线触点接触。
20.显示装置还可以包括:电极分离件,在第一方向上与第二类型电极间隔开并且在电极分离件中没有设置发光元件。
21.根据本公开的实施例,显示装置包括:第一电极和第二电极,在第一方向上延伸;第三电极,在第二方向上同第一电极间隔开;第四电极,在第二方向上与第二电极间隔开并且在第一方向上与第一电极间隔开;多个发光元件,在在第二方向上彼此间隔开的成对的电极上;第一接触电极,在第一电极上与发光元件接触;第二接触电极,在第二电极上与发光元件接触;以及第三接触电极,在第三电极和第四电极上与发光元件接触,其中,第三接触电极包括第一接触电极延伸部、第二接触电极延伸部和第一接触电极连接器,第一接触
电极延伸部定位在第三电极上,第二接触电极延伸部定位在第四电极上,第一接触电极连接器连接到第一接触电极延伸部和第二接触电极延伸部并且定位在第一电极与第四电极之间。
22.第三电极可以在第一方向上与第二电极间隔开,并且第一接触电极连接器可以定位在第二电极与第三电极之间。
23.发光元件可以包括第一发光元件和第二发光元件,第一发光元件包括在第一电极上的第一端部和在第三电极上的第二端部,第二发光元件包括在第四电极上的第一端部和在第二电极上的第二端部。
24.第一接触电极可以与第一发光元件的第一端部接触,第二接触电极可以与第二发光元件的第二端部接触,第一接触电极延伸部可以与第一发光元件的第二端部接触,并且第二接触电极延伸部可以与第二发光元件的第一端部接触。
25.电极可以包括在第一方向上延伸的电极延伸部和从在第一方向上的电极延伸部弯曲的电极弯曲部分,并且发光元件可以在电极的电极延伸部上。
26.第一电极的电极弯曲部分可以在第二方向上与第三电极的电极弯曲部分间隔开并且在第一方向上与第四电极的电极弯曲部分间隔开,并且第一电极的电极延伸部与第三电极的电极延伸部之间的距离可以比第一电极的电极弯曲部分与第三电极的电极弯曲部分之间的最大距离小。
27.显示装置还可以包括:多个第一堤,在第一方向和第二方向上彼此间隔开,其中,第一电极、第二电极、第三电极和第四电极可以在多个第一堤之中的不同的第一堤上。
28.第一堤可以不定位在第一电极与第四电极之间。
29.显示装置还可以包括:第二堤,围绕其中定位有发光元件的区域并且所述第二堤在第一方向和第二方向上延伸。
30.第二电极可以在第二方向上与第三电极间隔开,显示装置还可以包括第五电极、第六电极、第七电极和第八电极,第五电极在第二方向上与第四电极间隔开并且在第一方向上与第三电极间隔开,第六电极在第二方向上与第五电极间隔开,第七电极定位在第五电极与第六电极之间并且在第一方向上与第二电极间隔开,第八电极在第一方向上与第六电极间隔开并且在第二方向上与第二电极间隔开,并且发光元件可以包括第一发光元件、第二发光元件、第三发光元件和第四发光元件,第一发光元件在第一电极和第三电极上,第二发光元件在第二电极和第八电极上,第三发光元件在第四电极和第五电极上,第四发光元件在第六电极和第七电极上。
31.显示装置还可以包括:第四接触电极,包括第三接触电极延伸部、第四接触电极延伸部和第二接触电极连接器,第三接触电极延伸部在第五电极上,第四接触电极延伸部在第六电极上,第二接触电极连接器连接到第三接触电极延伸部和第四接触电极延伸部;以及第五接触电极,包括第五接触电极延伸部、第六接触电极延伸部和第三接触电极连接器,第五接触电极延伸部在第七电极上,第六接触电极延伸部在第八电极上,第三接触电极连接器连接到第五接触电极延伸部和第六接触电极延伸部,其中,第二接触电极连接器在第七电极的在第一方向上的第一侧处,并且第三接触电极连接器在第七电极的在第一方向上的第二侧处。
32.其他实施例的细节包括在详细描述和附图中。
33.有益效果
34.本公开的实施例,可以改善显示装置的每单位面积亮度,并且即使发光元件中的一些断开,也可以防止任何发射缺陷。
35.根据实施例的效果不受以上例示的内容的限制,并且更多的各种效果包括在本公开中。
附图说明
36.图1是根据本公开的实施例的显示装置的示意性平面图。
37.图2是图1的显示装置的像素的平面图。
38.图3是图2的第一子像素的平面图。
39.图4是示出图2的第一子像素中的电极和第二导电层的示意性布置的平面图。
40.图5是沿着图3的线q1-q1'截取的剖视图。
41.图6是沿着图3的线q2-q2'截取的剖视图。
42.图7是沿着图3的线q3-q3'截取的剖视图。
43.图8是根据本公开的实施例的发光元件的透视图。
44.图9至图14是示出制造根据本公开的一个或更多个示例实施例的显示装置的方法的工艺的平面图。
45.图15是根据本公开的另一示例实施例的显示装置的子像素的平面图。
46.图16是示出图15的显示装置的制造工艺的平面图。
47.图17是根据本公开的另一示例实施例的显示装置的像素的平面图。
48.图18是图17的第一子像素的平面图。
49.图19是示出图17的第一子像素中的电极和第二导电层的示意性布置的平面图。
50.图20是沿着图18的线n1-n1'、线n2-n2'和线n3-n3'截取的剖视图。
51.图21是沿着图18的线n4-n4'和线n5-n5'截取的剖视图。
52.图22是沿着图18的线n6-n6'和线n7-n7'截取的剖视图。
53.图23和图24是示出图17的显示装置的制造工艺的平面图。
54.图25是根据本公开的另一示例实施例的显示装置的像素的平面图。
55.图26是图25的第一子像素的平面图。
56.图27是示出图25的第一子像素中的第二导电层的示意性布置的平面图。
57.图28是示出图25的第一子像素中的电极和第二导电层的示意性布置的平面图。
58.图29是沿着图26的线d1-d1'和线d2-d2'截取的剖视图。
59.图30至图32是示出图25的显示装置的制造工艺的平面图。
具体实施方式
60.现在将在下文中参照其中示出了公开的优选实施例的附图更充分地描述本公开。然而,本公开可以以不同的形式实施,并且不应被解释为限于在这里阐述的实施例。相反,提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的,并且将向本领域的技术人员充分传达公开的范围。
61.还将理解的是,当层被称为“在”另一层或基底“上”时,该层可以直接在所述另一
层或基底上,或者也可以存在居间层。贯穿说明书,相同的附图标号指示相同的组件。
62.将理解的是,尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件,但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如,在不脱离本公开的教导的情况下,下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地,第二元件也可以被称为第一元件。
63.在下文中,将参照附图描述本公开的实施例。
64.图1是根据本公开的实施例的显示装置的示意性平面图。
65.参照图1,显示装置10显示移动或静止图像。显示装置10可以指提供显示画面的几乎所有类型的电子装置。显示装置10的示例可以包括电视(tv)、笔记本计算机、监视器、广告牌、物联网(iot)装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(pc)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子记事本、电子书、便携式多媒体播放器(pmp)、导航装置、游戏控制台、数字相机或摄像机等。
66.显示装置10可以包括提供显示画面的显示面板。显示面板的示例包括无机发光二极管(iled)显示面板、有机led(oled)显示面板、量子点发光二极管(qled)显示面板、等离子体显示面板(pdp)和场发射显示(fed)面板。显示装置10的显示面板在下文中将被描述为iled显示面板,但是本公开不限于此。
67.显示装置10的形状可以改变。例如,显示装置10可以具有在水平方向上比在竖直方向上延伸得长的矩形形状、在竖直方向上比在水平方向上延伸得长的矩形形状、正方形形状、具有圆形的角(倒角)的矩形形状、其他多边形形状或圆形形状。显示装置10的显示区域dpa可以具有与显示装置10类似的形状。图1示出了显示装置10和显示区域dpa具有在水平方向上比在竖直方向上延伸得长的矩形形状。
68.显示装置10可以包括显示区域dpa和非显示区域nda。显示区域dpa是其中显示有画面的区域,非显示区域nda是其中不显示画面的区域。显示区域dpa也可以称为有效区域,非显示区域nda也可以称为无效区域。显示区域dpa可以大体占据显示装置10的中间部分。
69.显示区域dpa可以包括多个像素px。像素px可以沿着行方向和列方向布置。像素px在平面图中可以具有矩形形状或正方形形状,但是本公开不限于此。在一些实施例中,像素px可以具有相对于第一方向或第二方向倾斜的菱形形状。像素px可以以条带方式或pentile
tm
方式交替地布置。像素px中的每个可以包括发射一定波长范围的光的一个或更多个发光元件ed以发射某一颜色的光。
70.非显示区域nda可以设置在显示区域dpa的外围上。非显示区域nda可以沿着显示区域dpa的外围围绕整个显示区域dpa或显示区域dpa的一部分。显示区域dpa可以具有矩形形状,非显示区域nda可以被设置为与显示区域dpa的四条边相邻。非显示区域nda可以形成显示装置10的边框。包括在显示装置10中的导线或电路驱动器可以设置在非显示区域nda中,或者外部装置可以安装在非显示区域nda中。
71.图2是图1的显示装置的像素的平面图。
72.参照图2,像素px可以包括多个子像素pxn(其中n是1至3范围内的整数)。例如,像素px可以包括第一子像素px1、第二子像素px2和第三子像素px3。第一子像素px1可以发射第一颜色的光,第二子像素px2可以发射第二颜色的光,第三子像素px3可以发射第三颜色的光。第一颜色、第二颜色和第三颜色可以分别是蓝色、绿色和红色,但是本公开不限于此。
在一些实施例中,子像素pxn可以发射相同颜色的光。图2示出了像素px包括三个子像素pxn,但是本公开不限于此。在一些实施例中,像素px可以包括多于三个的子像素pxn。
73.子像素pxn中的每个可以包括发射区域ema和非发射区域(未示出)。发射区域ema可以是其中设置有一个或更多个发光元件ed以发射特定波长范围的光的区域,非发射区域可以是从发光元件ed发射的光不能到达且因此没有光从其发射的区域。发射区域ema可以包括其中设置有发光元件ed的区域和输出从发光元件ed发射的光的区域。
74.然而,本公开不限于此。发射区域ema还可以包括其中从发光元件ed发射的光被另一元件反射或折射的区域。多个发光元件ed可以设置在子像素pxn中,并且可以形成多个发射区域ema,多个发射区域ema包括其中设置有多个发光元件ed的区域和与设置有多个发光元件ed的区域相邻的区域。
75.子像素pxn中的每个可以包括设置在非发射区域中的切割区域cba。切割区域cba可以设置在发射区域ema的在第二方向dr2上的一侧处。切割区域cba可以设置在沿着第二方向dr2一对相邻的子像素pxn的两个相邻的发射区域ema之间。例如,在显示装置10的显示区域dpa中,可以布置多个发射区域ema和多个切割区域cba。例如,多个发射区域ema或多个切割区域cba可以沿着第一方向dr1一个接一个地布置,多个发射区域ema或多个切割区域cba可以沿着第二方向dr2交替地布置。第二堤bnl2可以设置在多个切割区域cba与多个发射区域ema之间,多个切割区域cba与多个发射区域ema之间的距离可以根据第二堤bnl2的宽度而改变。没有发光元件ed设置在子像素pxn中的每个的切割区域cba中,使得没有光从子像素pxn中的每个的切割区域cba发射,但是电极rme的部分可以彼此分开地设置在子像素pxn中的每个的切割区域cba中。电极rme可以被设置为在子像素pxn中的每个的切割区域cba中彼此分开。然而,本公开限于此。可选地,电极rme可以被设置为在每个子像素pxn的切割区域cba中不分开。
76.图3是图2的第一子像素的平面图。图4是示出图2的第一子像素中的电极和第二导电层的示意性布置的平面图。图5是沿着图3的线q1-q1'截取的剖视图。图6是沿着图3的线q2-q2'截取的剖视图。图7是沿着图3的线q3-q3'截取的剖视图。具体地,图4示出了设置有电压线vl1和vl2和第一导电图案cdp的第二导电层以及第二导电层上的电极rme的布置。图5和图7分别示出了从第一发光元件ed1的一端部到另一端部和从第二发光元件ed2的一端部到另一端部截取的剖视图,图6示出了沿着第三接触电极cne3的连接部分截取的剖视图。
77.参照图2以及图3至图7,显示装置10可以包括第一基底sub、设置在第一基底sub上的半导体层、多个导电层和多个绝缘层。半导体层、导电层和绝缘层可以形成显示装置10的电路层和发光元件层。
78.在一个或更多个实施例中,第一基底sub可以是绝缘基底。第一基底sub可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料形成。此外,第一基底sub可以是刚性基底,但是可以是可弯曲、可折叠或可卷曲的柔性基底。
79.光阻挡层bml可以设置在第一基底sub上。光阻挡层bml被设置为与第一晶体管t1的有源层act1叠置。光阻挡层bml可以包括能够阻挡光的材料,并且因此可以防止光入射到第一晶体管t1的有源层act1上。例如,光阻挡层bml可以由能够阻挡光透射的不透明金属形成,但是本公开不限于此。在一些实施例中,可以不设置光阻挡层bml。
80.缓冲层bl可以设置在第一基底sub和光阻挡层bml的整个表面上。缓冲层bl可以形
成在第一基底sub上,以保护第一晶体管t1免受可能渗透易受湿气影响的第一基底sub的湿气的影响,并且可以执行表面平坦化功能。缓冲层bl可以包括交替地堆叠的多个无机层。例如,缓冲层bl可以形成为其中包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)中的至少一种的无机层交替地堆叠的多层膜。
81.半导体层设置在缓冲层bl上。半导体层可以包括第一晶体管t1的有源层act1。半导体层可以被设置为与第一栅极导电层中的栅电极g1部分地叠置。
82.图7仅示出了第一子像素px1的第一晶体管t1,但是包括在第一子像素px1中的晶体管的数量没有特别限制。第一子像素px1可以包括多于一个的晶体管。例如,第一子像素px1可以包括包含第一晶体管t1的多于一个的晶体管(例如,两个或三个晶体管)。
83.半导体层可以包括多晶硅、单晶硅或氧化物半导体。在半导体层包括氧化物半导体的情况下,有源层act1可以包括多个导电区和导电区之间的沟道区。氧化物半导体可以是包括铟(in)的氧化物半导体。例如,氧化物半导体可以为氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化铟镓(igo)、氧化铟锌锡(izto)、氧化铟镓锡(igto)、氧化铟镓锌(igzo)或氧化铟镓锌锡(igzto),但是本发明不限于此。
84.在一些实施例中,半导体层可以包括通过使非晶硅结晶而形成的多晶。在这种情况下,有源层act1的导电区可以是掺杂有杂质的区域。
85.第一栅极绝缘层gi设置在半导体层和缓冲层bl上。第一栅极绝缘层gi可以用作第一晶体管t1至第三晶体管t3中的每个的栅极绝缘膜。第一栅极绝缘层gi可以形成为包括无机材料(诸如以氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)为例)的无机层或者形成为氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和/或氮氧化硅(sio
x
ny)的堆叠件。
86.第一导电层设置在第一栅极绝缘层gi上。第一导电层可以包括第一晶体管t1的栅电极g1和存储电容器的第一电容器电极cse1。栅电极g1可以被设置为在厚度方向上与有源层act1的沟道区叠置。第一电容器电极cse1可以被设置为在厚度方向上与第二电容器电极cse2叠置。第一电容器电极cse1可以连接到栅电极g1并与栅电极g1一体地形成。第一电容器电极cse1可以被设置为在厚度方向上与第二电容器电极cse2叠置,使得存储电容器可以形成在第一电容器电极cse1与第二电容器电极cse2之间。
87.第一导电层可以形成为包括钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)、铜(cu)或其合金的单层膜或多层膜,但是本公开不限于此。
88.第一层间绝缘层il1设置在第一导电层上。第一层间绝缘层il1可以执行第一导电层与设置在其上的其他层之间的绝缘膜的功能。第一层间绝缘层il1可以被设置为覆盖第一导电层并保护第一导电层。第一层间绝缘层il1可以形成为包括无机材料(诸如以氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)为例)的无机层,或者形成为氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和/或氮氧化硅(sio
x
ny)的堆叠件。
89.第二导电层设置在第一层间绝缘层il1上。第二导电层可以包括第一晶体管t1的第一源电极s1和第一漏电极d1以及存储电容器的第二电容器电极cse2。
90.第一晶体管t1的第一源电极s1和第一漏电极d1可以经由穿透第一层间绝缘层il1和第一栅极绝缘层gi的接触孔与有源层act1的导电区接触。第一晶体管t1的第一源电极s1可以经由另一接触孔与光阻挡层bml接触。
91.第二电容器电极cse2可以被设置为在厚度方向上与第一电容器电极cse1叠置。例
如,第二电容器电极cse2可以与第一源电极s1一体地形成并且连接到第一源电极s1。
92.尽管未具体示出,但是第二导电层还可以包括向其他晶体管施加数据信号的数据线。数据线可以连接到其他晶体管的源/漏电极,并且因此可以向其他晶体管的源/漏电极传输施加到数据线的信号。
93.第二导电层可以形成为包括mo、al、cr、au、ti、ni、nd、cu或其合金的单层膜或多层膜,但是本公开不限于此。
94.第二层间绝缘层il2设置在第二导电层上。第二层间绝缘层il2可以用作第二导电层与设置在第二导电层上的层之间的绝缘膜。此外,第二层间绝缘层il2可以覆盖第二导电层以保护第二导电层。第二层间绝缘层il2可以形成为包括无机材料(诸如以氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)为例)的无机层,或者形成为氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和/或氮氧化硅(sio
x
ny)的堆叠件。
95.第三导电层设置在第二层间绝缘层il2上。第三导电层可以包括第一电压线vl1、第二电压线vl2和第一导电图案cdp。提供到第一晶体管t1的高电位电压(或第一电源电压)可以施加到第一电压线vl1,提供到第二电极rme2的低电位电压(或第二电源电压)可以施加到第二电压线vl2。
96.第三导电层的第一电压线vl1和第二电压线vl2可以被设置为在第二方向dr2上延伸。第一电压线vl1可以包括在第二方向dr2上延伸然后在第一方向dr1与第二方向dr2之间的方向上弯曲的部分。相反,第二电压线vl2可以在第二方向dr2上延伸而不弯曲。第一电压线vl1和第二电压线vl2可以被设置为在厚度方向上与多个电极rme1、rme2、rme3和rme4叠置。第一电压线vl1的在第二方向dr2上延伸然后在第一方向dr1与第二方向dr2之间的方向上弯曲的部分可以设置在发射区域ema内。第二电压线vl2可以被设置为延伸横跨发射区域ema。
97.第一导电图案cdp可以通过形成在第二层间绝缘层il2中的接触孔连接到第二电容器电极cse2。第二电容器电极cse2可以与第一源电极s1一体地形成,第一导电图案cdp可以电连接到第一源电极s1。第一导电图案cdp可以与第一电极rme1接触,第一晶体管t1可以经由第一导电图案cdp向第一电极rme1传输从第一电压线vl1施加到第一晶体管t1的第一电源电压。第三导电层被示出为包括一条第一电压线vl1和一条第二电压线vl2,但是本公开不限于此。第三导电层可以包括多于一条的第一电压线vl1和多于一条的第二电压线vl2。
98.第三导电层可以形成为包括mo、al、cr、au、ti、ni、nd、cu或其合金的单层膜或多层膜,但是本公开不限于此。
99.第三层间绝缘层il3设置在第三导电层上。第三层间绝缘层il3可以包括诸如pi的有机绝缘材料,并且可以执行表面平坦化功能。
100.多个第一堤bnl1、多个电极rme、发光元件ed、多个接触电极cne1、cne2和cne3以及第二堤bnl2设置在第三层间绝缘层il3上。多个绝缘层pas1、pas2和pas3可以设置在第三层间绝缘层il3上。
101.第一堤bnl1可以直接设置在第三层间绝缘层il3上。一个第一堤bnl1可以在第一方向dr1上延伸,并且可以设置在一对相邻的子像素pxn中并且横跨所述一对相邻的子像素pxn。一个第一堤bnl1也可以在第二方向dr2上延伸,并且可以在同一子像素pxn中与另一第
一堤bnl1间隔开。这样,第一堤bnl1可以延伸以在第一方向dr1和第二方向dr2上具有宽度,并且可以部分地设置在发射区域ema中并部分地设置于在第一方向dr1上一对相邻的子像素pxn之间。
102.多个第一堤bnl1可以设置在第一子像素px1中。例如,四个第一堤bnl1的部分可以设置在第一子像素px1的发射区域ema中。四个第一堤bnl1可以在第一方向dr1和第二方向dr2上彼此间隔开。发光元件ed可以设置在沿第一方向dr1彼此间隔开的成对的第一堤bnl1之间,但是不设置在沿第二方向dr2彼此间隔开的成对的第一堤bnl1之间。因为第一堤bnl1在发射区域ema中设置为在第二方向dr2上彼此间隔开,所以可以确保在其中执行(图9的)电极线rm_a和rm_b的切割的空间。图2至图4示出了四个第一堤bnl1设置在发射区域ema中以形成岛图案,但是本公开不限于此。设置在发射区域ema中的第一堤bnl1的数量可以根据电极rme的数量或发光元件ed的布置而改变。
103.第一堤bnl1可以至少部分地从第三层间绝缘层il3的顶表面突出。第一堤bnl1的突出的部分可以具有倾斜的侧表面,从发光元件ed发射的光可以被第一堤bnl1上的电极rme反射以从第三层间绝缘层il3在向上方向上发射。第一堤bnl1不仅可以提供其中布置有发光元件ed的区域,而且还可以用作能够将从发光元件ed发射的光从第三层间绝缘层il3在向上方向上反射的反射阻挡件。第一堤bnl1的侧面可以线型地倾斜,但是本公开不限于此。在一些实施例中,第一堤bnl1可以具有带有弯曲的外表面的半圆形形状或椭圆形形状。第一堤bnl1可以包括诸如pi的有机绝缘材料,但是本公开不限于此。
104.电极rme或多个电极rme1、rme2、rme3和rme4可以在一个方向上延伸,并且可以设置在第一子像素px1中。电极rme1、rme2、rme3和rme4可以在第二方向dr2上延伸,并且可以在第一子像素px1中设置为在第一方向dr1或第二方向dr2上彼此间隔开。
105.例如,电极rme可以包括第一电极rme1、在第一方向dr1上与第一电极rme1间隔开的第三电极rme3、在第二方向dr2上与第一电极rme1间隔开的第四电极rme4和在第一方向dr1上与第四电极rme4间隔开的第二电极rme2。多个发光元件ed可以设置在沿第一方向dr1彼此间隔开的成对的电极(rme1、rme2、rme3和rme4)上。
106.第一电极rme1和第三电极rme3可以设置在发射区域ema的在第二方向dr2上的一侧(即,设置在发射区域ema的上侧),第二电极rme2和第四电极rme4可以设置在发射区域ema的在第二方向dr2上的另一侧(即,设置在发射区域ema的下侧)。第一电极rme1和第四电极rme4可以设置在发射区域ema的在第一方向dr1上的一侧(即,在发射区域ema的左侧),第二电极rme2和第三电极rme3可以设置在发射区域ema的在第一方向dr1上的另一侧(即,在发射区域ema的右侧)。然而,本公开不限于此。电极rme1、rme2、rme3和rme4的位置可以根据设置在第一子像素px1中的电极rme1、rme2、rme3和rme4或者发光元件ed的数量而改变。
107.电极rme1、rme2、rme3和rme4可以设置在发射区域ema中,并且可以延伸超过发射区域ema以在厚度方向上与第二堤bnl2叠置。电极rme1、rme2、rme3和rme4可以在第一子像素px1中在第二方向dr2上延伸,但是可以在发射区域ema或切割区域cba中与在第二方向dr2上同第一子像素px1相邻的邻近子像素pxn的电极rme1、rme2、rme3和rme4间隔开。例如,第一电极rme1可以在发射区域ema中在第二方向dr2上与第四电极rme4间隔开,并且可以在切割区域cba中在第二方向dr2上与邻近子像素pxn的第四电极rme4间隔开。类似地,第二电极rme2可以在第二方向dr2上与第三电极rme3间隔开,并且与邻近子像素pxn的第三电极
rme3间隔开。
108.在布置发光元件ed之后,可以通过使在第二方向dr2上延伸的电极线分开来获得电极rme1、rme2、rme3和rme4。在显示装置10的制造期间,电极线可以用来在第一子像素px1中产生电场以使发光元件ed对准。发光元件ed经由喷墨印刷被喷射到电极线上,一旦包括发光元件ed的墨喷射到电极线上,就通过向电极线施加对准信号来产生电场。发光元件ed可以通过在电极线之间产生的电场放置在电极rme1、rme2、rme3和rme4上。分散在墨中的发光元件ed可以受到来自电场的电泳力,并且因此可以在电极rme1、rme2、rme3和rme4上对准。此后,可以通过断开电极线中的一些来形成电极rme1、rme2、rme3和rme4。另外,用于引起发光元件ed发射光的信号可以施加到电极rme1、rme2、rme3和rme4中的一些。
109.第一电极rme1、第二电极rme2、第三电极rme3和第四电极rme4可以设置在彼此间隔开的第一堤bnl1上。电极rme1、rme2、rme3和rme4中的每个可以设置在第一堤bnl1的在第一方向dr1上的一侧,以放置在第一堤bnl1的倾斜侧表面上。电极rme1、rme2、rme3和rme4在第一方向dr1上的宽度可以比第一堤bnl1在第一方向dr1上的宽度小,电极rme1、rme2、rme3和rme4在第二方向dr2上的长度可以比第一堤bnl1在第二方向dr2上的长度小。电极rme1、rme2、rme3和rme4中的每个可以被设置为覆盖第一堤bnl1中的每个的至少一个侧表面,以反射从发光元件ed发射的光。
110.电极rme1、rme2、rme3和rme4之间在第一方向dr1或第二方向dr2上的距离可以比第一堤bnl1之间的距离小。电极rme1、rme2、rme3和rme4的至少一部分可以直接设置在第三层间绝缘层il3上以放置在同一平面处。
111.电极rme1、rme2、rme3和rme4可以电连接到发光元件ed。此外,电极rme1、rme2、rme3和rme4中的一些可以连接到第二导电层,从而可以向其施加用于使发光元件ed发射光的信号。相反,电极rme1、rme2、rme3和rme4中的一些可以不连接到第二导电层,而可以仅连接到发光元件ed。显示装置10的电极rme可以包括电连接到第二导电层的第一类型电极rme#1和不电连接到第二导电层的第二类型电极rme#2。接触孔ct1和ct2可以形成在第三层间绝缘层il3中以穿过第三层间绝缘层il3暴露第二导电层的部分,第一类型电极rme#1可以通过接触孔ct1和ct2电连接到第二导电层。
112.例如,第一电极rme1和第二电极rme2可以是第一类型电极rme#1,第一电极rme1可以通过形成在与第一电极rme1和第二堤bnl2叠置的区域中的第一接触孔ct1与第一导电图案cdp接触。第二电极rme2可以通过形成在与第二电极rme2和第二堤bnl2叠置的区域中的第二接触孔ct2与第二电压线vl2接触。第一电极rme1可以经由第一导电图案cdp电连接到第一晶体管t1并且因此可以接收第一电源电压,第二电极rme2可以经由第二电压线vl2接收第二电源电压。第一电源电压和第二电源电压可以分别经由第一电极rme1和第二电极rme2传输到发光元件ed。因为第一类型电极rme#1在子像素pxn之间是分开的,所以一个子像素pxn中的发光元件ed可以与另一个子像素pxn中的发光元件ed分开地发射光。
113.第一接触孔ct1和第二接触孔ct2被示出为形成在与第二堤bnl2叠置的区域中,但是本公开不限于此。第一接触孔ct1和第二接触孔ct2的位置可以改变。例如,第一接触孔ct1和第二接触孔ct2可以位于被第二堤bnl2围绕的发射区域ema中,或者可以形成多于两个的接触孔。
114.第二类型电极rme#2可以被设置为不通过接触孔连接到第二导电层。第三电极
rme3和第四电极rme4可以是第二类型电极rme#2,并且可以不直接连接到第二导电层。如稍后将描述的,第二类型电极rme#2可以被放置成与第二类型接触电极cne#2接触并且电连接到第二类型接触电极cne#2。显示装置10包括经由第二导电层接收信号的第一类型电极rme#1以及不经由第二导电层接收信号的第二类型电极rme#2,并且发光元件ed中的一些可以串联连接。第二类型电极rme#2和第二类型接触电极cne#2可以形成用于发光元件ed串联电连接的路径。稍后将在描述接触电极(cne1和cne2以及cne3)时对此进行详细描述。
115.电极rme1、rme2、rme3和rme4可以包括具有反射率高的导电材料。例如,电极rme1、rme2、rme3和rme4可以包括具有高反射率的金属(诸如银(ag)、cu或al),或者可以包括al、ni或镧(la)的合金。电极rme1、rme2、rme3和rme4可以将从发光元件ed发射以朝向第一堤bnl1的侧面行进的光在从第一子像素px1向上的方向上反射。
116.然而,本公开不限于此,电极rme1、rme2、rme3和rme4还可以包括透明导电材料。例如,电极rme1、rme2、rme3和rme4可以包括诸如ito、izo或itzo的材料。在一些实施例中,电极rme1、rme2、rme3和rme4中的每个可以形成其中透明导电材料和具有高反射率的金属堆叠成多于一层的结构,或者可以形成为包括透明导电材料和具有高反射率的金属的单层。例如,电极rme1、rme2、rme3和rme4中的每个可以具有ito/ag/ito、ito、ito/ag/izo或ito/ag/itzo/izo的堆叠件。
117.第一绝缘层pas1设置在第三层间绝缘层il3上。第一绝缘层pas1可以被设置为覆盖第一堤bnl1和电极rme1、rme2、rme3和rme4。第一绝缘层pas1可以保护电极rme1、rme2、rme3和rme4,并且可以使电极rme1、rme2、rme3和rme4彼此绝缘。此外,第一绝缘层pas1可以防止发光元件ed与其他元件直接接触并被其他元件损坏。
118.第一绝缘层pas1可以包括部分地暴露电极rme1、rme2、rme3和rme4的开口op。例如,开口op可以暴露电极rme1、rme2、rme3和rme4的在第一堤bnl1的顶表面上的部分。接触电极cne1、cne2和cne3可以与相应电极rme1、rme2、rme3和rme4的被开口op暴露的部分接触。开口op可以不仅穿透第一绝缘层pas1,而且穿透第二绝缘层pas2或第三绝缘层pas3。
119.第一绝缘层pas1可以在电极rme1、rme2、rme3和rme4之间形成台阶,使得其顶部的一部分凹陷。例如,第一绝缘层pas1可以根据设置在其下方的电极rme1、rme2、rme3和rme4的形状在其顶部处具有高度差。
120.第二堤bnl2可以设置在第一绝缘层pas1上。在平面图中,第二堤bnl2可以包括在第一方向dr1上延伸的部分和在第二方向dr2上延伸的部分,并且因此可以在显示区域dpa的整个表面上以网格图案布置。第二堤bnl2可以沿着子像素pxn中的每个的边界设置,以限定子像素pxn中的每个。此外,第二堤bnl2可以被设置为围绕子像素pxn中的每个的发射区域ema和切割区域cba,以使子像素pxn中的每个的发射区域ema和切割区域cba分开。第一电极rme1、第二电极rme2、第三电极rme3和第四电极rme4可以在第二方向dr2上延伸横跨第二堤bnl2的在第一方向dr1上延伸的部分。
121.第二堤bnl2可以形成为具有比第一堤bnl1大的高度。第二堤bnl2可以防止墨在显示装置10的制造期间在喷墨印刷工艺期间在不同的子像素pxn之间溢出,并且可以使具有分散在其中的发光元件30的墨在不同的子像素pxn之间分开以防止墨的混合。因为第一堤bnl1中的每个设置在沿第一方向dr1一对相邻的子像素pxn中并横跨所述一对相邻的子像素pxn,所以第二堤bnl2的在第二方向dr2上延伸的部分可以设置在第一堤bnl1上。与第一
堤bnl1类似,第二堤bnl2可以包括聚酰亚胺(pi),但是本公开不限于此。
122.发光元件ed可以设置在第一绝缘层pas1上。多个发光元件ed可以被设置为在电极rme1、rme2、rme3和rme4延伸所沿的方向上(即,在第二方向dr2上)彼此间隔开,并且可以基本上彼此平行地对准。发光元件ed可以在一个方向上延伸,电极rme1、rme2、rme3和rme4延伸所沿的方向可以与发光元件ed延伸所沿的方向形成基本上直角。然而,本公开不限于此。在一些实施例中,发光元件ed可以相对于电极rme1、rme2、rme3和rme4延伸所沿的方向倾斜地布置。
123.发光元件ed中的每个可以包括被掺杂为具有不同导电类型的半导体层。发光元件ed中的每个可以包括多个半导体层,并且可以根据形成在电极rme1、rme2、rme3和rme4上的电场的方向而被对准为在其一端部处面对特定方向。发光元件ed中的每个还可以包括(图8的)发光层36,并且一个子像素pxn中的发光元件ed的发光层36可以包括与另一个子像素pxn中的发光元件ed的发光层36不同的材料,使得不同的子像素pxn可以发射不同波长范围的光。因此,第一子像素px1、第二子像素px2和第三子像素px3可以分别发射第一颜色、第二颜色和第三颜色的光,但是本公开不限于此。在一些实施例中,子像素pxn可以包括相同类型的发光元件ed,并且因此可以发射基本上相同颜色的光。
124.发光元件ed可以在第一堤bnl1之间设置在在第一方向dr1上彼此间隔开的成对的不同电极rme1、rme2、rme3和rme4上。发光元件ed可以被设置为使得其两个端部可以被放置在第一电极rme1和第三电极rme3上或者被放置在第二电极rme2和第四电极rme4上。发光元件ed的长度可以比第一电极rme1、第二电极rme2、第三电极rme3和第四电极rme4之中的两个相邻的电极之间在第一方向dr1上的距离大,发光元件ed中的每个的一端部可以放置在电极rme1、rme2、rme3和rme4中的一个上,并且发光元件ed中的每个的另一端部可以放置在电极rme1、rme2、rme3和rme4中的与其相邻的另一个上。
125.在发光元件ed中的每个中,多个层可以在与第一基底sub或第三层间绝缘层il3垂直的方向上设置。发光元件ed延伸所沿的方向可以与第三层间绝缘层il3的顶表面平行,并且包括在发光元件ed中的每个中的半导体层可以沿着与第三层间绝缘层il3的顶表面平行的方向顺序地布置。然而,发光元件ed的结构没有特别的限制。在一些实施例中,包括在发光元件ed中的每个中的半导体层可以沿着与第三层间绝缘层il3的顶表面垂直的方向布置。
126.发光元件ed中的每个的两个端部可以与接触电极cne1、cne2和cne3接触。例如,绝缘膜38(图8)可以不形成在发光元件ed中的每个的一端部处,使得发光元件ed中的每个的一些半导体层可以暴露并且可以与接触电极cne1、cne2和cne3接触,但是本公开不限于此。在一些实施例中,绝缘膜38可以被部分地去除,使得发光元件ed中的每个的半导体层的侧面可以部分地暴露。发光元件ed中的每个的半导体层的暴露的侧面可以与接触电极cne1、cne2和cne3直接接触。
127.如稍后将描述的,发光元件ed中的每个可以包括(图8的)第一半导体层31、(图8的)第二半导体层32和(图8的)发光层36。第一半导体层31可以比第二半导体层32长,发光元件ed中的每个的设置有第一半导体层31的端部和发光元件ed中的每个的设置有第二半导体层32的端部可以分别被称为第一端部和第二端部。相对于发光元件ed中的每个的长度方向上的中心,发光层36可以被设置为比发光元件ed中的每个的第一端部靠近第二端部。
128.在实施例中,发光元件ed的第一端部可以设置在第一类型电极rme#1上,发光元件ed的第二端部可以设置在第二类型电极rme#2上。例如,发光元件ed可以包括第一发光元件ed1和第二发光元件ed2,第一发光元件ed1具有设置在分别为第一类型电极rme#1和第二类型电极rme#2的第一电极rme1和第三电极rme3上的两个端部,第二发光元件ed2具有设置在分别为第一类型电极rme#1和第二类型电极rme#2的第二电极rme2和第四电极rme4上的两个端部。第一发光元件ed1和第二发光元件ed2可以设置在第一类型电极rme#1和第二类型电极rme#2上,但是可以具有设置在不同类型的电极上的不同端部。第一发光元件ed1的第一端部可以设置在第一电极rme1上,并且第一发光元件ed1的第二端部可以设置在第三电极rme3上。相反,第二发光元件ed2的第一端部可以设置在第四电极rme4上,并且第二发光元件ed2的第二端部可以设置在第二电极rme2上。参照图3,发光元件ed的第一端部可以是发光元件ed的设置在第一电极rme1或第四电极rme4上的端部,并且发光元件ed的第二端部可以是发光元件ed的设置在第二电极rme2或第三电极rme3上的端部。
129.发光元件ed可以具有与接触电极cne1、cne2和cne3中的至少一个接触的两个端部,因此可以电连接到相应的电极rme1、rme2、rme3和rme4。发光元件ed中的每个可以包括第一半导体层31和第二半导体层32,因此可以具有其特定端部所面对的特定对准方向,并且从电极rme1、rme2、rme3和rme4施加的信号可以在特定方向上流过发光元件ed。例如,经由第一晶体管t1施加的电信号可以从发光元件ed的第一端部流到第二端部,并且经由第二电压线vl2施加的电信号可以从发光元件ed的第二端部流到第一端部。发光元件ed可以被分类为第一发光元件ed1和第二发光元件ed2,第一发光元件ed1具有连接到电极rme1、rme2、rme3和rme4)的两个端部),第二发光元件ed2也具有连接到电极(rme1、rme2、rme3和rme4但是与第一发光元件ed1相反的两个端部,从电极rme1、rme2、rme3和rme4施加的信号可以流过不同种类的发光元件(即,第一发光元件ed1和第二发光元件ed2)。结果,第一发光元件ed1和第二发光元件ed2可以串联连接。
130.第二绝缘层pas2可以设置在第一绝缘层pas1和发光元件ed上,以暴露发光元件ed中的每个的两个端部。例如,第二绝缘层pas2不仅可以设置在发光元件ed上,而且可以设置在第一绝缘层pas1的整个表面上,但是可以仅设置在发光元件ed的部分上以暴露发光元件ed的两个端部。在显示装置10的制造期间,第二绝缘层pas2可以被首先地设置为覆盖发光元件ed、电极rme1、rme2、rme3和rme4以及第一绝缘层pas1,然后可以被部分地去除以暴露发光元件ed中的每个的两个端部。第二绝缘层pas2可以设置在第一绝缘层pas1上,并且在平面图中可以在第二方向dr2上延伸,从而在子像素pxn中的每个中形成线型图案或岛图案。在显示装置10的制造期间,第二绝缘层pas2可以保护发光元件ed,并且可以固定发光元件ed。
131.如图4中所示,第二绝缘层pas2可以不设置在第一电极rme1与第四电极rme4之间的在第二方向dr2上的间隙和第二电极rme2与第三电极rme3之间的在第二方向dr2上的间隙中。这些间隙可以是其中在显示装置10的制造期间预先布置有用于使发光元件对准的电极线并且随后通过线切割工艺被去除的区域。线切割工艺可以在形成第二绝缘层pas2之后执行,并且不仅第二绝缘层pas2,而且第一绝缘层pas1以及电极rme1、rme2、rme3和rme4可以不设置在第一电极rme1与第四电极rme4之间和第二电极rme2与第三电极rme3之间的间隙中。
132.多个接触电极cne1、cne2和cne3以及第三绝缘层pas3可以设置在第二绝缘层pas2上。接触电极cne1、cne2和cne3可以包括在一个方向上延伸的部分,并且可以设置在电极rme1、rme2、rme3和rme4上。接触电极cne1、cne2和cne3的在一个方向上延伸的部分可以被设置为彼此间隔开。
133.接触电极cne1、cne2和cne3可以设置在电极rme1、rme2、rme3和rme4上,以通过第一绝缘层pas1的开口op与电极rme1、rme2、rme3和rme4的暴露部分接触。发光元件ed可以经由接触电极cne1、cne2和cne3与电极rme1、rme2、rme3和rme4电连接。接触电极cne1、cne2和cne3在第一方向dr1上的宽度可以比电极rme1、rme2、rme3和rme4在第一方向dr1上的宽度小。接触电极cne1、cne2和cne3可以被设置为与发光元件ed接触并覆盖电极rme1、rme2、rme3和rme4的顶表面的部分。然而,本公开不限于此。在一些实施例中,接触电极cne1、cne2和cne3可以形成为具有比电极rme1、rme2、rme3和rme4大的宽度,并且因此形成为覆盖电极rme1、rme2、rme3和rme4中的每个的两个侧表面。
134.接触电极cne1、cne2和cne3可以与发光元件ed的端部以及电极rme1、rme2、rme3和rme4接触。发光元件ed中的每个可以具有在两个端部暴露的半导体层,并且接触电极cne1、cne2和cne3可以与发光元件ed中的每个的半导体层接触并电连接到发光元件ed中的每个的半导体层。接触电极cne1、cne2和cne3的与发光元件ed的端部接触的侧面可以设置在第二绝缘层pas2或第三绝缘层pas3上。在一些实施例中,如图5和图7中所示,接触电极cne1、cne2和cne3的与发光元件ed的端部接触的部分可以设置在第一绝缘层pas1上。
135.接触电极cne1、cne2和cne3可以包括设置在第一类型电极rme#1上的第一类型接触电极cne#1和设置在第二类型电极rme#2上的第二类型接触电极cne#2。例如,第一类型接触电极cne#1可以包括分别设置在第一电极rme1和第二电极rme2上的第一接触电极cne1和第二接触电极cne2,第二类型接触电极cne#2可以包括设置在第三电极rme3和第四电极rme4上的第三接触电极cne3。
136.作为第一类型接触电极cne#1的第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以在一个方向上延伸。第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以分别设置在第一电极rme1和第二电极rme2上并且分别与第一电极rme1和第二电极rme2直接接触。第一接触电极cne1可以与第一发光元件ed1的第一端部接触,并且第二接触电极cne2可以与第二发光元件ed2的第二端部接触。第一类型电极rme#1可以直接连接到第二导电层,使得用于使发光元件ed发射光的信号可以施加到发光元件ed。第一接触电极cne1可以向第一发光元件ed1的第一端部传输经由第一晶体管t1施加到其的第一电源电压,第二接触电极cne2可以向第二发光元件ed2的第二端部传输经由第二电压线vl2施加到其的第二电源电压。第一类型接触电极cne#1可以连接到第一类型电极rme#1,并且因此可以向发光元件ed直接传输经由第二导电层施加到其的电源电压。
137.作为第二类型接触电极cne#2的第三接触电极cne3可以包括在一个方向上延伸的两个部分和使所述两个部分连接的部分。第二类型接触电极cne#2可以包括多个接触电极延伸部cn_e1和cn_e2以及使接触电极延伸部cn_e1和cn_e2连接的接触电极连接器cn_b,并且可以至少部分地具有弯曲形状。第三接触电极cne3可以包括设置在第三电极rme3上并在第一方向dr1上与第一接触电极cne1间隔开的第一接触电极延伸部cn_e1、设置在第四电极rme4上并在第一方向dr1上与第二接触电极cne2间隔开的第二接触电极延伸部cn_e2以及
使第一接触电极延伸部cn_e1和第二接触电极延伸部cn_e2连接的接触电极连接器cn_b。第一接触电极延伸部cn_e1可以与第一发光元件ed1的第二端部和第三电极rme3接触,第二接触电极延伸部cn_e2可以与第二发光元件ed2的第一端部和第四电极rme4接触。接触电极连接器cn_b可以设置在电极(rme1、rme2、rme3和rme4)之间,电极(rme1、rme2、rme3和rme4)设置在沿第二方向dr2彼此间隔开的成对的电极(rme1、rme2、rme3和rme4)之间。接触电极连接器cn_b可以被设置为(例如,被设置为避开第一类型接触电极cne#1)防止第一类型接触电极cne#1之间的任何短路,并且可以设置在沿第二方向dr2彼此间隔开的成对的电极(rme1、rme2、rme3和rme4)之间以减小接触电极连接器cn_b占据的面积或使接触电极连接器cn_b占据的面积最小化。
138.第三绝缘层pas3可以设置在第一类型接触电极cne#1与第二类型接触电极cne#2之间。第三绝缘层pas3可以被设置为覆盖第一类型接触电极cne#1并暴露发光元件ed的不与第一类型接触电极cne#1接触的端部。由于设置了第三绝缘层pas3,因此可以防止第一类型接触电极cne#1和第二类型接触电极cne#2直接连接和短路。例如,第三绝缘层pas3可以在第一电极rme1与第四电极rme4之间和第二电极rme2与第三电极rme3之间的间隙中直接设置在第三层间绝缘层il3上,并且可以防止作为第二类型接触电极cne#2的第三接触电极cne3在未指定区域中与第一类型电极rme#1接触。
139.第二类型接触电极cne#2可以设置在第二类型电极rme#2上,因此,没有电源电压会直接施加到第二类型接触电极cne#2。然而,因为第一电源电压和第二电源电压分别施加到第一发光元件ed1和第二发光元件ed2,所以第一电源电压和第二电源电压可以沿着发光元件ed并且沿着作为第二类型接触电极cne#2的第三接触电极cne3流动。第三接触电极cne3可以使第一发光元件ed1的第二端部和第二发光元件ed2的第一端部串联电连接。由于第二类型接触电极cne#2与第二类型电极rme#2接触,所以可以防止第二类型电极rme#2保持浮置状态。
140.第一类型接触电极cne#1可以与第一发光元件ed1的第一端部或第二发光元件ed2的第二端部接触,而第二类型接触电极cne#2可以与第一发光元件ed1的第二端部和第二发光元件ed2的第一端部接触。发光元件ed中的每个可以包括第一半导体层31和第二半导体层32,并且因此可以具有其特定端部所面对的特定对准方向。此外,发光元件ed中的每个可以具有电源电压沿其流动的方向。与第一发光元件ed1的第二端部和第二发光元件ed2的第一端部两者接触的第二类型接触电极cne#2可以形成第一发光元件ed1和第二发光元件ed2经由其串联连接的路径,并且可以向发光元件ed直接传输施加到第一类型电极rme#1的电源电压。
141.在显示装置10的制造期间,发光元件ed可以利用一对电极线在特定方向上对准,并且该对电极线可以分开从而形成不同类型的电极(即,第一类型电极rme#1和第二类型电极rme#2)。发光元件ed中的每个的两个端部可以设置在不同类型的电极上,但是因为发光元件ed通过一对电极线对准,所以它们可以在同一方向上对准。发光元件ed可以根据其第一端部是设置在第一类型电极rme#1上还是设置在第二类型电极rme#2上而被分类为第一发光元件ed1和第二发光元件ed2,并且第一发光元件ed1和第二发光元件ed2可以经由接触电极cne1、cne2和cne3(特别地,第二类型接触电极cne#2)串联连接。因为通过利用一对电极线使发光元件ed对准然后使该对电极线分开来形成第一类型电极rme#1和第二类型电极
rme#2,所以发光元件ed可以利用有限数量的电极串联连接。因为电极rme1、rme2、rme3和rme4中的一些在发射区域ema中在第二方向dr2上彼此间隔开,所以可以经由第二类型接触电极cne#2形成电流路径。例如,即使第一子像素px1被构造为占据最小的面积,发光元件ed也可以由于不同类型的电极(即,第一类型电极rme#1和第二类型电极rme#2)以及接触电极cne1、cne2和cne3的设计而适当地串联连接。因为可以改善显示装置10的每单位面积的亮度和发射效率,所以可以使子像素pxn的尺寸减小到最小,结果可以实现超高分辨率的显示装置。
142.图2至图4示出了仅设置第一电极rme1、第二电极rme2、第三电极rme3和第四电极rme4(即,一对第一类型电极rme#1和一对第二类型电极rme#2),但是本公开不限于此。多于两个的第二类型电极rme#2可以设置在子像素pxn中的每个中,并且比存在于图2至图4的显示装置10中的发光元件ed多的发光元件ed也可以设置在子像素pxn中的每个中。稍后将在描述本公开的其他实施例时对此进行详细描述。
143.接触电极cne1、cne2和cne3可以包括透明导电材料。例如,接触电极cne1、cne2和cne3可以包括ito、izo、itzo或al。从发光元件ed发射的光可以穿过接触电极cne1、cne2和cne3朝向电极rme1、rme2、rme3和rme4行进,但是本公开不限于此。
144.图2至图4示出了两个第一类型接触电极cne#1和一个第二类型接触电极cne#2设置在子像素pxn中的每个中,但是本公开不限于此。接触电极cne1、cne2和cne3的数量可以根据设置在子像素pxn中的每个中的电极rme1、rme2、rme3和rme4的数量而改变。
145.第一绝缘层pas1、第二绝缘层pas2和第三绝缘层pas3可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。例如,第一绝缘层pas1、第二绝缘层pas2和第三绝缘层pas3可以包括诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(alo
x
)或氮化铝(aln
x
)的无机绝缘材料,但是本公开不限于此。在另一示例中,第一绝缘层pas1、第二绝缘层pas2和第三绝缘层pas3可以包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯、卡多树脂、硅氧烷树脂、倍半硅氧烷树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯-聚碳酸酯合成树脂的有机绝缘材料,但是本公开不限于此。
146.尽管未具体示出,但是可以在接触电极cne1、cne2和cne3、第三绝缘层pas3以及第二堤bnl2上进一步设置绝缘层,以覆盖接触电极cne1、cne2和cne3、第三绝缘层pas3以及第二堤bnl2。绝缘层可以设置在第一基底sub的显示区域dpa的整个表面上,以保护设置在第一基底sub的显示区域dpa中的元件免受外部环境的影响。
147.显示装置10可以包括不同类型的电极(即,通过利用电极线使发光元件ed在第一子像素px1中对准并使电极线分开而获得的第一类型电极rme#1和第二类型电极rme#2)。具有设置在第一类型电极rme#1和第二类型电极rme#2上的两个端部的第一发光元件ed1和也具有设置在第一类型电极rme#1和第二类型电极rme#2上但与第一发光元件ed1相反的两个端部的第二发光元件ed2可以经由接触电极cne1、cne2和cne3电连接到第一类型电极rme#1和第二类型电极rme#2,并且可以经由第二类型接触电极cne#2串联连接。因为设置了第一类型电极rme#1和第二类型电极rme#2以及第一类型接触电极cne#1和第二类型接触电极cne#2,所以第一发光元件ed1和第二发光元件ed2可以在有限的空间内串联连接,并且可以改善显示装置10的每单位面积的亮度。
148.图8是根据本公开的实施例的发光元件的透视图。
149.参照图8,发光元件ed可以是发光二极管(led)(特别地,具有从几微米至几纳米的尺寸并且由无机材料形成的iled)。如果在两个相对电极之间在特定方向上形成电场,则iled可以在形成其中有极性的两个电极之间对准。发光元件ed可以通过形成在两个电极之间的电场对准。
150.发光元件ed可以具有在一个方向上延伸的形状。发光元件ed可以具有圆柱形、杆形、线形或管形的形状,但是发光元件ed的形状没有特别的限制。在一些实施例中,发光元件ed可以具有多边形柱(诸如规则立方体、长方体或六边形柱)的形状,或者可以具有在一个方向上延伸但具有部分地倾斜的外表面的形状。包括在发光元件ed中的多个半导体可以在发光元件ed延伸所沿的方向上顺序地设置或堆叠。
151.发光元件ed可以包括掺杂有任意导电类型(例如,p型或n型)的杂质的半导体层。半导体层可以从外部电源接收电信号以发射特定波长范围的光。
152.参照图8,发光元件ed可以包括第一半导体层31、第二半导体层32、发光层36、电极层37和绝缘膜38。
153.第一半导体层31可以包括n型半导体。在发光元件ed发射蓝色波长范围的光的情况下,第一半导体层31可以包括半导体材料al
x
gayin
1-x-y
n(其中0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)。半导体材料可以是掺杂有n型掺杂剂的algainn、gan、algan、ingan、aln和inn中的至少一种。第一半导体层31可以掺杂有n型掺杂剂,并且n型掺杂剂可以是si、ge或sn。例如,第一半导体层31可以是掺杂有n型si的n-gan。第一半导体层31可以具有1.5μm至5μm的长度,但是本公开不限于此。发光元件ed的第一端部可以是发光元件ed的相对于发光层36设置有第一半导体层31的部分。
154.第二半导体层32设置在发光层36上。第二半导体层32可以包括p型半导体。在发光元件ed发射蓝色波长范围或绿色波长范围的光的情况下,第二半导体层32可以包括半导体材料al
x
gayin
1-x-y
n(其中0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)。例如,半导体材料可以是掺杂有p型掺杂剂的algainn、gan、algan、ingan、aln和inn中的至少一种。第二半导体层32可以掺杂有p型掺杂剂,并且p型掺杂剂可以是mg、zn、ca、se或ba。例如,第二半导体层32可以是掺杂有p型mg的p-gan。第二半导体层32可以具有0.05μm至0.10μm的长度,但是本公开不限于此。发光元件ed的第二端部可以是发光元件ed的相对于发光层36设置有第二半导体层32的部分。
155.第一半导体层31和第二半导体层32被示出为形成为单层膜,但是本公开不限于此。在一些实施例中,根据发光层36的材料,第一半导体层31和第二半导体层32中的每个可以包括多于一个的层(诸如以盖层或拉伸应变势垒减小(tsbr)层为例)。
156.发光层36设置在第一半导体层31与第二半导体层32之间。发光层36可以包括单量子阱结构材料或多量子阱结构材料。在发光层36包括具有多量子阱结构的材料的情况下,发光层36可以具有其中多个量子层和多个阱层交替地堆叠的结构。发光层36可以通过根据经由第一半导体层31和第二半导体层32施加到其的电信号使电子-空穴对结合来发射光。在发光层36发射蓝色波长范围的光的情况下,量子层可以包括诸如algan或algainn的材料。在发光层36具有其中多个量子层和多个阱层交替地堆叠的多量子阱结构的情况下,量子层可以包括诸如algan或algainn的材料,并且阱层可以包括诸如gan或alinn的材料。例
如,在发光层36包括algainn作为其量子层和alinn作为其阱层的情况下,发光层36可以发射具有450nm至495nm的中心波长范围的蓝光。
157.然而,本公开不限于此。在一些实施例中,发光层36可以具有其中具有大带隙能的半导体材料和具有小带隙能的半导体材料交替地堆叠的结构,或者可以根据发射的光的波长而包括iii族半导体材料或v族半导体材料。由发光层36发射的光的类型没有特别限制。发光层36可以根据需要发射红色波长范围或绿色波长范围的光来代替蓝色光。发光层36可以具有0.05μm至0.10μm的长度,但是本公开不限于此。
158.光不仅可以从发光元件ed的在长度方向上的圆周表面发射,而且可以从发光元件ed的两个侧面发射。从发光层36发射的光的方向性没有特别限制。
159.电极层37可以是欧姆接触电极,但是本公开不限于此。在一些实施例中,电极层37可以是肖特基接触电极。发光元件ed可以包括至少一个电极层37。图8示出了发光元件ed包括一个电极层37,但是本公开不限于此。在一些实施例中,发光元件ed可以包括多于一个的电极层37,或者可以不设置电极层37。然而,发光元件ed的以下描述可以直接适用于具有多于一个的电极层37或具有与图8的发光元件ed不同的结构的发光元件ed。
160.当发光元件ed电连接到电极(或接触电极)时,电极层37可以减小发光元件ed与电极(或接触电极)之间的电阻。电极层37可以包括导电金属。例如,电极层37可以包括al、ti、in、au、ag、ito、izo和itzo中的至少一种。此外,电极层37可以包括掺杂有n型掺杂剂或p型掺杂剂的半导体材料。
161.绝缘膜38被设置为围绕第一半导体层31和第二半导体层32以及电极层37。例如,绝缘膜38可以被设置为至少围绕发光层36,并且可以在发光元件ed延伸所沿的方向上延伸。绝缘膜38可以保护第一半导体层31、发光层36、第二半导体层32和电极层37。例如,绝缘膜38可以形成为围绕第一半导体层31、发光层36、第二半导体层32和电极层37的侧面,但是暴露发光元件ed的在长度方向上的两个端部。
162.绝缘膜38被示出为形成为在发光元件ed的长度方向上延伸并且覆盖第一半导体层31、发光层36、第二半导体层32和电极层37的侧面,但是本公开不限于此。绝缘膜38可以覆盖仅第一半导体层31和第二半导体层32中的一些和发光层36的侧面,或者可以仅覆盖电极层37的侧面的一部分,使得电极层37的侧面可以部分地暴露。绝缘膜38可以在与发光元件ed的至少一端部相邻的区域中形成为在剖视图中为圆形。
163.绝缘膜38可以具有10nm至1.0μm的厚度,但是本公开不限于此。绝缘膜38可以具有约40nm的厚度。
164.绝缘膜38可以包括具有绝缘性质的材料(诸如以氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(alo
x
)或氮化铝(aln
x
)为例)。因此,绝缘膜38可以防止在发光层36被放置为与向发光元件ed直接传输电信号的电极直接接触时可能发生的任何短路。此外,因为绝缘膜38围绕发光层36以保护发光元件ed的外表面,所以可以防止或减少发光元件ed的发射效率的任何劣化。
165.绝缘膜38的外表面可以经受表面处理。发光元件ed可以在分散在墨中的同时喷射在电极上。这里,绝缘膜38的表面可以进行疏水处理或亲水处理,以保持发光元件ed分散在墨中而不与其他邻近的发光元件ed聚集。例如,绝缘膜38可以用诸如硬脂酸或2,3-萘二甲酸的材料进行表面处理。
166.发光元件ed的长度h可以在1μm至10μm或者2μm至6μm或者3μm至5μm的范围内。发光元件ed可以具有30nm至700nm的直径,并且可以具有1.2至100的纵横比,但是本公开不限于此。包括在显示装置10中的不同发光元件ed可以根据它们的相应的发光层36的组成而具有不同的直径。在一些实施例中,发光元件ed可以具有约500nm的直径。
167.在下文中将描述制造显示装置10的方法。
168.图9至图14是示出根据本公开的实施例的制造显示装置的方法的工艺的平面图。在下文中将描述显示装置10的制造工艺,将对显示装置10的元件如何堆叠和显示装置10的元件的结构的描述最小化。
169.参照图9,准备其上形成有第一堤bnl1、电极线rm_a和rm_b、第一绝缘层pas1和第二堤bnl2的第一基底sub。可以在第一基底sub与第一堤bnl1之间设置从光阻挡层bml到第三层间绝缘层il3范围内的层。
170.电极线rm_a和rm_b可以包括在第二方向dr2上延伸并且在第一方向dr1上彼此间隔开的第一电极线rm_a和第二电极线rm_b。可以在沿第二方向dr2一对相邻的子像素pxn中并横跨所述一对相邻的子像素pxn设置第一电极线rm_a和第二电极线rm_b。第一电极线rm_a和第二电极线rm_b可以延伸超过显示区域dpa到非显示区域nda,并且可以连接到设置在非显示区域nda中或在将要制造显示装置10的基体基底上的垫(pad,或称为“焊盘”)(未示出)。第一电极线rm_a和第二电极线rm_b可以用来在显示区域dpa中产生用于使发光元件ed对准的电场。因为第一电极线rm_a和第二电极线rm_b在后续工艺中被分开为电极rme1、rme2、rme3和rme4,所以第一电极线rm_a和第二电极线rm_b的布置可以与电极rme1、rme2、rme3和rme4的布置基本上相同。例如,可以在沿第一方向dr1彼此间隔开的成对的第一堤bnl1上设置电极线rm_a和rm_b。第一电极线rm_a可以通过第一接触孔ct1与第一导电图案cdp接触,第二电极线rm_b可以通过第二接触孔ct2与第二电压线vl2接触。
171.此后,参照图10,可以在第一子像素px1的电极线rm_a和rm_b上设置多个发光元件ed。可以准备使发光元件ed分散在其中的墨,并且可以经由喷墨印刷将墨喷射到发射区域ema中。第二堤bnl2可以防止墨溢出到其他邻近子像素pxn的发射区域ema。
172.一旦墨被喷射到发射区域ema中,就可以将对准信号施加到电极线rm_a和rm_b中的每条以在电极线rm_a和rm_b上产生电场el。分散在墨中的发光元件ed可以受到来自电场el的电泳力,从而可以改变发光元件ed的位置和对准方向,结果,发光元件ed中的每个的两个端部可以设置在不同的电极线rm_a和rm_b上。施加到第一电极线rm_a和第二电极线rm_b的对准信号可以具有不同的符号,从而可以形成电场el,使得发光元件ed的第一端部可以面对特定方向。发光元件ed可以被布置为使得其第一端部的对准方向可以是一致的。
173.发光元件ed可以设置在电极线rm_a和rm_b上,并且发光元件ed中的大多数可以定位在相邻的第一堤bnl1之间。第一堤bnl1可以从第三层间绝缘层il3的顶表面突出,并且由于相对于相邻的第一堤bnl1的高度差,相邻的第一堤bnl1之间的区域可以是适于容纳发光元件ed的区域。然而,发光元件ed中的一些(例如,图10的发光元件ed_r)可以放置在其中未设置有第一堤bnl1的区域中,并且可以在电极线rm_a和rm_b的分开期间被去除。
174.此后,参照图11,在布置发光元件ed之后,可以使电极线rm_a和rm_b分开,从而形成电极rme1、rme2、rme3和rme4。虽然未具体示出,但是第二绝缘层pas2可以形成为覆盖发光元件ed和电极线rm_a和rm_b。第二绝缘层pas2可以不设置在切割区域cba中,而是可以仅
设置在由第二堤bnl2围绕的发射区域ema内。
175.电极线rm_a和rm_b可以在发射区域ema和切割区域cba中分开,从而形成不同类型的电极(即,第一类型电极rme#1和第二类型电极rme#2)。电极线rm_a和rm_b可以在发射区域ema的第一电极切割部分rop1和切割区域cba的第二电极切割部分rop2中分开。第一电极线rm_a可以在第一电极切割部分rop1和第二电极切割部分rop2中分开,从而形成第一电极rme1和第四电极rme4,并且第二电极线rm_b可以在第一电极切割部分rop1和第二电极切割部分rop2中分开,从而形成第二电极rme2和第三电极rme3。第一堤bnl1可以不设置在第一电极切割部分rop1中,而是可以在第二方向dr2上彼此间隔开,使得电极线rm_a和rm_b可以分开。
176.当电极线rm_a和rm_b在第一电极切割部分rop1中分开时,发光元件ed可以被划分为设置在第一电极切割部分rop1上方的第一发光元件ed1和设置在第一电极切割部分rop1下方的第二发光元件ed2。第一发光元件ed1和第二发光元件ed2可以经由第二类型接触电极cne#2串联连接。当电极线rm_a和rm_b分开时,可以去除设置在第一堤bnl1之间的在第二方向dr2上的间隙中的图10的发光元件ed_r。
177.由于电极线rm_a和rm_b在第二电极切割部分rop2中分开,因此设置在子像素pxn中的电极rme1、rme2、rme3和rme4可以与在第二方向dr2上相邻的另一子像素pxn的电极rme1、rme2、rme3和rme4分开,并且信号可以单独地传输。电极rme1、rme2、rme3和rme4可以被划分为作为形成有接触孔ct1和ct2的电极的第一类型电极rme#1和作为未形成有接触孔ct1和ct2的电极的第二类型电极rme#2。在显示装置10的制造期间,可以通过使发光元件ed在第二方向dr2上间隔对准并使电极线rm_a和rm_b分开来形成不同类型的电极(即,第一类型电极rme#1和第二类型电极rme#2)。因为电极线rm_a和rm_b在发射区域ema中的第一电极切割部分rop1中分开,所以发光元件ed可以被划分并且可以根据接触电极cne1、cne2和cne3的布置串联连接。
178.图9和图10示出了仅设置一对电极线rm_a和rm_b,但是本公开不限于此。随着子像素pxn中的每个的面积增大,多于两条的电极线rm_b和rm_b可以设置在子像素pxn中的每个中,并且比存在于图9和图10的显示装置10中的发光元件ed多的发光元件ed也可以设置在子像素pxn中的每个中。
179.此后,参照图12至图14,形成暴露发光元件ed中的每个的两个端部并且还暴露电极rme1、rme2、rme3和rme4的顶表面的部分的开口op,并且还形成接触电极cne1、cne2和cne3。在一个或更多个示例实施例中,形成暴露设置在第一类型电极rme#1上的发光元件ed的第一端部并且还暴露第一类型电极rme#1的顶表面的部分的开口op,并且形成作为第一类型接触电极cne#1的第一接触电极cne1和第二接触电极cne2。此后,形成绝缘材料层以覆盖第一类型接触电极cne#1和第二绝缘层pas2。可以在发射区域ema的整个表面上最初地设置绝缘材料层,并且可以通过部分地去除绝缘材料层以暴露发光元件ed的其他端部来形成第三绝缘层pas3。此外,通过部分地去除绝缘材料层,形成暴露设置在第二类型电极rme#2上的发光元件ed的第端部并且还暴露第二类型电极rme#2的顶表面的部分的开口op,并且形成作为第二类型接触电极cne#2的第三接触电极cne3。第三接触电极cne3可以包括接触电极连接器cn_b以及设置在第三电极rme3和第四电极rme4上的接触电极延伸部cn_e1和cn_e2,并且因此可以与第一发光元件ed1和第二发光元件ed2两者接触。以此方式,可以得
到包括第一发光元件ed1和与第一发光元件ed1串联连接的第二发光元件ed2的显示装置10。
180.在下文中将描述根据本公开的其他实施例的显示装置。
181.图15是根据本公开的另一实施例的显示装置的子像素的平面图。
182.例如,参照图15,显示装置10_1可以包括在第一子像素px1中部分弯曲的电极rme1_1、rme2_1、rme3_1和rme4_1。电极rme1_1、rme2_1、rme3_1和rme4_1中的每个可以包括在一个方向上延伸的电极延伸部rm_e1和rm_e2以及在与电极延伸部rm_e1和rm_e2不同的方向上延伸的电极弯曲部分rm_c1和rm_c2。发光元件ed可以设置在沿第一方向dr1彼此间隔开的电极rme1_1、rme2_1、rme3_1和rme4_1中的每个的电极延伸部rm_e1和rm_e2上,并且接触电极cne1、cne2和cne3可以与电极rme1_1、rme2_1、rme3_1和rme4_1中的每个的电极延伸部rm_e1和rm_e2接触。图15的实施例与图3的实施例的不同之处在于电极rme1_1、rme2_1、rme3_1和rme4_1的形状。
183.第一电极rme1_1可以包括第一电极延伸部rm_e1和第二电极延伸部rm_e2以及连接到第一电极延伸部rm_e1和第二电极延伸部rm_e2中的至少一个的第一电极弯曲部分rm_c1和第二电极弯曲部分rm_c2。第一电极rme1_1的第一电极延伸部rm_e1可以在发射区域ema内设置在第一堤bnl1中的一个上,第一电极rme1_1的第二电极延伸部rm_e2可以设置在发射区域ema的与第二堤bnl2叠置的中。第一电极rme1_1的第一电极弯曲部分rm_c1可以连接到第一电极rme1_1的第一电极延伸部rm_e1的一侧,并且可以在第二方向dr2上与第二电极rme2_1、第三电极rme3_1和第四电极rme4_1的第一电极弯曲部分rm_c1间隔开。第一电极rme1_1的第二电极弯曲部分rm_c2可以被设置为使第一电极rme1_1的第一电极延伸部rm_e1和第二电极延伸部rm_e2连接。第一电极rme1_1的第一电极弯曲部分rm_c1和第二电极弯曲部分rm_c2可以从发射区域ema的中心到外部在第一方向dr1与第二方向dr2之间的方向上弯曲。
184.第三电极rme3_1可以在第一方向dr1上与第一电极rme1_1间隔开。第三电极rme3_1可以相对于在第二方向dr2上延伸横跨发射区域ema的中心的假想线与第一电极rme1_1对称。第四电极rme4_1可以在第二方向dr2上与第一电极rme1_1间隔开。第四电极rme4_1可以相对于在第一方向dr1上延伸横跨发射区域ema的中心的假想线与第一电极rme1_1对称。类似地,第二电极rme2_1可以与第三电极rme3_1或第四电极rme4_1对称。
185.电极rme1_1、rme2_1、rme3_1和rme4_1的第一电极延伸部rm_e1可以沿着第一方向dr1彼此间隔开,电极rme1_1、rme2_1、rme3_1和rme4_1的第二电极延伸部rm_e2可以沿着第一方向dr1彼此间隔开。电极rme1_1、rme2_1、rme3_1和rme4_1的设置在第一堤bnl1上的第一电极延伸部rm_e1可以沿着第一方向dr1彼此间隔开,多个发光元件ed可以设置在第一电极延伸部rm_e1上。例如,第一电极rme1_1和第三电极rme3_1的第一电极延伸部rm_e1可以沿着第一方向dr1彼此间隔开,第一电极rme1_1和第三电极rme3_1的第一电极延伸部rm_e1之间的距离可以比发光元件ed的长度小。由于电极rme1_1、rme2_1、rme3_1和rme4_1彼此对称并且均具有电极弯曲部分rm_c1和rm_c2,因此电极rme1_1、rme2_1、rme3_1和rme4_1之间的距离可以在除了电极rme1_1、rme2_1、rme3_1和rme4_1的第一电极延伸部rm_e1之间的区域之外的区域中比在电极rme1_1、rme2_1、rme3_1和rme4_1的第一电极延伸部rm_e1之间的区域中大。因为电极rme1_1、rme2_1、rme3_1和rme4_1的第一电极弯曲部分rm_c1和第二电
极弯曲部分rm_c2从发射区域ema的中心向外弯曲,所以电极rme1_1、rme2_1、rme3_1和rme4_1的第二电极延伸部rm_e2之间在第一方向dr1上的距离可以比电极rme1_1、rme2_1、rme3_1和rme4_1的第一电极延伸部rm_e1之间在第一方向dr1上的距离大。此外,电极rme1_1、rme2_1、rme3_1和rme4_1的第一电极弯曲部分rm_c1之间在第一方向dr1上的最大距离可以比电极rme1_1、rme2_1、rme3_1和rme4_1的第一电极延伸部rm_e1之间的距离大。
186.在第二方向dr2上彼此间隔开的成对的电极(rme1_1、_1、rme3_1和rme4_1)可以连接以形成电极线rm_a和rm_b,并且可以通过在发射区域ema的第一电极切割部分rop1和切割区域cba的第二电极切割部分rop2中使电极线rm_a和rm_b分开来形成。电极rme1_1、rme2_1、rme3_1和rme4_1的第一电极弯曲部分rm_c1可以在第二方向dr2上彼此面对,并且可以是电极线rm_a和rm_b的在显示装置10_1的制造期间未被切除从而保留在发射区域ema中的部分。
187.电极rme1_1、rme2_1、rme3_1和rme4_1的第二电极延伸部rm_e2可以形成为朝向切割区域cba的中心向内弯曲。第二电极延伸部rm_e2可以是电极线rm_a和rm_b的在显示装置10_1的制造期间未被切除并因此被保留在切割区域cba中的部分。
188.作为第一类型电极rme#1的第一电极rme1_1和第二电极rme2_1可以包括连接到第一电极rme1_1和第二电极rme2_1的第二电极延伸部rm_e2的电极触点ctp1和ctp2。第一电极触点ctp1形成在第一电极rme1_1的设置在发射区域ema上方的第二电极延伸部rm_e2中。第一电极触点ctp1可以通过第一接触孔ct1与第一导电图案cdp接触。第二电极触点ctp2形成在第二电极rme2_1的设置在发射区域ema下方的第二电极延伸部rm_e2中。第二电极触点ctp2可以通过第二接触孔ct2与第二电压线vl2接触。电极触点ctp1和ctp2可以不形成在作为第二类型电极rme#2的第三电极rme3_1和第四电极rme4_1中,第三电极rme3_1和第四电极rme4_1可以不直接连接到第二导电层。
189.接触电极cne1、cne2和cne3可以设置在电极rme1_1、rme2_1、rme3_1和rme4_1的第一电极延伸部rm_e1上,因此可以与发光元件ed和电极rme1_1、rme2_1、rme3_1和rme4_1接触。图15的接触电极cne1、cne2和cne3的形状和布置与图3的接触电极cne1、cne2和cne3的形状和布置基本上相同。设置在两个不同电极rme1_1和rme3_1的第一电极延伸部rm_e1上的第一发光元件ed1和设置在两个其他不同电极rme2_1和rme4_1的第一电极延伸部rm_e1上的第二发光元件ed2可以经由接触电极cne1、cne2和cne3串联连接。
190.如果在显示装置10_1的制造期间,电极线rm_a和rm_b被布置为彼此间隔开,则发光元件ed可以通过在电极线rm_a和rm_b之间产生的电场来布置。在布置发光元件ed之后,电极线rm_a和rm_b在第一电极切割部分rop1中部分地分开,在这种情况下,可以去除设置在第一电极切割部分rop1中的(图10的)任何发光元件ed_r。发光元件ed_r中的一些可能没有被完全去除,而是可能在形成接触电极cne1、cne2和cne3的工艺中被移动到不期望的位置而作为异物保留。
191.当对准信号施加到电极线rm_a和rm_b以产生电场el时,随着电极线rm_a和rm_b之间的距离增加,电场el可能变得较弱。具体地,在其中电极线rm_a和rm_b之间的距离小的区域中,可以产生强电场el,从而可以布置发光元件ed中的大多数。因为电极线rm_a和rm_b中的每条包括弯曲部分,所以电极线rm_a和rm_b之间的距离可以从一个位置到另一个位置改变,并且发光元件ed可以密集地布置在特定位置处。因为几乎没有发光元件ed设置在其中
电极线rm_a和rm_b被切除的区域中,所以可以使在后续工艺中可能成为异物的发光元件ed的数量最小化,并且可以防止每单位面积喷射的发光元件ed的不必要的浪费。
192.图16是示出图15的显示装置的制造工艺的平面图。
193.参照图16,电极线rm_a和rm_b可以包括在一个方向上延伸的电极延伸部rm_e1和rm_e2以及在与电极延伸部rm_e1和rm_e2不同的方向上延伸的电极弯曲部分rm_c1和rm_c2。第一电极线rm_a与第二电极线rm_b之间在第一方向dr1上的距离可以在发射区域ema中从一个位置到另一个位置不同。例如,电极线rm_a和rm_b的与电极rme1_1、rme2_1、rme3_1和rme4_1的第一电极延伸部rm_e1对应的部分之间的距离可以小,并且电极线rm_a和rm_b的与电极rme1_1、rme2_1、rme3_1和rme4_1的第一电极弯曲部分rm_c1对应的部分之间的最大距离可以相对大。即使在非发射区域中或在与第二堤bnl2叠置的区域中,电极线rm_a和rm_b的与电极rme1_1、rme2_1、rme3_1和rme4_1的第二电极延伸部rm_e2对应的部分之间的距离以及电极线rm_a和rm_b的与电极rme1_1、rme2_1、rme3_1和rme4_1的第二电极弯曲部分rm_c2对应的部分之间的最大距离也可以相对大。
194.如果将包括发光元件ed的墨喷射到发射区域ema中并且将对准信号施加到电极线rm_a和rm_b,则可以在电极线rm_a和rm_b上产生电场el。因为电极线rm_a和rm_b的与电极rme1_1、rme2_1、rme3_1和rme4_1的第一电极延伸部rm_e1对应的部分之间的距离小,所以可以产生强电场el。相反,因为电极线rm_a和rm_b的与电极rme1_1、rme2_1、rme3_1和rme4_1的第一电极弯曲部分rm_c1对应的部分之间的最大距离或者电极线rm_a和rm_b的与电极rme1_1、rme2_1、rme3_1和rme4_1的第二电极弯曲部分rm_c2对应的部分之间的最大距离大,所以可以产生相对弱的电场el。当发光元件ed由于电场el而在其对准方向和位置改变的情况下布置在电极线rm_a和rm_b上时,发光元件ed中的大多数可以被放置在电极线rm_a和rm_b的与第一电极延伸部rm_e1对应的部分上,而不被放置在电极线rm_a和rm_b的与第一电极弯曲部分rm_c1对应的部分上。通过设计如图16中所示的电极线rm_a和rm_b,可以引导发光元件ed以密集地布置在特定位置处,并且发光元件ed可以不设置于在其中执行电极线rm_a和rm_b的分开的第一电极切割部分rop1中。即使在第一电极切割部分rop1中切割电极线rm_a和rm_b,也因为在第一电极切割部分rop1中几乎没有发光元件ed而可以使在电极线rm_a和rm_b的切割期间使由发光元件ed产生的异物最少化。
195.电极线rm_a和rm_b的设置在切割区域cba中的部分之间的距离可以相对小,但是可以将包括发光元件ed的墨仅喷射到发射区域ema中。因此,即使在切割区域cba中产生电场el,发光元件ed也可以不设置在切割区域cba中。在电极线rm_a和rm_b在其中被切割以单独驱动电极rme1_1、rme2_1、rme3_1和rme4_1的第二电极切割部分rop2中,几乎没有由发光元件ed产生异物的风险。由于电极线rm_a和rm_b被设置为彼此相邻,因此可以使第二电极切割部分rop2的面积最小化,并且可以防止在切割电极线rm_a和rm_b的工艺中损坏其他元件。
196.通过设计如图15和图16中所示的电极线rm_a和rm_b和电极rme1_1、rme2_1、rme3_1和rme4_1,可以引导发光元件ed密集地布置在特定位置处,并且可以防止在切割电极线rm_a和rm_b期间由设置在第一电极切割部分rop1和第二电极切割部分rop2中的发光元件ed产生异物。
197.在前述实施例中,两个第一类型电极rme#1(即,第一电极rme1_1和第二电极rme2_
1)和两个第二类型电极rme#2(即,第三电极rme3_1和第四电极rme4_1)可以设置在第一子像素px1中,但是本公开不限于此。在一些实施例中,显示装置10可以在每个子像素pxn中包括多于两个的使发光元件ed串联连接的第二类型电极rme#2,并且在每个子像素pxn中,相当多数量的发光元件ed可以串联连接。
198.图17是根据本公开的另一实施例的显示装置的像素的平面图。图18是图17的第一子像素的平面图。图19是示出图17的第一子像素中的电极和第二导电层的示意性布置的平面图。图20是沿着图18的线n1-n1'、线n2-n2'和线n3-n3'截取的剖视图。图21是沿着图18的线n4-n4'和线n5-n5'截取的剖视图。图22是沿着图18的线n6-n6'和线n7-n7'截取的剖视图。例如,图18示出了图17的像素px的第一子像素px1,图19示出了第一子像素px1中的电极rme1_2、rme2_2、rme3_2、rme4_2、rme5_2、rme6_2、rme7_2和rme8_2以及第二导电层的布置。图20示出了从第一发光元件ed1的一端部到另一端部、从第三发光元件ed3的一端部到另一端部以及沿着第三接触电极cne3_2截取的剖视图,图21示出了沿着第四接触电极cne4_2以及从第四发光元件ed4的一端部到另一端部截取的剖视图。图22是沿着第五接触电极cne5_2以及从第二发光元件ed2的一端部到另一端部截取的剖视图。
199.参照图17至图22,显示装置10_2可以在像素px的子像素pxn中的每个中(例如,在第一子像素px1中)包括比前述实施例中的任一者的其对应物多的电极(即,多个电极rme1_2、rme2_2、rme3_2、rme4_2、rme5_2、rme6_2、rme7_2和rme8_2)、多的发光元件(即,多个发光元件ed1、ed2、ed3和ed4)和多的接触电极(即,多个接触电极cne1_2、cne2_2、cne3_2、cne4_2和cne5_2)。
200.电极rme1_2、rme2_2、rme3_2、rme4_2、rme5_2、rme6_2、rme7_2和rme8_2可以包括一对第一类型电极rme#1(即,第一电极rme1_2和第二电极rme2_2)和六个第二类型电极rme#2(即,第三电极rme3_2、第四电极rme4_2、第五电极rme5_2、第六电极rme6_2、第七电极rme7_2和第八电极rme8_2)。类似地,接触电极cne1_2、cne2_2、cne3_2、cne4_2和cne5_2可以包括一对第一类型接触电极cne#1(即,第一接触电极cne1_2和第二接触电极cne2_2)和三个第二类型接触电极cne#2(即,第三接触电极cne3_2、第四接触电极cne4_2和第五接触电极cne5_2)。发光元件ed可以包括第一发光元件ed1和第二发光元件ed2以及第三发光元件ed3和第四发光元件ed4,第一发光元件ed1和第二发光元件ed2具有设置在第一类型电极rme#1上的第一端部和设置在第二类型电极rme#2上的第二端部,第三发光元件ed3和第四发光元件ed4具有设置在第二类型电极rme#2上的第一端部和第二端部两者。
201.第一堤bnl1可以包括设置在一对相邻的子像素pxn之间的第一子堤bnl_a和设置在第一子堤bnl_a之间的第二子堤bnl_b。在发射区域ema的中间,可以设置在第二方向dr2上延伸以在第二方向dr2上彼此间隔开的多个第二子堤bnl_b,并且第一子堤bnl_a可以设置在第二子堤bnl_b的两侧,并且在第一方向dr1上与第二子堤bnl_b中的每个间隔开。图17至图22的第一堤bnl1与图3的第一堤bnl1的不同之处在于,它们还包括第二子堤bnl_b,第二子堤bnl_b设置在与图3的第一堤bnl1基本上相同并且沿着第一方向dr1彼此间隔开的第一子堤bnl_a之间。
202.第二导电层的第一电压线vl1和第二电压线vl2可以被设置为在第二方向dr2上延伸。第一电压线vl1可以在第二方向dr2上延伸并且可以部分地弯曲,但是第二电压线vl2可以在第二方向dr2上延伸而不弯曲。作为在第一方向dr1上延伸的第二堤bnl2的一部分的第
一电压线vl1可以在第一子像素px1的边界上在第二方向dr2上延伸,然后可以部分地弯曲以设置在发射区域ema中。
203.第二电压线vl2可以在厚度方向上与第二子堤bnl_b叠置,并且可以在第二方向dr2上延伸。第二电压线vl2可以包括第一布线触点wc1,第一布线触点wc1从第二堤bnl2的在第一方向dr1上延伸的部分在第一方向dr1上突出。如稍后将描述的,作为第一类型电极rme#1的第二电极rme2_2可以设置在第二子堤bnl_b中的一个上,并且第二电极触点ctp2可以形成在第二电极rme2_2中。第二电压线vl2的第一布线触点wc1可以在厚度方向上与第二电极触点ctp2叠置,并且可以通过第二接触孔ct2连接到第二电极触点ctp2。
204.在图17至图22的实施例中,与在图15的实施例中类似,第一电极rme1_2、第四电极rme4_2、第六电极rme6_2和第八电极rme8_2中的每个可以包括电极延伸部rm_e1和rm_e2以及电极弯曲部分rm_c1和rm_c2。相反,第二电极rme2_2、第三电极rme3_2、第五电极rme5_2和第七电极rme7_2可以在一个方向上延伸。第一电极rme1_2、第四电极rme4_2、第六电极rme6_2和第八电极rme8_2可以设置在第一子堤bnl_a上,而第二电极rme2_2、第三电极rme3_2、第五电极rme5_2和第七电极rme7_2可以设置在第二子堤bnl_b上。电极rme1_2、rme2_2、rme3_2、rme4_2、rme5_2、rme6_2、rme7_2和rme8_2的形状与图3至图15的电极rme1、rme2、rme3和rme4的形状基本上相同,因此,在下文中将详细描述电极rme1_2、rme2_2、rme3_2、rme4_2、rme5_2、rme6_2、rme7_2和rme8_2的相对布置。
205.第一电极rme1_2可以设置在发射区域ema的中心的左上侧。第一电极rme1_2可以设置在左上方的第一子堤bnl_a上,左上方的第一子堤bnl_a设置在第一子像素px1与在第一子像素px1的在第一方向dr1上的第一侧的子像素pxn之间。第二电极rme2_2可以设置在上方的第二子堤bnl_b的在第一方向dr1上的第二侧。
206.第三电极rme3_2可以在在其处设置有第二电极rme2_2的上方的第二子堤bnl_b的在第一方向dr1上的第一侧设置在第一电极rme1_2与第二电极rme2_2之间。第三电极rme3_2可以与第一电极rme1_2的第一电极延伸部并且与第二电极rme2_2间隔开,并且第一发光元件ed1可以设置在第一电极rme1_2与第三电极rme3_2之间。第四电极rme4_2可以在第二方向dr2上与第一电极rme1_2对称。第四电极rme4_2可以设置在在发射区域ema的中心的左下侧的左下方的第一子堤bnl_a上。
207.第五电极rme5_2可以在第二方向dr2上与第三电极rme3_2间隔开并且在第一方向dr1上与第四电极rme4_2间隔开。第五电极rme5_2可以设置在下方的第二子堤bnl_b的在第一方向dr1上的第一侧。在第四电极rme4_2与第五电极rme5_2之间的间隙中,可以设置第三发光元件ed3。第六电极rme6_2可以在第一方向dr1上与第四电极rme4_2对称,并且可以设置在在发射区域ema的中心的右下侧的右下方的第一子堤bnl_a上。
208.第七电极rme7_2可以设置在第五电极rme5_2与第六电极rme6_2之间,并且可以设置在在其处设置有第五电极rme5_2的下方的第二子堤bnl_b的在第一方向dr1上的第二侧。第七电极rme7_2可以与第六电极rme6_2的第一电极延伸部间隔开并与第五电极rme5_2间隔开,并且在第六电极rme6_2与第七电极rme7_2之间的间隙中,可以设置第四发光元件ed4。第八电极rme8_2可以在第二方向dr2上与第六电极rme6_2对称。第八电极rme8_2可以设置在在发射区域ema的中心的右上侧的右上方的第一子堤bnl_a上。第八电极rme8_2可以与第二电极rme2_2间隔开,第二发光元件ed2可以设置在第二电极rme2_2和第八电极rme8_
2上。
209.设置在发射区域ema的中心上方的第一电极rme1_2、第三电极rme3_2、第二电极rme2_2和第八电极rme8_2可以在第二方向dr2上分别与设置在发射区域ema的中心下方的第四电极rme4_2、第五电极rme5_2、第七电极rme7_2和第六电极rme6_2间隔开。第一电极rme1_2、第三电极rme3_2、第二电极rme2_2和第八电极rme8_2与第四电极rme4_2、第五电极rme5_2、第七电极rme7_2和第六电极rme6_2之间的间隙可以是电极线rm_a和rm_b在其处分开的区域(即,电极切割部分rop1和rop2)。在图17至图22的实施例中,与图15的实施例不同,一些电极可以在一个方向上延伸,而诸如第一电极rme1_2的其他电极均可以包括电极延伸部和电极弯曲部分。设置在第一子堤bnl_a上的第一电极rme1_2、第四电极rme4_2、第六电极rme6_2和第八电极rme8_2中的每个可以包括电极延伸部和电极弯曲部分。设置在第二子堤bnl_b上的第二电极rme2_2、第三电极rme3_2、第五电极rme5_2和第七电极rme7_2可以在一个方向上延伸。设置在同一第二子堤bnl_b上的一对相邻的电极可以在第一方向dr1上彼此间隔开,且没有发光元件ed设置所述一对相邻的电极之间。相反,发光元件ed可以设置在分别设置在第一子堤bnl_a和第二子堤bnl_b上的一对相邻的电极上。设置在第一子堤bnl_a上的电极中的每个可以包括电极弯曲部分,因此,设置在第一子堤bnl_a上的电极与设置在第二子堤bnl_b上的电极之间的距离可以从一个位置到另一个位置改变。因此,发光元件ed中的大多数可以布置在第一子堤bnl_a与第二子堤bnl_b之间的区域中。
210.电极触点ctp1和ctp2可以形成在第二堤bnl2和第一类型电极rme#1(即,第一电极rme1_2和第二电极rme2_2)的叠置区域中。第一电极rme1_2和第二电极rme2_2可以分别通过第一接触孔ct1和第二接触孔ct2直接连接到第二导电层。然而,其它电极(即,第二类型电极rme#2)可以不直接连接到第二导电层。
211.作为第一类型接触电极cne#1的第一接触电极cne1_2和第二接触电极cne2_2可以分别设置在第一电极rme1_2和第二电极rme2_2上。第一接触电极cne1_2可以设置在第一电极rme1_2的第一电极延伸部上,以与第一发光元件ed1的第一端部和第一电极rme1_2接触。第二接触电极cne2_2可以设置在第二电极rme2_2上以与第二发光元件ed2的第二端部和第二电极rme2_2接触。
212.显示装置10_2可以包括第二类型接触电极cne#2,第二类型接触电极cne#2可以包括第三接触电极cne3_2并且还可以包括第四接触电极cne4_2和第五接触电极cne5_2。第二类型接触电极cne#2可以包括接触电极延伸部cn_e1、cn_e2、cn_e3、cn_e4、cn_e5和cn_e6以及接触电极连接器cn_b1、cn_b2和cn_b3,并且可以设置在第二类型电极rme#2上。
213.例如,第三接触电极cne3_2的第一接触电极延伸部cn_e1可以设置在第三电极rme3_2上,第三接触电极cne3_2的第二接触电极延伸部cn_e2可以设置在第四电极rme4_2上,并且第三接触电极cne3_2的第一接触电极连接器cn_b1可以设置在第一电极rme1_2与第四电极rme4_2之间的在第二方向dr2上的间隙中。第三接触电极cne3_2可以与第一发光元件ed1的第二端部和第三发光元件ed3的第一端部接触,并且还可以与第三电极rme3_2和第四电极rme4_2接触。例如,第四接触电极cne4_2的第三接触电极延伸部cn_e3可以设置在第五电极rme5_2上,第四接触电极cne4_2的第四接触电极延伸部cn_e4可以设置在第六电极rme6_2上,第四接触电极cne4_2的第二接触电极连接器cn_b2可以设置在第三接触电极延伸部cn_e3、第四接触电极延伸部cn_e4与第二堤bnl2之间的区域中。第四接触电极cne4_
2可以与第三发光元件ed3的第二端部和第四发光元件ed4的第一端部接触,并且还可以与第五电极rme5_2和第六电极rme6_2接触。第五接触电极cne5_2的第五接触电极延伸部cn_e5可以设置在第七电极rme7_2上,第五接触电极cne5_2的第六接触电极延伸部cn_e6可以设置在第八电极rme8_2上,第五接触电极cne5_2的第三接触电极连接器cn_b3可以设置在第六电极rme6_2与第八电极rme8_2之间的在第二方向dr2上的间隙中。第五接触电极cne5_2可以与第四发光元件ed4的第二端部和第二发光元件ed2的第一端部接触,并且还可以与第七电极rme7_2和第八电极rme8_2接触。与第一接触电极连接器cn_b1和第三接触电极连接器cn_b3不同,第二接触电极连接器cn_b2可以设置在第七电极rme7_2与第二堤bnl2之间。第二接触电极连接器cn_b2可以设置在第七电极rme7_2的在第二方向dr2上的第一侧上以与第七电极rme7_2间隔开,并且第三接触电极连接器cn_b3可以设置在第七电极rme7_2的在第二方向dr2上的第二侧以与第七电极rme7_2间隔开。
214.第一发光元件ed1的第一端部和第二发光元件ed2的第二端部可以经由第一类型接触电极cne#1电连接到第一类型电极rme#1,并且可以接收从第二导电层施加的电信号。电信号可以流过第二类型接触电极cne#2、第三发光元件ed3和第四发光元件ed4,并且第一发光元件ed1、第二发光元件ed2、第三发光元件ed3和第四发光元件ed4可以串联连接。
215.如面已经描述的,可以通过利用多条电极线rm_a和rm_b使发光元件ed对准并使电极线rm_a和rm_b分开以形成电极rme1_2、rme2_2、rme3_2、rme4_2、rme5_2、rme6_2、rme7_2和rme8_2来制造显示装置10_2。
216.图23和图24是示出图17的显示装置的制造工艺的平面图。
217.参照图23和图24,多条电极线rm_a和rm_b可以横跨第一子像素px1的边界在第二方向dr2上延伸。可以在第一子像素px1中设置多条第一电极线rm_a,并且可以在第一电极线rm_a之间设置多条第二电极线rm_b。例如,两条第一电极线rm_a可以设置在第一子像素pxn中以在第一方向dr1上彼此间隔开,并且两条第二电极线rm_b可以设置在两条第一电极线rm_a之间。第一电极线rm_a的部分可以设置在第一子堤bnl_a上,并且第二电极线rm_b可以设置在第二子堤bnl_b的在第一方向dr1上的两侧。
218.第二电极线rm_b可以在切割区域cba中彼此直接连接。如果第二电极线rm_b彼此分开,则即使将相同类型的对准信号施加到第二电极线rm_b,也可能出现电压差。由于这些电压差,发光元件ed中的一些可能设置在第二电极线rm_b之间。为了防止这种情况,第二电极线rm_b可以在切割区域cba中连接,并且可以在第一电极线rm_a与第二电极线rm_b之间产生电场el。
219.第一电极线rm_a中的每条可以包括电极延伸部和电极弯曲部分,但是第二电极线rm_b可以简单地在第二方向dr2上延伸。第一子堤bnl_a上的第一电极线rm_a与第二电极线rm_b之间的距离可以比第一子堤bnl_a之间的在第二方向dr2上的间隙中的距离小。一旦产生电场el,就可以在电极线rm_a和rm_b之间的距离在其处相对较小的区域中产生强电场el,并且发光元件ed中的大部分可以放置在这样的区域中。
220.一旦放置了发光元件ed,就在发射区域ema和切割区域cba的电极切割部分rop1和rop2中使电极线rm_a和rm_b分开。第一电极切割部分rop1可以定位在发射区域ema的在其处第一堤bnl1在第二方向dr2上彼此间隔开的部分中。因为第一电极线rm_a与第二电极线rm_b之间的距离在第一堤bnl1之间的在第二方向dr2上的间隙中相对大,所以可以在第一
堤bnl1之间的在第二方向dr2上的间隙中仅产生弱电场el,从而几乎没有发光元件ed可以设置在第一堤bnl1之间的在第二方向dr2上的间隙中。
221.第二电极切割部分rop2可以设置在切割区域cba中。一旦电极线rm_a和rm_b在第二电极切割部分rop2中分开,则可以使电极rme1_2、rme2_2、rme3_2、rme4_2、rme5_2、rme6_2、rme7_2和rme8_2彼此分开,因此可以能够单独驱动电极rme1_2、rme2_2、rme3_2、rme4_2、rme5_2、rme6_2、rme7_2和rme8_2。在电极切割部分rop1和rop2中彼此分开的电极rme1_2、rme2_2、rme3_2、rme4_2、rme5_2、rme6_2、rme7_2和rme8_2包括第一类型电极rme#1和第二类型电极rme#2,并且发光元件ed可以被分类为第一发光元件ed1、第二发光元件ed2、第三发光元件ed3和第四发光元件ed4。
222.由于第二电极线rm_b布置在第一电极线rm_a之间,因此布置在发射区域ema中的发光元件ed的第一端部可以面对不同的方向。例如,可以在从第一电极线rm_a到第二电极线rm_b的方向上或在从第二电极线rm_b到第一电极线rm_a的方向上产生电场el。发光元件ed可以被对准为使得其第一端部或第二端部面对与电场el相同的方向。因为第一电极线rm_a设置在彼此连接的第二电极线rm_b的两侧,所以可以在发射区域ema中在第二电极线rm_b的两侧沿相反方向产生电场el。因此,发光元件ed的在第二电极线rm_b的在第一方向dr1上的第一侧上的第一端部和发光元件ed的在第二电极线rm_b的在第一方向dr1上的第二侧上的第一端部可以面对相反的方向。例如,第一发光元件ed1的第一端部和第三发光元件ed3的第一端部可以面对第二电极线rm_b的在第一方向dr1上的第一侧,第二发光元件ed2的第一端部和第四发光元件ed4的第一端部可以面对第二发光元件ed2的在第一方向dr1上的第二侧。不同发光元件ed的第一端部和第二端部可以经由第二类型接触电极cne#2串联连接。
223.此后,虽然未具体示出,但是可以形成暴露电极rme1_2、rme2_2、rme3_2、rme4_2、rme5_2、rme6_2、rme7_2和rme8_2的顶表面的部分的开口op以及接触电极cne1_2、cne2_2和cne3_2,从而获得显示装置10_2。
224.因为显示装置10_2包括部分弯曲的第一电极rme1_2、第四电极rme4_2、第六电极rme6_2和第八电极rme8_2以及设置在第一电极rme1_2、第四电极rme4_2、第六电极rme6_2和第八电极rme8_2之间且简单地延伸而不弯曲的第二电极rme2_2、第三电极rme3_2、第五电极rme5_2和第七电极rme7_2,所以可以在第一子像素px1中布置相当多数量的发光元件ed。因为第一堤bnl1不仅包括第一子堤bnl_a,而且包括设置在第一子堤bnl_a之间的第二子堤bnl_b,所以可以形成其中形成有电极rme1_2、rme2_2、rme3_2、rme4_2、rme5_2、rme6_2、rme7_2和rme8_2以及发光元件ed的区域。因为相当多数量的电极rme1_2、rme2_2、rme3_2、rme4_2、rme5_2、rme6_2、rme7_2和rme8_2布置在第一子像素px1中,所以可以增大发射区域ema在第一方向dr1上的宽度。然而,由于一些电极rme1_2、rme2_2、rme3_2、rme4_2、rme5_2、rme6_2、rme7_2和rme8_2在发射区域ema中在第二方向dr2上彼此间隔开,因此可以经由第二类型接触电极cne#2形成电流路径。因为沿着第二方向dr2布置的发光元件ed中的一些可以经由第二类型接触电极cne#2串联连接,所以可以进一步改善每个子像素pxn的亮度。此外,因为串联连接的发光元件ed的数量增大,所以即使发光元件ed中的一些断开,发光元件ed中的至少一些仍然能够发射光。因此,可以防止每个子像素pxn中的任何发射缺陷。
225.如上面已经描述的,可以通过利用电极线rm_a和rm_b使发光元件ed对准并且将电
极线rm_a和rm_b中的一些分开以形成电极rme1_2、rme2_2、rme3_2、rme4_2、rme5_2、rme6_2、rme7_2和rme8_2来制造显示装置10_2。电极线rm_a和rm_b可以在第二方向dr2上延伸横跨多个子像素pxn。可以通过相同的电极线rm_a和rm_b在沿着第二方向dr2布置的子像素pxn的阵列中产生电场el。
226.当在发光元件ed的对准之后执行电极线rm_a和rm_b的分开时,电极切割部分rop1和rop2需要具有足够的尺寸以防止发光元件ed或电极rme1_2、rme2_2、rme3_2、rme4_2、rme5_2、rme6_2、rme7_2和rme8_2损坏。随着电极切割部分rop1和rop2的尺寸增大以使电极线rm_a和rm_b适当地分开,在发射区域ema中其中布置有发光元件ed的区域的尺寸会减小。
227.显示装置10_2可以包括在发射区域ema中在第二方向dr2上彼此间隔开的电极rme1_2、rme2_2、rme3_2、rme4_2、rme5_2、rme6_2、rme7_2和rme8_2中的一些,并且电极线rm_a和rm_b可以形成为在使发光元件ed对准的工艺中分开。电极线rm_a和rm_b可以全部电连接到第二导电层,并且可以经由第二导电层向电极线rm_a和rm_b施加对准信号。在这种情况下,在发光元件ed的对准之后,可以通过使电极线rm_a和rm_b的连接到第二导电层的部分分开来简单地形成第一类型电极rme#1和第二类型电极rme#2,因此,可以使电极切割部分rop1和rop2的尺寸最小化。结果,可以在发射区域ema中确保其中布置有发光元件ed的足够的区域,从而可以进一步改善每个子像素pxn的亮度。
228.图25是根据本公开的另一实施例的显示装置的像素的平面图。图26是图25的第一子像素的平面图。图27是示出图25的第一子像素中的第二导电层的示意性布置的平面图。图28是示出图25的第一子像素中的电极和第二导电层的示意性布置的平面图。图29是沿着图26的线d1-d1'和线d2-d2'截取的剖视图。图27示出了仅示出第二导电层的平面图,图28示出了共同示出第二导电层、多个电极、电极图案、第一堤bnl1和第二堤bnl2的平面图。图29是沿着第一电极图案cp1和第二电极图案cp2截取的剖视图。
229.参照图25至图29,显示装置10_3可以包括多个第一类型电极rme#1和多个第二类型电极rme#2,并且还可以包括多个第一电极图案cp1、多个第二电极图案cp2、多个第三电极图案cp3、多个第四电极图案cp4、多个第五电极图案cp5和多个第六电极图案cp6。第一电极图案cp1、第二电极图案cp2、第三电极图案cp3、第四电极图案cp4、第五电极图案cp5和第六电极图案cp6可以最初地形成为连接到第二类型电极rme#2,然后可以在发光元件ed的对准之后与第二电极线rm_b分开。在显示装置10_3的制造期间,第一电极图案cp1、第二电极图案cp2、第三电极图案cp3、第四电极图案cp4、第五电极图案cp5和第六电极图案cp6可以连接到第二导电层,并且可以向第二电极线rm_b传输对准信号。
230.第一类型电极rme#1和第二类型电极rme#2可以以与图20的它们相应的对应物基本上相同的方式布置,但是可以具有与图20的它们相应的对应物不同的形状。例如,第一电极rme1_3、第四电极rme4_3、第六电极rme6_3和第八电极rme8_3中的每个可以包括其上设置有发光元件ed的电极延伸部和连接到电极延伸部并被设置为与第二堤bnl2叠置的电极弯曲部分。在于它们不包括第一电极弯曲部分rm_c1,第一电极rme1_3、第四电极rme4_3、第六电极rme6_3和第八电极rme8_3与图17至图22的它们相应的对应物基本上相同。第二电极rme2_3、第三电极rme3_3、第五电极rme5_3和第七电极rme7_3与图17至图22的它们相应的对应物类似可以在一个方向上延伸。第一堤bnl1、第二堤bnl2、第一类型接触电极cne#1和第二类型接触电极cne#2可以具有与图17至图22的它们相应的对应物基本上相同的形状。
因此,将省略对第一类型电极rme#1、第二类型电极rme#2、第一类型接触电极cne#1和第二类型接触电极cne#2的布置和它们之间的连接的描述,而将在下文中描述第一类型电极rme#1、第二类型电极rme#2、第一类型接触电极cne#1和第二类型接触电极cne#2的形状。
231.每个子像素pxn(例如,第一子像素pxn)可以包括设置在发射区域ema下方的第一切割区域cba1和设置在发射区域ema上方的第二切割区域cba2。如稍后将描述的,电极线rm_a和rm_b的切割可以仅在切割区域cba1和cba2中执行而不在发射区域ema中执行,并且电极线rm_a和rm_b可以在设置在发射区域ema上方或下方的切割区域cba1和cba2中分开。
232.第一电极rme1_3可以包括其上设置有发光元件ed的第一电极延伸部、连接到第一电极延伸部并弯曲的电极弯曲部分和连接到电极弯曲部分并与第二堤bnl2叠置的第二电极延伸部。第一电极rme1_3的第一电极延伸部可以在发射区域ema中设置在第一子堤bnl_a上。虽然未在图28中具体示出,但是第一电极rme1_3的第二电极延伸部可以延伸超过第一子像素px1与在第二方向dr2上同第一子像素px1相邻的上方的邻近子像素pxn之间的边界,并且可以在上方的邻近子像素pxn的第一切割区域cba1中终止。图28示出了第一子像素px1的下方的邻近子像素pxn的第一电极rme1_3的第二电极延伸部设置在第一子像素px1的第一切割区域cba1中。第一电极触点ctp1可以形成在第一电极rme1_3的第二电极延伸部中,并且第一电极rme1_3可以通过第一电极触点ctp1中的第一接触孔ct1与第一导电图案cdp接触。
233.第二电极rme2_3可以在第二方向dr2上延伸,并且可以设置在第二子堤bnl_b上。第二电极rme2_3可以被设置为横跨发射区域ema和第一子像素px1与上方的邻近子像素pxn之间的边界,并且可以在上方的邻近子像素pxn的第一切割区域cba1中终止。图28示出了下方的邻近子像素pxn的第二电极rme2_3设置在第一子像素px1的第一切割区域cba1中。第二电极触点ctp2可以形成在第二电极rme2_3中,并且第二电极rme2_3可以通过第二电极触点ctp2中的第二接触孔ct2与第二电压线vl2的第一布线触点wc1接触。
234.第三电极rme3_3、第五电极rme5_3和第七电极rme7_3可以在第二方向dr2上延伸。第三电极rme3_3可以设置在发射区域ema中,并且可以被布置为横跨第二切割区域cba2以与第二堤bnl2部分叠置。第五电极rme5_3和第七电极rme7_3可以作为线型图案设置在发射区域ema中。
235.第三电极rme3_3、第五电极rme5_3和第七电极rme7_3可以设置在第二子堤bnl_b的两侧,第三电极rme3_3可以与第二电极rme2_3间隔开,第五电极rme5_3可以与第七电极rme7_3间隔开。
236.第四电极rme4_3、第六电极rme6_3和第八电极rme8_3可以具有与第一电极rme1_3基本上相同的形状。与第一电极rme1_3不同,第四电极rme4_3、第六电极rme6_3和第八电极rme8_3可以具有相对短的第二电极延伸部,并且可以被设置为横跨第二切割区域cba2,而不设置在第一子像素px1的任何邻近子像素pxn中。第四电极rme4_3和第六电极rme6_3可以设置在发射区域ema和第一切割区域cba1中并横跨发射区域ema和第一切割区域cba1,第八电极rme8_3可以设置在发射区域ema中并且可以与第二堤bnl2部分叠置。
237.如上所述,电极rme1_3、rme2_3、rme3_3、rme4_3、rme5_3、rme6_3、rme7_3和rme8_3中的一些可以在发射区域ema中在第二方向dr2上彼此间隔开。第一电极rme1_3、第三电极rme3_3、第二电极rme2_3和第八电极rme8_3可以在第二方向dr2上分别与第四电极rme4_3、
第五电极rme5_3、第七电极rme7_3和第六电极rme6_3间隔开。然而,因为在显示装置10_3的制造期间电极线rm_a和rm_b形成为分开,所以可以省略在发光元件ed的对准之后使发射区域ema中的电极线rm_a和rm_b分开的工艺。因此,不需要在发射区域ema中确保用于使电极线rm_a和rm_b在其处分开的电极切割部分的空间,并且可以使电极rme1_3、rme2_3、rme3_3、rme4_3、rme5_3、rme6_3、rme7_3和rme8_3之间的在第二方向dr2上的间隙最小化。这样,可以在发射区域ema中进一步确保用于发光元件ed的空间。此外,为了防止发光元件ed设置在第一电极切割部分rop1中,可以从发射区域ema省略第一电极线rm_a在其处弯曲的电极弯曲部分。
238.如稍后将描述的,电极线rm_a和rm_b可以在显示装置10_3的制造期间形成为分开的。电极线rm_a和rm_b可以从第二导电层的第一电压线vl1和第二电压线vl2接收对准信号,电极线rm_a和rm_b的连接到第二导电层的部分可以在使发光元件ed的对准之后分开,使得第一电极图案cp1、第二电极图案cp2、第三电极图案cp3、第四电极图案cp4、第五电极图案cp5和第六电极图案cp6可以保留在第一子像素px1中。
239.显示装置10_3可以包括与第二类型电极rme#2间隔开并连接到第二导电层的第一电极图案cp1、第二电极图案cp2、第三电极图案cp3、第四电极图案cp4、第五电极图案cp5和第六电极图案cp6。
240.第一电极图案cp1可以设置在第一切割区域cba1中。第一电极图案cp1可以通过穿透第三层间绝缘层il3的第三接触孔ct3与从第一电压线vl1的第一侧突出的第二布线触点wc2接触。第一电极图案cp1可以与第一电极线rm_a分开,并且可以与第一电极rme1_3和第四电极rme4_3一起形成。
241.第二电极图案cp2可以设置在发射区域ema下方。第二电极图案cp2可以通过穿透第三层间绝缘层il3的第四接触孔ct4与从第二电压线vl2的第二侧突出的第三布线触点wc3接触。第二电极图案cp2可以与第二电极线rm_b分开,并且可以与第五电极rme5_3一起形成。
242.第三电极图案cp3可以设置在第二切割区域cba2中。第三电极图案cp3可以通过穿过第三层间绝缘层il3的第五接触孔ct5与从第二电压线vl2的第二侧突出的第四布线触点wc4接触。第三电极图案cp3可以与第二电极线rm_b分开,并且可以与第三电极rme3_3一起形成。
243.第四电极图案cp4可以设置在发射区域ema下方。第四电极图案cp4可以通过穿透第三层间绝缘层il3的第六接触孔ct6与从第二电压线vl2的第一侧突出的第五布线触点wc5接触。第四电极图案cp4可以与第二电极线rm_b分开,并且可以与第七电极rme7_3一起形成。
244.第五电极图案cp5可以设置在第一切割区域cba1中。第五电极图案cp5可以通过穿透第三层间绝缘层il3的第七接触孔ct7与从第一电压线vl1的第二侧突出的第六布线触点wc6接触。第五电极图案cp5可以与第一电极线rm_a分开,并且可以与第六电极rme6_3一起形成。
245.第六电极图案cp6可以设置在第二切割区域cba2中。第六电极图案cp6可以通过穿透第三层间绝缘层il3的第八接触孔ct8与从第一电压线vl1的第二侧突出的第七布线触点wc7接触。第六电极图案cp6可以与第一电极线rm_a分开,并且可以与第八电极rme8_3一起
形成。
246.在显示装置10_3的制造期间,电极线rm_a和rm_b可以被布置为在发射区域ema中分开。因此,不能够经由设置在非显示区域中的垫向电极线rm_a和rm_b一起施加对准信号。然而,因为电极线rm_a和rm_b经由第一电极图案cp1、第二电极图案cp2、第三电极图案cp3、第四电极图案cp4、第五电极图案cp5和第六电极图案cp6连接到第一电压线vl1或第二电压线vl2,所以可以经由第一电压线vl1和第二电压线vl2施加对准信号。一旦发光元件ed对准,就可以执行使电极线rm_a和rm_b与第一电极图案cp1、第二电极图案cp2、第三电极图案cp3、第四电极图案cp4、第五电极图案cp5和第六电极图案cp6分开的工艺,从而可以单独地驱动第一子像素px1。
247.第一子像素px1可以包括其中未设置发光元件ed且电信号不施加到其的电极分离件rp1和rp2。电极分离件rp1和rp2可以包括通过使第一电极线rm_a与第五电极图案cp5和第六电极图案cp6分开而获得的第一电极分离件rp1以及通过使第二电极线rm_b与第二电极图案cp2和第三电极图案cp3而获得的第二电极分离件rp2。
248.第一电极分离件rp1和第二电极分离件rp2可以被设置为横跨第一子像素px1与下方的邻近子像素pxn之间的边界并且横跨切割区域cba1和cba2。第一电极分离件rp1可以在第六电极rme6_3与第八电极rme8_3之间部分地设置在第一切割区域cba1和第二切割区域cba2中,第二电极分离件rp2可以设置在第三电极rme3_3与第五电极rme5_3之间并且可以被设置为横跨第一切割区域cba1并部分地设置在第二切割区域cba2中。显示装置10_3可以包括使发光元件ed串联连接的第一类型电极rme#1和第二类型电极rme#2。第一类型电极rme#1中的一些和第二类型电极rme#2中的一些可以通过接触孔ct1和ct2连接到第二导电层,并且第一类型电极rme#1中的一些和第二类型电极rme#2中的一些可以不连接到第二导电层。为此,电极线rm_a和rm_b中的一些可以被分开为基本上浮置。设置在发射区域ema中的电极可以是第一类型电极rme#1或者可以经由第一类型接触电极cne#1接收电信号,并且未设置在发射区域ema中的电极分离件rp1和rp2可以保持浮置而没有电信号施加到其。在显示装置10_3的制造期间,可以通过使电极线rm_a和rm_b与第一电极图案cp1、第二电极图案cp2、第三电极图案cp3、第四电极图案cp4、第五电极图案cp5和第六电极图案cp6分开来形成电极分离件rp1和rp2。
249.图30至图32是示出图25的显示装置的制造工艺的平面图。
250.参照图30至图32,多条电极线rm_a和rm_b可以形成为在发射区域ema中分开。第一电极线rm_a可以包括电极延伸部和电极弯曲部分,并且可以在第一方向dr1和第二方向dr2上彼此间隔开。第二电极线rm_b可以设置在第一电极线rm_a之间,并且可以设置在第二子堤bnl_b的两侧。
251.电极线rm_a和rm_b可以经由电极触点ctp1和ctp2以及第一电极图案cp1、第二电极图案cp2、第三电极图案cp3、第四电极图案cp4、第五电极图案cp5和第六电极图案cp6电连接到第二导电层。设置在发射区域ema的中心的左侧的第一电极线rm_a可以经由第一电极图案cp1电连接到第一电压线vl1,而设置在发射区域ema的中心的右侧的第一电极线rm_a可以经由第五电极图案cp5和第六电极图案cp6电连接到第一电压线vl1。第二电极线rm_b可以经由第二电极触点ctp2以及第二电极图案cp2、第三电极图案cp3和第四电极图案cp4电连接到第二电压线vl2。
252.如果将包括发光元件ed的墨喷射到发射区域ema中并且向第一电压线vl1和第二电压线vl2施加对准信号,则可以在电极线rm_a和rm_b)上产生电场el。然后,可以通过电场el使发光元件ed设置在不同的电极线rm_a和rm_b上。
253.此后,可以使电极线rm_a和rm_b以及第一电极图案cp1、第二电极图案cp2、第三电极图案cp3、第四电极图案cp4、第五电极图案cp5和第六电极图案cp6分开,从而可以单独地驱动第一子像素px1。可以经由第一电极切割部分rop1使设置在发射区域ema的中心左侧的第一电极线rm_a与第一电极图案cp1分开,可以经由第二电极切割部分rop2使设置在发射区域ema的中心下方的第二电极线rm_b与第二电极图案cp2和第四电极图案cp4分开。可以经由第三电极切割部分rop3使设置在发射区域ema的中心的左上侧的第二电极线rm_b与第三电极图案cp3分开,可以经由第四电极切割部分rop4和第五电极切割部分rop5使设置在发射区域ema的中心的右侧的第一电极线rm_a与第五电极图案cp5和第六电极图案cp6分开。以此方式,可以使电极线rm_a和rm_b分开,从而形成第一类型电极rme#1和第二类型电极rme#2。
254.此后,虽然未具体示出,但是形成与发光元件ed接触的接触电极,从而获得显示装置10_3。显示装置10_3与先前实施例的其对应物的不同之处在于,电极线rm_a和rm_b被形成为在发射区域ema中分开。因为在发射区域ema中不需要用于使电极线rm_a和rm_b分开的空间,所以可以在发射区域ema中进一步确保用于发光元件ed的空间,并且可以进一步改善每个子像素pxn的亮度。
255.在结束详细描述时,本领域技术人员将理解的是,在基本上不脱离本公开的原理的情况下,可以对实施例进行许多变化和修改。因此,本公开的所公开的优选实施例仅在一般性和描述性意义上使用,而不是出于限制的目的。
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