具有多个金属外壳的模块化微波源的制作方法

具有多个金属外壳的模块化微波源
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求享有于2020年6月10日递交的第16/898,259号美国非临时申请的优先权，由此通过引用将上述申请的全部内容结合在此。
技术领域
3.实施方式涉及半导体制造的领域，且特别地涉及用于高频等离子体源的整体(monolithic)源阵列。


背景技术：

4.一些高频等离子体源包括穿过介电板中的开口的施加器。穿过介电板的开口允许施加器(例如，介电腔谐振器(dielectric cavity resonator))暴露于等离子体环境。然而，已经显示等离子体也在围绕施加器的空间中在介电板中的开口中产生。在期望有大面积上方的二维等离子体均匀性的处理腔室中，此结构可能导致处理腔室内的等离子体不均匀性。
5.在一些实施方式中，施加器定位在介电板上方或在进入(但不穿过)介电板的腔内。这样的配置减少与腔室的内部的耦合，且因此不能提供最佳的等离子体生成。高频电磁辐射与腔室内部的耦合部分地由于在介电板与施加器之间的额外界面而减弱，高频电磁辐射需要跨该额外界面传播。此外，在每个施加器处和跨越不同处理工具的界面的变化(例如，施加器的定位、施加器和/或介电板的表面粗糙度、施加器相对于介电板的角度等)可能导致等离子体不均匀性。
6.特别地，当施加器是与介电板分立的部件时，更可能(在单个处理腔室内和/或跨越不同的处理腔室(例如，腔室匹配))发生等离子体不均匀性。例如，在具有分立的部件的情况下，小的变化(例如，组装、机械加工公差(machining tolerance)等的变化)可能导致对腔室内的处理条件产生负面影响的等离子体不均匀性。


技术实现要素：

7.本文公开的实施方式包括一种模块化微波源阵列。在一实施方式中，用于源阵列的外壳组件包含第一导电层，其中第一导电层包含第一热膨胀系数(cte)；和第二导电层，在第一导电层上方，其中第二导电层包含不同于第一cte的第二cte。在一实施方式中，外壳组件进一步包含复数个开口，所述复数个开口穿过外壳组件，其中每个开口穿过第一导电层和第二导电层。
8.另外的实施方式包括一种组件，组件包含源阵列，其中源阵列包含介电板和从介电板的表面向上延伸的复数个介电谐振器。在一实施方式中，组件进一步包含外壳组件，所述外壳组件在源阵列上方。在一实施方式中，外壳组件包含第一导电层，所述第一导电层在介电板的表面上方，其中第一导电层包含第一热膨胀系数(cte)；和第二导电层，在第一导电层上方，其中第二导电层包含不同于第一cte的第二cte。在一实施方式中，外壳组件进一
步包含复数个开口，所述复数个开口穿过外壳组件，其中每个开口穿过第一导电层和第二导电层，且其中每个开口容纳复数个介电谐振器中的一个介电谐振器。
9.另外的实施方式包括一种处理工具。处理工具可包含腔室和与腔室对接的组件。在一实施方式中，组件包含源阵列。在一实施方式中，源阵列包含介电板，介电板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，其中第二表面暴露于腔室的内部容积，并且其中第一表面暴露于外部环境。源阵列可进一步包含复数个介电谐振器，所述复数个介电谐振器从介电板的第一表面延伸出，其中复数个介电谐振器和介电板为整体结构。在一实施方式中，组件可进一步包含外壳组件，所述外壳组件在整体源阵列上方。在一实施方式中，外壳组件可包含第一导电层，所述第一导电层在介电板的表面上方，其中第一导电层包含第一热膨胀系数(cte)；和第二导电层，在第一导电层上方，其中第二导电层包含不同于第一cte的第二cte。在一实施方式中，外壳组件可进一步包含复数个开口，所述复数个开口穿过外壳组件，其中每个开口穿过第一导电层和第二导电层，并且其中每个开口容纳复数个介电谐振器中的一个介电谐振器。
10.以上发明内容不包括所有实施方式的详尽清单。预期的是，包括可从上面概括的各种实施方式的所有合适的组合以及在下面的具体实施方式中公开的和在与本技术一起提交的权利要求书中特别指出的那些实施方式中实施的所有系统和方法。这样的组合具有以上的发明内容中未具体列举的特定优点。
附图说明
11.图1是根据一实施方式的处理工具的示意图，处理工具包含具有整体源阵列的模块化高频发射源，整体源阵列包含复数个施加器。
12.图2是根据一实施方式的模块化高频发射模块的方框图。
13.图3a是根据一实施方式的包含复数个施加器和介电板的整体源阵列的透视图图示。
14.图3b是根据一实施方式的具有形状为六边形的复数个施加器的整体源阵列的平面图图示。
15.图4a是根据一实施方式的整体源阵列和与整体源阵列对接以形成组件的外壳的透视图图示。
16.图4b是根据一实施方式的在整体源阵列与外壳配合在一起之后的组件的横截面图。
17.图4c是根据一实施方式的外壳的一部分的横截面图，示出螺栓连接到第二部分的第一部分。
18.图4d是根据一实施方式的外壳的一部分的横截面图，示出接合(bond)到第二部分的第一部分。
19.图4e是根据一实施方式的外壳的一部分的横截面图，示出用界面层黏附到第二部分的第一部分。
20.图4f是根据一实施方式的施加器的横截面图，该施加器包含来自组件的部件。
21.图5是根据一实施方式的组件的横截面图，组件包含在外壳的第二部分中的气体分配网络。
22.图6是根据一实施方式的组件的横截面图，组件包含在外壳的第一部分中的流体通道(fluidic channel)。
23.图7是根据一实施方式的包含组件的处理工具的横截面图，组件包括整体源阵列和外壳。
24.图8图示根据一实施方式的可与高频等离子体工具结合使用的示例性计算机系统的方框图。
具体实施方式
25.本文描述的系统包含用于高频等离子体源的整体源阵列。在以下描述中，阐述许多具体细节以提供对实施方式的透彻理解。对于本领域技术人员来说清楚的是，可在没有这些具体细节的情况下实施实施方式。在其他情况下，不详细描述众所周知的方面以免不必要地使实施方式模糊。此外，应当理解，附图中所示的各种实施方式是说明性表示并且不一定按比例绘制。
26.如上所述，具有分立的(discrete)施加器的高频等离子体源可能导致腔室内的等离子体不均匀性和高频电磁辐射向腔室中的非最佳注入。等离子体中的不均匀性可能由于不同的原因而出现，诸如组装问题、制造公差、退化(degradation)和类似者。高频电磁辐射向腔室中的非最佳注入可能(部分地)由在施加器与介电板之间的界面导致。
27.相应地，本文公开的实施方式包括整体源阵列。在一实施方式中，整体源阵列包含介电板和从介电板的表面向上延伸的复数个突起物。特别地，突起物和介电板形成整体零件。也就是，突起物和介电板由单块材料制成。突起物具有适合用作施加器的尺寸。例如，可制造到突起物中的孔，所述孔容纳单极天线。因此，突起物可用作介电腔谐振器。
28.将源阵列实现为整体零件具有若干优点。一个好处是可维持严格的机械加工公差，以便在零件之间提供高度的均匀性。鉴于分立的施加器需要组装，整体源阵列避免了可能的组装变化。此外，整体源阵列的使用提供高频电磁辐射到腔室中的改善的注入，因为在施加器与介电板之间不再存在物理界面。
29.整体源阵列还提供腔室中改进的等离子体均匀性。特别地，暴露于等离子体的介电板的表面不包括用于容纳施加器的任何间隙。此外，在突起物与介电板之间没有物理界面改善了介电板中的横向电场扩展。
30.在一些实施方式中，整体源阵列包含薄介电板。虽然薄板允许高频电磁辐射到腔室中的改善的注入，但薄板也更容易破裂。特别地，归因于在整体源阵列的材料与围绕整体源阵列的导电外壳之间的热膨胀系数(cte)失配的应力可能将显著的应力引入到整体源阵列中。例如，整体源阵列可包含氧化铝(氧化铝具有大约7到8ppm的cte)，并且导电外壳可包含铝(铝具有大约22ppm的cte)。
31.相应地，本文公开的实施方式包括导电外壳，导电外壳包含第一导电层和第二导电层。第一导电层可与整体源阵列的介电板对接，并且第二导电层在第一导电层上方。第一导电层可具有与整体源阵列的cte更紧密匹配的cte。例如，第一导电层可包含钛(钛具有大约8ppm的cte)。因此，第一导电层在第二导电层与整体源阵列之间提供缓冲，并且减少在整体源阵列中引起的热应力。
32.现在参照图1，根据一实施方式，示出等离子体处理工具100的横截面图。在一些实
施方式中，处理工具100可为适用于利用等离子体的任何类型的处理操作的处理工具。例如，处理工具100可为用于等离子体增强化学气相沉积(pecvd)、等离子体增强原子层沉积(peald)、蚀刻与选择性移除工艺和等离子体清洁的处理工具。另外的实施方式可包括利用高频电磁辐射而不产生等离子体(例如，微波加热等)的处理工具100。如本文所用，“高频”电磁辐射包括射频辐射、甚高频辐射、超高频辐射和微波辐射。“高频”可指在0.1mhz与300ghz之间的频率。
33.通常，实施方式包括处理工具100，处理工具100包括腔室178。在处理工具100中，腔室178可为真空腔室。真空腔室可包括用于从腔室移除气体以提供期望真空的泵(未示出)。另外的实施方式可包括腔室178，腔室178包括用于将处理气体提供到腔室178中的一个或多个气体管线170和用于从腔室178移除副产物的排放管线172。虽然未示出，但应了解，也可将气体通过整体源阵列150(例如，作为喷头)注入腔室178中，以将处理气体均匀地分配在基板174上方。
34.在一实施方式中，基板174可被支撑在吸盘176上。例如，吸盘176可为任何合适的吸盘，诸如静电吸盘之类。吸盘176还可包括冷却管线和/或加热器，以在处理期间对基板174提供温度控制。由于本文描述的高频发射模块的模块化配置，实施方式允许处理工具100容纳任何尺寸的基板174。例如，基板174可为半导体晶片(例如，200mm、300mm、450mm或更大)。替代实施方式还包括除半导体晶片之外的基板174。例如，实施方式可包括被配置用于处理玻璃基板(例如，用于显示技术)的处理工具100。
35.根据一实施方式，处理工具100包括模块化高频发射源104。模块化高频发射源104可包含高频发射模块105的阵列。在一实施方式中，每个高频发射模块105可包括振荡器模块106、放大模块130和施加器142。如图所示，施加器142被示意性地示出为整合到整体源阵列150中。然而，应当理解，整体源阵列150可为整体结构，该整体结构包含施加器142的一个或多个部分(例如，介电谐振体)和面向腔室178的内部的介电板。
36.在一实施方式中，振荡器模块106和放大模块130可包含作为固态电部件的电部件。在一实施方式中，复数个振荡器模块106的每一个振荡器模块可以通信地耦合到不同的放大模块130。在一些实施方式中，在振荡器模块106与放大模块130之间可存在1：1的比例。例如，每个振荡器模块106可电耦合到单个放大模块130。在一实施方式中，复数个振荡器模块106可产生非相干电磁辐射。相应地，在腔室178中感应的电磁辐射将不以导致不期望的干涉图案的方式相互作用。
37.在一实施方式中，每个振荡器模块106产生传输到放大模块130的高频电磁辐射。在通过放大模块130进行处理之后，电磁辐射传输到施加器142。在一实施方式中，施加器142各自发射电磁辐射到腔室178中。在一些实施方式中，施加器142将电磁辐射耦合到腔室178中的处理气体以产生等离子体。
38.现在参照图2，示出根据一实施方式的固态高频发射模块105的示意图。在一实施方式中，高频发射模块105包含振荡器模块106。振荡器模块106可包括电压控制电路210，用于向压控振荡器(voltage controlled oscillator)220提供输入电压，以便在期望的频率下产生高频电磁辐射。实施方式可包括在大约1v与10v dc之间的输入电压。压控振荡器220是电子振荡器，该电子振荡器的振荡频率由输入电压控制。根据一实施方式，来自电压控制电路210的输入电压造成压控振荡器220在期望的频率下振荡。在一实施方式中，高频电磁
辐射可具有在大约0.1mhz与30mhz之间的频率。在一实施方式中，高频电磁辐射可具有在大约30mhz与300mhz之间的频率。在一实施方式中，高频电磁辐射可具有在大约300mhz与1ghz之间的频率。在一实施方式中，高频电磁辐射可具有在大约1ghz与300ghz之间的频率。
39.根据一实施方式，电磁辐射从压控振荡器220传输到放大模块130。放大模块130可包括驱动器/前置放大器234和主功率放大器236，驱动器/前置放大器234和主功率放大器236各自耦合到电源239。根据一实施方式，放大模块130可以脉冲模式操作。例如，放大模块130可具有在1％与99％之间的占空比。在更特别的实施方式中，放大模块130可具有在大约15％与50％之间的占空比。
40.在一实施方式中，在被放大模块130处理之后，电磁辐射可被传输到热断路器(thermal break)249和施加器142。然而，传输到热断路器249的部分功率可能由于输出阻抗不匹配而被反射回来。相应地，一些实施方式包括检测器模块281，检测器模块281允许前向功率(forward power)283和反射功率282的水平被感测并且反馈到控制电路模块221。应当理解，检测器模块281可位于系统中的一个或多个不同的位置(例如，在循环器238与热断路器249之间)处。在一实施方式中，控制电路模块221解释(interpret)前向功率283和反射功率282，并且确定通信耦合到振荡器模块106的控制信号285的水平和通信耦合到放大模块130的控制信号286的水平。在一实施方式中，控制信号285调整振荡器模块106以优化耦合到放大模块130的高频辐射。在一实施方式中，控制信号286调整放大模块130以优化通过热断路器249耦合到施加器142的输出功率。在一实施方式中，除了热断路器249中阻抗匹配的定制(tailoring)之外，振荡器模块106和放大模块130的反馈控制也可允许反射功率的水平小于前向功率的大约5％。在一些实施方式中，振荡器模块106和放大模块130的反馈控制可允许反射功率的水平小于前向功率的大约2％。
41.相应地，实施方式允许增加要耦合到处理腔室178中的前向功率的百分比，并且增加耦合到等离子体的可用功率。此外，使用反馈控制的阻抗调谐优于典型缝隙板天线(slot-plate antenna)中的阻抗调谐。在缝隙板天线中，阻抗调谐涉及移动施加器中形成的两个电介质块(dielectric slug)。这涉及施加器中两个独立部件的机械运动，这增加了施加器的复杂性。此外，机械运动可能不如可由压控振荡器220提供的频率变化那么精确。
42.现在参照图3a，根据一实施方式，示出整体源阵列350的透视图。在一实施方式中，整体源阵列350包含介电板360和从介电板360向上延伸的复数个突起物366。在一实施方式中，介电板360和复数个突起物366是整体结构。也就是，在突起物366的底部与介电板360的第一表面361之间不存在物理界面。如本文所用，“物理界面”是指接触第二分立主体的第二表面的第一分立主体的第一表面。然而，在其他实施方式中，突起物366可为与介电板360具有物理界面的分立谐振器。
43.突起物366中的每一个突起物是用以将高频电磁辐射注入处理腔室178中的施加器142的一部分。特别地，突起物366用作施加器142的谐振体。施加器142的其他部件(例如，围绕谐振体的单极天线和接地外壳)可为与整体源阵列350分立的部件并且在下面更详细地描述。
44.介电板360包含第一表面361和与第一表面361相对的第二表面362。介电板具有在第一表面361与第二表面362之间的第一厚度t1。在一实施方式中，第一厚度t1小于大约30mm、小于大约20mm、小于大约10mm或小于大约5mm。在特定实施方式中，第一厚度t1为大约
3mm。减小第一厚度t1提供高频电磁辐射到处理腔室中的改善的耦合。应当理解，厚度t1的减小降低了介电板360的机械完整性。特别地，由于来自系统的热应力，介电板360更容易破裂。然而，本文公开的实施方式包含导电外壳(下文更详细地描述)，导电外壳包括第一导电层，第一导电层具有与介电板360的cte紧密匹配的cte。照此，降低了热应力并且能够使用薄介电板360(诸如上面描述的那些)。在所示的实施方式中，介电板360示出为具有大体上圆形的形状。然而，应当理解，介电板360可具有任何期望的形状(例如，多边形、椭圆形、楔形或类似者)。
45.复数个突起物366从介电板360的第一表面361向上延伸。例如，侧壁364取向为大体上垂直于介电板360的第一表面361。突起物366进一步包含第三表面363。第三表面363可大体上平行于第一表面361。在一实施方式中，孔365设置到每个突起物的第三表面363中。孔365经调整尺寸以容纳施加器142的单极天线。在一实施方式中，孔365定位于突起物366的轴向中心处。
46.在一实施方式中，突起物366可具有在第一表面361与第三表面363之间的第二厚度t2。在一实施方式中，可选择第二厚度t2来为施加器提供谐振体。例如，突起物366的尺寸可至少取决于整体源阵列的材料、介电板360的厚度和期望的操作频率，以及其他考虑因素。实施方式可通常包括随着介电板的第一厚度t1增加而减小突起物的第二厚度t2。
47.在一实施方式中，复数个突起物366以阵列布置。在所示的实施方式中，复数个突起物366以紧密堆积的阵列布置，但其他堆积布置也是可能的。此外，虽然示出十九个突起物366，但应当理解，实施方式可包括从介电板360的第一表面361延伸离开的一个或多个突起物366。在所示的实施方式中，突起物366中的每一个突起物具有相同的尺寸(例如，厚度t2和宽度w)。在其他实施方式中，突起物366的尺寸可为不均匀的。
48.在一实施方式中，整体源阵列350包含介电材料。例如，整体源阵列350可为陶瓷材料。在一实施方式中，可用于整体源阵列350的一种合适的陶瓷材料是al2o3。整体结构可由单块材料制成。在其他实施方式中，整体源阵列350的粗略形状可用模塑(molding)工艺形成，并且随后被机械加工以提供具有期望尺寸的最终结构。例如，坯体状态机械加工和烧制(green state machining and firing)可用以提供整体源阵列350的期望形状。
49.现在参照图3b，根据另外的实施方式示出整体源阵列350的平面图图示。该整体源阵列350与图3a中的整体源阵列350大体上相似，不同之处在于突起物366在沿着平行于第一表面361的平面观察时具有不同的横截面。在图3d中，突起物366的轮廓大体上是六边形的形状，与图3a中的圆形相反。虽然示出圆形和六边形横截面的示例，但是应当理解，突起物366可包含许多不同的横截面。例如，突起物366的横截面可具有中心对称的任何形状。
50.现在参照图4a，根据一实施方式，图示组件470的分解图。在一实施方式中，组件470包含整体源阵列450和外壳472。整体源阵列450可大体上类似于上述的整体源阵列350。例如，整体源阵列450可包含介电板460和从介电板460向上延伸的复数个突起物466。
51.在一实施方式中，外壳472包含多层导电体。例如，外壳472可包含第一导电层473a和在第一导电层473a上方的第二导电层473b。第一导电层473a包含第一材料并且第二导电层473b包含不同于第一材料的第二材料。特别地，第一材料具有第一cte，第一cte小于第二材料的第二cte。在一实施方式中，第一cte可与整体源阵列450的第三cte紧密匹配。也就是，在第一cte与第三cte之间的差可小于在第二cte与第三cte之间的差。例如，第一导电层
473a可包含钛并且第二导电层473b可包含铝。在一实施方式中，第一导电层473a和第二导电层473b可单独接地。在其他实施方式中，第一导电层473a和第二导电层473b可机械地或通过任何形式的金属接合来结合，以形成保持在基本均匀的接地电位的单个导电体473。
52.在一实施方式中，外壳472包含复数个开口474。开口474可完全穿过第一导电层473a和第二导电层473b的厚度。开口474可经调整尺寸以接收突起物466。例如，当外壳472朝着整体源阵列450移动时(如箭头所示)，突起物466将插入开口474中。
53.现在参照图4b，根据一实施方式，示出组件470的横截面图。如图所示，外壳472的第一导电层473a由介电板460的第一表面461支撑。在所示的实施方式中，第一导电层473a由第一表面461直接支撑，但应了解，热界面材料或类似者可将第一导电层473a与第一表面461分开。在一实施方式中，介电板460的第二表面462背对外壳472。
54.在一实施方式中，外壳472具有第三厚度t3。外壳472的第三厚度t3可类似于突起物466的第二厚度t2。在其他实施方式中，外壳472的第三厚度t3可大于或小于突起物466的第二厚度t2。在所示的实施方式中，第一导电层473a的厚度小于第二导电层473b的厚度。在一些实施方式中，第一导电层473a的厚度可为第二导电层473b的厚度的大约二分之一或更小、四分之一或更小或八分之一或更小。然而，应了解，在其他实施方式中，第一导电层473a的厚度可等于或大于第二导电层473b的厚度。
55.在所示的实施方式中，开口474的开口直径o大于突起物466的宽度w。尺寸差异造成在突起物466的侧壁与导电体473的侧壁之间的间隙475。间隙475可适合于允许一定程度的热膨胀，同时仍然维持在整体源阵列450与外壳472之间的牢固装配。在一些实施方式中，外壳472机械地耦合到整体源阵列450。
56.如下文将更详细地显示的，组件470的不同表面将暴露于不同的环境。例如，第二表面462被配置为暴露于腔室容积。组件470的相对侧被配置为在操作期间暴露于大气或压力高于腔室容积的压力的其他环境(例如，大约1.0atm或更高)。相应地，在导电体473和突起物466之间的小间隙475将不会经历适合点燃等离子体的低压环境。
57.现在参照图4c-图4e，根据各种实施方式，示出描绘在外壳472的第一导电层473a与第二导电层473b之间的不同界面的一系列横截面图。
58.现在参照图4c，示出根据一实施方式的通过紧固件492机械耦合到第二导电层473b的第一导电层473a的横截面图。在一实施方式中，紧固件492是螺栓(bolt)或类似者。螺栓可插入到进入第一导电层473a中的凹槽492中并且穿过第二导电层473b。
59.现在参照图4d，图示根据一实施方式的通过界面处的机械接合而机械耦合到第二导电层473b的第一导电层473a的横截面图。例如，可使用扩散接合工艺或类似者而形成机械接合。在这样的实施方式中，可能不需要外部紧固件492。
60.现在参照图4e，根据一实施方式，示出通过界面层493机械耦合到第二导电层473b的第一导电层473a的横截面图。在一实施方式中，界面层493可为黏合剂。黏合剂可为导电黏合剂。在其他实施方式中，界面层493可为绝缘粘合剂，且第一导电层473a和第二导电层473b可分别接地。在一些实施方式中，界面层493可用作电衬垫以改善在第一导电层473a与第二导电层473b之间的电耦合。
61.现在参照图4f，根据一实施方式，示出与组件470整合在一起的施加器442的横截面图。在一实施方式中，施加器442包含突起物466、围绕突起物466的外壳472和延伸到孔
465中的单极天线468。在一实施方式中，导电板476也可覆盖突起物466的顶表面。相应地，组件470的部分可用作施加器442的部件。例如，突起物466是整体源阵列450的部分并且用作施加器442的介电腔谐振器，并且第一导电层473a和第二导电层473b是外壳472的部分并且用作围绕用于施加器442的介电腔谐振器的接地平面。
62.单极天线468可被组件470之上方的屏蔽件469围绕，并且单极天线468可电耦合到高频功率源(例如，高频发射模块105或类似者)。单极天线468穿过导电板476并且延伸到孔465中。在一些实施方式中，孔465与单极天线468相比更深地延伸到突起物466中。另外，孔465的宽度可大于单极天线468的宽度。相应地，在一些实施方式中提供用于热膨胀的容差以便防止对整体源阵列450的损坏。图4f中还示出在导电体473的底表面与介电板460的第一表面461之间的热界面材料477。当在组件470中实现主动加热或冷却时，热界面材料477可改善在导电体473与介电板460之间的热传递。
63.在一些实施方式中，外壳472可进一步包含用于主动加热和/或冷却的气体分配网络和/或流体通道。在图5和图6中示出描绘与多层外壳472整合的这样的结构的实施方式。
64.现在参照图5，根据一实施方式，示出组件570的一部分的横截面图。组件570包含整体源阵列550、外壳572和盖板576。
65.在一实施方式中，第一导电层573a的表面533由介电板560的第一表面561支撑。在一实施方式中，介电板560的第二表面562背对外壳572。整体源阵列550的突起物566装配到外壳572中的开口中。在一实施方式中，盖板576覆盖外壳572和突起物566。例如，盖板576的第二表面511覆盖外壳572的表面534。单极天线568可穿过盖板576并且延伸到突起物566的轴向中心中的孔565中。孔565的宽度可大于单极天线568的宽度。单极天线568电耦合到功率源(例如，高频发射模块105)。
66.在一实施方式中，气体分配网络穿过组件570的部件。气体最初通过气体管线518馈送到组件570中。气体管线518通过耦合器519而耦合到盖板576的第一表面512。o形环(未示出)可定位在耦合器519与第一表面512之间。处理气体接着行进穿过孔514，孔514穿过盖板576。用穿过外壳572的第二导电层573b和第一导电层573a的孔535继续进行气体分配。在一实施方式中，o形环或类似者(未示出)可围绕在孔514与孔535之间的界面以提供密封。
67.如图所示，孔535与第一导电层573a中的通道530相交。通道530横向地分配处理气体。通道530由盖531密封，并且气体通过穿过盖531中的孔537的群组而被分配到外壳572之外。在一实施方式中，气体接着流过穿过介电板560的孔563。孔563可与群组532中的孔537对准。在一实施方式中，穿过介电板560的孔563的直径大于穿过盖531的孔537的直径。在一实施方式中，o形环或类似者(未示出)围绕在盖531中的孔537与穿过介电板560的孔563之间的界面。在所示的实施方式中，通道530被示为完全在第一导电层573a内。然而，应了解，在其他实施方式中，通道530的一些部分或全部可定位于第二导电层573b中。
68.现在参照图6，根据一实施方式示出组件670的横截面图。所示的实施方式描绘整体源阵列650、外壳672和盖板676。在一实施方式中，外壳672由介电板660支撑并且环绕突起物666。外壳672可包含第一导电层673a和第二导电层673b。外壳672的第二导电层673b包含由盖631密封的通道630。盖板676安置在外壳672和突起物666上方。在一实施方式中，单极天线668可穿过盖板676并且装配到进入在盖板676下方的突起物666中的孔665中。
69.在一实施方式中，杆637穿过盖板676的导电体679。杆637可流体耦合到热流体源
(未示出)。第二杆637(在图6的平面之外)可为流过通道630的热流体的出口。在一实施方式中，盖板676可包含一个或多个加热元件619。例如，外部加热元件619a和内部加热元件619b被示出在进入导电体679的沟槽中。加热元件619可被盖617a、617b覆盖。在所示的实施方式中，通道630被示出为完全在第二导电层673b内。然而，应了解，在其他实施方式中，通道630的一些部分或全部可定位于第一导电层673b中。
70.现在参照图7，示出根据一实施方式的包括组件770的处理工具700的横截面图。在一实施方式中，处理工具包含由组件770密封的腔室778。例如，组件770可抵靠一个或多个o形环781而安置，以提供对腔室778的内部容积783的真空密封。在其他实施方式中，组件770可与腔室778对接。也就是，组件770可为密封腔室778的盖的部分。在一实施方式中，处理工具700可包含复数个处理容积(这些处理容积可流体耦合在一起)，每个处理体积具有不同的组件770。在一实施方式中，吸盘779或类似者可支撑工件774(例如，晶片、基板等)。
71.在一实施方式中，组件770可大体上类似于上述的组件470。例如，组件770包含整体源阵列750和外壳772。整体源阵列750可包含介电板760和从介电板760的第一表面761向上延伸的复数个突起物766。介电板760的第二表面762可暴露于腔室778的内部容积783。外壳772可具有经调整尺寸以接收突起物766的开口。在一些实施方式中，间隙775可被提供在突起物766与外壳772的导电体773之间，以允许热膨胀。在一实施方式中，外壳772可包含第一导电层773a和第二导电层773b。在一实施方式中，单极天线768可延伸到突起物766中的孔765中。单极天线768可穿过在外壳772和突起物766上方的顶板776。
72.在一实施方式中，腔室容积783可适合于撞击等离子体782。也就是，腔室容积783可为真空腔室。在一实施方式中，仅第二表面762暴露于腔室容积783。然而，一些实施方式可包括在第二表面762上方的保护层(未示出)，以保护第二表面762免受处理环境的影响。整体源阵列750的其他表面在腔室容积783的外侧，且因此不会经历撞击等离子体782所需的低压条件。相应地，即使当在导电体773与突起物766的侧壁之间的间隙775中存在高电场时，没有产生等离子体。
73.现在参照图8，根据一实施方式，图示处理工具的示例性计算机系统860的方框图。在一实施方式中，计算机系统860耦合到并且控制处理工具中的处理。计算机系统860可连接(如，联网)到局域网(lan)、内联网、外联网或互联网中的其他机器。计算机系统860可在客户端-服务器网络环境中以服务器或客户端机器的能力操作，或者作为对等式(或分布式)网络环境中的对等机器操作。计算机系统860可为个人计算机(pc)、平板pc、机顶盒(stb)、个人数字助理(pda)、蜂窝电话、网络设备(web appliance)、服务器、网络路由器、交换机或桥接器，或能够执行(顺序的或以其他方式的)一组指令的任何机器，该组指令指定该机器要采取的行动。此外，虽然对于计算机系统860仅图示单个机器，但术语“机器”也应被视为包括单独或联合地执行一组(或多组)指令以执行本文所述的任何一种或多种方法的机器(例如，计算机)的任何集合。
74.计算机系统860可包括计算机程序产品或软件822，所述计算机程序产品或软件822具有非暂时性机器可读介质，所述非暂时性机器可读介质具有储存在该非暂时性机器可读介质上的指令，所述指令可用以编程计算机系统860(或其他电子装置)，以执行根据实施方式的工艺。机器可读介质包括用于以机器(例如，计算机)可读的形式储存或传输信息的任何机构。例如，机器可读(例如，计算机可读)介质包括机器(例如，计算机)可读储存介
质(例如，只读存储器(“rom”)、随机存取存储器(“ram”)、磁盘储存介质、光储存介质、闪存存储器装置等)、机器(例如，计算机)可读传输介质(电、光、声或其他形式的传播信号(例如，红外信号、数字信号等))等等。
75.在一实施方式中，计算机系统860包括系统处理器802、主存储器804(例如，只读存储器(rom)、闪存存储器、动态随机存取存储器(dram)(诸如同步dram(sdram)或rambus dram(rdram)等))、静态存储器806(例如，闪存存储器、静态随机存取存储器(sram)等)和辅助存储器(secondary memory)818(例如，数据储存装置)，上述部件经由总线830彼此通信。
76.系统处理器802代表一个或多个通用处理装置，诸如微系统处理器、中央处理单元或类似者。更特别地，系统处理器可为复杂指令集计算(cisc)微系统处理器、精简指令集计算(risc)微系统处理器、超长指令字(vliw)微系统处理器、实现其他指令集的系统处理器或实现指令集的组合的系统处理器。系统处理器802也可为一个或多个专用处理装置，诸如专用集成电路(asic)、场可编程门阵列(fpga)、数字信号系统处理器(dsp)、网络系统处理器或类似者。系统处理器802被配置为执行处理逻辑826以执行本文描述的操作。
77.计算机系统860可进一步包括用于与其他装置或机器通信的系统网络接口装置808。计算机系统860还可包括视频显示单元810(例如，液晶显示器(lcd)、发光二极管显示器(led)或阴极射线管(crt))、字母数字输入装置812(例如，键盘)、光标控制装置814(例如，鼠标)和信号生成装置816(例如，扬声器)。
78.辅助存储器818可包括机器可存取储存介质832(或更具体地，计算机可读储存介质)，在该储存介质上储存一组或多组指令(例如，软件822)，一组或多组指令实施本文所述的方法或功能中的任何一个或多个。软件822还可在由计算机系统860执行该软件期间完全或至少部分地驻留在主存储器804内和/或在系统处理器802内，主存储器804和系统处理器802也构成机器可读储存介质。软件822可进一步经由系统网络接口装置808在网络820上传输或接收。在一实施方式中，网络接口装置808可使用rf耦合、光耦合、声耦合或电感耦合来操作。
79.虽然在示例性实施方式中将机器可存取储存介质832示出为单个介质，但是术语“机器可读储存介质”应当被认为包括单个介质或多个介质(例如，集中式或分布式数据库，和/或相关联的高速缓存和服务器)，所述介质储存一组或多组指令。术语“机器可读储存介质”还应理解为包括能够储存或编码由机器执行的一组指令并且使机器执行方法中的任何一种或多种方法的任何介质。相应地，术语“机器可读储存介质”应理解为包括(但不限于)固态存储器和光与磁介质。
80.在前述说明书中，已经描述了具体的示例性实施方式。很明显，在不背离所附的权利要求书的范围的情况下，可对这些实施方式进行各种修改。相应地，说明书和附图被认为是说明性的而不是限制性的。