基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序与流程

本发明涉及基板处理装置半导体器件的制造方法及程序。

背景技术：

1、作为半导体器件(元件)的制造工序的一个工序，存在进行在收容于处理室内的基板上形成膜的处理的情况。作为在该基板上形成膜的装置，存在例如专利文献1所记载那样的装置。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：再公表专利wo2017/168675号说明书

技术实现思路

1、近年来，随着半导体元件的高集成化、立体结构化，其表面积不断增加。在半导体制造工艺中因该大表面积引起的、形成于基板上的膜的膜厚变化等所谓负载效应成为深刻问题，期望一种消除其影响的薄膜形成技术。作为满足该要求的手法之一，存在交替供给多种处理气体而成膜的方法。

2、将多种处理气体交替供给而成膜的方法对于负载效应是有效手段，但在将基板装填到舟皿而同时装填多枚并进行成膜的批量处理装置中的处理中，根据基板的装填枚数，形成在被处理基板上的膜的厚度在基板间发生变化，因此存在难以进行其控制的情况。

3、本发明的目的在于提供一种基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序，在将多个基板装填于舟皿并进行批量处理的情况下，能够与以往相比提高多个基板间的膜厚均匀性。

4、在本发明中，使基板处理装置构成为，具备：处理容器，其能够对保持着被处理基板的基板保持件进行收容；气体供给部，其向该处理容器供给气体；排气部，其排出处理容器内的环境气体；搬送部，其搬送被处理基板；和控制部，其构成为，在基板保持件的中央侧具有进行分散装填的第1区域且被处理基板的数量x小于基板保持件的最大装填数量y的情况下，以将被处理基板从第1区域的中央侧起分散装填的方式控制搬送部。

5、发明效果

6、根据本发明，在将多个基板装填于舟皿而进行批量处理的情况下，能够与以往相比提高多个基板间的膜特性的均匀性。另外，能够提高形成在基板上的膜的膜厚的控制性。

技术特征：

1.一种基板处理装置，具有：

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，

3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，

4.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其中，

5.如权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其中，

6.如权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其中，

7.如权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其中，

8.如权利要求7所述的基板处理装置，其中，

9.如权利要求1至7中任一项所述的基板处理装置，其中，

10.如权利要求7所述的基板处理装置，其中，具有：

11.如权利要求10所述的基板处理装置，其中，

12.如权利要求10所述的基板处理装置，其中，

13.如权利要求12所述的基板处理装置，其中，

14.如权利要求1至13中任一项所述的基板处理装置，其中，

15.如权利要求14所述的基板处理装置，其中，

16.如权利要求14或15所述的基板处理装置，其中，

17.如权利要求14至16中任一项所述的基板处理装置，其中，

18.如权利要求1至17中任一项所述的基板处理装置，其中，

19.一种半导体器件的制造方法，包括：

20.一种程序，利用计算机使基板处理装置执行以下步骤：

技术总结
为了在将多个基板装填于舟皿进行批量处理的情况下与以往相比能够提高多个基板间的膜厚均匀性，使基板处理装置构成为，具备：处理容器，其能够收容保持着被处理基板的基板保持件；气体供给部，其向该处理容器供给气体；排气部，其将处理容器内的环境气体排出；搬送部，其对被处理基板进行搬送；控制部，其构成为，在基板保持件的中央侧具有进行分散装填的第1区域且被处理基板的数量X小于基板保持件的最大装填数量Y的情况下，以将被处理基板从第1区域的中央侧起分散装填的方式控制搬送部。

技术研发人员：松永友树,北村匡史,北本博之,新田贵史
受保护的技术使用者：株式会社国际电气
技术研发日：
技术公布日：2024/2/8