技术特征：
1.一种sonos器件的制造方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有依次彼此相邻的cell区、第一至第三器件区；步骤二、在所述衬底上形成覆盖所述cell区、所述第一至第三器件区的第二栅氧化层，所述第二栅氧化层包括由下而上堆叠的底部氧化层、氮化层和顶部氧化层；步骤三、刻蚀去除所述cell区上方的所述第二栅氧化层，之后在所述衬底上淀积覆盖所述cell区和所述第二栅氧化层的第四栅氧化层；步骤四、刻蚀去除所述第一器件区上方的所述第二栅氧化层和所述第四栅氧化层，之后形成覆盖所述第一器件区的第一栅氧化层；步骤五、刻蚀去除所述第二器件区和所述第三器件区的顶部氧化层和氮化层；步骤六、刻蚀去除所述第三器件区上的所述底部氧化层，之后在所述第三器件区上形成第三栅氧化层。2.根据权利要求1所述的sonos器件的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述第一器件区的器件的阈值电压为3.3v。3.根据权利要求1所述的sonos器件的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述第二器件区的器件的阈值电压为2.5v。4.根据权利要求1所述的sonos器件的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述第三器件区器件的阈值电压为1.1v。5.根据权利要求1所述的sonos器件的制造方法，其特征在于：步骤一中所述第一至第三器件区包含闪存器件或逻辑器件。6.根据权利要求1所述的sonos器件的制造方法，其特征在于：步骤三至步骤六中的所述刻蚀为干法刻蚀。7.根据权利要求1所述的sonos器件的制造方法，其特征在于：步骤三至步骤六中的所述刻蚀为湿法刻蚀。8.根据权利要求1所述的sonos器件的制造方法，其特征在于：步骤五中所述顶部氧化层和所述氮化层的去除方法为：以第一次刻蚀去除所述顶部氧化层，之后以第二次刻蚀去除所述氮化层，使得所述底部氧化层保留。9.根据权利要求1所述的sonos器件的制造方法，其特征在于：步骤二至步骤六中的所述第一至第四栅氧化层采用炉管形成。10.根据权利要求1所述的sonos器件的制造方法，其特征在于：步骤二至步骤六中的所述第一至第四栅氧化层采用原位水气生成工艺形成。11.一种sonos器件，其特征在于，至少包括：衬底，所述衬底上形成有依次相邻的cell区和第一至第三器件区；所述cell区和第一至第三器件区的表面分别形成有不同的栅氧化层。12.根据权利要求11所述的sonos器件，其特征在于：所述第一器件区包括阈值电压为3.3v的器件。13.根据权利要求11所述的sonos器件，其特征在于：所述第二器件区包括阈值电压为2.5v的器件。14.根据权利要求11所述的sonos器件，其特征在于：所述第三器件区包括阈值电压为1.1v的器件。
15.根据权利要求11所述的sonos器件，其特征在于：所述第一至第三器件区的器件为闪存器件或逻辑器件。
技术总结
本发明提供一种SONOS器件的制造方法和SONOS器件，提供衬底，衬底上形成有依次彼此相邻的cell区、第一至第三器件区；在衬底上形成第二栅氧化层，第二栅氧化层包括由下而上堆叠的底部氧化层、氮化层和顶部氧化层；刻蚀去除cell区的第二栅氧化层，在衬底上淀积覆盖cell区和第二栅氧化层的第四栅氧化层；刻蚀去除第一器件区的第二栅氧化层和第四栅氧化层，之后形成覆盖第一器件区的第一栅氧化层；刻蚀去除第二器件区和第三器件区的顶部氧化层和氮化层；刻蚀去除第三器件区上的底部氧化层，之后在第三器件区上形成第三栅氧化层。本发明的SONOS器件中，在每个器件区的表面分别形成有不同的栅氧化层，实现了不同器件栅氧化层的共存，提升了器件的速度和可靠性。提升了器件的速度和可靠性。提升了器件的速度和可靠性。
技术研发人员：初靖 蔡彬 黄冠群
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2022.01.27
技术公布日：2022/5/17