暗点修复方法、装置及显示面板电路与流程

1.本技术涉及显示技术领域，特别是涉及一种暗点修复方法、装置及显示面板电路。


背景技术：

2.oled(organic light-emitting diode，有机发光二极管)是主动发光器件，与lcd(liquid crystal display，液晶显示)显示方式相比，oled无需提供背光源，且oled显示装置具有超薄、亮度高、驱动电压低等优点，被认为是下一代显示装置。
3.oled显示器件中的el(electro-luminescence)发光材料本身相当于一个二极管，只有当其两端电压达到开启电压时才可以导通，其阳极与tft(thin film transistor，薄膜晶体管)的漏极相连，由于tft工作在饱和区，不论el材料是否短路，其从tft漏极输入的电流id基本不变，但是当el材料阴极与阳极短路时，相当于在el材料形成的二极管的两端并联了一个电阻，对id起到分流作用，导致二极管的压降不足以达到开启电压，不能正常发光，形成暗点。
4.为了保证显示面板的正常显示，通常需要修复这一类暗点。传统的修复手段是将异物电阻移除或烧断，但移除会对整个显示面板造成较大破坏；而在烧断异物电阻的过程中，大电流会通过tft器件，可能会对tft器件造成影响。


技术实现要素：

5.基于此，有必要针对传统显示面板中暗点像素修复方式还存在的不足，提供一种暗点修复方法、装置及显示面板电路。
6.一方面，本技术实施例提供了一种暗点修复方法。
7.一种暗点修复方法，包括步骤：
8.构建暗点像素的阳极与辅助阴极的通路；
9.通入暗点像素的阴极至阳极方向的电压，以使造成暗点像素的短路点烧断；
10.断开暗点像素的阳极与辅助阴极的通路。
11.可选地，在构建暗点像素的阳极与辅助阴极的通路的过程之前，还包括步骤：
12.对各oled像素进行暗点筛选，筛选出暗点像素。
13.可选地，构建暗点像素的阳极与辅助阴极的通路的过程，包括步骤：
14.通过激光镭射工艺构建暗点像素的阳极与辅助阴极的熔点，以形成通路。
15.可选地，断开暗点像素的阳极与辅助阴极的通路的过程，包括步骤：
16.通过激光镭射工艺镭射断开暗点像素的阳极与辅助阴极的通路。
17.可选地，还包括步骤：
18.构建辅助阴极与阴极之间的通路。
19.可选地，构建辅助阴极与阴极之间的通路的过程，包括步骤：
20.通过激光镭射工艺构建辅助阴极与阴极的熔点，以形成通路。
21.另一方面，本技术实施例还提供了一种暗点修复装置，包括：
22.电压通入设备，被配置为：
23.通入暗点像素的阴极至阳极方向的电压，以使造成暗点像素的短路点烧断；
24.熔接设备，被配置为：
25.构建暗点像素的阳极与辅助阴极的通路；
26.断开暗点像素的阳极与辅助阴极的通路。
27.可选地，熔接设备包括激光镭射设备。
28.可选地，还包括：
29.暗点像素识别设备，用于识别各oled像素中的暗点像素。
30.另一方面，本技术实施例还提供了一种显示面板电路，包括：
31.oled功能电路；
32.辅助阴极。
33.可选地，辅助阴极为导电材料熔点。
34.上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果：
35.上述的暗点修复方法，构建暗点像素的阳极与辅助阴极的通路，并通入暗点像素的阴极至阳极方向的电压，以使造成暗点像素的短路点烧断。基于此，以该通路作为大电流的流经路径，避免大电流流经tft，防止烧断短路点这一过程对tft的影响。进一步地，断开暗点像素的阳极与辅助阴极的通路，以恢复显示面板电路的正常工作状态。
36.上述的暗点修复装置，在熔接设备构建或断开暗点像素的阳极与辅助阴极的通路的基础上，通过电压通入设备通入暗点像素的阴极至阳极方向的电压，以使造成暗点像素的短路点烧断。基于此，以该通路作为大电流的流经路径，避免大电流流经tft，防止烧断短路点这一过程对tft的影响。进一步地，断开暗点像素的阳极与辅助阴极的通路，以恢复显示面板电路的正常工作状态。
37.上述的显示面板电路，在具备实现oled基础功能的oled功能电路的基础上，在电路板上还配置有辅助阴极，以便于执行上述的暗点修复方法。
附图说明
38.图1为一实施方式的暗点修复方法流程图。
39.图2为oled显示面板的抽象电路图。
40.图3为另一实施方式的暗点修复方法流程图。
41.图4为一实施方式的暗点修复装置模块结构示意图。
具体实施方式
42.为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的首选实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容更加透彻全面。
43.需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件并与之结合为一体，或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“安装”、“一端”、“另一端”以及类似的表述只是为了说明的目的。
44.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的
技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
45.本发明实施例提供了一种暗点修复方法。
46.图1为一实施方式的暗点修复方法流程图，如图1所示，一实施方式的暗点修复方法包括步骤s100至步骤s102：
47.s100，构建暗点像素的阳极与辅助阴极vss1的通路。
48.s101，通入暗点像素的阴极至阳极方向的电压，以使造成暗点像素的短路点烧断；
49.s102，断开暗点像素的阳极与辅助阴极vss1的通路。
50.图2为oled显示面板的抽象电路图，如图2所示，oled分为阳极和阴极。在该像素为暗点像素时，oled两侧并接有一短路点，该短路点以电阻形式存在。其中，本实施例的阴极vss为显示面板电路的阴极电位设定点，例如接地点或负电位点，辅助阴极vss1与阴极vss的逻辑电位相同。
51.在其中一个实施例中，图3为另一实施方式的暗点修复方法流程图，如图3所示，在步骤s100中构建暗点像素的阳极与辅助阴极vss1的通路的过程之前，还包括步骤s200：
52.s200，对各oled像素进行暗点筛选，筛选出暗点像素。
53.其中，对oled像素进行暗点筛选，筛选出暗点像素，可通过检测oled的阳极和阴极是否短路进行确定，筛选出存在短路的oled像素，作为暗点像素。
54.其中，辅助阴极vss1为显示面板电路的阴极电位设定。通过构建暗点像素的阳极与辅助阴极vss1的通路，进行大电流通路的构建。
55.在其中一个实施例中，如图3所示，步骤s100中构建暗点像素的阳极与辅助阴极vss1的通路的过程，包括步骤s201：
56.s201，通过激光镭射工艺构建暗点像素的阳极与辅助阴极vss1的熔点，以形成通路。
57.如图2所示，通过激光镭射将暗点像素的阳极，即oled的阳极与辅助阴极vss1进行激光熔接，以形成导电通路。其中，选用激光镭射，以适应oled器件的蒸镀过程中会整面蒸镀一些导电性差的oled功能材料，普通焊接工艺无法实现暗点像素的阳极与辅助阴极vss1的熔接。
58.同理，如图3所示，步骤s102中断开暗点像素的阳极与辅助阴极vss1的通路的过程，包括步骤s202：
59.s202，通过激光镭射工艺镭射断开暗点像素的阳极与辅助阴极vss1的通路。
60.同理，以激光镭射烧断暗点像素的阳极与辅助阴极vss1的通路。
61.其中，在暗点像素的阳极与辅助阴极vss1形成有通路时，通过通入暗点像素的阴极至阳极方向的电压，以使造成暗点像素的短路点烧断。该电压构成暗点像素的反向电压，反向电压的电压值达不到暗点像素的反向击穿值，以使暗点像素不受到以及各tft不受到影响。
62.在其中一个实施例中，如图1所示，一实施方式的暗点修复方法还包括步骤s103：
63.s103，构建辅助阴极vss1与阴极vss之间的通路。
64.如图2所示，在完成短路点烧断以及暗点像素的阳极与辅助阴极vss1的通路断开
后，构建辅助阴极vss1与阴极vss之间的通路，以完成完整的暗点修复过程。
65.在其中一个实施例中，如图3所示，步骤s103中构建辅助阴极vss1与阴极vss之间的通路的过程，包括步骤s203：
66.s203，通过激光镭射工艺构建辅助阴极vss1与阴极vss的熔点，以形成通路。
67.如图2所示，仍以激光镭射将辅助阴极vss1与阴极vss进行镭射熔接。
68.上述任一实施例的暗点修复方法，构建暗点像素的阳极与辅助阴极vss1的通路，并通入暗点像素的阴极至阳极方向的电压，以使造成暗点像素的短路点烧断。基于此，以该通路作为大电流的流经路径，避免大电流流经tft，防止烧断短路点这一过程对tft的影响。进一步地，断开暗点像素的阳极与辅助阴极vss1的通路，以恢复显示面板电路的正常工作状态。
69.本发明实施例还提供了一种暗点修复装置。
70.图4为一实施方式的暗点修复装置模块结构示意图，如图4所示，一实施方式的暗点修复装置包括：
71.电压通入设备100，被配置为：
72.通入暗点像素的阴极至阳极方向的电压，以使造成暗点像素的短路点烧断。
73.熔接设备101，被配置为：
74.构建暗点像素的阳极与辅助阴极的通路。
75.断开暗点像素的阳极与辅助阴极的通路。
76.其中，电压通入设备100包括开关电源、dcdc设备或acdc设备，为暗点像素的阴极提供反向电压。
77.在其中一个实施例中，熔接设备101包括激光镭射设备。
78.需要注意的是，在满足显示面板中oled功能材料的熔接前提下，熔接设备还可选用其它熔接设备。
79.在其中一个实施例中，如图4所示，一实施方式的暗点修复装置还包括：
80.暗点像素识别设备102，用于识别各oled像素中的暗点像素。
81.其中，暗点像素识别设备102可选用图像识别设备或短路检测电路。短路检测电路通过检测oled像素的是否短路，存在短路的oled像素即为暗点像素。
82.上述的暗点修复装置，在熔接设备101构建或断开暗点像素的阳极与辅助阴极的通路的基础上，通过电压通入设备100通入暗点像素的阴极至阳极方向的电压，以使造成暗点像素的短路点烧断。基于此，以该通路作为大电流的流经路径，避免大电流流经tft，防止烧断短路点这一过程对tft的影响。进一步地，断开暗点像素的阳极与辅助阴极的通路，以恢复显示面板电路的正常工作状态。
83.本发明实施例还提供了一种显示面板电路。
84.一种显示面板电路，包括：
85.oled功能电路。
86.辅助阴极。
87.其中，辅助阴极集成在oled功能电路中，在进行暗点修复时，可通过暗点修复装置直接对辅助阴极进行相应的熔接和烧断操作。
88.在其中一个实施例中，辅助阴极为导电材料熔点。
89.同时，导电材料熔点设置在显示面板电路表面，以便于进行相应熔接和烧断操作。
90.上述的显示面板电路，在具备实现oled基础功能的oled功能电路的基础上，在电路板上还配置有辅助阴极，以便于执行上述的暗点修复方法。
91.以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
92.以上实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。