一种LED衬底结构及其制备方法、微型LED封装结构与流程

文档序号:29966676发布日期:2022-05-11 10:28阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种led衬底结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:s10、提供可离型铜箔fr-4板,所述可离型铜箔fr-4板的一侧具有可剥离型铜箔层,在所述可剥离型铜箔层上制作导电柱;s20、制作与所述导电柱电连接的第一线路层;s30、拆键合后在所述可剥离型铜箔层远离所述导电柱的一侧制作第二线路层。2.根据权利要求1所述的led衬底结构的制备方法,其特征在于,步骤s10具体包括以下步骤:s10a、提供可离型铜箔fr-4板,所述可离型铜箔fr-4板具有基板、固定于所述基板一侧的底铜层和位于其中沿一个所述底铜层上的可剥离型铜箔层;s10b、于所述可剥离型铜箔层上制作导电柱;s10c、对所述导电柱进行塑封,形成覆盖所述导电柱的塑封层;s10d、对所述塑封层进行减薄处理,使所述导电柱的端部与所述塑封层的表面平齐。3.根据权利要求2所述的led衬底结构的制备方法,其特征在于,步骤s20具体包括以下步骤:s20a、在所述塑封层上制作图形化的第一线路层;s20b、在所述第一线路层上制作第一阻焊层;s20c、对所述第一阻焊层进行开孔处理,使所述第一线路层的焊盘区外露。4.根据权利要求2所述的led衬底结构的制备方法,其特征在于,步骤s30具体包括以下步骤:s30a、拆键合,使所述可剥离型铜箔层与所述底铜层分离;s30b、在所述可剥离型铜箔层远离所述导电柱的一侧制作图形化的第二线路层;s30c、对外露于所述第二线路层的所述可剥离型铜箔层进行闪蚀处理;s30d、在所述第二线路层上制作第二阻焊层;s30e、对所述第二阻焊层进行开孔处理,使所述第二线路层的焊盘区外露。5.一种采用权利要求1~4任一项所述的制备方法制得的led衬底结构,其特征在于,包括:塑封层和贯穿所述塑封层的导电柱,所述导电柱的两端分别与所述塑封层的两侧面平齐;图形化的第一线路层,位于所述塑封层的一侧并与所述导电柱电连接;图形化的可剥离型铜箔层,位于所述塑封层的另一侧并与所述导电柱电连接;图形化的第二线路层,位于所述可剥离型铜箔层上。6.根据权利要求5所述的led衬底结构,其特征在于,还包括:第一阻焊层,位于所述塑封层靠近所述第一线路层的一侧,所述第一阻焊层覆盖部分所述第一线路层并使所述第一线路层的焊盘区外露于所述第一阻焊层;第二阻焊层,位于所述塑封层靠近所述第二线路层的一侧,所述第二阻焊层覆盖部分所述第二线路层并使所述第二线路层的焊盘区外露于所述第二阻焊层。7.一种微型led封装结构,其特征在于,包括:权利要求5或6所述的led衬底结构;led芯片,贴于所述第一线路层的焊盘区或者所述第二线路层的焊盘区;
透明塑封料,位于所述led衬底结构贴有所述led芯片的一侧,所述透明塑封料包覆所述led芯片。

技术总结
本发明公开一种LED衬底结构及其制备方法、微型LED封装结构,属于集成电路封装技术领域。其中,LED衬底结构的制备方法包括以下步骤:S10、提供可离型铜箔FR-4板,可离型铜箔FR-4板的一侧具有可剥离型铜箔层,在可剥离型铜箔层上制作导电柱;S20、制作与导电柱电连接的第一线路层;S30、拆键合后在可剥离型铜箔层远离导电柱的一侧制作第二线路层。本发明采用可离型铜箔FR-4板制作LED衬底结构,可以直接在可离型铜箔FR-4板上制作线路结构,不需要在线路结构下方制作种子层以提高线路结构的导电性,简化了步骤,提高了正产效率和产品良率,降低了生产成本。低了生产成本。低了生产成本。


技术研发人员:杨斌 崔成强 华显刚
受保护的技术使用者:广东芯华微电子技术有限公司
技术研发日:2022.01.27
技术公布日:2022/5/10
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