1.一种vcsel芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的vcsel芯片，其中，所述热沉结构包括对应于所述第一部分发光点的第一热沉部分和对应于所述第二部分发光点的第二热沉部分，其中，所述第一热沉部分的散热能力强于所述第二热沉部分的散热能力。
3.根据权利要求2所述的vcsel芯片，其中，所述第一热沉部分包括对应于所述第一部分发光点且自所述发光区域的中心区域向其外周缘间隔设置的至少二第一热沉带，所述第二热沉部分包括对应于所述第二部分发光点的相互间隔的至少二第二热沉带。
4.根据权利要求3所述的vcsel芯片，其中，所述至少二第一热沉带中每两个相邻的第一热沉带之间的距离平均水平小于所述至少二第二热沉带中每两个相邻的第二热沉带之间的距离平均水平。
5.根据权利要求4所述的vcsel芯片，其中，所述至少二第一热沉带和所述至少二第二热沉带具有相同的尺寸配置。
6.根据权利要求3所述的vcsel芯片，其中，所述至少二第一热沉带的宽度平均水平大于等于所述至少二第二热沉带的宽度平均水平。
7.根据权利要求3所述的vcsel芯片，其中，所述至少二第一热沉带的深度平均水平大于等于所述至少二第二热沉带的深度平均水平。
8.根据权利要求3所述的vcsel芯片，其中，所述第一热沉带的热传导系数大于等于所述第二热沉带的热传导系数。
9.根据权利要求3所述的vcsel芯片，其中，所述至少二第一热沉带中每两个相邻的第一热沉带之间的距离平均水平等于所述至少二第二热沉带种每两个相邻的第二热沉带之间的距离平均水平，所述至少二第一热沉带和所述至少二第二热沉带具有不同的尺寸配置。
10.根据权利要求9所述的vcsel芯片，其中，所述至少二第一热沉带的宽度平均水平大于所述至少二第二热沉带的宽度平均水平，所述至少二第一热沉带的深度平均水平大于等于所述至少二第二热沉带的深度平均水平。
11.根据权利要求10所述的vcsel芯片，其中，所述至少二第一热沉带的宽度平均水平等于所述至少二第二热沉带的宽度平均水平，所述至少二第一热沉带的深度平均水平大于所述至少二第二热沉带的深度平均水平。
12.根据权利要求3所述的vcsel芯片，其中，所述至少二第一热沉带中每两个相邻的第一热沉带之间的距离平均水平等于所述至少二第二热沉带中每两个相邻的第二热沉带之间的距离平均水平，所述至少二第一热沉带的宽度平均水平大于所述至少二第二热沉带的宽度平均水平，和/或，所述至少二第一热沉带的深度平均水平大于所述至少二第二热沉带的深度平均水平，所述第一热沉带的热传导系数大于等于所述第二热沉带的热传导系数。
13.根据权利要求3所述的vcsel芯片，其中，所述至少二第一热沉带的热传导系数大于所述至少二热沉带的热传导系数。
14.根据权利要求2所述的vcsel芯片，其中，所述第一热沉部分包括对应于所述第一部分发光点中多个vcsel发光点的多个第一热沉单元，所述第二热沉部分包括对应于所述第二部分发光点的多个第二热沉单元。
15.根据权利要求14所述的vcsel芯片，其中，所述多个第一热沉单元的布置密度高于所述多个第二热沉单元的布置密度。
16.根据权利要求15所述的vcsel芯片，其中，所述多个第一热沉单元的宽度平均水平大于等于所述多个第二热沉单元的宽度平均水平。
17.根据权利要求15所述的vcsel芯片，其中，所述多个第一热沉单元的深度平均水平大于等于所述多个第二热沉单元的深度平均水平。
18.根据权利要求15所述的vcsel芯片，其中，所述多个第一热沉单元的热传导系数大于等于所述多个第二热沉单元的热传导系数。
19.根据权利要求14所述的vcsel芯片，其中，所述多个第一热沉单元的布置密度与所述多个第二热沉单元的布置密度一致，所述多个第一热沉单元的宽度平均水平大于所述多个第二热沉单元的宽度平均水平，所述多个第一热沉单元的深度平均水平大于等于所述多个第二热沉单元的深度平均水平。
20.根据权利要求14所述的vcsel芯片，其中，所述多个第一热沉单元的布置密度与所述多个第二热沉单元的布置密度一致，所述多个第一热沉单元的宽度平均水平等于所述多个第二热沉单元的宽度平均水平，所述多个第一热沉单元的深度平均水平大于所述多个第二热沉单元的深度平均水平。
21.根据权利要求14所述的vcsel芯片，其中，所述多个第一热沉单元的布置密度与所述多个第二热沉单元的布置密度一致，所述多个第一热沉单元的宽度平均水平大于所述多个第二热沉单元的宽度平均水平，和/或，所述多个第一热沉单元的深度平均水平大于所述多个第二热沉单元的深度平均水平，所述多个第一热沉单元的热传导系数大于等于所述多个第二热沉单元的热传导系数。
22.根据权利要求14所述的vcsel芯片，其中，所述多个第一热沉单元的热传导系数大于所述至少二热沉单元的热传导系数。
23.根据权利要求14所述的vcsel芯片，其中，所述多个第一热沉单元中至少部分第一热沉单元呈环状分布以形成至少一点环热沉带。
24.根据权利要求23所述的vcsel芯片，其中，所述至少一点环热沉带包括多个点环热沉带，所述多个点环热沉带之间的距离自所述发光区域的中心区域向其外周缘逐渐增大。
25.根据权利要求2所述的vcsel芯片，其中，所述第一热沉部分包括对应于所述第一部分发光点中多个vcsel发光点的多个第一热沉单元，所述第二热沉部分包括对应于所述第二部分发光点的多个第二热沉单元，所述第一热沉部分进一步包括从所述多个第一热沉单元中的至少一第一热沉单元向外延伸的至少一第一热沉带，所述第二热沉部分进一步包括从所述第二热沉单元向外延伸的至少一第二热沉带。
26.一种vcsel芯片的制备方法，其特征在于，包括：
27.根据权利要求26所述的vcsel芯片的制备方法，其中，去除所述多个发光主体的衬底层的至少一部分，以形成至少一凹槽，包括：