技术特征：
1.一种全溶液钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：a.电子传输层pfn溶液的制备：将cb和dcm以体积比3:7-7:3的比例混合作为电子传输层pfn的溶剂，将pfn以不低于4mg/ml的浓度加入上述混合溶剂中，使用搅拌器对上述溶液进行搅拌至少2h，随后使用孔径不高于0.45μm聚四氟乙烯过滤器过滤，得到均匀混合的pfn溶液，备用；b.空穴传输层溶液的制备：将聚(9-乙烯咔唑)(pvk)和聚[(n,n
’‑
(4-正丁基苯基)-n,n
’‑
二苯基-1,4-苯二胺)-alt-(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)](tfb)以质量比为2:8-8:2的比例进行称量，称取总质量不低于10mg溶于至少1ml的cb溶剂中，得到原料混合液，使用搅拌器对原料混合液进行搅拌至少2h，随后使用孔径不高于0.45μm聚四氟乙烯过滤器过滤，得到均匀混合的pvk:tfb溶液，备用；c.钙钛矿前驱体溶液的制备：将有机长链胺基分子、卤化铅和卤化铯按照0.3:1:1.2-0.5:1:1.2的溶质摩尔比范围，溶于无水二甲亚砜(dmso)中，控制溶质总浓度为100-300mg/ml，得到溶质混合液；再加入占溶质混合液总量的质量百分比为0.1-0.5wt.％的聚氧化乙烯(peo)，得到前驱体混合液；然后将前驱体混合液在不高于60℃条件下，进行加热搅拌至少3h，然后使用孔径不高于0.45μm聚四氟乙烯过滤器过滤，得到准二维金属卤化物钙钛矿前驱体溶液，备用；d.制备全溶液钙钛矿发光二极管的器件结构：从下而上依次为基底(1)、阳极(2)、空穴传输层(3)、钙钛矿发光层(4)、电子传输层(5)、阴极(6)，组成钙钛矿发光二极管的器件结构，取在上述步骤c中制备的钙钛矿前驱体溶液，转移到空穴传输层(3)上，制备钙钛矿发光层(4)。2.根据权利要求1所述全溶液钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于：在所述步骤c中，所述阳极(2)为ito导电玻璃，ito薄膜厚度为100～150nm。3.根据权利要求1所述全溶液钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于：在所述步骤c中，所述空穴传输层(3)采用pvk:tfb薄膜制成，pvk:tfb薄膜厚度为30～35nm。4.根据权利要求1所述全溶液钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于：在所述步骤c中，所述钙钛矿发光层(4)为钙钛矿pea2cs
n-1
pb
n
br
3n+1
制成，所述钙钛矿发光层(4)厚度为40～45nm。5.根据权利要求1所述全溶液钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于：在所述步骤c中，所述钙钛矿发光层(4)的钙钛矿薄膜的发光效率不低于80％，发射波长为511nm，半峰宽(fwhm)为20～22nm。6.根据权利要求1所述全溶液钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于：在所述步骤c中，所述电子传输层(5)材料为pfn薄膜，制成的pfn薄膜的厚度为45～50nm。7.根据权利要求1所述全溶液钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于：在所述步骤c中，所述阴极(6)为al电极，阴极(6)厚度至少为100nm。
技术总结
本发明公开了一种全溶液钙钛矿发光二极管的制备方法，包括电子传输层PFN溶液的制备、空穴传输层溶液的制备、钙钛矿前驱体溶液的制备和制备全溶液钙钛矿发光二极管的器件结构。从下而上依次为基底、阳极、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层、阴极，组成钙钛矿发光二极管的器件结构，取在上述步骤c中制备的钙钛矿前驱体溶液，转移到空穴传输层上，制备钙钛矿发光层。本发明利用氯苯(CB)和二氯甲烷(DCM)的混合溶剂作为电子传输层材料聚[(9,9-二(3'-(N,N-二甲氨基)丙基)-2,7-芴)-2,7-(9,9-二辛基芴)]的溶剂，沉积平整致密、具有良好能级匹配的电子传输层，构筑高效率的全溶液钙钛矿发光二极管。矿发光二极管。矿发光二极管。
技术研发人员：杨绪勇 史星宇 王林 李文强 孔令媚 罗云 袁豪
受保护的技术使用者：上海大学
技术研发日：2022.03.03
技术公布日：2022/7/21