发光元件的制作方法

发光元件
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年3月19日提交的韩国专利申请第10-2021-0036034号的优先权和权益，其全部内容通过引用由此并入。
技术领域
3.本公开在此涉及发光元件，更特别地，涉及在发射层中包括多环化合物的发光元件。


背景技术：

4.最近，作为图像显示装置的有机电致发光显示装置的开发正在积极进行。与液晶显示装置等不同，有机电致发光显示装置是所谓的自发光显示装置，其中从第一电极和第二电极注入的空穴和电子在发射层中复合，因此发射层中的发光材料(包括有机化合物)发光以实现显示(例如，显示图像)。
5.在将发光元件应用到显示装置中，存在对具有低驱动电压、高发光效率和/或长使用寿命(例如，长寿命)的发光元件的期望(例如，需求)，并且持续追求(例如，需要)用于能够稳定获得这些特性的发光元件的材料的开发。


技术实现要素：

6.根据本公开的实施方式的方面涉及具有高发光效率的发光元件。
7.根据本公开的实施方式，发光元件包括：第一电极；在第一电极上的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间且包括由式1表示的多环化合物的发射层，其中第一电极和第二电极各自独立地包括ag，mg，cu，al，pt，pd，au，ni，nd，ir，cr，li，ca，lif，mo，ti，w，in，sn，zn，yb；ag、mg、cu、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、lif、mo、ti、w、in、sn、zn和yb中的两种或更多种的化合物；ag、mg、cu、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、lif、mo、ti、w、in、sn、zn和yb中的至少一种的氧化物；或其两种或更多种的混合物，或者第一电极和第二电极各自独立地包括lif/ca和lif/al中的至少一种，其中lif/ca指其中lif堆叠在ca上的两层结构，且lif/al指其中lif堆叠在al上的两层结构。
8.[式1]
[0009][0010]
在式1中，m和n各自独立地为选自0至4的整数，o和p各自独立地为选自0至5的整数，q和r各自独立地为选自0至3的整数，s为选自0至2的整数；r1至r7各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、氰基、硝基、羟基、取代的或未取代的具有1至6个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至12个成环碳原子的芳基、取代的或未取代的具有2至15个成环碳原子的杂芳基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的硫基(例如，巯基)或者取代的或未取代的胺基，和/或与相邻基团键合以形成环；x1和x2各自独立地为nra、o、s或se，并且ra为取代的或未取代的具有6至12个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至15个成环碳原子的杂芳基，和/或与相邻基团键合以形成环。
[0011]
在式1中，x1和x2可相同。
[0012]
在实施方式中，由式1表示的多环化合物可由选自式2a至式2d中的任一个表示：
[0013]
[式2a]
[0014][0015]
[式2b]
[0016][0017]
[式2c]
[0018][0019]
[式2d]
[0020][0021]
在式2a中，r
a1
和r
a2
各自独立地为取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的联苯基、取代的或未取代的咔唑基或者取代的或未取代的呋喃基，和/或与相邻基团键合以形成
环；并且在式2a至式2d中，m至s和r1至r7分别与参考式1中定义的相同。
[0022]
在实施方式中，由式2a表示的多环化合物可由选自式2a-1至式2a-5中的任一个表示：
[0023]
[式2a-1]
[0024][0025]
[式2a-2]
[0026][0027]
[式2a-3]
[0028][0029]
[式2a-4]
[0030][0031]
[式2a-5]
[0032][0033]
在式2a-1至式2a-5中，m1和n1各自独立地为选自0至3的整数，t和u各自独立地为选自0至5的整数，t1和u1各自独立地为选自0至4的整数，s1为0或1；r8和r9各自独立地为取代的或未取代的甲基、取代的或未取代的叔丁基、取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的硫基或者取代的或未取代的胺基，和/或与相邻基团键合以形成环；并且r1至r7和m至s分别与参考式1中定义的相同。
[0034]
在实施方式中，在式2a-1至式2a-5中，r8和r9可各自独立地由选自由式a11至式a18表示的部分中的任一个表示：
[0035][0036]
在式1中，x1和x2可彼此不同。
[0037]
在实施方式中，由式1表示的多环化合物可由式3a表示：
[0038]
[式3a]
[0039][0040]
在式3a中，x
22
为o、s或se；r
a1
为取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的联苯基、取代的或未取代的咔唑基或者取代的或未取代的呋喃基，和/或与相邻基团键合以形成环；并且r1至r7和m至s分别与参考式1中定义的相同。
[0041]
在实施方式中，由式3a表示的多环化合物可由选自式3a-1至式3a-3中的任一个表示：
[0042]
[式3a-1]
[0043][0044]
[式3a-2]
[0045][0046]
[式3a-3]
[0047][0048]
在式3a-1至式3a-3中，t为选自0至5的整数，s1为0或1，m1为选自0至3的整数，t1为选自0至4的整数；r8为取代的或未取代的甲基、取代的或未取代的叔丁基、取代的或未取代
的苯基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的硫基或者取代的或未取代的胺基，和/或与相邻基团键合以形成环；x
22
与参考式3a中定义的相同，并且r1至r7和m至s分别与参考式1中定义的相同。
[0049]
在实施方式中，在式3a-1至式3a-3中，r8可由选自由a11至式a18表示的部分中的任一个表示：
[0050][0051]
在实施方式中，由式1表示的多环化合物可由式4-1或式4-2表示：
[0052]
[式4-1]
[0053][0054]
[式4-2]
[0055][0056]
在式4-1和式4-2中，r1和r2各自独立地为取代的或未取代的叔丁基、取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的胺基或者取代的或未取代的氧基，和/或与相邻基团键合以形成环；并且o至s、x1、x2和r3至r7分别与参考式1中定义的相同。
[0057]
在实施方式中，由式4-1或式4-2表示的多环化合物可由选自式4a至式4c中的任一个表示：
[0058]
[式4a]
[0059][0060]
[式4b]
[0061][0062]
[式4c]
[0063][0064]
在式4a至式4c中，y1和y2各自独立地为o、s或nre，re为取代的或未取代的苯基，并且x1、x2、r3至r7和o至s分别与参考式1中定义的相同。
[0065]
在实施方式中，由式1表示的多环化合物可由式5表示：
[0066]
[式5]
[0067][0068]
在式5中，r5和r6各自独立地为未取代的甲基、未取代的叔丁基或氰基；并且m至p、s、x1、x2、r1至r4和r7分别与参考式1中定义的相同。
[0069]
在实施方式中，由式1表示的多环化合物可由式6-1或式6-2表示：
[0070]
[式6-1]
[0071][0072]
[式6-2]
[0073][0074]
在式6-1和式6-2中，r3和r4各自独立地为取代的或未取代的叔丁基、氟基或者取代的或未取代的氧基，取代的或未取代的氧基任选地与相邻基团键合以形成环；并且m、n、q至s、x1、x2、r1、r2和r5至r7分别与参考式1中定义的相同。
[0075]
在实施方式中，发射层可用于发射蓝光。
[0076]
在实施方式中，发射层可包括掺杂剂和主体，并且掺杂剂可包括由式1表示的多环化合物。
[0077]
在实施方式中，由式1表示的多环化合物可用于发射热激活延迟荧光。
[0078]
在实施方式中，发光元件可进一步包括在第一电极和发射层之间的空穴传输区，并且空穴传输区可包括化合物g-1或化合物g-2：
[0079]
[化合物g-1]
[0080][0081]
[化合物g-2]
[0082][0083]
在本公开的实施方式中，发光元件包括第一电极，在第一电极上且包括化合物g-1或化合物g-2的空穴传输区，在空穴传输区上的第二电极，以及在空穴传输区和第二电极之间且包括由式1表示的多环化合物的发射层：
[0084]
[化合物g-1]
[0085][0086]
[化合物g-2]
[0087][0088]
[式1]
[0089][0090]
在式1中，m和n各自独立地为选自0至4的整数，o和p各自独立地为选自0至5的整数，q和r各自独立地为选自0至3的整数，s为选自0至2的整数；r1至r7各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、氰基、硝基、羟基、取代的或未取代的具有1至6个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至12个成环碳原子的芳基、取代的或未取代的具有2至15个成环碳原子的杂芳基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的硫基或者取代的或未取代的胺基，和/或与相邻基团键合以形成环；x1和x2各自独立地为nra、o、s或se，并且ra为取代的或未取代的具有6至12个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至15个成环碳原子的杂芳基，和/或与相邻基团键合以形成环。
[0091]
在实施方式中，由式1表示的多环化合物可由选自式7-1至式7-5中的任一个表示：
[0092]
[0093][0094]
[式7-5]
[0095][0096]
在式7-1至式7-5中，r
a1
和r
a2
与参考式1中ra定义的相同；并且m至s和r1至r7分别与参考式1中定义的相同。
附图说明
[0097]
附图被包括在内以提供对本公开主题的进一步理解，并且被并入并构成本说明书的一部分。附图示出了本公开的实施方式，并且与描述一起用于解释本公开的原理。
[0098]
在附图中：
[0099]
图1为根据本公开的实施方式的显示装置的平面图；
[0100]
图2为根据本公开的实施方式的显示装置的截面图；
[0101]
图3为示意性阐释根据本公开的实施方式的发光元件的截面图；
[0102]
图4为示意性阐释根据本公开的实施方式的发光元件的截面图；
[0103]
图5为示意性阐释根据本公开的实施方式的发光元件的截面图；
[0104]
图6为示意性阐释根据本公开的实施方式的发光元件的截面图；
[0105]
图7为根据本公开的实施方式的显示装置的截面图；并且
[0106]
图8为根据本公开的实施方式的显示装置的截面图。
具体实施方式
[0107]
本公开的主题可以以许多替代形式进行修改，因此具体实施方式将在附图中示出并更详细地描述。然而，应当理解，这并不旨在将本公开的主题限制于所公开的特定形式，而是旨在覆盖落入本公开的精神和范围内的所有修改、等同物和替代物及其等同物。
[0108]
当解释每个附图时，相同的附图标记用于指相同的元件。在附图中，为了清楚起见，每个结构的尺寸可被放大。应当理解，尽管术语“第一”、“第二”等可以用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件和另一个元件。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。单数形式的术语可以包括复数形式，除非上下文另有明确指示。
[0109]
在本说明书中，应当理解，比如“包括”、“具有”、“包含”等术语指定说明书中公开的特征、固定数量、步骤(任务)、操作、元素、组件或其组合的存在，但不排除一个或多个其他特征、固定数量、步骤(任务)、操作、元素、组件或其组合的存在或添加的可能性。
[0110]
在本说明书中，当比如层、膜、区或板的部分被称为“在”另一部分“上”或“上方”时，它可以直接在另一部分上，或者也可以存在中间部分。相反，当比如层、膜、区或板的部分被称为“在”另一部分的“下方”或“下面”时，它可以直接在另一部分的下方，或者也可以存在中间部分。此外，应当理解，当一个部分被称为“在”另一个部分“上”时，它可以设置在另一个部分上，或者也可以设置在另一个部分下方。
[0111]
在说明书中，术语“取代的或未取代的”可指未被取代或被选自由以下组成的组中的至少一个取代基取代的官能团：氘原子、卤原子、氰基、硝基、氨基、胺基、甲硅烷基、氧基、硫基、亚磺酰基、磺酰基、羰基、硼基、氧化膦基、硫化膦基、烷基、烯基、炔基、烷氧基、烃环基、芳基和杂环基。另外，上述取代基中的每一个可为取代的或未取代的。例如，联苯基可解释为芳基或被苯基取代的苯基。
[0112]
在说明书中，短语“与相邻基团键合以形成环”可指示基团与相邻基团键合以形成取代的或未取代的烃环或者取代的或未取代的杂环。烃环包括脂族烃环和芳族烃环。杂环包括脂族杂环和芳族杂环。烃环和杂环可为单环的或多环的。另外，由彼此键合的相邻基团形成的环与另一个环连接以形成螺结构。
[0113]
在说明书中，术语“相邻基团”可指取代直接与被相应的取代基取代的原子键合的原子的取代基，取代被相应的取代基取代的原子的另一取代基，或者空间位置与相应取代基最接近的取代基。例如，1,2-二甲基苯中的两个甲基可解释为彼此的“相邻基团”，并且1,1-二乙基环戊烷中的两个乙基可解释为彼此的“相邻基团”。另外，4,5-二甲基菲中的两个甲基可解释为彼此的“相邻基团”。
[0114]
在说明书中，卤原子的实例可包括氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。
[0115]
在说明书中，烷基可为直链、支链或环状的烷基。烷基中碳原子的数量可为1至50、1至30、1至20、1至10或1至6。烷基的实例可包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、2-乙基丁基、3,3-二甲基丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、环戊
基、1-甲基戊基、3-甲基戊基、2-乙基戊基、4-甲基-2-戊基、正己基、1-甲基己基、2-乙基己基、2-丁基己基、环己基、4-甲基环己基、4-叔丁基环己基、正庚基、1-甲基庚基、2,2-二甲基庚基、2-乙基庚基、2-丁基庚基、正辛基、叔辛基、2-乙基辛基、2-丁基辛基、2-己基辛基、3,7-二甲基辛基、环辛基、正壬基、正癸基、金刚烷基、2-乙基癸基、2-丁基癸基、2-己基癸基、2-辛基癸基、正十一烷基、正十二烷基、2-乙基十二烷基、2-丁基十二烷基、2-己基十二烷基、2-辛基十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、2-乙基十六烷基、2-丁基十六烷基、2-己基十六烷基、2-辛基十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基、正二十烷基、2-乙基二十烷基、2-丁基二十烷基、2-己基二十烷基、2-辛基二十烷基、正二十一烷基、正二十二烷基、正二十三烷基、正二十四烷基、正二十五烷基、正二十六烷基、正二十七烷基、正二十八烷基、正二十九烷基、正三十烷基等，但是本公开不限于此。
[0116]
如本文所使用的术语“烃环基”可指衍生自脂族烃环的任何官能团或取代基。烃环基可为具有5至20个成环碳原子的饱和烃环基。
[0117]
如本文所使用的术语“芳基”可指衍生自芳族烃环的任何官能团或取代基。芳基可为单环芳基或多环芳基。芳基中成环碳原子的数量可为6至30、6至20或6至15。芳基的实例可包括苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基、联苯基、三联苯基、四联苯基、五联苯基、六联苯基、三亚苯基、芘基、苯并荧蒽基、1,2-苯并菲基等，但是本公开不限于此。
[0118]
在说明书中，芴基可被取代，并且两个取代基可彼此键合以形成螺结构。芴基被取代的情况的实例可为如下。然而，本公开不限于此。
[0119][0120]
如本文所使用的术语“杂环基”可指衍生自包括b、o、n、p、si、se和s中的至少一种作为成环杂原子的环的任何官能团或取代基。杂环基可包括脂族杂环基和芳族杂环基。芳族杂环基可为杂芳基。脂族杂环和芳族杂环可为单环的或多环的。
[0121]
在说明书中，术语“杂环基”可包括b、o、n、p、si、s和se中的至少一种作为成环杂原子。当杂环基包括两个或更多个杂原子时，两个或更多个杂原子可彼此相同或不同。杂环基可为单环杂环基或多环杂环基并且可包括杂芳基。杂环基中成环碳原子的数量可为2至30、2至20或2至10。
[0122]
在说明书中，脂族杂环基可包括b、o、n、p、si、se和s中的一种或多种作为成环杂原子。脂族杂环基中成环碳原子的数量可为2至30、2至20或2至10。脂族杂环基的实例可包括环氧乙烷基、硫杂环丙环基、吡咯烷基、哌啶基、四氢呋喃基、四氢噻吩基、噻烷基、四氢吡喃基、1,4-二噁烷基等，但是本公开不限于此。
[0123]
如本文所使用的术语“杂芳基”可包括b、o、n、p、si、se和s中的至少一种作为成环杂原子。当杂芳基含有两个或更多个杂原子时，两个或更多个杂原子可彼此相同或不同。杂芳基可为单环杂芳基或多环杂芳基。杂芳基中成环碳原子的数量可为2至30、2至20或2至10。杂芳基的实例可包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、吩噁嗪基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、n-芳基咔唑基、n-杂芳
基咔唑基、n-烷基咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻吩并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、噻唑基、异噁唑基、噁唑基、噁二唑基、噻二唑基、吩噻嗪基、二苯并硅杂环戊二烯基、二苯并呋喃基等，但是本公开不限于此。
[0124]
在说明书中，除了亚芳基为二价基团之外，上面关于芳基的描述可应用于亚芳基。除了亚杂芳基为二价基团之外，上面关于杂芳基的描述可应用于亚杂芳基。
[0125]
在说明书中，甲硅烷基包括烷基甲硅烷基和芳基甲硅烷基。甲硅烷基的实例可包括三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基等。然而，本公开不限于此。
[0126]
在说明书中，氨基中碳原子的数量没有具体限制，但是可为1至30。氨基可包括烷基氨基、芳基氨基或杂芳基氨基。氨基的实例可包括甲氨基、二甲氨基、苯基氨基、二苯基氨基、萘基氨基、9-甲基-蒽基氨基等，但是本公开不限于此。
[0127]
在说明书中，羰基中成环碳原子的数量没有具体限制，但是可为1至40、1至30或1至20。例如，羰基可具有以下结构，但是本公开不限于此。
[0128][0129]
在说明书中，亚磺酰基和磺酰基中碳原子的数量不特别限制，但是可为1至30。亚磺酰基可包括烷基亚磺酰基和芳基亚磺酰基。磺酰基可包括烷基磺酰基和芳基磺酰基。
[0130]
如本文所使用的术语“硫基”或“巯基”可包括烷基硫基和芳硫基。“硫基”或“巯基”可指与如上定义的烷基或芳基键合的硫原子。硫基的实例可包括甲硫基、乙基硫基、丙基硫基、戊基硫基、己基硫基、辛基硫基、十二烷基硫基、环戊基硫基、环己基硫基、苯硫基、萘基硫基等，但是本公开不限于此。
[0131]
如本文所使用的术语“氧基”可指与如上定义的烷基或芳基键合的氧原子。氧基可包括烷氧基和芳氧基。烷氧基可为直链、支链或环链。烷氧基中碳原子的数量没有具体限制，但是可为，例如，1至20或1至10。氧基的实例可包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、丁氧基、戊基氧基、己氧基、辛氧基、壬基氧基、癸基氧基、苄氧基等，但是本公开不限于此。
[0132]
如本文所使用的术语“硼基”可指与如上定义的烷基或芳基键合的硼原子。硼基可包括烷基硼基和芳基硼基。硼基的实例可包括二甲基硼基、二乙基硼基、叔丁基甲基硼基、二苯基硼基、苯基硼基等，但是本公开不限于此。
[0133]
在说明书中，烯基可为直链或支链。烯基中碳原子的数量没有具体限制，但是可为2至30、2至20或2至10。烯基的非限制性实例可包括乙烯基、1-丁烯基、1-戊烯基、1,3-丁二烯基、苯乙烯基、苯乙烯基乙烯基等。
[0134]
在说明书中，胺基中碳原子的数量没有具体限制，但是可为1至30。胺基可包括烷基胺基和芳基胺基。胺基的实例可包括甲基胺基、二甲基胺基、苯基胺基、二苯胺基、萘基胺基、9-甲基-蒽基胺基等，但是本公开不限于此。
[0135]
在说明书中，烷氧基、烷基硫基、烷基磺酰基、烷基芳基、烷基氨基、烷基硼基、烷基
甲硅烷基和烷基胺基中的每一个中的烷基可与上述烷基的实例相同。
[0136]
在说明书中，芳氧基、芳硫基、芳基磺酰基、芳基氨基、芳基硼基、芳基甲硅烷基和芳基胺基中的每一个中的芳基可与上述芳基的实例相同。
[0137]
如本文所使用的术语“直接连接”可指单键(例如，单个共价键)。
[0138]
在说明书中，和
“‑
*”各自指待连接的位置。
[0139]
下文，将参考附图描述本公开的实施方式。
[0140]
图1为根据实施方式的显示装置dd的平面图。图2为根据实施方式的显示装置dd的截面图。图2为阐释沿着图1的线i-i'截取的部分的截面图。
[0141]
显示装置dd可包括显示面板dp和设置在显示面板dp上的光学层pp。显示面板dp包括发光元件ed-1、ed-2和ed-3。显示装置dd可包括多个发光元件ed-1、ed-2和ed-3。光学层pp可设置在显示面板dp上并且控制由外部光从显示面板dp反射的光。光学层pp可包括例如偏振层或滤光器层。在不同于附图中所示的实施方式的一个或多个实施方式中，可从实施方式的显示装置dd省略光学层pp。
[0142]
基底基板bl可设置在光学层pp上。基底基板bl可为提供基底表面的构件，光学层pp设置在基底表面上。基底基板bl可为玻璃基板、金属基板、塑料基板等。然而，本公开不限于此，并且基底基板bl可为无机层、有机层或复合材料层。在不同于所示实施方式的实施方式中，可省略基底基板bl。
[0143]
根据实施方式的显示装置dd可进一步包括填充层。填充层可设置在显示元件层dp-ed和基底基板bl之间。填充层可为有机材料层。填充层可包括丙烯酸类树脂、硅酮类树脂和环氧类树脂中的至少一种。
[0144]
显示面板dp可包括基底层bs，提供在基底层bs上的电路层dp-cl，和显示元件层dp-ed。显示元件层dp-ed可包括像素限定膜pdl，设置在像素限定膜pdl的部分之间的发光元件ed-1、ed-2和ed-3，以及设置在发光元件ed-1、ed-2和ed-3上的封装层tfe。
[0145]
基底层bs可为提供基底表面的构件，显示元件层dp-ed设置在基底表面上。基底层bs可为玻璃基板、金属基板、塑料基板等。然而，本公开不限于此，并且基底层bs可为无机层、有机层或复合材料层。
[0146]
在实施方式中，电路层dp-cl可设置在基底层bs上，并且电路层dp-cl可包括多个晶体管。每个晶体管可包括控制电极、输入电极和输出电极。例如，电路层dp-cl可包括开关晶体管和驱动晶体管以驱动显示元件层dp-ed的发光元件ed-1、ed-2和ed-3。
[0147]
发光元件ed-1、ed-2和ed-3中的每一个可具有根据图3至图6的实施方式的发光元件ed的结构，这将在稍后更详细描述。发光元件ed-1、ed-2和ed-3中的每一个可包括第一电极el1、空穴传输区htr、发射层eml(eml-r、eml-g和/或eml-b(例如，发射层eml-r、发射层eml-g或发射层eml-b中的相应发射层))、电子传输区etr和第二电极el2。
[0148]
图2阐释这样的实施方式，其中发光元件ed-1、ed-2和ed-3的发射层eml-r、eml-g和eml-b设置在由像素限定膜pdl限定的开口oh中，并且空穴传输区htr、电子传输区etr和第二电极el2作为整个发光元件ed-1、ed-2和ed-3中的公共层提供。然而，本公开不限于此，并且不像(不同于)图2中所示的实施方式，实施方式中的空穴传输区htr和电子传输区etr可通过在由像素限定膜pdl限定的开口oh内图案化来提供。例如，实施方式中的发光元件
ed-1、ed-2和ed-3的空穴传输区htr，发射层eml-r、eml-g和eml-b，以及电子传输区etr可通过喷墨印刷方法图案化来提供。
[0149]
封装层tfe可覆盖发光元件ed-1、ed-2和ed-3。封装层tfe可密封显示元件层dp-ed的元件(例如，发光元件ed-1、ed-2和ed-3)。封装层tfe可为薄膜封装层。封装层tfe可形成为一个层或可通过层压多个层来形成。封装层tfe包括至少一个绝缘层。根据实施方式的封装层tfe可包括至少一个无机膜(下文，封装-无机膜)。根据实施方式的封装层tfe也可包括至少一个有机膜(下文，封装-有机膜)和至少一个封装-无机膜。
[0150]
封装-无机膜保护显示元件层dp-ed免受水分/氧气的影响，并且封装-有机膜保护显示元件层dp-ed免受外来物质比如灰尘颗粒的影响。封装-无机膜可包括硅氮化物、硅氮氧化物、硅氧化物、钛氧化物和/或铝氧化物等，但是本公开不特别限于此。封装-有机膜可包括丙烯酸类化合物和/或环氧类化合物等。封装-有机膜可包括光可聚合的有机材料，但是本公开不特别限于此。
[0151]
封装层tfe可设置在第二电极el2上并且可设置成填充开口oh。
[0152]
参考图1和图2，显示装置dd可包括非发光区npxa和发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b。发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b各自可为分别发射从发光元件ed-1、ed-2和ed-3产生的光的区。发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b可在平面上(例如，在平面图中)彼此隔开。
[0153]
发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b中的每一个可为由像素限定膜pdl划分的区。非发光区npxa可为在相邻发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b之间的区，其对应于像素限定膜pdl的部分。在一个或多个实施方式中，发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b中的每一个可对应于像素。像素限定膜pdl可分开发光元件ed-1、ed-2和ed-3。发光元件ed-1、ed-2和ed-3的发射层eml-r、eml-g和eml-b可设置在由像素限定膜pdl限定的开口oh中并且彼此分开。
[0154]
发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b可根据从发光元件ed-1、ed-2和ed-3产生的光的颜色分成多个组。在图1和图2中所示的实施方式的显示装置dd中，分别发射红光、绿光和蓝光的三个发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b被示出作为实例。例如，实施方式的显示装置dd可包括彼此分开的红色发光区pxa-r、绿色发光区pxa-g和蓝色发光区pxa-b。
[0155]
在根据实施方式的显示装置dd中，多个发光元件ed-1、ed-2和ed-3可发射波长彼此不同的光(例如，光束)。例如，在实施方式中，显示装置dd可包括发射红光的第一发光元件ed-1、发射绿光的第二发光元件ed-2和发射蓝光的第三发光元件ed-3。即，显示装置dd的红色发光区pxa-r、绿色发光区pxa-g和蓝色发光区pxa-b可分别对应于第一发光元件ed-1、第二发光元件ed-2和第三发光元件ed-3。
[0156]
然而，本公开不限于此，并且第一至第三发光元件ed-1、ed-2和ed-3可发射相同波长范围内的光(例如，光束)，或者至少一个发光元件可发射波长范围不同于其他发光元件的光(例如，光束)。例如，第一至第三发光元件ed-1、ed-2和ed-3可都发射蓝光。
[0157]
根据实施方式的显示装置dd中的发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b可以以条纹形式布置。参考图1，多个红色发光区pxa-r可沿着第二方向轴dr2彼此布置，多个绿色发光区pxa-g可沿着第二方向轴dr2彼此布置，并且多个蓝色发光区pxa-b可沿着第二方向轴dr2彼此布置。另外，红色发光区pxa-r、绿色发光区pxa-g和蓝色发光区pxa-b可沿着第一方向轴dr1以叙述顺序交替布置。
[0158]
图1和图2阐释了所有发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b具有相同的面积，但是本公开不
限于此，并且根据所发射的光的波长范围，发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b可具有彼此不同的面积。在一个或多个实施方式中，发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b的面积可指当在由第一方向轴dr1和第二方向轴dr2限定的平面中或平面上(例如，在平面图中)观察时的面积。
[0159]
在一个或多个实施方式中，发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b的布置形式不限于图1中所示的布置形式，并且红色发光区pxa-r、绿色发光区pxa-g和蓝色发光区pxa-b的布置顺序可以根据显示装置dd所期望的显示质量的特性进行各种的组合和提供。例如，发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b可以以布置形式(例如，rgbg矩阵、rgbg结构或rgbg矩阵结构)或菱形布置形的形式进行布置。为三星显示有限公司的正式注册商标。
[0160]
另外，发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b的面积可彼此不同。例如，在实施方式中，绿色发光区pxa-g的面积可小于蓝色发光区pxa-b的面积，但是本公开不限于此。
[0161]
下文，图3至图6为示意性阐释根据实施方式的发光元件的截面图。根据实施方式的发光元件ed中的每一个可包括顺序堆叠的第一电极el1、空穴传输区htr、发射层eml、电子传输区etr和第二电极el2。
[0162]
与图3比较，图4阐释实施方式的发光元件ed的截面图，其中空穴传输区htr包括空穴注入层hil和空穴传输层htl，并且电子传输区etr包括电子注入层eil和电子传输层etl。另外，与图3比较，图5阐释实施方式的发光元件ed的截面图，其中空穴传输区htr包括空穴注入层hil、空穴传输层htl和电子阻挡层ebl，并且电子传输区etr包括电子注入层eil、电子传输层etl和空穴阻挡层hbl。与图4比较，图6阐释包括设置在第二电极el2上的封盖层cpl的实施方式的发光元件ed的截面图。
[0163]
第一电极el1具有导电性(例如，导电率)。第一电极el1可由金属材料、金属合金或导电化合物形成。第一电极el1可为阳极或阴极。然而，本公开不限于此。另外，第一电极el1可为像素电极。第一电极el1可为透射电极、透反射电极或反射电极。当第一电极el1为透射电极时，第一电极el1可利用透明的金属氧化物比如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)和/或氧化铟锡锌(itzo)形成。当第一电极el1为透反射电极或反射电极时，第一电极el1可包括ag，mg，cu，al，pt，pd，au，ni，nd，ir，cr，li，ca，lif，mo，ti，w，in，sn，zn和yb中的至少一种；ag、mg、cu、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、lif、mo、ti、w、in、sn、zn和yb中的两种或更多种的化合物；ag、mg、cu、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、lif、mo、ti、w、in、sn、zn和yb中的至少一种的氧化物；或其两种或更多种的混合物(例如，ag和mg的混合物)，或者第一电极el1可包括lif/ca和lif/al中的至少一种。在本公开中，lif/ca可指其中lif堆叠在ca上的两层结构，并且lif/al可指其中lif堆叠在al上的两层结构。在一个或多个实施方式中，第一电极el1可具有多层结构，该多层结构包括由上述材料形成的反射膜或透反射膜，和由ito、izo、zno、itzo等形成的透明导电膜。例如，第一电极el1可具有ito/ag/ito的三层结构，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，第一电极el1可包括上述金属材料中的一种或多种，选自上述金属材料中的两种或更多种金属材料的组合，或/和上述金属材料的一种或多种氧化物等。第一电极el1的厚度可为约至约至约例如，第一电极el1的厚度可为约至约
[0164]
发射层eml提供在第一电极el1上。发射层eml可具有例如约至约至约或约至约的厚度。发射层eml可具有由单一材料形成的单层结构，由多种不同
材料形成的单层结构，或者具有由多种不同材料形成的多个层的多层结构。
[0165]
实施方式的发光元件ed中的发射层eml可包括由下式1表示的多环化合物：
[0166]
[式1]
[0167][0168]
在式1中，m和n可各自独立地为选自0至4的整数。例如，当m为0时，r1未被取代(例如，不作为取代基被包括)，当m为1时，一个r1被取代(例如，一个r1作为取代基被包括)，并且当m为2时，两个r1被取代(例如，两个r1作为取代基被包括)。当m为2或更大时，多个r1可都相同或至少一个可与其余的不同。
[0169]
当n为0时，r2未被取代(例如，不作为取代基被包括)，当n为1时，一个r2被取代(例如，一个r2作为取代基被包括)，并且当n为2时，两个r2被取代(例如，两个r2作为取代基被包括)。当n为2或更大时，多个r2可都相同或彼此不同。
[0170]
o和p可各自独立地为选自0至5的整数。例如，当o为0时，r3未被取代(例如，不作为取代基被包括)，当o为1时，一个r3被取代(例如，一个r3作为取代基被包括)，并且当o为2时，两个r3被取代(例如，两个r3作为取代基被包括)。当o为2时，两个r3可都相同或彼此不同。当p为0时，r4未被取代(例如，不作为取代基被包括)，当p为1时，一个r4被取代(例如，一个r4作为取代基被包括)，并且当p为2时，两个r4被取代(例如，两个r4作为取代基被包括)。当p为2时，两个r4可都相同或彼此不同。
[0171]
q和r可各自独立地为选自0至3的整数。例如，当q为0时，r5未被取代(例如，不作为取代基被包括)，当q为1时，一个r5被取代(例如，一个r5作为取代基被包括)，并且当q为2时，两个r5被取代(例如，两个r5作为取代基被包括)。当q为2时，两个r5可相同或彼此不同。
[0172]
当r为0时，r6未被取代(例如，不作为取代基被包括)，当r为1时，一个r6被取代(例如，一个r6作为取代基被包括)，并且当r为2时，两个r6被取代(例如，两个r6作为取代基被包括)。当r为2时，两个r6可相同或彼此不同。
[0173]
s可为选自0至2的整数。例如，当s为0时，r7未被取代(例如，不作为取代基被包括)，当s为1时，一个r7被取代(例如，一个r7作为取代基被包括)，并且当s为2时，两个r7被取代(例如，两个r7作为取代基被包括)。当s为2时，两个r7可相同或彼此不同。
[0174]
r1至r7可各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、氰基、硝基、羟基、取代的或未取代的具有1至6个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至12个成环碳原子的芳基、取代的或未取代的具有2至15个成环碳原子的杂芳基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的硫基或者取代的或未取代的胺基，和/或可与相邻基团键合以形成环。
[0175]
x1和x2可各自独立地nra、o、s或se，并且ra可为取代的或未取代的具有6至12个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至15个成环碳原子的杂芳基，和/或可与相邻基团键合以形成环。
[0176]
由式1表示的多环化合物具有宽的平面骨架，该骨架具有含有硼原子的杂环取代基，因此有利于多重共振。而且，由式1表示的多环化合物可以在咔唑基的两个苯基中的每一个的邻位处含有具有大空间位阻的取代基。具有大空间位阻的取代基可以在实施方式的多环化合物的核中诱导高的电密度，从而进一步促进核的多重共振。由于具有大空间位阻的取代基，由式1表示的多环化合物很难在同一平面上具有咔唑基和核。因为咔唑基和核不在同一平面上，所以核和咔唑基之间的共振减少，从而可以进一步促进核内部的多重共振。结果，由式1表示的多环化合物具有高的振子强度和低的e
st
(例如，小的最低三重态激发能级(t1能级)和最低单重态激发能级(s1能级)之差)，从而改善发光效率。另外，由式1表示的多环化合物在咔唑基的两个苯基中的每一个的邻位处含有具有大空间位阻的取代基，以阻止(或干扰)亲核试剂对硼原子的攻击，从而改善分子稳定性，导致发光效率的改善。
[0177]
由式1表示的多环化合物可用作热激活延迟荧光(tadf)材料。例如，实施方式的多环化合物可用作tadf掺杂剂材料以发射蓝光。实施方式的由式1表示的多环化合物可为发光中心波长(λmax)在约490nm或更小的波长区内的发光材料。例如，实施方式的由式1表示的多环化合物可为发光中心波长在约430nm至约490nm的波长区内的发光材料。实施方式的由式1表示的多环化合物可为蓝色热激活延迟荧光掺杂剂。
[0178]
在式1中，x1和x2可相同。即，x1和x2都可各自为nra、s、o或se。由式1表示的多环化合物可由选自以下式2a至式2d中的任一个表示：式2a为其中x1和x2分别为nr
a1
和nr
a2
的情况，式2b为其中x1和x2都为o的情况，式2c为其中x1和x2都为s的情况，并且式2d为其中x1和x2都为se的情况。
[0179]
[式2a]
[0180][0181]
[式2b]
[0182][0183]
[式2c]
[0184][0185]
[式2d]
[0186][0187]
在式2a中，r
a1
和r
a2
可各自独立地为取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的联苯基、取代的或未取代的咔唑基或者取代的或未取代的呋喃基，和/或可与相邻基团键合以形成环。在式2a至式2d中，与式1中的m至s和r1至r7相同的描述可应用于m至s和r1至r7。
[0188]
由式2a表示的多环化合物可由选自以下式2a-1至式2a-5中的任一个表示。式2a-1为其中r
a1
和r
a2
都不与相邻基团键合以形成环的情况。式2a-2至式2a-5为其中r
a1
或r
a2
中的至少一个与相邻基团键合以形成环的情况。式2a-2和式2a-4为其中r
a1
和r
a2
中的每一个与相邻基团键合以形成环的情况，并且式2a-3和式2a-5为其中r
a1
或r
a2
中的一个与相邻基团键合以形成环的情况。式2a-2为其中r
a1
键合到与r1键合的苯环上以形成环，并且r
a2
键合到与r2键合的苯环上以形成环的情况。式2a-3为其中r
a1
键合到与r1键合的苯环上以形成环，或者r
a2
键合到与r2键合的苯环上以形成环的情况。式2a-4为其中r
a1
和r
a2
中的每一个键合到与r7键合的苯环上以形成环的情况。式2a-5为其中r
a1
或r
a2
中的一个键合到与r7键合的苯环上以形成环的情况。
[0189]
[式2a-1]
[0190][0191]
[式2a-2]
[0192][0193]
[式2a-3]
[0194][0195]
[式2a-4]
[0196][0197]
[式2a-5]
[0198][0199]
在式2a-1至式2a-5中，m1和n1可各自独立地为选自0至3的整数。例如，当m1为0时，r1可不在苯环上被取代(例如，苯环可不被r1取代)，当m1为1时，一个r1可在苯环上被取代(例如，苯环可被一个r1取代)，并且当m1为2时，两个r1可在苯环上被取代(例如，苯环可被两个r1取代)。当m1为2时，两个r1可相同或彼此不同。当n1为0时，r2可不在苯环上被取代(例如，苯环可不被r2取代)，当n1为1时，一个r2可在苯环上被取代(例如，苯环可被一个r2取代)，并且当n1为2时，两个r2可在苯环上被取代(例如，苯环可被两个r2取代)。当n1为2时，两个r2可相同或彼此不同。
[0200]
t和u可各自独立地为选自0至5的整数。例如，当t为0时，r8可不在苯环上被取代(例如，苯环可不被r8取代)，当t为1时，一个r8可在苯环上被取代(例如，苯环可被一个r8取代)，并且当t为2时，两个r8可在苯环上被取代(例如，苯环可被两个r8取代)。当t为2或更大时，多个r8可都相同或至少一个可与其余的不同。当u为0时，r9可不在苯环上被取代(例如，苯环可不被r9取代)，当u为1时，一个r9可在苯环上被取代(例如，苯环可被一个r9取代)，并且当u为2时，两个r9可在苯环上被取代(例如，苯环可被两个r9取代)。当u为2或更大时，多个r9可都相同或至少一个可与其余的不同。
[0201]
t1和u1可各自独立地为选自0至4的整数，并且s1可为0或1。r8和r9可各自独立地为取代的或未取代的甲基、取代的或未取代的叔丁基、取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的硫基(例如，巯基)或者取代的或未取代的胺基，或者可与相邻基团键合以形成环。在式2a-1至式2a-5中，与以上式1中描述的r1至r7和m至s相同的描述可应用于r1至r7和m至s。在式2a-1至式2a-5中，r8和r9可各自独立地由选自以下部分(例如，基团)中的任一个表示：
[0202][0203]
在式a11至式a18中，对应于这样的部分，在该部分中由式a11至式a18表示的部分键合到与nra的氮原子键合的ra基团上。
[0204]
在式1中，x1和x2可彼此不同。由式1表示的多环化合物可由以下式3a表示：
[0205]
[式3a]
[0206][0207]
在式3a中，x
22
可为o、s或se，并且r
a1
可为取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的联苯基、取代的或未取代的咔唑基或者取代的或未取代的呋喃基，和/或可与相邻基团键合以形成环。在式3a中，r1至r7和m至s分别与参考以上式1中定义的相同。
[0208]
由式3a表示的多环化合物可由选自以下式3a-1至式3a-3中的任一个表示。式3a-1
为其中r
a1
不与相邻基团键合以形成环的情况。式3a-2为其中r
a1
键合到与r1键合的苯环上以形成环的情况。式3a-3为其中r
a1
键合到与r7键合的苯环上以形成环的情况。
[0209]
[式3a-1]
[0210][0211]
[式3a-2]
[0212][0213]
[式3a-3]
[0214][0215]
在式3a-1至式3a-3中，t可为选自0至5的整数。例如，当t为0时，r8可在苯环上不被
取代(例如，苯环可不被r8取代)，当t为1时，一个r8可在苯环上被取代(例如，苯环可被一个r8取代)，并且当t为2时，两个r8可在苯环上被取代(例如，苯环可被两个r8取代)。当t为2或更大时，多个r8可都相同或至少一个可与其余的不同。s1可为0或1。例如，当s1为0时，r7可在苯环上不被取代(例如，苯环可不被r7取代)，并且当s1为1时，一个r7可在苯环上被取代(例如，苯环可被一个r7取代)。
[0216]
m1可为选自0至3的整数。例如，当m1为0时，r1可在苯环上不被取代(例如，苯环可不被r1取代)，当m1为1时，一个r1可在苯环上被取代(例如，苯环可被一个r1取代)，并且当m1为2时，两个r1可在苯环上被取代(例如，苯环可被两个r1取代)。当m1为2或更大时，多个r1可都相同或至少一个可与其余的不同。
[0217]
t1可为选自0至4的整数。例如，当t1为0时，r8可在苯环上不被取代(例如，苯环可不被r8取代)，当t1为1时，一个r8可在苯环上被取代(例如，苯环可被一个r8取代)，并且当t1为2时，两个r8可在苯环上被取代(例如，苯环可被两个r8取代)。当t1为2或更大时，多个r8可都相同或至少一个可与其余的不同。
[0218]
r8可为取代的或未取代的甲基、取代的或未取代的叔丁基、取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的硫基或者取代的或未取代的胺基，和/或可与相邻基团键合以形成环。在式3a-1至式3a-3中，x
22
可与式3a中定义的相同，并且r1至r7和m至s可分别与参考以上式1中定义的相同。
[0219]
在式3a-1至式3a-3中，r8可由选自以下基团中的任一个表示：
[0220][0221]
在式a11至式a18中，对应于这样的部分，在该部分中由式a11至式a18表示
的部分键合到与nra的氮原子键合的ra上。
[0222]
由式1表示的多环化合物可由以下式4-1或式4-2表示。式4-1和式4-2为其中m和n中的每一个为1的情况。式4-1为其中在式1中，r1与x1处于对位，且r2与x2处于对位的情况，并且式4-2其中在式1中，r1与x1处于间位，且r2与x2处于间位的情况。
[0223]
[式4-1]
[0224][0225]
[式4-2]
[0226][0227]
在式4-1和式4-2中，r1和r2可各自独立地为取代的或未取代的叔丁基、取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的胺基或者取代的或未取代的氧基，和/或可与相邻基团键合以形成环。在式4-1和式4-2中，o至s、x1、x2和r3至r7可分别与参考以上式1中定义的相同。
[0228]
由式4-1表示的多环化合物可由选自以下式4a至式4c中的任一个表示。式4a为其中在式4-2中，r1与相邻基团键合以形成环并且r2也与相邻基团键合以形成环的情况。式4b为其中在式4-2中，r1与相邻基团键合以形成环并且r2不与相邻基团键合以形成环的情况。式4c为其中在式4-2中，r1不与相邻基团键合以形成环并且r2也不与相邻基团键合以形成环的情况。
[0229]
[式4a]
[0230][0231]
[式4b]
[0232][0233]
[式4c]
[0234]
[0235]
在式4a至式4c中，y1和y2可各自独立地o、s或nre，并且re可为取代的或未取代的苯基。x1、x2、r3至r7和o至s可分别与参考以上式1中定义的相同。
[0236]
由式1表示的多环化合物可由以下式5表示：式5为其中在式1中，q和r中的每一个为1，并且r5和r6中的每一个与氮原子处于对位的情况。
[0237]
[式5]
[0238][0239]
在式5中，r5和r6可各自独立地未取代的甲基、未取代的叔丁基或氰基。在式5中，m至p、s、x1、x2、r1至r4和r7可分别与参考以上式1中定义的相同。
[0240]
由式1表示的多环化合物可由以下式6-1或式6-2表示。式6-1和式6-2为其中o和p中的每一个为1的情况。式6-1为其中r3和r4中的每一个与咔唑基处于对位的情况，并且式6-2为其中r3和r4中的每一个与咔唑基处于邻位的情况。
[0241]
[式6-1]
[0242][0243]
[式6-2]
[0244][0245]
在式6-1和式6-2中，r3和r4可各自独立地为取代的或未取代的叔丁基、氟基或者取代的或未取代的氧基，或者取代的或未取代的氧基可与相邻基团键合以形成环。在式6-1和式6-2中，m、n、q至s、x1、x2、r1、r2和r5至r7可分别与参考式1中定义的相同。
[0246]
由式1表示的多环化合物可由选自以下式7-1至式7-5中的任一个表示。式7-1至式7-5为其中x1为nr
a1
且x2为nr
a2
、o、s或se，或者x1为o且x2为s的情况。
[0247]
[0248][0249]
[式7-5]
[0250][0251]
在式7-1至式7-5中，r
a1
和r
a2
可与参考以上式1中ra定义的相同。在式7-1至式7-5中，m至s和r1至r7可分别与参考以上式1中定义的相同。
[0252]
由式1表示的多环化合物可由选自以下化合物组1的多环化合物中的任一种表示。发射层eml可包括选自以下化合物组1的多环化合物中的至少一种。
[0253]
[化合物组1]
[0254]
[0255]
[0256][0257]
在图3至图6中所示的实施方式的发光元件ed中，发射层eml可包括主体和掺杂剂。在实施方式中，发射层eml可进一步包括由以下式e-1表示的化合物。由以下式e-1表示的化合物可用作荧光主体材料。
[0258]
[式e-1]
[0259][0260]
在式e-1中，r
31
至r
40
可各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的具有1至10个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有1至10个碳原子的烯基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基，和/或可与相邻基团键合以形成环。在一个或多个实施方式中，r
31
至r
40
可与相邻基团键合以形成饱和烃环、不饱和烃环、饱和杂环或不饱和杂环。
[0261]
在式e-1中，c和d可各自独立地选自0至5的整数。
[0262]
式e-1可由选自以下化合物e1至化合物e19中的任一种表示：
[0263]
[0264][0265]
在实施方式中，发射层eml可进一步包括由以下式e-2a或式e-2b表示的化合物。由以下式e-2a或式e-2b表示的化合物可用作磷光主体材料。
[0266]
[式e-2a]
[0267][0268]
在式e-2a中，a可为选自0至10的整数，且la可为直接连接、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基。在一个或多个实施方式中，当a为2或更大的整数时，多个la可各自独立地为取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基。
[0269]
另外，在式e-2a中，a1至a5可各自独立地n或cri。ra至ri可各自独立地为氢原子、氘原子、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基，和/或可与相邻基团键合以形成环。ra至ri可与相邻基团键合以形成烃环或含有n、o、s等作为成环原子的杂环。
[0270]
在一个或多个实施方式中，在式e-2a中，选自a1至a5中的两个或三个可为n，且剩余的(例如，其余的)可为cri。
[0271]
[式e-2b]
[0272][0273]
在式e-2b中，cbz1和cbz2可各自独立地未取代的咔唑基或者被具有6至30个成环碳原子的芳基取代的咔唑基。lb可为直接连接、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基。b可为选自0至10的整数，并且当b为2或更大的整数时，多个lb可各自独立地为取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基。
[0274]
由式e-2a或式e-2b表示的化合物可由选自以下化合物组e-2的化合物中的任一种表示。然而，以下化合物组e-2中列举的化合物作为实例呈现，并且由式e-2a或式e-2b表示的化合物不限于由以下化合物组e-2表示的化合物。
[0275]
[化合物组e-2]
[0276]
[0277]
[0278][0279]
发射层eml可进一步包括本领域中通常使用的材料作为主体材料。例如，发射层eml可包括选自双[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(dpepo)、4,4
’‑
双(n-咔唑基)-1,1
’‑
联苯(cbp)、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mcp)、2,8-双(二苯基磷酰基)二苯并[b,d]呋喃(ppf)、4,4’,4
”‑
三(咔唑基-9-基)-三苯胺(tcta)和1,3,5-三(1-苯基-1h-苯并[d]咪唑-2-基)苯(tpbi)中的至少一种作为主体材料。然而，本公开不限于此，并且例如，三(8-羟基喹啉)铝(alq3)、9,10-二(萘-2-基)蒽(adn)、2-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(tbadn)、二苯乙烯基芳烃(dsa)、4,4'-双(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-联苯(cdbp)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn)、六苯基环三磷腈(cp1)、1,4-双(三苯基甲硅烷基)苯(ugh2)、六苯基环三硅氧烷(dpsio3)、八苯基环四硅氧烷(dpsio4)等可用作主体材料。
[0280]
在实施方式中，发射层eml可进一步包括由以下式m-a或式m-b表示的化合物。由以下式m-a或式m-b表示的化合物可用作磷光掺杂剂材料。
[0281]
[式m-a]
[0282][0283]
在以上式m-a中，y1至y4和z1至z4可各自独立地cr1或n，并且r1至r4可各自独立地为氢原子、氘原子、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的硫基、取代的或未取代的氧基、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个
成环碳原子的杂芳基，和/或可与相邻基团键合以形成环。在式m-a中，m为0或1，且n为2或3。在式m-a中，当m为0时，n为3，且当m为1时，n为2。由式m-a表示的化合物可用作磷光掺杂剂。
[0284]
由式m-a表示的化合物可由选自以下化合物m-a1至化合物m-a25的任一种表示。然而，以下化合物m-a1至化合物m-a25作为实例呈现，并且由式m-a表示的化合物不限于由以下化合物m-a1至化合物m-a25表示的化合物。
[0285]
[0286][0287]
化合物m-a1和化合物m-a2可用作红色掺杂剂材料，并且化合物m-a3至化合物m-a7可用作绿色掺杂剂材料。
[0288]
[式m-b]
[0289][0290]
在式m-b中，q1至q4各自独立地为c或n，并且c1至c4各自独立地为取代的或未取代的具有5至30个成环碳原子的烃环或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂环。l
21
至l
24
各自独立地为直接连接、*-o-*、*-s-*、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的二价烷基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基，且e1至e4各自独立地为0或1。r
31
至r
39
各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、氰基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基，或与相邻基团键合以形成环，且d1至d4各自独立地为选自0至4的整数。
[0291]
由式m-b表示的化合物可用作蓝色磷光掺杂剂或绿色磷光掺杂剂。
[0292]
由式m-b表示的化合物可由选自以下化合物中的任一种表示。然而，以下化合物作为实例呈现，并且由式m-b表示的化合物不限于由以下化合物表示的化合物。
[0293]
[0294][0295]
在以上化合物中，r、r
38
和r
39
可各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、氰基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基。
[0296]
发射层eml可进一步包括由选自以下式f-a至式f-c中的任一种表示的化合物。由以下式f-a至式f-c中的任一种表示的化合物可用作荧光掺杂剂材料。
[0297]
[式f-a]
[0298][0299]
在式f-a中，选自ra至rj中的两个可各自独立地被*-nar1ar2取代。，ra至rj中的未被*-nar1ar2取代的其他基团(例如，ra至rj的其余基团)可各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、氰基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基。在*-nar1ar2中，ar1和ar2可各自独立地为取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基。例如，ar1和ar2中的至少一个可为含有o或s作为成环原子的杂芳基。
乙基咔唑基)乙烯基]苯(bczvb)、4-(二对甲苯基氨基)-4'-[(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]芪(dpavb)和/或n-(4-((e)-2-(6-((e)-4-(二苯基氨基)苯乙烯基)萘-2-基)乙烯基)苯基)-n-苯基苯胺(n-bdavbi))、4,4'-双[2-(4-(n,n-二苯基氨基)苯基)乙烯基]联苯(dpavbi))、苝及其衍生物(例如，2,5,8,11-四叔丁基苝(tbp))、芘及其衍生物(例如，1,1'-二芘、1,4-二芘基苯、1,4-双(n,n-二苯基氨基)芘)等作为适当的(例如，已知的)掺杂剂材料。
[0310]
发射层eml可包括适当的(例如，已知的)磷光掺杂剂材料。例如，包括铱(ir)、铂(pt)、锇(os)、金(au)、钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)和/或铥(tm)的金属复合物可用作磷光掺杂剂。例如，双(4,6-二氟苯基吡啶基-n,c2')吡啶甲酰合铱(iii)(firpic)、双(2,4-二氟苯基吡啶基)-四(1-吡唑基)硼酸铱(iii)(fir6)和/或八乙基卟啉铂(ptoep)可用作磷光掺杂剂。然而，本公开不限于此。
[0311]
发射层eml可包括量子点材料。量子点的核可选自第ii-vi族化合物、第iii-vi族化合物、第i-iii-vi族化合物、第iii-v族化合物、第iii-ii-v族化合物、第iv-vi族化合物、第iv族元素、第iv族化合物及其组合。
[0312]
第ii-vi族化合物可选自由以下组成的组中：选自由cdse、cdte、cds、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse、mgs及其混合物组成的组中的二元化合物；选自由cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、mgzns及其混合物组成的组中的三元化合物；和选自由hgzntes、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste及其混合物组成的组中的四元化合物。
[0313]
第iii-vi族化合物可包括二元化合物比如in2s3和/或in2se3，三元化合物比如ingas3和/或ingase3，或其任何组合。
[0314]
第i-iii-vi族化合物可选自：选自由agins、agins2、cuins、cuins2、aggas2、cugas2、cugao2、aggao2、agalo2及其混合物组成的组中的三元化合物；和/或四元化合物比如agingas2和/或cuingas2。
[0315]
第iii-v族化合物可选自由以下组成的组中：选自由gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb及其混合物组成的组中的二元化合物；选自由ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、inalp、innp、innas、innsb、inpas、inpsb及其混合物组成的组中的三元化合物；和选自由gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb及其混合物组成的组中的四元化合物。在一个或多个实施方式中，第iii-v族化合物可进一步包括第ii族金属。例如，可选择inznp等作为第iii-ii-v族化合物。
[0316]
第iv-vi族化合物可选自由以下组成的组中：选自由sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte及其混合物组成的组中的二元化合物；选自由snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte及其混合物组成的组中的三元化合物；和选自由snpbsse、snpbsete、snpbste及其混合物组成的组中的四元化合物。第iv族元素可选自由si、ge及其混合物组成的组中。第iv族化合物可为选自由sic、sige及其混合物组成的组中的二元化合物。
[0317]
在一个或多个实施方式中，二元化合物、三元化合物和/或四元化合物可以均匀(例如，基本上均匀)浓度分布存在于颗粒中，或者可以以部分不同浓度分布存在于同一颗粒中。另外，量子点可具有其中一个量子点围绕(例如，包围)另一量子点的核/壳结构。在核/壳结构中，核和壳之间的界面可具有浓度梯度，其中存在于壳中的元素的浓度朝向核的中心降低。例如，在核/壳结构中，可存在其中存在于壳中的元素的浓度朝向核的中心降低的浓度梯度。
[0318]
在一些实施方式中，量子点可具有上述核/壳结构，该核/壳结构包括含有纳米晶体的核和围绕(例如，包围)核的壳。量子点的壳可用作保护层，以防止或基本上防止核的化学改性从而保持半导体特性，和/或用作充电层，以赋予量子点电泳性质。壳可以是单层或多层。量子点的壳的实例可以包括金属氧化物和/或非金属氧化物、半导体化合物或其组合。
[0319]
例如，金属氧化物和/或非金属氧化物可为：二元化合物比如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4和/或nio；和/或三元化合物比如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4和/或comn2o4，但是本公开不限于此。
[0320]
此外，半导体化合物可为例如cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb等，但是本公开不限于此。
[0321]
量子点可具有约45nm或更小，例如约40nm或更小，或约30nm或更小的发光波长光谱的半峰全宽(fwhm)，并且在上述范围内可改善颜色纯度或颜色再现性。另外，通过这种量子点发射的光在所有方向上发射，因此可获得(例如，改善)宽视角。
[0322]
另外，量子点的形状不特别限制，只要它是本领域中通常使用的形式，例如，可使用球形、锥体、多臂和/或立方体纳米颗粒，纳米管，纳米线，纳米纤维，纳米片等的形式的量子点。
[0323]
量子点可根据其颗粒尺寸控制发射光的颜色，因此，量子点可具有各种适当的发射颜色比如蓝色、红色和/或绿色。
[0324]
空穴传输区htr提供在第一电极el1和发射层eml之间。空穴传输区htr可包括空穴注入层hil、空穴传输层htl、缓冲层、发射辅助层和电子阻挡层ebl中的至少一个。空穴传输区htr的厚度可为例如约至约
[0325]
空穴传输区htr可具有由单一材料形成的单层，由多种不同材料形成的单层，或者包括由多种不同材料形成的多个层的多层结构。
[0326]
例如，空穴传输区htr可具有空穴注入层hil或空穴传输层htl的单层结构，或者可具有由空穴注入材料和空穴传输材料形成的单层结构。另外，空穴传输区htr可具有由多种不同材料形成的单层结构，或者其中空穴注入层hil/空穴传输层htl、空穴注入层hil/空穴传输层htl/缓冲层、空穴注入层hil/缓冲层、空穴传输层htl/缓冲层或空穴注入层hil/空穴传输层htl/电子阻挡层ebl从第一电极el1起以各自叙述的顺序堆叠的结构，但是本公开不限于此。
[0327]
空穴传输区htr可利用各种适当的方法比如真空沉积方法、旋涂方法、浇铸方法、朗缪尔-布罗基特(lb)方法、喷墨印刷方法、激光印刷方法和/或激光诱导热成像(liti)方法形成。
[0328]
在实施方式中，空穴传输区htr可包括以下化合物g-1和/或化合物g-2：
[0329]
[化合物g-1]
[0330][0331]
[化合物g-2]
[0332][0333]
空穴传输区htr可进一步包括由以下式h-1表示的化合物：
[0334]
[式h-1]
[0335][0336]
在以上式h-1中，l1和l2可各自独立地直接连接、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基。a和b可各自独立地为选自0至10的整数。在一个或多个实施方式中，当a或b为2或更大的整数时，多个l1和l2可各自独立地为取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基。
[0337]
在式h-1中，ar1和ar2可各自独立地为取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基。另外，在式h-1中，ar3可为取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基。
[0338]
由以上式h-1表示的化合物可为单胺化合物(例如，包括单个胺基的化合物)。在一些实施方式中，由以上式h-1表示的化合物可为其中选自ar1至ar3的至少一个包括胺基作为
取代基的二胺化合物。另外，由以上式h-1表示的化合物可为在ar1和ar2的至少一个中包括取代的或未取代的咔唑基的咔唑类化合物，或者在ar1和ar2的至少一个中包括取代的或未取代的芴基的芴类化合物。
[0339]
由式h-1表示的化合物可由选自以下化合物组h的化合物中的任一种表示。然而，以下化合物组h中列举的化合物作为实例呈现，并且由式h-1表示的化合物不限于以下化合物组h中列举的化合物：
[0340]
[化合物组h]
[0341]
[0342][0343]
空穴传输区htr可包括酞菁化合物比如酞菁铜、n1,n
1'-([1,1'-联苯基]-4,4'-二基)双(n
1-苯基-n4,n
4-二-间甲苯基苯-1,4-二胺)(dntpd)、4,4',4"-[三(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺(m-mtdata)、4,4’,4
”‑
三(n,n-二苯基氨基)三苯胺(tdata)、4,4',4"-三[n-(2-萘基)-n-苯基氨基]-三苯胺(2-tnata)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pedot/pss)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pani/pss)、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基-联苯胺(npb)、含三苯胺的聚醚酮(tpapek)、4-异丙基-4'-甲基二苯基碘鎓[四(五氟苯基)硼酸盐]、二吡嗪并[2,3-f：2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈(hat-cn)等。
[0344]
空穴传输区htr可包括一种或多种咔唑衍生物比如n-苯基咔唑和/或聚乙烯咔唑、一种或多种芴衍生物、n,n
’‑
双(3-甲基苯基)-n,n
’‑
二苯基-[1,1
’‑
联苯基]-4,4
’‑
二胺(tpd)、一种或多种三苯胺衍生物比如4,4’,4
”‑
三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基-联苯胺(npb)、4,4'-亚环己基双[n,n-双(4-甲基苯基)苯胺](tapc)、4,4'-双[n,n'-(3-甲苯基)氨基]-3,3'-二甲基联苯(hmtpd)、1,3-双(n-咔唑基)苯(mcp)等。
[0345]
另外，空穴传输区htr可包括9-(4-叔丁基苯基)-3,6-双(三苯基甲硅烷基)-9h-咔唑(czsi)、9-苯基-9h-3,9'-联咔唑(ccp)、1,3-双(1,8-二甲基-9h-咔唑-9-基)苯(mdcp)等。
[0346]
空穴传输区htr可在选自空穴注入层hil、空穴传输层htl和电子阻挡层ebl中的至少一个中包括空穴传输区htr的上述化合物。
[0347]
空穴传输区htr的厚度可为约至约例如约至约当空穴传输区htr包括空穴注入层hil时，空穴注入层hil可具有例如约至约的厚度。当空穴传输区htr包括空穴传输层htl时，空穴传输层htl可具有约至约的厚度。例如，当空穴传输区htr包括电子阻挡层ebl时，电子阻挡层ebl可具有约至约的厚度。当空穴传输区htr、空穴注入层hil、空穴传输层htl和电子阻挡层ebl的厚度满足上述各自范围时，在不显著增加驱动电压的情况下可实现(例如，获得)满意的空穴传输性质。
[0348]
除了上述材料之外，空穴传输区htr可进一步包括电荷产生材料以增加导电性。电荷产生材料可均匀地或非均匀地分散于空穴传输区htr中。电荷产生材料可为例如p-掺杂剂。p-掺杂剂可包括卤化金属化合物、醌衍生物、金属氧化物和含氰基化合物中的至少一种，但是本公开不限于此。例如，p-掺杂剂可包括一种或多种金属卤化物比如cui和/或rbi，一种或多种醌衍生物比如四氰基醌二甲烷(tcnq)和/或2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌
二甲烷(f4-tcnq)，一种或多种金属氧化物比如氧化钨和/或氧化钼，一种或多种含氰基化合物比如二吡嗪并[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈(hat-cn)和/或4-[[2,3-双[氰基-(4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基)亚甲基]亚环丙基]-氰基甲基]-2,3,5,6-四氟苯甲腈(ndp9)等，但是本公开不限于此。
[0349]
如上所述，除了空穴注入层hil和空穴传输层htl之外，空穴传输区htr可进一步包括缓冲层和电子阻挡层ebl中的至少一个。缓冲层可根据从发射层eml发射的光的波长补偿共振距离，可因此增加发光效率。可包括于空穴传输区htr中的材料可用作要包括于缓冲层中的材料。电子阻挡层ebl为用于防止或基本上防止电子从电子传输区etr注入空穴传输区htr的层。
[0350]
在图3至图6中所示的实施方式的每个发光元件ed中，电子传输区etr提供在发射层eml上。电子传输区etr可包括空穴阻挡层hbl、电子传输层etl和电子注入层eil中的至少一个，但是本公开不限于此。
[0351]
电子传输区etr可具有由单一材料形成的单层，由多种不同材料形成的单层，或者包括由多种不同材料形成的多个层的多层结构。
[0352]
例如，电子传输区etr可具有电子注入层eil或电子传输层etl的单层结构，或者可具有由电子注入材料和电子传输材料形成的单层结构。另外，电子传输区etr可具有由多种不同材料形成的单层结构，或者可具有其中电子传输层etl/电子注入层eil或空穴阻挡层hbl/电子传输层etl/电子注入层eil从发射层eml起以各自叙述的顺序堆叠的结构，但是本公开不限于此。电子传输区etr可具有例如约至约的厚度。
[0353]
电子传输区etr可通过利用各种适当的方法比如真空沉积方法、旋涂方法、浇铸方法、朗缪尔-布罗基特(lb)方法、喷墨印刷方法、激光印刷方法、激光诱导热成像(liti)方法等形成。
[0354]
电子传输区etr可包括由以下式et-1表示的化合物：
[0355]
[式et-1]
[0356][0357]
在式et-1中，选自x1至x3中的至少一个为n，并且剩余的(例如，其余的)为cra。ra可为氢原子、氘原子、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基。ar1至ar3可各自独立地为氢原子、氘原子、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基。
[0358]
在式et-1中，a至c可各自独立地为选自0至10的整数。在式et-1中，l1至l3可各自独
立地直接连接、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基。在一个或多个实施方式中，当a至c各自为2或更大的整数时，l1至l3可各自独立地为取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的亚芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的亚杂芳基。
[0359]
电子传输区etr可包括蒽类化合物。然而，本公开不限于此，并且电子传输区etr可包括例如三(8-羟基喹啉)铝(alq3)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯、2,4,6-三(3'-(吡啶-3-基)联苯基-3-基)-1,3,5-三嗪、2-(4-(n-苯基苯并咪唑-1-基)苯基)-9,10-二萘基蒽、1,3,5-三(1-苯基-1h-苯并[d]咪唑-2-基)苯(tpbi)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(taz)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4h-1,2,4-三唑(ntaz)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(
t
bu-pbd)、双(2-甲基-8-喹啉基-n1,o8)-(1,1'-联苯基-4-羟基)铝(balq)，双(苯并喹啉-10-羟基)铍(bebq2)、9,10-二(萘-2-基)蒽(adn)、1,3-双[3,5-二(吡啶-3-基)苯基]苯(bmpyphb)或其混合物。
[0360]
电子传输区etr可包括选自以下化合物et1至化合物et36中的至少一种：
[0361]
[0362]
[0363][0364]
另外，电子传输区etr可包括金属卤化物比如lif、nacl、csf、rbcl、rbi、cui和/或ki，镧系金属比如yb，和/或金属卤化物和镧系金属的共沉积材料。例如，电子传输区etr可
萘基)-n,n'-二苯基]-1,1'-联苯-4,4'-二胺(α-npd)、npb、tpd、m-mtdata、alq3、cupc、n4,n4,n4',n4'-四(联苯-4-基)联苯基-4,4'-二胺(tpd15)、4,4',4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(tcta)、环氧树脂和/或丙烯酸酯比如甲基丙烯酸酯等。然而，本公开不限于此，并且封盖层cpl可包括选自以下化合物p1至化合物p5中的至少一种：
[0375][0376][0377]
在一个或多个实施方式中，封盖层cpl的折射率可为约1.6或更大。例如，封盖层cpl相对于约550nm至约660nm的波长范围的光的折射率可为约1.6或更大。
[0378]
图7和图8各自为根据实施方式的显示装置的截面图。下文，在描述参考图7和图8的实施方式的显示装置中，不再描述与以上参考图1至图6描述的内容重叠的内容，但是将
主要描述不同之处。
[0379]
参考图7，根据实施方式的显示装置dd可包括包含显示元件层dp-ed的显示面板dp、设置在显示面板dp上的光控制层ccl，和滤光器层cfl。
[0380]
在图7中所示的实施方式中，显示面板dp可包括基底层bs，提供在基底层bs上的电路层dp-cl，和显示元件层dp-ed，并且显示元件层dp-ed可包括发光元件ed。
[0381]
发光元件ed可包括第一电极el1、设置在第一电极el1上的空穴传输区htr、设置在空穴传输区htr上的发射层eml、设置在发射层eml上的电子传输区etr和设置在电子传输区etr上的第二电极el2。在一个或多个实施方式中，如上所述的图3至图6的发光元件ed的结构可同样应用于图7中所示的发光元件ed的结构。
[0382]
参考图7，发射层eml可设置在由像素限定膜pdl限定的开口oh中。例如，由像素限定膜pdl划分且对应于每个发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b提供的发射层eml可发射相同波长范围内的光。在实施方式的显示装置dd中，发射层eml可发射蓝光。在不同于所示实施方式的一个或多个实施方式中，发射层eml可在整个发光区pxa-r、pxa-g和pxa-b中作为公共层提供。
[0383]
光控制层ccl可设置在显示面板dp上。光控制层ccl可包括光转换体。光转换体可为量子点和/或磷光体等。光转换体可转换接收到的光的波长，并发射得到的光。即，光控制层ccl可为含有量子点的层和/或含有磷光体的层。
[0384]
光控制层ccl可包括多个光控制部(例如，光控制器)ccp1、ccp2和ccp3。光控制部ccp1、ccp2和ccp3可彼此隔开。
[0385]
参考图7，分隔图案bmp可设置在彼此间隔开的光控制部ccp1、ccp2和ccp3之间，但是本公开不限于此。图7阐释了分隔图案bmp不与光控制部ccp1、ccp2和ccp3重叠，但是在一些实施方式中，光控制部ccp1、ccp2和ccp3的边缘的至少一部分可与分隔图案bmp重叠。
[0386]
光控制层ccl可包括包含第一量子点qd1的第一光控制部ccp1，其将从发光元件ed提供的第一颜色光转换成第二颜色光；包含第二量子点qd2的第二光控制部ccp2，其将第一颜色光转换成第三颜色光；和透射第一颜色光的第三光控制部ccp3。
[0387]
在实施方式中，第一光控制部ccp1可提供作为第二颜色光的红光，并且第二光控制部ccp2可提供作为第三颜色光的绿光。第三光控制部ccp3可通过透射作为从发光元件ed提供的第一颜色光的蓝光来提供蓝光。例如，第一量子点qd1可为红色量子点，且第二量子点qd2可为绿色量子点。如上所述的相同内容可应用于量子点qd1和qd2。
[0388]
另外，光控制层ccl可进一步包括散射体sp(例如，光散射体sp)。第一光控制部ccp1可包括第一量子点qd1和散射体sp，第二光控制部ccp2可包括第二量子点qd2和散射体sp，并且第三光控制部ccp3可不包括任何量子点，而是可包括散射体sp。
[0389]
散射体sp可为无机颗粒。例如，散射体sp可包括tio2、zno、al2o3、sio2和中空二氧化硅中的至少一种。散射体sp可包括tio2、zno、al2o3、sio2和中空二氧化硅中的任一种，或可为选自tio2、zno、al2o3、sio2和中空二氧化硅中的两种或更多种材料的混合物。
[0390]
第一光控制部ccp1、第二光控制部ccp2和第三光控制部ccp3各自可包括量子点qd1和qd2以及散射体sp分散于其中的基础树脂br1、br2和br3。在实施方式中，第一光控制部ccp1可包括分散于第一基础树脂br1中的第一量子点qd1和散射体sp，第二光控制部ccp2可包括分散于第二基础树脂br2中的第二量子点qd2和散射体sp，并且第三光控制部ccp3可
包括分散于第三基础树脂br3中的散射体sp。基础树脂br1、br2和br3为量子点qd1和qd2以及散射体sp分散于其中的介质，并且可由各种适当的树脂组合物形成，这些树脂组合物可通常称为粘结剂。例如，基础树脂br1、br2和br3可为一种或多种丙烯酸类树脂、一种或多种氨基甲酸乙酯类树脂、一种或多种硅酮类树脂、一种或多种环氧类树脂等。基础树脂br1、br2和br3可为透明树脂。在实施方式中，第一基础树脂br1、第二基础树脂br2和第三基础树脂br3可各自相同或彼此不同。
[0391]
光控制层ccl可包括隔离层bfl1。隔离层bfl1可用于防止或基本上防止水分和/或氧气(下文，称为“水分/氧气”)渗透。隔离层bfl1可设置在光控制部ccp1、ccp2和ccp3上以阻挡光控制部ccp1、ccp2和ccp3暴露于水分/氧气。在一个或多个实施方式中，隔离层bfl1可覆盖光控制部ccp1、ccp2和ccp3。另外，隔离层bfl2可提供在光控制部ccp1、ccp2和ccp3与滤光器cf1、cf2和cf3之间。
[0392]
隔离层bfl1和bfl2可包括至少一个无机层。即，隔离层bfl1和bfl2可包括无机材料。例如，隔离层bfl1和bfl2可包括硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物、铈氧化物、硅氮氧化物、具有适当透射率的金属薄膜等。在一个或多个实施方式中，隔离层bfl1和bfl2可进一步包括有机膜。隔离层bfl1和bfl2可由单层或多层形成。
[0393]
在实施方式的显示装置dd中，滤光器层cfl可设置在光控制层ccl上。例如，滤光器层cfl可直接设置在光控制层ccl上。在该情况下，可省略隔离层bfl2。
[0394]
滤光器层cfl可包括遮光单元bm以及滤光器cf1、cf2和cf3。滤光器层cfl可包括配置为透射第二颜色光的第一滤光器cf1、配置为透射第三颜色光的第二滤光器cf2和配置为透射第一颜色光的第三滤光器cf3。例如，第一滤光器cf1可为红色滤光器，第二滤光器cf2可为绿色滤光器，并且第三滤光器cf3可为蓝色滤光器。滤光器cf1、cf2和cf3可各自包括聚合光敏树脂以及颜料和/或染料。第一滤光器cf1可包括红色颜料和/或染料，第二滤光器cf2可包括绿色颜料和/或染料，并且第三滤光器cf3可包括蓝色颜料和/或染料。然而，本公开不限于此，并且第三滤光器cf3可不包括颜料或染料。第三滤光器cf3可包括聚合光敏树脂且可不包括颜料或染料。第三滤光器cf3可为透明的。第三滤光器cf3可由透明的光敏树脂形成。
[0395]
而且，在实施方式中，第一滤光器cf1和第二滤光器cf2可各自为黄色滤光器。第一滤光器cf1和第二滤光器cf2可不分离，而是可作为一个滤光器提供。
[0396]
遮光单元bm可为黑色矩阵。遮光单元bm可包括含有黑色颜料和/或染料的有机遮光材料和/或无机遮光材料。遮光单元bm可防止或减少漏光，并且可分离相邻滤光器cf1、cf2和cf3之间的边界。另外，在实施方式中，遮光单元bm可由蓝色滤光器形成。
[0397]
第一至第三滤光器cf1、cf2和cf3可分别对应于红色发光区pxa-r、绿色发光区pxa-g和蓝色发光区pxa-b设置。
[0398]
基底基板bl可设置在滤光器层cfl上。基底基板bl可为提供基底表面的构件，在基底表面上设置滤光器层cfl和/或光控制层ccl等。基底基板bl可为玻璃基板、金属基板、塑料基板等。然而，本公开不限于此，并且基底基板bl可为无机层、有机层或复合材料层(例如，复合材料层包括无机材料和有机材料)。另外，与所示的不同，在实施方式中，可省略基底基板bl。
[0399]
图8为阐释根据实施方式的显示装置的一部分的截面图。图8阐释对应于图7的显示面板dp的一部分的截面图。在实施方式的显示装置dd-td中，发光元件ed-bt可包括多个发光结构ol-b1、ol-b2和ol-b3。发光元件ed-bt可包括彼此面对的第一电极el1和第二电极el2，以及在第一电极el1和第二电极el2之间在厚度方向上顺序堆叠的多个发光结构ol-b1、ol-b2和ol-b3。发光结构ol-b1、ol-b2和ol-b3可各自包括发射层eml(图7)以及空穴传输区htr和电子传输区etr，发射层eml(图7)设置在空穴传输区htr和电子传输区etr之间。
[0400]
即，包括于实施方式的显示装置dd-td中的发光元件ed-bt可为具有串联结构且包括多个发射层的发光元件。
[0401]
在图8中所示的实施方式中，分别从发光结构ol-b1、ol-b2和ol-b3发射的光(例如，光束)可都为蓝光。然而，本公开不限于此，并且分别从发光结构ol-b1、ol-b2和ol-b3发射的光(例如，光束)可具有彼此不同的波长范围。例如，包括发射波长范围彼此不同的光束的多个发光结构ol-b1、ol-b2和ol-b3的发光元件ed-bt可发射白光。
[0402]
电荷产生层cgl1和cgl2可设置在相邻的发光结构ol-b1、ol-b2和ol-b3之间。例如，电荷产生层cgl1可在发光结构ol-b1和发光结构ol-b2之间，并且电荷产生层cgl2可在发光结构ol-b2和发光结构ol-b3之间。电荷产生层cgl1和cgl2可包括p-型电荷产生层和/或n-型电荷产生层。
[0403]
下文，参考实施例和比较例，将更详细地描述根据本公开的实施方式的多环化合物和本公开的实施方式的发光元件。另外，仅阐释以下所示的实施例用于理解本公开，并且本公开的范围不限于此。
[0404]
[实施例]
[0405]
1、合成多环化合物
[0406]
首先，将通过阐释化合物4、6、12、39和60的合成方法更详细地描述根据实施方式的多环化合物的合成方法。另外，在以下描述中，化合物的合成方法作为实例呈现，但是根据本公开的实施方式的化合物的合成方法不限于以下实施例。
[0407]
(1)合成化合物4
[0408]
化合物4可通过例如以下反应方案1中所示的步骤(任务)来合成：
[0409]
[反应方案1]
[0410][0411]
合成中间体4-1
[0412]
将1,3-二溴-5-氟苯(1当量)、双(4-(叔丁基)苯基)胺(2当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、p(tbu)3(0.1当量)和叔丁醇钠(2当量)溶解于甲苯中，然后在氮气氛中在约110℃下搅拌约12小时。冷却搅拌后的混合物，然后用乙酸乙酯和水冲洗三次以获得有机层。将所获得的有机层通过硫酸镁(mgso4)干燥，然后在减压下干燥以获得残留物(例如，干燥后的材料)。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以获得中间体4-1。(产率：80％)
[0413]
合成中间体4-2
[0414]
将中间体4-1(1当量)、1,8-二苯基-9h-咔唑(1.5当量)、碘化亚铜(1当量)和k2co3(10当量)溶解于dmf中并在氮气氛中在约160℃下搅拌约50小时。冷却搅拌后的混合物，然后用乙酸乙酯和水冲洗三次以获得有机层。将所获得的有机层通过mgso4干燥，然后在减压下干燥以获得残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以获得中间体4-2。(产率：20％)
[0415]
合成化合物4
[0416]
将中间体4-2(1当量)和三碘化硼(3当量)溶解于odcb中，然后在氮气氛中在约180℃下搅拌约24小时。冷却搅拌后的混合物，然后用三乙胺淬火并用甲醇过滤以获得固体。干燥该固体以获得残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以获得化合物4。(产率：15％)
[0417]
(2)合成化合物6
[0418]
化合物6可通过例如以下反应方案2中所示的步骤(任务)来合成：
[0419]
[反应方案2]
[0420][0421]
合成中间体6-1
[0422]
中间体6-1以与合成中间体4-1基本上相同的方式来合成，只是使用二([1,1'-联苯]-4-基)胺代替双(4-(叔丁基)苯基)胺。(产率：76％)
[0423]
合成中间体6-2
[0424]
中间体6-2以与合成中间体4-2基本上相同的方式来合成，只是使用中间体6-1代替中间体4-1。(产率：20％)
[0425]
合成化合物6
[0426]
化合物6以与合成化合物4基本上相同的方式来合成，只是使用中间体6-2代替中间体4-2。(产率：13％)
[0427]
(3)合成化合物12
[0428]
化合物12可通过例如以下反应方案3中所示的步骤(任务)来合成：
[0429]
[反应方案3]
[0430][0431]
合成中间体12-1
[0432]
将3-溴二苯并[b,d]呋喃(1当量)、苯胺(1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、p(tbu)3(0.1当量)和叔丁醇钠(2当量)溶解于甲苯中，然后在氮气氛中在约110℃下搅拌约12小时。冷却搅拌后的混合物，然后用乙酸乙酯和水冲洗三次以获得有机层。将所获得的有机层通过mgso4干燥，然后在减压下干燥以获得残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以获得中间体12-1。(产率：85％)
[0433]
合成中间体12-2
[0434]
中间体12-2以与合成中间体4-1基本上相同的方式来合成，只是使用中间体12-1代替双(4-(叔丁基)苯基)胺。(产率：70％)
[0435]
合成中间体12-3
[0436]
中间体12-3以与合成中间体4-2基本上相同的方式来合成，只是使用中间体12-2代替中间体4-1。(产率：18％)
[0437]
合成化合物12
[0438]
化合物12以与合成化合物4基本上相同的方式来合成，只是使用中间体12-3代替中间体4-2。(产率：15％)
[0439]
(4)合成化合物39
[0440]
化合物39可通过例如以下反应方案4中所示的步骤(任务)来合成：
[0441]
[反应方案4]
[0442][0443]
合成中间体39-1
[0444]
将3-溴-1,1'-联苯(1当量)、[1,1'-联苯基]-4-胺(1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、p(tbu)3(0.1当量)和叔丁醇钠(2当量)溶解于甲苯中，然后在氮气氛中在约110℃下搅拌约12小时。冷却搅拌后的混合物，然后用乙酸乙酯和水冲洗三次以获得有机层。将所获得的有机层通过mgso4干燥，然后在减压下干燥以获得残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以获得中间体39-1。(产率：80％)
[0445]
合成中间体39-2
[0446]
中间体39-2以与合成中间体4-1基本上相同的方式来合成，只是使用n-([1,1'-联苯基]-4-基)-[1,1'-联苯基]-3-胺(2当量)代替双(4-(叔丁基)苯基)胺(2当量)。(产率：80％)
[0447]
合成中间体39-3
[0448]
中间体39-3以与合成中间体4-2基本上相同的方式来合成，只是使用中间体39-2代替中间体4-1以及使用3,6-二-叔丁基-1,8-二苯基-9h-咔唑代替1,8-二苯基-9h-咔唑。(产率：20％)
[0449]
合成化合物39
[0450]
化合物39以与合成化合物4基本上相同的方式来合成，只是使用中间体39-3代替中间体4-2。(产率：10％)
[0451]
(5)合成化合物60
[0452]
化合物60可通过例如以下反应方案5中所示的步骤(任务)来合成：
[0453]
[反应方案5]
[0454][0455]
合成中间体60-1
[0456]
中间体60-1以与合成中间体4-1基本上相同的方式来合成，只是使用[1,1':3',1
”‑
三联苯基]-2'-胺代替双(4-(叔丁基)苯基)胺。(产率：70％)
[0457]
合成中间体60-2
[0458]
中间体60-2以与合成中间体4-2基本上相同的方式来合成，只是使用中间体60-1代替中间体4-1。(产率：15％)
[0459]
合成中间体60-3
[0460]
将中间体60-2(1当量)、碘苯(10当量)、碘化亚铜(1当量)和碳酸钾(10当量)在氮气氛中在约190℃下搅拌约3天。冷却搅拌后的混合物，然后用乙酸乙酯和水冲洗三次以获得有机层。将所获得的有机层通过mgso4干燥，然后在减压下干燥以获得残留物。所得残留物通过柱色谱分离和纯化，以获得中间体60-3。(产率：60％)
[0461]
合成化合物60
[0462]
化合物60以与合成化合物4基本上相同的方式来合成，只是使用中间体60-3代替中间体4-2。(产率：13％)
[0463]
以上合成的化合物4、6、12、39和60的1h nmr和ms/fab的结果显示在以下表1中。
[0464]
[表1]
[0465]
[0466][0467]
2、发光元件的制造和评估
[0468]
发光元件的制造
[0469]
将由康宁公司制造的约15ω/cm2的ito玻璃基板(具有厚度为约的ito层)切割成50mm x 50mm x 0.7mm的尺寸，利用异丙基醇和纯水通过超声波各自清洗约五分钟，然后用紫外射线照射约30分钟并暴露于臭氧，并清洗以产生第一电极。
[0470]
将化合物npd真空沉积在产生的第一电极的上部上以形成厚的空穴注入层，然后将化合物g-1真空沉积在空穴注入层上以形成厚的空穴传输层。
[0471]
将作为空穴传输化合物的czsi真空沉积在产生的空穴传输层的上部上，以形成厚的发射辅助层。
[0472]
将mcp和各自的实施例化合物或者mcp和各自的比较例化合物以99:1的重量比共沉积在发射辅助层上，以形成厚的发射层。
[0473]
将tspo1形成在发射层的上部上至约的厚度，然后将tpbi沉积以形成的厚度，然后将tpbi沉积以形成厚的电子传输层。
[0474]
将作为碱金属卤化物的lif沉积在电子传输层的上部上至约的厚度，并将铝(al)真空沉积至约的厚度以形成第二电极，从而制造发光元件。
[0475][0476]
发光元件特性的评估
[0477]
实施例和比较例的发光元件的评估结果列于表2中。制造的发光元件的驱动电压(v)、发光效率(cd/a)、最大外部量子效率(％)和发光颜色在表2中列出进行比较。
[0478]
[表2]
[0479]
[0480][0481]
参考表2中所示的结果，可以看出，在发射层中利用根据本公开的实施方式的多环化合物作为掺杂剂材料的发光元件的实施例表现出低驱动电压、高发光效率和适当的(例如，优异的)最大外部量子效率。
[0482]
即，参考表2，可以看出，分别与包括dabna-1、化合物a或化合物b的比较例1至6的发光元件比较，分别包括化合物4、6、12、39和60的实施例1至10的发光元件各自表现出低驱动电压、高发光效率和优异的最大外部量子效率。
[0483]
根据本公开的实施方式的实施例化合物与dabna-1的不同之处在于：具有大空间位阻的咔唑基键合到核中硼的对位处。与dabna-1相比，其中具有大空间位阻的咔唑基键合到核中硼的对位处的实施例化合物可以具有更稳定的分子结构，因为多重共振被促进(例如，增强)。此外，实施例化合物可以保持稳定的分子结构，因为咔唑基在硼原子的对位处被取代，硼原子是反应性高的位置，从而降低了化合物的反应性。即，实施例化合物各自具有比dabna-1化合物更稳定的分子结构，结果，可以证实，与比较例1相比，实施例的发光元件各自表现出低驱动电压、高发光效率和优异的最大外部量子效率。
[0484]
对于化合物a来说，苯基在键合到支架上的咔唑基中的氮原子的对位处被取代，并且对于实施例化合物来说，苯基在键合到支架上的咔唑基中的氮原子邻位处被取代。即，对于实施例化合物来说，与化合物a相比，苯基在更靠近分子中包含的硼原子的位置处被取代，因此可以更好地保护分子中包含的硼原子的空位p-轨道。因此，实施例化合物可以具有比化合物a更稳定的分子结构，结果，可以证实，与比较例2和5的发光元件相比，实施例的发光元件各自表现出低驱动电压、高发光效率和优异的最大外部量子效率。
[0485]
对于化合物b来说，甲基在键合到支架上的咔唑基中的氮原子邻位处被取代，并且对于实施例化合物来说，苯基在键合到支架上的咔唑基中的氮原子邻位处被取代。即，实施例化合物具有比化合物b更大的取代基，因此可以更好地保护分子中包含的硼原子的空位p-轨道。因此，实施例化合物可以具有比化合物b更稳定的分子结构，结果，可以证实，与比较例3和6的发光元件相比，实施例的发光元件各自表现出低驱动电压、高发光效率和优异的最大外部量子效率。
[0486]
如上所述，与比较例1至6相比，实施例1至10显示了驱动电压、发光效率和量子效率全部的改善结果。即，实施方式的发光元件的驱动电压、发光效率和量子效率全部可以通
过利用实施方式的多环化合物来改善，该多环化合物具有其中具有大空间位阻的苯基在支架上被取代的咔唑基中的氮原子邻位处被取代的结构。
[0487]
实施方式可通过在发射层中包括具有dabna结构的多环化合物来提供具有改善的发光效率的发光元件，在具有dabna结构的多环化合物中，具有大空间位阻的取代基在核上被取代，因此在核中诱导高电子密度并促进多重共振。具有dabna结构的多环化合物指的是含有具有以下形式的硼原子，且z1和z2各自独立地为杂原子的稠合多环化合物：
[0488]
实施方式的发光元件可在发射层中包括实施方式的多环化合物，从而实现高发光效率。
[0489]
当比如“至少一个”或“至少一个选自”的表述在元素列表前面时，修饰整个元素列表，而不修饰列表的单个元素。此外，当描述本公开的实施方式时，使用“可”是指“本公开的一个或多个实施方式”。
[0490]
尽管已经参考本公开的示例性实施方式描述了本公开，但是应当理解，本公开不应当限于这些实施方式，而是本领域技术人员可以在不背离本公开的精神和范围的情况下进行各种改变和修改。
[0491]
因此，本公开的技术范围不旨在限于说明书的具体实施方式中陈述的内容，而是旨在由所附权利要求及其等同物来限定。