一种显示基板及其制备方法、显示装置与流程

1.本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。


背景技术：

2.有机发光二极体(organic light-emitting diode，oled)是近年来逐渐发展起来的显示照明技术，尤其在显示行业，oled显示由于具有高响应、高对比度、可柔性化等优点，被视为拥有广泛的应用前景。oled器件具有全固态结构、高亮度、全视角、响应速度快、可柔性显示等优点，已经成为极具竞争力的发展前景的下一代显示技术。
3.oled器件对水氧敏感，外部水汽的入侵会导致器件寿命的衰减，因此，需要采用阻隔膜层对oled进行封装。无机阻隔膜层具有高折射率，密封胶具有低折射率，光从高折射率射向低折射率会产生全反射导致光学损失，降低光取出率。因此，对于oled产品，提高光取出效果成为亟待解决的问题。


技术实现要素：

4.本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。
5.作为本公开实施例的第一个方面，本公开实施例提供一种显示基板，包括：
6.衬底基板；
7.至少一个发光子像素，位于衬底基板的一侧；
8.第一保护层，位于发光子像素的背离衬底基板的一侧，至少一个发光子像素在衬底基板上的正投影位于第一保护层在衬底基板上的正投影的范围内；
9.光取出结构层，位于第一保护层的背离衬底基板的一侧，光取出结构层包括至少一个光取出结构，发光子像素在衬底基板上的正投影与至少一个光取出结构在衬底基板上的正投影存在交叠区域；
10.其中，光取出结构用于接收来自对应的发光子像素的第一光线，并对第一光线进行调制后，以第二光线出射，第二光线与第一方向之间的夹角小于第一光线与第一方向之间的夹角，第一方向为垂直于衬底基板的方向。
11.在一些可能的实现方式中，光取出结构包括：
12.凸透镜结构，位于第一保护层的背离衬底基板的一侧；
13.辅助层，位于凸透镜结构的背离衬底基板的一侧，辅助层在衬底基板上的正投影与凸透镜结构在衬底基板上的正投影存在交叠区域，辅助层的材料的折射率小于凸透镜结构的材料的折射率。
14.在一些可能的实现方式中，辅助层的材料的折射率与凸透镜结构的材料的折射率的差值大于或等于0.2。
15.在一些可能的实现方式中，发光子像素在衬底基板上的正投影位于凸透镜结构在衬底基板上的正投影的范围内。
16.在一些可能的实现方式中，凸透镜结构在衬底基板上的正投影的边界位于辅助层在衬底基板上的正投影的外边界的内侧。
17.在一些可能的实现方式中，辅助层的远离衬底基板一侧的表面与衬底基板之间的距离为第一距离，凸透镜结构的外凸表面与衬底基板之间的距离的最大值为第二距离，第一距离大于或等于第二距离。
18.在一些可能的实现方式中，
19.与同一个发光子像素相对应的多个光取出结构的辅助层相互连接；或者，
20.显示基板包括多个像素区域，各像素区域设置有多个发光子像素，位于同一像素区域的多个光取出结构的辅助层相互连接。
21.在一些可能的实现方式中，凸透镜结构的材料的折射率为1.4～1.8，辅助层的材料的折射率为1.2～1.6。
22.在一些可能的实现方式中，第一保护层的材料的折射率大于凸透镜结构的材料的折射率。
23.在一些可能的实现方式中，显示基板还包括第二保护层，第二保护层位于光取出结构层的背离衬底基板的一侧，光取出结构层在衬底基板上的正投影位于第二保护层在衬底基板上的正投影的范围内。
24.在一些可能的实现方式中，第二保护层的材料的折射率大于辅助层的材料的折射率。
25.在一些可能的实现方式中，显示基板还包括缓冲结构层，缓冲结构层位于第一保护层与光取出结构层之间，缓冲结构层的折射率小于第一保护层的折射率，缓冲结构层的折射率大于光取出结构层的折射率。
26.在一些可能的实现方式中，缓冲结构层包括层叠设置的多个子缓冲层，沿第一保护层朝向光取出结构层的方向，各子缓冲层的折射率逐渐减小。
27.在一些可能的实现方式中，显示基板包括第一颜色发光子像素、第二颜色发光子像素和第三颜色发光子像素；
28.第一颜色发光子像素在衬底基板上的正投影与一个或者六个凸透镜结构在衬底基板上的正投影存在交叠区域；
29.第二颜色发光子像素在衬底基板上的正投影与一个或者六个凸透镜结构在衬底基板上的正投影存在交叠区域；
30.第三颜色发光子像素在衬底基板上的正投影与一个、两个、三个或者六个凸透镜结构在衬底基板上的正投影存在交叠区域。
31.作为本公开实施例的第二方面，本公开实施例提供一种显示基板的制备方法，包括：
32.在衬底基板的一侧形成至少一个发光子像素；
33.在发光子像素的背离衬底基板的一侧形成第一保护层，至少一个发光子像素在衬底基板上的正投影位于第一保护层在衬底基板上的正投影的范围内；
34.在第一保护层的背离衬底基板的一侧形成光取出结构层，光取出结构层包括至少一个光取出结构，发光子像素在衬底基板上的正投影与至少一个光取出结构在衬底基板上的正投影存在交叠区域；
35.其中，光取出结构用于接收来自对应的发光子像素的第一光线，并对第一光线进行调制后，以第二光线出射，第二光线与第一方向之间的夹角小于第一光线与第一方向之间的夹角，第一方向为垂直于衬底基板的方向。
36.在一些可能的实现方式中，形成光取出结构层包括：
37.在第一保护层的背离衬底基板的一侧形成凸透镜结构；
38.在凸透镜结构的背离衬底基板的一侧形成辅助层，辅助层在衬底基板上的正投影与凸透镜结构在衬底基板上的正投影存在交叠区域，辅助层的材料的折射率小于凸透镜结构的材料的折射率。
39.作为本公开实施例的第三方面，本公开实施例提供一种显示装置，包括本公开实施例中的显示基板。
40.本公开实施例的技术方案，可以减少发光子像素的光线在显示基板的膜层传播过程中的全反射光线损失，提高光取出效率。
41.上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本公开进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。
附图说明
42.在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本公开范围的限制。
43.图1为一种显示基板的结构示意图；
44.图2为本公开一实施例中显示基板的截面示意图；
45.图3为本公开另一实施例中显示基板的截面示意图；
46.图4为本公开另一实施例中显示基板的平面结构示意图；
47.图5为图4中的c-c截面示意图；
48.图6为本公开另一实施例中显示基板的截面示意图；
49.图7a～图7e为本公开实施例中的显示基板上的各种像素排列结构示意图。
50.附图标记说明：
51.11、衬底基板；12、发光子像素；13、第一保护层；14、第二保护层；15、盖板结构；16、缓冲结构层；161、第一子缓冲层；162、第二子缓冲层；163、第三子缓冲层；20、光取出结构；21、凸透镜结构；211、外边缘部；22、辅助层。
具体实施方式
52.在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例，不同的实施例在不冲突的情况下可以任意结合。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
53.图1为一种显示基板的结构示意图。如图1所示，显示基板可以包括衬底基板11，衬底基板11上设置有发光子像素12，发光子像素12的上侧设置第一保护层13，第一保护层13
可以为单个膜层或者多个膜层的复合层，示例性地，第一保护层13的材质可以包括无机物，例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等。第一保护层13可以阻隔水氧，保护发光子像素12。第一保护层13的上侧设置有第二保护层14，第二保护层14可以为单个膜层或者多个膜层的复合层，第二保护层14的材质可以包括有机物，例如，第二保护层14可以为粘结层，第二保护层14的上侧设置盖板结构15。第一保护层13的折射率可以为1.6～1.8，第二保护层14的折射率为1.4～1.6。光线从高折射率的第一保护层13射向低折射率的第二保护层14时，会产生全反射光学损失，导致从第二保护层14出射的光线减少，降低光取出率。
54.相关技术中，可以采用微透镜(micro lens)来提高光取出率，通过界面膜层形貌改变和临界膜层间的折射率，提升光取出效果。但是，对于低温的微透镜材料，其折射率约为1.5，第二保护层材料例如环氧树脂材料的折射率约1.5，微透镜材料与第二保护层材料折射率相近，无法形成折射率差值，进而难以形成光取出结构。
55.图2为本公开一实施例中显示基板的截面示意图。如图2所示，显示基板可以包括衬底基板11、至少一个发光子像素12、第一保护层13和光取出结构层。其中，发光子像素12位于衬底基板11的一侧，第一保护层13位于发光子像素12的背离衬底基板11的一侧，至少一个发光子像素12在衬底基板11上的正投影位于第一保护层13在衬底基板11上的正投影的范围内，例如，各发光子像素12在衬底基板11上的正投影的边界均位于第一保护层13在衬底基板11上的正投影的边界的内侧。第一保护层13可以覆盖每一个发光子像素12，阻隔水氧进入各发光子像素12。
56.在一种实施方式中，第一保护层13在衬底基板11上的正投影的边界的形状可以与衬底基板11的边界的形状相匹配，例如，衬底基板11的边界呈矩形，第一保护层13在衬底基板11上的正投影的边界也呈矩形。
57.需要说明的是，第一保护层13在衬底基板11上的正投影的边界的形状可以根据需要设置，例如，第一保护层13在衬底基板11上的正投影的边界的形状可以为圆形、波浪形等规则或不规则形状，只要各发光子像素12在衬底基板11上的正投影的边界均位于第一保护层13在衬底基板11上的正投影的边界的内侧即可。
58.如图2所示，光取出结构层位于第一保护层13的背离衬底基板11的一侧，光取出结构层包括至少一个光取出结构20，发光子像素12在衬底基板11上的正投影与至少一个光取出结构20在衬底基板11上的正投影存在交叠区域。示例性地，发光子像素12在衬底基板11上的正投影可以与一个光取出结构20在衬底基板11上的正投影存在交叠区域，从而，发光子像素12与一个光取出结构20相对应；或者，发光子像素12在衬底基板11上的正投影可以与多个光取出结构20在衬底基板11上的正投影存在交叠区域，从而，发光子像素12可以与多个光取出结构20相对应。
59.光取出结构20用于接收来自对应的发光子像素12的第一光线a1，并对第一光线a1进行调制后，以第二光线b1出射，第二光线b1与第一方向之间的夹角θ小于第一光线a1与第一方向之间的夹角α，第一方向为垂直于衬底基板11的方向。
60.示例性地，如图2所示，显示基板还可以包括第二保护层14。在没有光取出结构20的情况下，第一光线a1会以入射角α射向第二保护层14。在设置光取出结构20后，光取出结构20对第一光线a1进行调制后，以第二光线b1射向第二保护层14，第二光线b1的入射角θ小于第一光线a1的入射角α，从而，减小了射入第二保护层14的光线的入射角，减少了全反射
光线损失，提高光取出效率。
61.示例性地，发光子像素12可以为oled。在其它实施例中，发光子像素12可以为发光二极管芯片(led)，或者量子点发光二极管(qled)等可以发光的器件。
62.在一种实施方式中，如图2所示，光取出结构20可以包括凸透镜结构21和辅助层22。示例性地，凸透镜结构21的尺寸可以为微米级别，凸透镜结构21可以为微透镜。凸透镜结构21位于第一保护层13的背离衬底基板11的一侧。辅助层22位于凸透镜结构21的背离衬底基板11的一侧。辅助层22在衬底基板11上的正投影与凸透镜结构21在衬底基板11上的正投影存在交叠区域，辅助层22的材料的折射率小于凸透镜结构21的材料的折射率。
63.这样的结构，对应于交叠区域，辅助层22与凸透镜结构21的表面相接触，辅助层22的材料的折射率小于凸透镜结构21的材料的折射率，从而，凸透镜结构21与辅助层22的交界面对射入凸透镜结构21的光线起到汇聚作用。当第一光线a1射入凸透镜结构21中，并从凸透镜结构21射入辅助层22时，在凸透镜结构21与辅助层22的交界处，光线会朝向凸透镜结构21的中心方向偏移，如图2所示，以第二光线b1射入辅助层22，实现了第二光线b1的入射角θ小于第一光线a1的入射角α。
64.在一种实施方式中，凸透镜结构21的材料的折射率的范围可以为1.4～1.8(包括端点值)，例如，凸透镜结构21的材料的折射率可以为1.4～1.8中的任意值，例如，1.4、1.5、1.6、1.7或1.8等。辅助层22的材料的折射率的范围可以为1.2～1.6(包括端点值)，例如，辅助层22的材料的折射率可以为1.2～1.6中的任意值，例如，1.2、1.4或1.6等。在一种实施方式中，凸透镜结构21的材料的折射率可以为1.5，辅助层22的材料的折射率可以为1.4。
65.示例性地，凸透镜结构21的材料可以为常规的低温光刻材料，辅助层22的材料可以为硅系材料或者丙烯酸系材料。辅助层22的材料的粘度可以为10cp～20cp。
66.在一种实施方式中，辅助层的材料的折射率与凸透镜结构的材料的折射率的差值大于或等于0.2。这样的设置，可以使得第二光线b的入射角小于产生全反射的入射角，避免全反射光线损失。
67.在一种实施方式中，如图2所示，凸透镜结构21在衬底基板11上的正投影的边界位于辅助层22在衬底基板11上的正投影的外边界的内侧。这样的设置，至少使得凸透镜结构21的外边缘部211与辅助层22相接触。
68.如图2所示，第一光线a1射向凸透镜结构21的外边缘部211，第一光线a1射向凸透镜结构21与辅助层22的接触界面，第一光线a2射向凸透镜结构21的外边缘部211的内侧，第一光线a2没有射向凸透镜结构21与辅助层22的接触界面，可以理解的是，第一光线a1的入射角大于第一光线a2的入射角，第一光线a1更容易产生全反射。
69.将凸透镜结构21在衬底基板11上的正投影的边界设置为位于辅助层22在衬底基板11上的正投影的外边界的内侧，从而，当第一光线a1从凸透镜结构21出射到辅助层22时，便可以使得出射的第二光线b1朝向凸透镜结构21的方向偏移，第二光线b1的入射角小于第一光线a1的入射角，避免产生全反射。
70.辅助层22的远离衬底基板11一侧的表面与衬底基板11之间的距离为第一距离d1，凸透镜结构21的外凸表面与衬底基板11之间的距离的最大值为第二距离d2。在图2所示实施例中，辅助层22的高度可以小于凸透镜结构21的高度，即d1《d2。因此，凸透镜结构21的外边缘部211与辅助层22相接触。
71.图3为本公开另一实施例中显示基板的截面示意图。在一种实施方式中，如图3所示，第一距离d1可以大于或等于第二距离d2。也就是说，辅助层22的高度可以大于或等于凸透镜结构21的高度。
72.这样的方式，可以实现凸透镜结构21的外凸表面完全被辅助层22覆盖，使得射向凸透镜结构21的外凸表面的光线在出射至辅助层22时，均可以朝向凸透镜结构21的中心偏移，最大程度地避免全反射光线损失。
73.在一种实施方式中，各凸透镜结构的高度可以相同。在另一种实施方式中，多个凸透镜结构的高度可以为至少两个高度值。在实际实施中，发光子像素对应的凸透镜结构的高度可以根据需要设置。
74.图4为本公开另一实施例中显示基板的平面结构示意图。在一种实施方式中，如图4所示，凸透镜结构21在衬底基板11上的正投影面积小于发光子像素12在衬底基板11上的正投影面积。为了使得发光子像素12出射的光线均可以通过光取出结构20，发光子像素12在衬底基板11上的正投影可以与多个凸透镜结构21在衬底基板11上的正投影存在交叠区域，也就是说，发光子像素12可以与多个光取出结构20相对应。从而，发光子像素12所在的范围内设置多个凸透镜结构21，有利于发光子像素12出射的光线均射向凸透镜结构21，进而通过光取出结构取出，提供光取出率。
75.图5为图4中的c-c截面示意图。示例性地，与同一个发光子像素12相对应的多个光取出结构20的辅助层22可以相互连接，从而，与同一个发光子像素12相对应的多个光取出结构20的辅助层22可以为一体结构。这样的方式，在形成辅助层22时，可以同时形成多个光取出结构20的辅助层22，可以减少辅助层22图案的复杂度，简化工艺流程。
76.在一种实施方式中，如图2或图3所示，凸透镜结构21在衬底基板11上的正投影面积大于或等于发光子像素12在衬底基板11上的正投影面积。示例性地，光取出结构20可以与发光子像素12一一对应，即一个发光子像素12对应一个凸透镜结构20。发光子像素12在衬底基板11上的正投影位于对应的凸透镜结构20在衬底基板11上的正投影的范围内。从而，发光子像素12出射的光线可以通过同一个光取出结构出射，进一步提高光取出率。
77.在一种实施方式中，显示基板可以包括多个像素区域，各像素区域设置有多个发光子像素12，例如，各像素区域可以设置第一颜色发光子像素12a、第二颜色发光子像素12b和第三颜色发光子像素12c，如图4所示。位于同一个像素区域的多个光取出结构20的辅助层22相互连接，如图2、图3、图4或图5所示。从而，同一个像素区域的辅助层22可以为一体结构。
78.示例性地，所有的光取出结构层中的辅助层22可以相互连接，即所有的光取出结构层中的辅助层22为一体结构，进一步简化辅助层22的图案复杂度，降低成本。
79.在一种实施方式中，如图2和图3所示，第一保护层13的材料的折射率可以大于凸透镜结构21的材料的折射率。示例性地，第一保护层13的材料可以包括三氧化二铝(al2o3)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化硅(sio
x
)中的至少一种。第一保护层13的材料的折射率可以大于1.5，例如，第一保护层13的材料的折射率可以大于1.5且小于或等于1.8。例如，第一保护层13的材料可以为氮氧化硅，通过调节第一保护层13的材料中的氮和氧的含量，可以调节第一保护层13的折射率，例如，当氧的含量为0即第一保护层13的材质为氮化硅时，第一保护层13的折射率可以大于1.8；当氮的含量为0即第一保护层13的材料为氧化硅
时，第一保护层13的折射率可以为约1.5。示例性地，第一保护层13的材料可以为氮氧化硅，其中氧的含量可以为3％～5％，氮的含量可以为8％～10％，获得的氮氧化硅的折射率可以为1.6～1.8(包括端点值)。
80.示例性地，光取出结构层在衬底基板11上的正投影可以位于第一保护层13在衬底基板11上的正投影的范围内。显示基板还可以包括第二保护层14，光取出结构层在衬底基板11上的正投影位于第二保护层14在衬底基板11上的正投影的范围内。示例性地，光取出结构层在衬底基板11上的正投影的边界位于第一保护层13在衬底基板11上的正投影的边界的内侧；光取出结构层在衬底基板11上的正投影的边界位于第二保护层14在衬底基板11上的正投影的边界的内侧。从而，光取出结构层被第二保护层14完全覆盖。
81.示例性地，显示基板还可以包括盖板结构15，盖板结构15位于第二保护层14的背离衬底基板11的一侧。第二保护层14可以为粘结层，第二保护层14的材质可以为环氧树脂类材料，第二保护层14的粘度可以大于100cp。
82.需要说明的是，辅助层22的材质可以为硅系材料或丙烯酸系材料，辅助层22的黏着力较差。将光取出结构层在衬底基板11上的正投影设置为位于第二保护层14在衬底基板11上的正投影的范围内，使得第二保护层14完全覆盖光取出结构层，避免盖板结构15与辅助层22粘结导致的粘结不牢固，使得盖板结构15完全与第二保护层14粘结，提高盖板结构15的粘结牢固性。
83.示例性地，盖板结构15可以为玻璃盖板、柔性衬底(例如，聚萘二甲酸乙二醇酯pen)、模组结构或彩膜基板等。示例性地，盖板结构15的折射率可以为1.4～1.6(包括端点值)，例如，盖板结构15的材料的折射率可以为1.4、1.5或1.6等。
84.在一种实施方式中，第二保护层14的材料的折射率可以大于辅助层22的材料的折射率。从而，当第二光线b1从辅助层22入射至第二保护层14后，第三光线c1与第一方向的夹角会小于第二光线b1与第一方向的夹角，进一步减小射向盖板结构15的光线的入射角，减少光线在第二保护层14与盖板结构15的界面产生全反射，进一步提高光取出效率。
85.示例性地，第二保护层14的材料的折射率的范围可以为1.4～1.6(包括端点值)，例如，第二保护层14的材料的折射率可以为1.4、1.5或1.6等。
86.在一种实施方式中，第二保护层14在衬底基板11上的正投影的边界的形状可以与第一保护层13在衬底基板11上的正投影的边界的形状相匹配，例如，第一保护层13在衬底基板11上的正投影的边界呈矩形，第二保护层14在衬底基板11上的正投影的边界也呈矩形。
87.需要说明的是，第二保护层14在衬底基板11上的正投影的边界的形状可以根据需要设置，例如，第二保护层14在衬底基板11上的正投影的边界的形状可以为圆形、波浪形等规则或不规则形状，只要光取出结构层在衬底基板11上的正投影的边界均位于第二保护层14在衬底基板11上的正投影的边界的内侧即可。
88.图6为本公开另一实施例中显示基板的截面示意图。在一种实施方式中，如图6所示，显示基板还可以包括缓冲结构层16，缓冲结构层16位于第一保护层13与光取出结构层20之间，缓冲结构层16的折射率可以小于第一保护层13的折射率，缓冲结构层16的折射率可以大于光取出结构层20的折射率。例如，缓冲结构层16的折射率可以大于凸透镜结构21的材料的折射率。
89.通过设置缓冲结构层16，可以在第一保护层13与凸透镜结构21之间起到缓冲作用，减小折射率变化过大导致的光线损失，进一步提高光取出率。
90.示例性地，缓冲结构层16的材质可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的至少一种。
91.在一种实施方式中，缓冲结构层16可以包括层叠设置的多个子缓冲层，例如，缓冲结构层16可以包括第一子缓冲层161、第二子缓冲层162和第三子缓冲层163。沿第一保护层13朝向光取出结构层20的方向，各子缓冲层的折射率逐渐减小，例如，第一保护层13的折射率＞第一子缓冲层161的折射率＞第二子缓冲层162的折射率＞第三子缓冲层163的折射率＞凸透镜结构21的折射率。从而，自第一保护层13朝向凸透镜结构21，折射率逐渐减小，可以进一步减小光线在界面的光学损失，进一步提高光取出率。
92.需要说明的是，自第一保护层13朝向凸透镜结构21，例如，第一保护层13的折射率、第一子缓冲层161的折射率、第二子缓冲层162的折射率、第三子缓冲层163的折射率、凸透镜结构21中，相邻两个膜层的折射率的差值可以相同，也可以不相同，在此不对相邻两个膜层的折射率的差值进行限定，只要满足自第一保护层13朝向凸透镜结构21，折射率逐渐减小即可。
93.示例性地，子缓冲层的材料可以为硅的无机材料，子缓冲层的材料可以为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。可以通过调节子缓冲层中的氮、氧的含量调节子缓冲层的折射率。例如，子缓冲层中氮的含量越高，子缓冲层的折射率越高；子缓冲层中氧的含量越高，子缓冲层的折射率越低。例如，自第一保护层13朝向凸透镜结构21，各子缓冲层的材料中的氮的含量逐渐降低，各子缓冲层的材料中的氧的含量逐渐升高。
94.需要说明的是，图6中示出的缓冲结构层16包括三个子缓冲层，缓冲结构层16并不限于包括三个子缓冲层。在其它实施例中，缓冲结构层16可以包括两个、四个或更多个子缓冲层，只要满足自第一保护层13朝向凸透镜结构21，各膜层的折射率逐渐减小即可。
95.在一种实施方式中，如图2、图3和图6所示，发光子像素12在衬底基板11上的正投影与一个凸透镜结构21在衬底基板11上的正投影存在交叠区域。从而，发光子像素12与一个凸透镜结构21相对应。发光子像素12在衬底基板11上的正投影可以位于对应的凸透镜结构21在衬底基板11上的正投影范围内。
96.示例性地，发光子像素12可以为oled器件，显示基板可以包括第一电极121、有机发光层122和第二电极123，像素界定层124界定出发光子像素12，如图2所示。当一个发光子像素12对应一个凸透镜结构21时，凸透镜结构21在衬底基板11上的正投影边缘可以与界定对应的发光子像素12的像素界定层124存在交叠区域，从而，凸透镜结构21可以完全覆盖对应的发光子像素12，避免发光子像素12产生的光线射入凸透镜结构21之外，进一步提高光取出率。
97.图7a～图7e为本公开实施例中的显示基板上的各种像素排列结构示意图。
98.在一种实施方式中，显示基板可以包括多个像素区域，各像素区域可以设置有多个发光子像素，例如各像素区域可以设置三个发光子像素或者四个发光子像素。如图7a所示，各像素区域设置有四个发光子像素，一个第一颜色发光子像素12a、两个第二颜色发光子像素12b和一个第三颜色发光子像素12c。
99.示例性地，各凸透镜结构的尺寸可以根据需要设置，可以根据发光子像素的尺寸设置与其相对应的凸透镜结构的个数。例如，在图7a～图7e中，第一颜色发光子像素12a可
以对应第一数量的第一凸透镜结构21a，也就是说，第一颜色发光子像素12a在衬底基板上的正投影与相对应的第一数量的第一凸透镜结构21a在衬底基板上的正投影均存在交叠区域。第二颜色发光子像素12a可以对应第二数量的第二凸透镜结构21b，也就是说，第二颜色发光子像素12b在衬底基板上的正投影与相对应的第二数量的第二凸透镜结构21b在衬底基板上的正投影均存在交叠区域。在图7a中，为了同时显示第二颜色发光子像素12b和第二凸透镜结构21b，第二凸透镜结构21b的图形采用半透明状。第三颜色发光子像素12c可以对应第三数量的第三凸透镜结构21c，也就是说，第三颜色发光子像素12c在衬底基板上的正投影与相对应的第三数量的第三凸透镜结构21c在衬底基板上的正投影均存在交叠区域。
100.示例性地，第一数量、第二数量、第三数量可以相同，也可以不相同；第一凸透镜结构21a、第二凸透镜结构21b、第三凸透镜结构21c的尺寸可以相同，也可以不相同。在图7a示出的实施例中，第一数量、第二数量、第三数量各不相同，第一凸透镜结构21a、第二凸透镜结构21b、第三凸透镜结构21c的尺寸各不相同。
101.示例性地，各凸透镜结构的尺寸可以根据各发光子像素的尺寸设置。例如，各发光子像素可以均对应一个凸透镜结构。例如，第一颜色发光子像素12a可以对应一个第一凸透镜结构21a，第二颜色发光子像素12b可以对应一个第二凸透镜结构21b，第三颜色发光子像素12c可以对应一个第三凸透镜结构21c。
102.图7b示出的实施例中，各像素区域设置有三个发光子像素，三个发光子像素并列排布，各像素区域内的发光子像素的排布方式相同。
103.图7c示出的实施例中，各像素区域设置有三个发光子像素，三个发光子像素呈“品”字型排布。示例性地，各发光子像素的尺寸可以相同。在图7c所示实施例中，第一数量、第二数量和第三数量均为1。为了同时显示发光子像素和凸透镜结构，图7c中的各凸透镜结构采用半透明状态。
104.图7d示出的实施例中，各像素区域设置有三个发光子像素，三个发光子像素并列排布，位于同一行中的各像素区域内的发光子像素的排布方式相同，第i行与第i+3行中的各像素区域内的发光子像素的排布方式相同。示例性地，各发光子像素的尺寸可以相同。
105.图7e示出的实施例中，各像素区域设置有三个发光子像素，三个发光子像素呈“品”字型排布。示例性地，第一颜色发光子像素12a与第二颜色发光子像素12b的尺寸可以相同，第三颜色发光子像素12c的尺寸与第一颜色发光子像素12a的尺寸不相同。为了同时显示发光子像素和凸透镜结构，图7e中的各凸透镜结构采用半透明状态。
106.上文中示出的凸透镜结构在衬底基板上的正投影的边界均为圆形。需要说明的是，凸透镜结构在衬底基板上的正投影的边界并不限于圆形，还可以为椭圆形、矩形、正多边形等规则或不规则形状。
107.上文实施例中示出的光取出结构包括凸透镜结构。需要说明的是，光取出结构并不限于凸透镜结构，在其它实施例中，光取出结构还可以包括液晶透镜等可以对光线进行调制，以减少全反射光线损失。
108.本公开实施例还提供一种显示基板的制备方法，可以包括：
109.在衬底基板的一侧形成至少一个发光子像素；
110.在发光子像素的背离衬底基板的一侧形成第一保护层，至少一个发光子像素在衬底基板上的正投影位于第一保护层在衬底基板上的正投影的范围内；
111.在第一保护层的背离衬底基板的一侧形成光取出结构层，光取出结构层包括至少一个光取出结构，发光子像素在衬底基板上的正投影与至少一个光取出结构在衬底基板上的正投影存在交叠区域；
112.其中，光取出结构用于接收来自对应的发光子像素的第一光线，并对第一光线进行调制后，以第二光线出射，第二光线与第一方向之间的夹角小于第一光线与第一方向之间的夹角，第一方向为垂直于衬底基板的方向。
113.在一种实施方式中，形成光取出结构层可以包括：在第一保护层的背离衬底基板的一侧形成凸透镜结构；在凸透镜结构的背离衬底基板的一侧形成辅助层，辅助层在衬底基板上的正投影与凸透镜结构在衬底基板上的正投影存在交叠区域，辅助层的材料的折射率小于凸透镜结构的材料的折射率。
114.下面以图2所示的显示基板，详细说明本公开的技术方案。以发光子像素为oled器件为例。
115.在衬底基板11的一侧形成至少一个发光子像素12。该步骤可以包括：在衬底基板11的一侧依次形成第一电极、像素界定层、有机发光层和第二电极，像素界定层开设有开口，第一电极通过对应的开口暴露，有机发光层位于对应的开口内。发光子像素12可以包括相对应的第一电极、有机发光层和第二电极。
116.在发光子像素12的背离衬底基板11的一侧形成第一保护层13。示例性地，可以采用沉积的方式形成第一保护层13。
117.在第一保护层13的背离衬底基板11的一侧形成光取出结构层。该步骤可以包括：可以在第一保护层13的背离衬底基板11的一侧形成凸透镜材料薄膜；采用低温光刻的方法对凸透镜材料薄膜进行刻蚀，形成凸透镜结构21。凸透镜结构21的上表面可以为外凸的弧形面。在凸透镜结构21的背离衬底基板11的一侧形成辅助层22。示例性地，各光取出结构中的辅助层22为一体结构。
118.在辅助层22的背离衬底基板11的一侧形成第二保护层14，示例性地，可以采用喷墨打印或涂覆的方式形成第二保护层14。
119.基于前述实施例的发明构思，本公开实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括前述实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
120.在本说明书的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。
121.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。在本公开的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
122.在本公开中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连
接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
123.在本公开中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
124.上文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本公开的不同结构。为了简化本公开，上文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本公开。此外，本公开可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。
125.以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到其各种变化或替换，这些都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。