技术特征：
1.一种二氟草酸硼酸锂掺杂包覆sio/c复合材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：1)通过cvd气相沉积在sio粉体表面生成碳包覆层，得到碳包覆sio复合材料；2)将草酸溶于四氟硼酸锂有机溶液后，加入碳包覆sio复合材料，再在搅拌条件下缓慢滴加无水氯化铝进行反应，反应完毕后，依次进行静置结晶、过滤和干燥，即得二氟草酸硼酸锂掺杂包覆sio/c复合材料。2.根据权利要求1所述的一种二氟草酸硼酸锂掺杂包覆sio/c复合材料的制备方法，其特征在于：所述sio粉体的粒径d50为3～8μm。3.根据权利要求1所述的一种二氟草酸硼酸锂掺杂包覆sio/c复合材料的制备方法，其特征在于：所述cvd气相沉积的条件为：气体碳源流量为0.5～5l/min，温度为600～950℃，时间为0.5～5h。4.根据权利要求3所述的一种二氟草酸硼酸锂掺杂包覆sio/c复合材料的制备方法，其特征在于：所述气体碳源为天燃气、乙烷、乙烯、丙烯、乙炔中至少一种。5.根据权利要求1所述的一种二氟草酸硼酸锂掺杂包覆sio/c复合材料的制备方法，其特征在于：所述碳包覆sio复合材料与四氟硼酸锂及草酸的质量比为100:2～10:1～20。6.根据权利要求1所述的一种二氟草酸硼酸锂掺杂包覆sio/c复合材料的制备方法，其特征在于：所述无水氯化铝的质量为四氟硼酸锂质量的0.2％～2％。7.根据权利要求1所述的一种二氟草酸硼酸锂掺杂包覆sio/c复合材料的制备方法，其特征在于：所述反应的条件为：温度为0℃～20℃，时间为0.5～10h。8.根据权利要求1所述的一种二氟草酸硼酸锂掺杂包覆sio/c复合材料的制备方法，其特征在于：所述静置结晶的条件为：温度为大于-40℃，且小于0℃，时间为0.5～10h。9.一种二氟草酸硼酸锂掺杂包覆sio/c复合材料，其特征在于：由权利要求1～8任一项所述的制备方法得到。10.权利要求9所述的一种二氟草酸硼酸锂掺杂包覆sio/c复合材料的应用，其特征在于：作为锂离子电池负极材料应用。
技术总结
本发明公开了一种二氟草酸硼酸锂掺杂包覆SiO/C复合材料及其制备方法和应用。将SiO粉末在CVD炉中进行气相沉积碳包覆，然后以SiO/C为核，通过在SiO/C上原位结晶生成二氟草酸硼酸锂包覆层，获得二氟草酸硼酸锂掺杂包覆SiO/C复合材料，该复合材料由二氟草酸硼酸锂原位沉积并均匀包覆在SiO/C颗粒表面构成，碳包覆层能够有效提高导电性和为SiO材料的膨胀过程中提供缓冲，而二氟草酸硼酸锂在负极表面能形成稳定且致密的SEI膜，不易破裂，能够持续而有效减缓SEI膜对于锂源的消耗，同时减少锂枝晶生成，增加电池材料的使用寿命和电池的高低温性能。性能。性能。
技术研发人员：易旭 廖寄乔 戴朝晖 卢治斌 曾鹏
受保护的技术使用者：湖南金硅科技有限公司
技术研发日：2022.04.07
技术公布日：2022/8/5