技术特征：
1.一种低set和reset瞬时功率的阻变存储器，其特征在于：包括依次层叠设置的衬底层、粘附层、底电极层、限流层、阻变层和上电极层。2.根据权利要求1所述的一种低set和reset瞬时功率的阻变存储器，其特征在于：粘附层厚度为100
å
~300
å
，底电极层厚度为800
å
~1000
å
、限流层厚度为60
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~100
å
、阻变层厚度为100
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~200
å
，上电极层厚度为 500
å
~700
å
。3.根据权利要求1所述的一种低set和reset瞬时功率的阻变存储器，其特征在于：所述衬底层材质为si/sio2导体衬底，粘附层材质为ti，底电极层材质为pt，限流层的材质为sio2；阻变层材质为taon，上电极层材质为tin。4.权利要求1-3任意一项所述的低set和reset瞬时功率的阻变存储器的制备方法，其特征在于：s1、备片：准备硅片，清洗硅片洗去浮尘；s2、硫酸清洗后制备sio2半导体衬底：对硅片表面热氧化工艺生长衬底层；s3、制备粘附层：磁控溅射金属ti，作为粘附层连接sio2半导体衬底和底电极pt；s4、制备底电极：磁控溅射金属pt作为sio2/taon双层阻变存储器的底电极；s5、pecvd制备限流层；s6、制备阻变层：采用磁控-rf溅射taon；s7、磁控溅射tin，通入气体ar、n2；s8、ame刻蚀，刻蚀气体为cl2，形成连接底电极引出孔；s9、光刻剥离，形成分立的阻变储存器器件。5.根据权利要求4所述的低set和reset瞬时功率的阻变存储器的制备方法，其特征在于：所述步骤s3磁控-rf溅射的条件为：本底真空不大于3.2
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10-4
pa，工作压强不大于0.5pa,溅射功率50w~100w；所述步骤s4磁控-rf溅射的条件为：本底真空不大于3.2
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10-4
pa，工作压强不大于2.4pa。6.根据权利要求4所述的低set和reset瞬时功率的阻变存储器的制备方法，其特征在于：所述步骤s6磁控-rf溅射的条件为：通入惰性气体ar、o2、n2，ar、o2、n2的体积比为40：（1.5-10）：20，3mtorr~10mtorr，溅射功率50w~100w，靶材采用ta2o5。7.根据权利要求4所述的低set和reset瞬时功率的阻变存储器的制备方法，其特征在于：所述步骤s7磁控-rf溅射的条件为：通入气体ar和n2的比例为（16-20）:2，本底真空不大于3.2
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10-4
pa，工作压强不大于2.4pa，反应气体n2流量20sccm~25sccm，靶材为ti。
技术总结
本发明涉及一种低SET和RESET瞬时功率的阻变存储器及其制备方法其制备方法，包括依次层叠设置的衬底层（Si/SiO2）、粘附层（Ti）、底电极层（Pt）、限流层（SiO2）、阻变层（TaON）和上电极层（TiN）。本发明提出了TiN/TaON/SiO2/Pt结构的低SET、RESET瞬时功率的阻变存储器。将PECVD制备的SiO2作为限流层，防止阻变层形成厚的导电丝，阻止产生大电流。PECVD制备的SiO2含有较多的缺陷，电子可被注入SiO2薄膜内，SiO2薄膜中的缺陷可作为陷阱俘获电子，随着外加电场逐渐增强，这些被陷阱俘获的电子跃迁参与传导。与传导。与传导。
技术研发人员：于傲 王方政 张亚平 汤鹏 周登科 史凯特 邹祖冰
受保护的技术使用者：中国长江三峡集团有限公司
技术研发日：2022.04.08
技术公布日：2022/8/5