指纹识别显示面板及其制备方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种指纹识别显示面板及其制备方法。


背景技术：

2.近年来，随着科技的发展，具有生物识别功能的电子产品逐渐进入人们的生活工作中。指纹由于具有唯一性和不变性，可以用于个人身份鉴别，因而指纹识别技术备受人们重视。随着指纹识别技术的发展，使其在诸多领域得到广泛的应用。如电子设备终端中的手机、平板电脑和电视等、安全防护系统中的门禁和保险柜等。
3.一般来说，指纹识别技术的实现方式主要有光学式、电容式和超声成像式等。其中光学式和超声波式指纹识别分别利用光电转换、声电转换来实现手指脊和谷成像，而电容式指纹识别则是基于手指脊与谷之间的电容差异来实现成像。其中，现有的指纹模组通常设置在显示屏幕下方，该模组可以接收oled显示光源经手指反射后的光量，通过识别手指谷和脊的对光的反射差异来实现指纹识别功能。但是由于指纹模组需要单独制作在显示屏幕背面，不仅会增加产品的成本，还会造成产品厚度增加，且不利于全面指纹识别功能实现。
4.因此，如何提供一种指纹识别显示面板使其能够降低显示面板的厚度是现有面板厂家需要努力攻克的难关。


技术实现要素：

5.本技术实施例的目的在于提供一种指纹识别显示面板及其制备方法，能够解决现有的指纹识别显示面板厚度较厚的技术问题。
6.本技术实施例提供一种指纹识别显示面板，包括：
7.基板；
8.阵列层，所述阵列层设置在所述基板上，其中，所述阵列层中集成有指纹模组，所述指纹模组用于实现指纹识别功能；
9.有机发光二极管层，所述有机发光二极管层设置在所述阵列层远离所述基板的一面上。
10.在本技术所述的指纹识别显示面板中，所述指纹模组包括光学指纹传感器以及指纹驱动薄膜晶体管，所述光学指纹传感器与所述指纹驱动薄膜晶体管电连接。
11.在本技术所述的指纹识别显示面板中，所述光学指纹传感器包括下电极、绝缘层、第一半导体层、透明电极层、保护层以及上电极层；其中，
12.所述绝缘层设置在所述下电极层上，且覆盖所述下电极层，所述第一半导体层设置在所述绝缘层远离所述下电极层的一面上，所述透明电极层设置在所述第一半导体层远离所述下电极层的一面上，所述保护层设置在所述透明电极层远离所述下电极层的一面上，且覆盖所述透明电极层以及所述第一半导体层，所述上电极层设置在所述保护层远离所述下电极层的一面上，所述保护层上设置有第一过孔以及第二过孔，所述第一过孔贯穿
所述保护层至所述透明电极层，所述第二过孔依次贯穿所述保护层以及所述绝缘层，所述上电极层经所述第一过孔与所述透明电极层连接，且所述上电极层经所述第二过孔与所述下电极层连接。
13.在本技术所述的指纹识别显示面板中，所述指纹驱动薄膜晶体管包括第二半导体层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层以及第一源漏极层，所述第一栅极绝缘层设置在所述第二半导体层上，且覆盖所述第二半导体层，所述第一栅极层设置在所述第一栅极绝缘层远离所述第二半导体层的一面上，所述第二栅极绝缘层设置在所述第一栅极层远离所述第二半导体层的一面上，且覆盖所述第一栅极层，所述第一源漏极层设置在所述第二栅极绝缘层远离所述第二半导体层的一面上，且所述第一源漏极层依次贯穿所述保护层、所述绝缘层、所述第二栅极绝缘层以及所述第一栅极绝缘层与所述第二半导体层连接，所述第一源漏极层与所述上电极层连接。
14.在本技术所述的指纹识别显示面板中，所述第一源漏极层与所述上电极层同层设置。
15.在本技术所述的指纹识别显示面板中，所述阵列层还包括显示驱动薄膜晶体管，所述显示驱动薄膜晶体管包括第三半导体层、第二栅极层、第三栅极层、层间绝缘层以及第二源漏极层；其中，
16.所述第一栅极绝缘层设置在所述第三半导体层上，且覆盖所述第三半导体层，所述第二栅极层设置在所述第一栅极绝缘层远离所述第三半导体层的一面上，所述第二栅极绝缘层设置在所述第二栅极层远离所述第三半导体层的一面上，且所述第二栅极绝缘层覆盖所述第二栅极层，所述第三栅极层设置在所述第二栅极绝缘层远离所述第三半导体层的一面上，所述层间绝缘层设置在所述第三栅极层远离所述第三半导体层的一面上，且覆盖所述第三栅极层，所述第二源漏极层设置在所述层间绝缘层远离所述第三半导体层的一面上，且所述第二源漏极层依次贯穿所述保护层、所述绝缘层、所述层间绝缘层、所述第二栅极绝缘层以及所述第一栅极绝缘层与所述第三半导体层连接。
17.在本技术所述的指纹识别显示面板中，所述第二半导体层与所述第三半导体层同层设置，所述第一栅极层与所述第二栅极层同层设置，所述第一源漏极层与所述第二源漏极层同层设置。
18.在本技术所述的指纹识别显示面板中，所述指纹识别显示面板还包括封装层、触控层以及模组层，所述封装层设置在所述有机发光二极管层远离所述基板的一面上，所述触控层设置在所述封装层远离所述基板的一面上，所述模组层设置在所述触控层远离所述基板的一面上。
19.本技术实施例还提供一种指纹识别显示面板的制备方法，所述制备方法包括：
20.提供一基板；
21.在所述基板上形成阵列层，其中，所述阵列层中集成有指纹模组，所述指纹模组用于指纹识别；
22.在所述阵列层远离所述基板的一面上形成有机发光二极管层；
23.在所述有机发光二极管层远离所述基板的一面上形成触控层。
24.在本技术所述的指纹识别显示面板的制备方法中，所述在所述基板上形成阵列层的具体步骤包括：
25.在所述基板上形成衬底，并在所述衬底上形成缓冲层，且在所述缓冲层上形成第二半导体层以及第三半导体层；
26.在所述第二半导体层以及所述第三半导体层上形成第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层覆盖所述第二半导体层以及所述第三半导体层，且在所述第一栅极绝缘层上形成第一栅极以及第二栅极；
27.在所述第一栅极以及所述第二栅极上形成第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层覆盖所述第一栅极以及所述第二栅极，且在所述第二栅极绝缘层上形成第三栅极；
28.在所述第三栅极上形成层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述第三栅极，且在所述第三栅极上形成下电极层；
29.在所述下电极层上形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述下电极层，且在所述绝缘层上形成第一半导体层；
30.在所述第一半导体层上形成透明电极层；
31.在所述透明电极层上形成保护层，所述保护层覆盖所述透明电极层以及所述第一半导体层，在所述保护层上形成贯穿所述保护层的第一过孔以及依次贯穿所述保护层以及所述绝缘层的第二过孔；
32.在所述保护层上形成依次贯穿所述保护层、所述绝缘层、所述层间绝缘层、所述第二绝缘层以及所述第一绝缘层的第三过孔、第四过孔、第五过孔以及第六过孔；
33.在所述保护层上形成上电极层、第一源漏极层以及第二源漏极层，所述上电极层经所述第一过孔与所述透明电极层连接，所述上电极层经所述第二过孔与所述下电极层连接，所述第一源漏极层经所述第三过孔以及所述第四过孔与所述第二半导体层连接，所述第二源漏极层经所述第五过孔以及所述第六过孔与所述第三半导体层连接。
34.在本技术实施例提供的指纹识别显示面板及其制备方法中，包括依次层叠设置的基板、阵列层以及有机发光二极管层，其中，阵列层中集成有用于指纹识别的指纹模组。当需要进行指纹识别时，手指会按压指纹识别显示面板，从而将有机发光二极管层发射出的光线反射至集成在阵列层中的指纹模组，进而可以通过识别手指谷和脊的对光的反射差异来实现指纹识别功能。指纹模组集成在阵列层中，不仅不影响指纹识别功能识别的实现，还可以降低指纹识别显示面板的厚度，并且能够实现全面指纹识别，从而提升指纹识别显示面板的市场竞争力。
附图说明
35.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
36.图1为本技术实施例提供的指纹识别显示面板的第一种实施方式的第一结构示意图。
37.图2为本技术实施例提供的指纹识别装置的第一种实施方式的第二结构示意图。
38.图3为本技术实施例提供的阵列层的第一种实施方式的第一结构示意图。
39.图4为本技术实施例提供的指纹识别显示面板的第一种实施方式的第三示意图。
40.图5为本技术实施例提供的阵列层的第二种实施方式的结构示意图。
41.图6为本技术实施例提供的阵列层的第三种实施方式的结构示意图。
42.图7为本技术实施例提供的指纹识别显示面板的第二种实施方式的结构示意图。
43.图8为本技术实施例提供的指纹识别显示面板的制备方法的流程示意图。
44.图9为本技术实施例提供的指纹识别显示面板的制备方法的子流程示意图。
45.图10为本技术实施例提供的指纹识别显示面板的制备方法的步骤3021对应的阵列层200的结构示意图。
46.图11为本技术实施例提供的指纹识别显示面板的制备方法的步骤3022对应的阵列层200的结构示意图。
47.图12为本技术实施例提供的指纹识别显示面板的制备方法的步骤3023对应的阵列层200的结构示意图。
48.图13为本技术实施例提供的指纹识别显示面板的制备方法的步骤3024对应的阵列层200的结构示意图。
49.图14为本技术实施例提供的指纹识别显示面板的制备方法的步骤3025对应的阵列层200的结构示意图。
50.图15为本技术实施例提供的指纹识别显示面板的制备方法的步骤3026对应的阵列层200的结构示意图。
51.图16为本技术实施例提供的指纹识别显示面板的制备方法的步骤3027对应的阵列层200的结构示意图。
52.图17为本技术实施例提供的指纹识别显示面板的制备方法的步骤3028对应的阵列层200的结构示意图。
53.图18为本技术实施例提供的指纹识别显示面板的制备方法的步骤3029对应的阵列层200的结构示意图。
具体实施方式
54.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
55.请参阅图1，图1为本技术实施例提供的指纹识别显示面板的第一种实施方式的第一结构示意图。如图1所示，本技术实施例提供的指纹识别显示面板10包括基板101、阵列层102、有机发光二极管层103。
56.其中，阵列层102设置在基板101上。阵列层102中集成有指纹模组102a，指纹模组102a用于实现指纹识别功能。有机发光二极管层103设置在阵列层102远离基板101的一面上。
57.其中，当需要进行指纹识别时，手指按压指纹识别显示面板10，此时有机发光二极管层103射向外界的光线就会被手指反射回指纹识别面板10内，此光线穿透有机发光二极管层103，射向集成于阵列层102中的指纹模组102a，指纹模组102a通过识别手指谷和脊的对光的反射差异来实现指纹识别功能。
58.其中，需要说明的是，其一，由于指纹模组102a集成在阵列层102中，因此指纹模组102a可以集成在阵列层102中的任何位置，且可以设置多个。因此不论手指触摸触控层102的任何位置，指纹模组102a都可以接收到有机发光二极管层103射向外界经手指反射回的光线，从而可以实现全面指纹识别，其二，由于阵列层102更靠近有机发光二极管层103，因此，指纹模组102a接收到有机发光二极管层103射向外界经手指反射回的光线强度更强，从而使指纹模组102a更容易地对指纹进行识别，有助于提高指纹识别显示面板10的指纹识别质量。其三，由于指纹模组102a集成在阵列层102中，因此，指纹模组102a无需设置在基板101远离有机发光二极管层103的一面，从而可以降低指纹识别显示面板10的厚度。因此，将指纹模组102a集成在阵列层102中，可以有助于提高指纹识别显示面板10的市场竞争力。
59.其中，需要说明的是，指纹模组102a是利用半导体的光敏特性，即暗态无光和有光两种情况下，半导体产生的光生电流大小不一样；以及薄膜晶体管的驱动控制从而实现指纹识别功能。而且半导体的制作过程中也需要进行高温退火以实现更好的电流特性，其中，高温指的是大于200度的温度。
60.其中，其一，有机发光二极管层103为连续的真空工艺，而半导体层以及薄膜晶体管均需要在非真空条件下制备，因此，指纹模组102a不能集成在有机发光二极管层103中。其二，有机发光二极管层103的制备工艺需要在较低温度下进行，低温为小于100度的温度，因此，指纹模组102a不能集成在有机发光二极管层103中。
61.请参阅图2，图2为本技术实施例提供的指纹识别装置的第一种实施方式的第二结构示意图，如图2所示，图2所示的指纹识别装置10与图1所示的指纹识别装置的区别在于：其中，指纹模组102a包括光学指纹传感器1021以及指纹驱动薄膜晶体管1022。光学指纹传感器1021与指纹驱动薄膜晶体管1022电连接。
62.其中，需要说明的是，光学指纹传感器1021用于接收有机发光二极管层103射向外界经手指反射回的光线，指纹驱动薄膜晶体管1022用于驱动光学指纹传感器1021工作。
63.请参阅图3，图3为本技术实施例提供的阵列层的第一种实施方式的第一结构示意图。如图3所示，光学指纹传感器1021包括下电极1021a、绝缘层1021b、第一半导体层1021c、透明电极层1021d、保护层1021e以及上电极层保护层1021f。指纹驱动薄膜晶体管1022包括第二半导体层1022a、第一栅极绝缘层1022b、第一栅极层1022c、第二栅极绝缘层1022d以及第一源漏极层1022e。
64.其中，绝缘层1021b设置在下电极层1021a上，且覆盖下电极层1021a。第一半导体层1021c设置在绝缘层1021b远离下电极层1021a的一面上。透明电极层1021d设置在第一半导体层1021c远离下电极层1021a的一面上。保护层1021e设置在透明电极层1021d远离下电极层1021a的一面上，且覆盖透明电极层1021d以及第一半导体层1021c。上电极层1021f设置在保护层1021e远离下电极层1021a的一面上。保护层1021e上设置有第一过孔1021g以及第二过孔1021h。第一过孔1021g贯穿保护层1021e至透明电极层1021d，第二过孔1021h依次贯穿保护层1021e以及绝缘层1021b。上电极层1021f经第一过孔1021g与透明电极层1021d连接，且上电极层1021f经第二过孔1021h与下电极层1021a连接。
65.其中，需要说明的是，第一半导体层1021c的材料包括铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，igzo)以及铟镓锡氧化物(indium gallium tin oxide，igto)等材料中的一种。
66.其中，需要说明的是，透明电极层1021d的材料包括氧化铟锡(indium tin oxide，ito)以及铟锌氧化物(indium zinc oxide，izo)等材料中的一种。
67.其中，需要说明的是，上电极层1021f以及下电极层1021a的材料一致，均为金属导电材料。具体地，上电极层1021f以及下电极层1021a的材料包括锌、铜以及银中的一种或组合。
68.其中，透明电极层1021d与第一半导体层1021c在下电极层1021a上的投影完全重合，即透明电极层1021d完全覆盖第一半导体层1021c。需要说明的是，其一，透明电极层1021d完全覆盖第一半导体层1021c，可以使透明电极层1021d对第一半导体层1021c起到保护作用；其二，透明电极层1021d完全覆盖第一半导体层1021c，可以避免上电极层1021f在连接透明电极层1021d时，误与第一半导体层1021c连接。
69.其中，第一栅极绝缘层1022b设置在第二半导体层1022a上，且覆盖第二半导体层1022a。第一栅极层1022c设置在第一栅极绝缘层1022b远离第二半导体层1022a的一面上。第二栅极绝缘层1022d设置在第一栅极层1022c远离第二半导体层1022a的一面上，且覆盖第一栅极层1022c。第一源漏极层1022e设置在第二栅极绝缘层1022c远离第二半导体层1022a的一面上，且第一源漏极层1022e依次贯穿保护层1021e、绝缘层1021b、第二栅极绝缘层1022d以及第一栅极绝缘层1022b与第二半导体层1022a连接。
70.其中，第一源漏极层1022b与上电极层1021f连接，从而使指纹驱动薄膜晶体管1022可以传递信号至光学指纹传感器1021，进而驱动光学指纹传感器1021工作。
71.其中，需要说明的是，第二半导体层1022a的材料包括非晶硅、多晶硅以及铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，igzo)等材料中的一种。
72.其中，需要说明的是，第一源漏极层1022b与上电极层1021f同层设置，从而可以降低阵列层102的厚度，进而降低指纹识别显示面板10的厚度，有助于提高指纹识别显示面板10的市场竞争力。
73.请参阅图4，图4为本技术实施例提供的指纹识别显示面板的第一种实施方式的第三示意图。如图4所示，图4所示的指纹识别显示面板10与图2所示的指纹识别显示面板10的区别在于：阵列层102还包括显示驱动薄膜晶体管1023，指纹驱动薄膜晶体管1022与显示驱动薄膜晶体管1023同层设置。
74.其中，需要说明的是，显示驱动薄膜晶体管1023用于驱动有机发光二极管层103发光，而将指纹驱动薄膜晶体管1022与显示驱动薄膜晶体管1023同层设置，从而可以降低阵列层102的厚度，进而降低指纹识别显示面板10的厚度，有助于提高指纹识别显示面板10的市场竞争力。
75.请参阅图5，图5为本技术实施例提供的阵列层的第二种实施方式的结构示意图。如图5所示，图5所示的阵列层102与图3所示的阵列层102的区别在于：阵列层102还包括显示驱动薄膜晶体管1023。其中，显示驱动薄膜晶体管1023包括第三半导体层1023a、第二栅极层1023b、第三栅极层1023c、层间绝缘层1023d以及第二源漏极层1023e。
76.其中，第一栅极绝缘层1022b设置在第三半导体层上1023a，且覆盖第三半导体层1023a。第二栅极层1023b设置在第一栅极绝缘层1022b远离第三半导体层1023a的一面上。第二栅极绝缘层1022d设置在第二栅极层1023b远离第三半导体层1023a的一面上，且第二栅极绝缘层1022d覆盖第二栅极层1023b。第三栅极层1023c设置在第二栅极绝缘层1022d远
离第三半导体层1023a的一面上。层间绝缘层1023d设置在第三栅极层1023c远离第三半导体层1023a的一面上，且覆盖第三栅极层1023c。第二源漏极层1023e设置在层间绝缘层1023d远离第三半导体层1023a的一面上，且第二源漏极层1023e依次贯穿保护层1021e、绝缘层1021b、层间绝缘层1023d、第二栅极绝缘层1022d以及第一栅极绝缘层1022b与第三半导体层1023a连接。
77.其中，第二半导体层1022a与第三半导体层1023a同层设置，第一栅极层1022c与第二栅极层1023b同层设置，第一源漏极层1022e与第二源漏极层第一源漏极层1023e同层设置。指纹驱动薄膜晶体管1022与显示驱动薄膜晶体管1023共用第一栅极绝缘层1022b保护第二半导体层1022a以及第三半导体层1023a，指纹驱动薄膜晶体管1022与显示驱动薄膜晶体管1023共用第二栅极绝缘层1022d保护第一栅极1022c以及第二栅极1023b。需要说明的是，指纹驱动薄膜晶体管1022与显示驱动薄膜晶体管1023的很多膜层同层设置或共用，从而可以降低阵列层102的厚度，进而降低指纹识别显示面板10的厚度，有助于提高指纹识别显示面板10的市场竞争力。
78.其中，需要说明的是，显示驱动薄膜晶体管1023可以仅设置一层栅极层，即仅设置第二栅极层1023b，从而无需设置第三栅极层1023c以及层间绝缘层1023d，从而可以降低阵列层102的厚度，进而降低指纹识别显示面板10的厚度，有助于提高指纹识别显示面板10的市场竞争力。
79.请参阅图6，图6为本技术实施例提供的阵列层的第三种实施方式的结构示意图。如图6所示，阵列层102还包括衬底1024以及缓冲层1025。
80.其中，缓冲层1025设置在第一栅极绝缘层1022b远离第一源漏极层1022e的一面上。衬底1024设置在缓冲层1025远离第一源漏极层1022e的一面上。需要说明的是，衬底1024可以便于采用工艺形成光学指纹传感器1021、指纹驱动薄膜晶体管1022以及显示驱动薄膜晶体管1023的各个膜层。
81.请参阅图7，图7为本技术实施例提供的指纹识别显示面板的第二种实施方式的结构示意图。如图7所示，图7所示的指纹识别显示面板10与图1所示的指纹识别显示面板10的区别在于：指纹识别显示面板10还包括触控层104、封装层105以及模组层106。
82.其中，封装层105设置在有机发光二极管层103远离基板101的一面上。触控层104设置在封装层105远离基板101的一面上。模组层106设置在触控层104远离基板101的一面上。需要说明的是，封装层105用于防止外界水氧进入有机发光二极管层103以及阵列层102，损坏内部的电子器件。模组层106通常包括偏光片、光学胶、保护玻璃等膜层。模组层106不仅可以保护阵列层102以及有机发光二极管层104，还可以防止外界环境光对有机发光二极管层104出光的干扰。
83.其中，其一，触控层104为连续的真空工艺，而半导体层以及薄膜晶体管均需要在非真空条件下制备，因此，指纹模组102a不能集成在触控层104中。其二，触控层104的制备工艺需要在较低温度下进行，低温为小于100度的温度，因此，指纹模组102a不能集成在触控层104中。
84.其中，本技术实施例提供的指纹识别显示面板包括依次层叠设置的基板、阵列层以及有机发光二极管层，其中，阵列层中集成有用于指纹识别的指纹模组。当需要进行指纹识别时，手指会按压指纹识别显示面板，从而将有机发光二极管层发射出的光线反射至集
成在阵列层中的指纹模组，进而可以通过识别手指谷和脊的对光的反射差异来实现指纹识别功能。指纹模组集成在阵列层中，不仅不影响指纹识别功能识别的实现，还可以降低指纹识别显示面板的厚度，并且能够实现全面指纹识别，从而提升指纹识别显示面板的市场竞争力。
85.本技术实施例还提供一种指纹识别显示面板的制备方法。请参阅图8，图8为本技术实施例提供的指纹识别显示面板的制备方法的流程示意图。如图8所示，本技术实施例提供的指纹识别显示面板的制备方法包括以下步骤：
86.步骤301、提供一基板。
87.步骤302、在基板上形成阵列层200，其中，阵列层200中集成有指纹模组，指纹模组用于指纹识别。
88.请参阅图9，图9为本技术实施例提供的指纹识别显示面板的制备方法的子流程示意图。如图9所示，本技术实施例提供的步骤102具体包括以下步骤：
89.步骤3021、在基板上形成衬底201，并在衬底201上形成缓冲层202，且在缓冲层202上形成第二半导体层203a以及第三半导体层203b。
90.请参阅图10，图10为本技术实施例提供的指纹识别显示面板的制备方法的步骤3021对应的阵列层200的结构示意图。其中，第二半导体层203a以及第三半导体层203b通过一层光罩工艺形成。
91.步骤3022、在第二半导体层203a以及第三半导体层203b上形成第一栅极绝缘层204，第一栅极绝缘层204覆盖第二半导体层203a以及第三半导体层203b，且在第一栅极绝缘层204上形成第一栅极205a以及第二栅极205b。
92.请参阅图11，图11为本技术实施例提供的指纹识别显示面板的制备方法的步骤3022对应的阵列层200的结构示意图。其中，第一栅极205a以及第二栅极205b通过一层光罩工艺形成。
93.步骤3023、在第一栅极205a以及第二栅极205b上形成第二栅极绝缘层206，第二栅极绝缘层206覆盖第一栅极205a以及第二栅极205b，且在第二栅极绝缘层206上形成第三栅极207。
94.请参阅图12，图12为本技术实施例提供的指纹识别显示面板的制备方法的步骤3023对应的阵列层200的结构示意图。第三栅极207通过曝光刻蚀工艺形成。
95.步骤3024、在第三栅极207上形成层间绝缘层208，层间绝缘层208覆盖第三栅极207，且在第三栅极207上形成下电极层209。
96.请参阅图13，图13为本技术实施例提供的指纹识别显示面板的制备方法的步骤3024对应的阵列层200的结构示意图。下电极层209通过曝光刻蚀工艺形成。
97.步骤3025、在下电极层209上形成绝缘层210，绝缘层210覆盖下电极层209，且在绝缘层210上形成第一半导体层211。
98.请参阅图14，图14为本技术实施例提供的指纹识别显示面板的制备方法的步骤3025对应的阵列层200的结构示意图。第一半导体层211通过曝光刻蚀工艺形成。
99.步骤3026、在第一半导体层211上形成透明电极层212。
100.请参阅图15，图15为本技术实施例提供的指纹识别显示面板的制备方法的步骤3026对应的阵列层200的结构示意图。透明电极层212通过曝光刻蚀工艺形成。
101.步骤3027、在透明电极层212上形成保护层213，保护层213覆盖透明电极层212以及第一半导体层211，在保护层213上形成贯穿保护层213的第一过孔216a以及依次贯穿保护层213以及绝缘层210的第二过孔216b。
102.请参阅图16，图16为本技术实施例提供的指纹识别显示面板的制备方法的步骤3027对应的阵列层200的结构示意图。
103.步骤3028、在保护层213上形成依次贯穿保护层213、绝缘层210、层间绝缘层208、第二绝缘层206以及第一绝缘层204的第三过孔216c、第四过孔216d、第五过孔216e以及第六过孔216f。
104.请参阅图17，图17为本技术实施例提供的指纹识别显示面板的制备方法的步骤3028对应的阵列层200的结构示意图。
105.步骤3029、在保护层213上形成上电极层214、第一源漏极层215a以及第二源漏极层215b，上电极层214经第一过孔216a与透明电极层212连接，上电极层214经第二过孔216b与下电极层209连接，第一源漏极层215a经第三过孔216c以及第四过孔216d与第二半导体层203a连接，第二源漏极层215b经第五过孔216e以及第六过孔216f与第三半导体层203b连接。
106.请参阅图18，图18为本技术实施例提供的指纹识别显示面板的制备方法的步骤3029对应的阵列层200的结构示意图。
107.步骤303、在阵列层远离基板的一面上形成有机发光二极管层。
108.步骤304、在有机发光二极管层远离基板的一面上形成触控层。
109.其中，指纹识别显示面板10具体可参照以上对该指纹识别显示面板的描述，在此不做赘述。
110.在本技术实施例提供的指纹识别显示面板的制备方法中，包括依次层叠设置的基板、阵列层以及有机发光二极管层，其中，阵列层中集成有用于指纹识别的指纹模组。当需要进行指纹识别时，手指会按压指纹识别显示面板，从而将有机发光二极管层发射出的光线反射至集成在阵列层中的指纹模组，进而可以通过识别手指谷和脊的对光的反射差异来实现指纹识别功能。指纹模组集成在阵列层中，不仅不影响指纹识别功能识别的实现，还可以降低指纹识别显示面板的厚度，并且能够实现全面指纹识别，从而提升指纹识别显示面板的市场竞争力。
111.以上对本技术实施例所提供的一种指纹识别显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。