显示面板和显示面板的制备方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，尤其是涉及一种显示面板和显示面板的制备方法。


背景技术：

2.当前的显示面板多采用导电性较好的cu或cu合金来充当信号线，信号线与设置在显示区外围的绑定端子连接，通过绑定端子来接收各类信号。由于cu容易被氧化，直接暴露存在腐蚀风险，因此当前产品中的会采用耐腐蚀的金属ti来制作绑定端子，然而，当前产品中的绑定端子需要额外用一道光罩来制作，使得显示面板的成本较高。


技术实现要素：

3.本技术实施例提供一种显示面板和显示面板的制备方法，用以缓解现有显示面板中绑定端子制作成本较高的技术问题。
4.本技术实施例提供一种显示面板，包括：
5.驱动电路层，所述驱动电路层包括多个晶体管和多条信号线；
6.电极层，形成在所述驱动电路层一侧，所述电极层包括设置在显示区内的第一电极和设置在绑定区内的绑定端子，所述第一电极与所述晶体管连接，所述绑定端子与所述信号线连接；
7.发光层，形成在所述电极层远离所述驱动电路层的一侧；
8.第二电极，形成在所述发光层远离所述电极层的一侧。
9.在一种实施例中，所述显示面板为oled显示面板，所述晶体管为金属氧化物晶体管，在远离所述驱动电路层的方向上，所述电极层依次包括氢阻挡层、反射层和电极本体层，所述氢阻挡层材料为耐腐蚀金属，所述反射层材料为al-ni-cu-la合金，所述第一电极包括所述氢阻挡层、所述反射层和所述电极本体层，所述绑定端子至少包括所述氢阻挡层。
10.在一种实施例中，所述氢阻挡层材料为mo或者mo-ti-ni合金。
11.在一种实施例中，所述电极本体层材料为ito。
12.在一种实施例中，所述电极本体层包括在所述驱动电路层上的第一正投影，所述反射层包括在所述驱动电路层上的第二正投影，所述第一正投影落在所述第二正投影范围内。
13.在一种实施例中，所述反射层包括在所述驱动电路层上的第二正投影，所述氢阻挡层包括在所述驱动电路层上的第三正投影，所述第二正投影落在所述第三正投影范围内
14.本技术还提供一种显示面板的制备方法，包括：
15.制备驱动电路层，所述驱动电路层包括多个晶体管和多条信号线；
16.在所述驱动电路层上制备电极层，并图案化形成在显示区内的第一电极和在绑定区内的绑定端子，所述第一电极与所述晶体管连接，所述绑定端子与所述信号线连接；
17.在所述电极层远离所述驱动电路层的一侧制备发光层，在所述发光层远离所述电极层的一侧制备第二电极。
18.在一种实施例中，所述显示面板为oled显示面板，所述晶体管为金属氧化物晶体管，在所述驱动电路层上制备电极层，并图案化形成在显示区内的第一电极和在绑定区内的绑定端子的步骤，包括：
19.在所述驱动电路层上依次制备氢阻挡层、反射层和电极本体层，形成电极层，所述氢阻挡层材料为耐腐蚀金属，所述反射层材料为al-ni-cu-la合金；
20.图案化所述电极层，形成所述第一电极和所述绑定端子，所述第一电极包括所述氢阻挡层、所述反射层和所述电极本体层，所述绑定端子至少包括所述氢阻挡层。
21.在一种实施例中，所述氢阻挡层材料为mo或者mo-ti-ni合金，所述电极本体层材料为ito，图案化所述电极层，形成所述第一电极和所述绑定端子的步骤，包括：
22.通过铝酸同步刻蚀所述电极本体层、所述反射层和所述氢阻挡层，形成所述第一电极和所述绑定端子。
23.在一种实施例中，在形成所述第一电极和所述绑定端子的步骤之后，还包括：
24.对所述电极本体层进行退火处理，以使所述电极本体层结晶。
25.有益效果：本技术提供一种显示面板和显示面板的制备方法，显示面板包括驱动电路层、电极层、发光层和第二电极，驱动电路层包括多个晶体管和多条信号线，电极层形成在驱动电路层一侧，电极层包括设置在显示区内的第一电极和设置在绑定区内的绑定端子，第一电极与晶体管连接，绑定端子与信号线连接，发光层形成在电极层远离驱动电路层的一侧，第二电极形成在发光层远离电极层的一侧。本技术中第一电极和绑定端子均由电极层制备得到，两者可采用同一道光罩制备，因此减少了一道单独制备绑定端子的光罩，实现了成本降低。
附图说明
26.下面结合附图，通过对本技术的具体实施方式详细描述，将使本技术的技术方案及其它有益效果显而易见。
27.图1为本技术实施例中显示面板的平面结构示意图。
28.图2为本技术实施例中显示面板的膜层结构示意图。
29.图3为当前joled显示面板的膜层结构示意图。
30.图4为本技术实施例中显示面板的制备方法流程示意图。
31.图5为本技术实施例中显示面板在第一阶段的膜层结构示意图。
32.图6为本技术实施例中显示面板在第二阶段的膜层结构示意图。
33.图7为本技术实施例中显示面板在第三阶段的膜层结构示意图。
34.图8为本技术实施例中显示面板在第四阶段的膜层结构示意图。
35.图9为本技术实施例中显示面板在第五阶段的膜层结构示意图。
36.图10为本技术实施例中显示面板在第六阶段的膜层结构示意图。
具体实施方式
37.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施
例，都属于本技术保护的范围。
38.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
39.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
40.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
41.下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本技术的不同结构。为了简化本技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本技术。此外，本技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
42.本技术实施例提供一种显示面板和显示面板的制备方法，用以缓解现有显示面板中绑定端子制作成本较高的技术问题。显示面板包括驱动电路层、电极层、发光层和第二电极，驱动电路层包括多个晶体管和多条信号线，电极层形成在驱动电路层一侧，电极层包括设置在显示区内的第一电极和设置在绑定区内的绑定端子，第一电极与晶体管连接，绑定端子与信号线连接，发光层形成在电极层远离驱动电路层的一侧，第二电极形成在发光层远离电极层的一侧。
43.如图1所示，为本技术实施例提供的显示面板的平面结构示意图，显示面板包括显示区100和外围的非显示区，非显示区包括一绑定区200，显示区100内设置有多个像素驱动电路，像素驱动电路包括多个晶体管，像素驱动电路用于驱动显示区100内的各子像素发光。显示面板还包括多条信号线1，各信号线1的一端在显示区100内与像素驱动电路中的晶体管连接，另一端与绑定区200内的各绑定端子2连接。外部驱动信号源与绑定端子2绑定后，通过绑定端子2向各信号线1传输驱动信号，再经由各信号线1传输至像素驱动电路，最终驱动各子像素发光显示。各信号线1具体可包括扫描线、数据线、电源线等。
44.如图2所示，为本技术实施例提供的显示面板的膜层结构示意图，驱动电路层中形成多个晶体管、电容和信号线，晶体管需连接不同的信号线。晶体管可以是顶栅结构，也可以是底栅结构，图2中以晶体管为顶栅型晶体管为例进行说明，则驱动电路层自下而上依次包括衬底11、导电层、缓冲层13、半导体层、栅极绝缘层15、栅极层、层间绝缘层17、源漏极层、钝化层19、平坦化层20。
45.衬底11可以为柔性衬底，也可以为刚性衬底。导电层包括遮光层121和电容的第一极板122，材料可以是mo、ti、cu、mn等金属单质或者合金，遮光层121位于晶体管下方，用于遮挡从衬底11下方入射的光线，以避免对晶体管造成干扰。缓冲层13的材料为氮化硅(sin
x
)和氧化硅(sio
x
)中的至少一种，可以是单层或多层结构。
46.半导体层包括晶体管的有源层141和电容的第二极板142，有源层141包括中间的沟道区和两侧的源区和漏区。栅极绝缘层15的材料为氮化硅(sin
x
)和氧化硅(sio
x
)中的至少一种，可以是单层或多层结构。栅极层包括晶体管的栅极16和多条信号线(图未示出)，信号线具体可包括扫描线等，栅极层材料可以是mo、al、cu、ti单质或者是合金。层间绝缘层17的材料为氮化硅(sin
x
)和氧化硅(sio
x
)中的至少一种，可以是单层或多层结构。源漏极层包括晶体管的源极181、漏极182和多条信号线1，信号线1可以是数据线、电源线等，源漏极层材料可以是mo、al、cu、ti单质或者是合金。源极181通过层间绝缘层17中的过孔与有源层141的源区连接，漏极182通过层间绝缘层17中的过孔与有源层141的漏区连接，且通过层间绝缘层17和缓冲层13中的过孔与遮光层121连接，在工作时可以给遮光层121一个固定的低电位信号，使其通过漏极182为有源层141的背沟道提供一个稳定的低电势，使得晶体管的背沟道电势稳定，输出稳定的电性，更好地驱动子像素发光。
47.钝化层19的材料为氮化硅(sin
x
)和氧化硅(sio
x
)中的至少一种，可以是单层或多层结构。平坦化层20的材料为光刻胶，平坦化层20在显示区100内设置，在绑定区200内未设置。在显示区100内，钝化层19和平坦化层20中形成第一过孔，在绑定区200内，平坦化层20中形成第二过孔。
48.电极层图案化形成第一电极和绑定端子2，第一电极填充在第一过孔中，与晶体管的源极181或者漏极182连接，绑定端子2填充在第二过孔中，与信号线1连接。
49.本技术的显示面板可以是oled显示面板或者液晶显示面板。当显示面板为oled显示面板时，在驱动电路层上未设置第一电极的区域内设置有像素定义层25，发光层(图未示出)设置在像素定义层25定义出的子像素区内，包括电子传输层、oled发光材料层、空穴传输层等，第二电极(图未示出)可以整层覆盖像素定义层25和发光层，第一电极和第二电极中的一者为阳极，另一者为阴极。当显示面板为液晶显示面板时，发光层包括液晶层，第一电极和第二电极中的一者为像素电极，另一者为公共电极。
50.如图3所示，在当前的显示面板中，信号线制备完成后再通过单独的光罩形成保护层30，保护层30在显示区100内对源漏极层进行保护，在绑定区200内形成绑定端子2。由于绑定端子用额外一道光罩来制作，使得显示面板的成本较高。而在本技术中，第一电极和绑定端子2均由电极层制备得到，两者可采用同一道光罩制备，因此减少了一道单独制备绑定端子2的光罩，实现了成本降低。
51.在一种实施例中，显示面板为oled显示面板，晶体管为金属氧化物晶体管，在远离驱动电路层的方向上，电极层依次包括氢阻挡层21、反射层22和电极本体层23，氢阻挡层21
材料为耐腐蚀金属，反射层22材料为al-ni-cu-la合金，第一电极包括氢阻挡层21、反射层22和电极本体层23，绑定端子2至少包括氢阻挡层21。
52.晶体管为金属氧化物晶体管，即有源层141材料为金属氧化物半导体如igzo、izto、igzto等。oled显示面板为顶发光显示面板，第一电极为阳极，电极本体层23为最终与发光层连接的膜层，反射层22用于反射发光层发出的光线或环境光线，以避免光线干扰下方的晶体管，氢阻挡层21用于阻挡反射层22的制备工艺中al与水汽反应后产生的氢离子向下扩散后对有源层141电性造成影响。第一电极包括这三个膜层，绑定端子2至少包括氢阻挡层21，也即绑定端子2可以仅包括氢阻挡层21，也可以包括氢阻挡层21和反射层22，还可以同时包括氢阻挡层21、反射层22和电极本体层23。由于氢阻挡层21为耐腐蚀金属，因此将其作为绑定端子2，可以对各信号线形成保护作用，且其上方设置反射层22和电极本体层23时，对其耐腐蚀性不造成影响。即，本技术的氢阻挡层21同时起到阻挡氢离子扩散和作为绑定端子2的作用。
53.本领域常用ag作为反射层22的材料，但ag具有易被氧化和硫化的缺点，易造成电极本体层23表面凸起，这会使得阴极和阳极容易产生接触短路，或形成反射暗点等问题。为避免此缺陷，如图3所示，当前的joled产品中，反射层22采用al-ni-cu-la合金，由于al-ni-cu-la合金具有不易氧化和硫化的特性，会在表面生成一层致密的氧化铝保护膜，因此不易形成凸起，也不易出现阴极和阳极短路、形成反射暗点等问题。然而，由于al-ni-cu-la合金与平坦化层20直接接触，反射层22的高温退火及后续烘烤制程均会使得al-ni-cu-la合金中al与水汽反应产生氢离子，氢离子向下扩散至材料为金属氧化物晶体管的有源层141中，由于金属氧化物晶体管对氢离子比较敏感，会严重影响晶体管的电性。为改善此类问题，joled产品中在层间绝缘层17的上下两侧分别设置了第一保护层41和第二保护层42，第一保护层41和第二保护层42的材料为致密的alo
x
。然而，此种工艺增加了设备和制程成本，且在alo
x
的制程中会增加杂质来源，降低显示面板的良率。
54.在本技术实施例中，直接在反射层22下方制备一层氢阻挡层21，其可以阻止al-ni-cu-la合金与平坦化层20直接接触，因此也可以直接阻挡al-ni-cu-la合金制程中产生的氢离子不向下扩散，相对于图3中设置两个alo
x
保护层的方案，本技术的技术方案可以降低设备及制程成本，减少因沉积alo
x
增加杂质来源，提高良率。
55.在一种实施例中，氢阻挡层21材料为mo或者mo-ti-ni合金。在反射层22材料为al-ni-cu-la合金，氢阻挡层21材料为mo或者mo-ti-ni合金时，这两种材料均可以采用铝酸一步蚀刻得到，则设备成本和制程成本均较低。如果氢阻挡层21采用其他材料如ti或者moti，由于ti需要干刻工艺才能制备，而moti需要铜酸才能蚀刻，均不能与反射层22采用同道工艺制备，则会造成设备成本和制程成本的增加。
56.在一种实施例中，电极本体层23材料为ito。如图3所示，由于joled产品中采用wo
x
作为电极本体层23的材料，而wo
x
易被水洗膜减，存在膜厚难以监控问题。在本技术实施例中，采用ito作为电极本体层23的材料，其不易被水洗膜减，使得膜厚可控，因此改善了膜减顽疾。此外，由于ito也可以采用铝酸蚀刻，此时可以采用同道工艺一次性刻蚀氢阻挡层21、反射层22和电极本体层23，此时绑定端子2同时包括这三层，铝酸同时刻蚀三层的方式可使得设备和制程成本得到较大降低。
57.在一种实施例中，电极本体层23包括在驱动电路层上的第一正投影，反射层22包
括在驱动电路层上的第二正投影，第一正投影落在第二正投影范围内。由于反射层22用于将发光层的光线反射，当反射层22的第二正投影较大时，反射面积较大，因此反射效果较好。当然，当采用铝酸同时刻蚀电极本体层23和反射层22时，第一正投影和第二正投影重合。
58.在一种实施例中，反射层22包括在驱动电路层上的第二正投影，氢阻挡层21包括在驱动电路层上的第三正投影，第二正投影落在第三正投影范围内。由于氢阻挡层21用于阻挡反射层22产生的氢离子扩散，当氢阻挡层21的第三正投影较大时，阻挡面积更大，因此阻挡效果更好。当然，当采用铝酸同时刻蚀反射层22和氢阻挡层21时，第二正投影和第三正投影重合。
59.如图4所示，本技术还提供一种显示面板的制备方法，下面结合图5至图10对该制备方法进行说明，制备方法包括：
60.s1：制备驱动电路层，驱动电路层包括多个晶体管和多条信号线。
61.晶体管可以是顶栅结构，也可以是底栅结构，图5中以晶体管为顶栅型晶体管为例进行说明，则驱动电路层自下而上依次包括衬底11、导电层、缓冲层13、半导体层、栅极绝缘层15、栅极层、层间绝缘层17、源漏极层、钝化层19、平坦化层20。
62.具体地，衬底11可以为柔性衬底，也可以为刚性衬底，以刚性衬底为例，可以是玻璃，将玻璃清洗后沉积一层导电层，材料可以是mo、ti、cu、mn等金属单质或者合金，然后图案化形成遮光层121和电容的第一极板122，遮光层121位于晶体管下方，用于遮挡从衬底11下方入射的光线，以避免对晶体管造成干扰。然后沉积一层缓冲层13，材料为氮化硅(sin
x
)和氧化硅(sio
x
)中的至少一种，可以是单层或多层结构。
63.在缓冲层13上沉积一层半导体层，具体可以是金属氧化物半导体，如igzo、izto、igzto等，然后蚀刻得到有源层141和电容的第二极板142。然后沉积栅极绝缘层15，材料为氮化硅(sin
x
)和氧化硅(sio
x
)中的至少一种，可以是单层或多层结构。在栅极绝缘层15上沉积一层金属作为栅极层，材料可以是mo、al、cu、ti单质或者是合金，利用一道黄光先蚀刻得到晶体管的栅极16和多条信号线(图未示出)，信号线具体可包括扫描线等，利用栅极16为自对准蚀刻栅极绝缘层15，蚀刻后只在栅极16的膜层下方才有栅极绝缘层15存在，其余地方栅极绝缘层15均被蚀刻掉。此时，进行整面的等离子体处理，有源层141中没有被栅极16和栅极绝缘层15遮挡的区域在处理以后电阻明显降低，形成n+导体层，也即源区和漏区，被栅极16和栅极绝缘层15遮挡的区域为被处理，保持半导体特性，形成沟道区。
64.在栅极层上沉积层间绝缘层17，材料为氮化硅(sin
x
)和氧化硅(sio
x
)中的至少一种，可以是单层或多层结构，再进行黄光和蚀刻，在显示区100内形成过孔。沉积一层金属作为源漏极层，材料可以是mo、al、cu、ti单质或者是合金，通过蚀刻形成晶体管的源极181、漏极182和多条信号线1，其中源极181通过层间绝缘层17中的过孔与有源层141的源区连接，漏极182通过层间绝缘层17中的过孔与有源层141的漏区连接，且通过层间绝缘层17和缓冲层13中的过孔与遮光层121连接，在工作时可以给遮光层121一个固定的低电位信号，使其通过漏极182为有源层141的背沟道提供一个稳定的低电势，使得晶体管的背沟道电势稳定，输出稳定的电性，更好地驱动子像素发光。
65.如图6所示，在源漏极层上沉积整面的钝化层19，材料为氮化硅(sin
x
)和氧化硅(sio
x
)中的至少一种，可以是单层或多层结构。然后如图7所示，在钝化层19上沉积平坦化
层20，材料为光刻胶，可以是单层或多层结构，平坦化层20在显示区100内设置，在绑定区200内未设置，对平坦化层20进行图案化，在显示区100内，平坦化层20中形成第一子过孔。如图8所示，利用钝化层光罩对钝化层19图案化，在显示区100内，钝化层19形成位于第一子过孔下方的第二子过孔，第一子过孔和第二子过孔共同形成第一过孔，在绑定区200内，钝化层19形成第二过孔。
66.通过上述过程，制备得到驱动电路层。
67.s2：在驱动电路层上制备电极层，并图案化形成在显示区内的第一电极和在绑定区内的绑定端子，第一电极与晶体管连接，绑定端子与信号线连接。
68.本技术的显示面板可以是oled显示面板或者液晶显示面板。当显示面板为液晶显示面板时，第一电极为像素电极，第二电极为公共电极。当显示面板为oled显示面板时，第一电极和第二电极中的一者为阳极，另一者为阴极。以oled显示面板为例，如图9所示，通过pvd工艺依次沉积氢阻挡层21、反射层22和电极本体层23，形成电极层，然后对电极层进行图案化，在显示区100内，电极层形成第一电极，第一电极填充在第一过孔中，与晶体管的源极181或漏极182连接，在绑定区200内，电极层形成绑定端子2，绑定端子2填充在第二过孔中，与各信号线1连接。第一电极完全覆盖第一过孔，绑定端子2也完全覆盖第二过孔，以对下方的源漏极层进行保护。
69.如图3所示，在当前的显示面板中，信号线制备完成后再通过单独的光罩形成保护层30，保护层30在显示区100内对源漏极层进行保护，在绑定区200内形成绑定端子2。由于绑定端子用额外一道光罩来制作，使得显示面板的成本较高。而在本技术中，第一电极和绑定端子2均由电极层制备得到，两者可采用同一道光罩制备，因此减少了一道单独制备绑定端子2的光罩，实现了成本降低。
70.在一种实施例中，显示面板为oled显示面板，晶体管为金属氧化物晶体管，s2具体包括：在驱动电路层上依次制备氢阻挡层、反射层和电极本体层，形成电极层，氢阻挡层材料为耐腐蚀金属，反射层材料为al-ni-cu-la合金；图案化电极层，形成第一电极和绑定端子，第一电极包括氢阻挡层、反射层和电极本体层，绑定端子至少包括氢阻挡层。
71.晶体管为金属氧化物晶体管，即有源层141材料为金属氧化物半导体如igzo、izto、igzto等。oled显示面板为顶发光显示面板，第一电极为阳极，电极本体层23为最终与发光层连接的膜层，反射层22用于反射发光层发出的光线或环境光线，以避免光线干扰下方的晶体管，氢阻挡层21用于阻挡反射层22的制备工艺中al与水汽反应后产生的氢离子向下扩散后对有源层141电性造成影响。第一电极包括这三个膜层，绑定端子2至少包括氢阻挡层21，也即绑定端子2可以仅包括氢阻挡层21(将绑定区200内的反射层22和电极本体层23去除)，也可以包括氢阻挡层21和反射层22(将绑定区200内的电极本体层23去除)，还可以同时包括氢阻挡层21、反射层22和电极本体层23(绑定区200内氢阻挡层21、反射层22和电极本体层23均保留且同步刻蚀)。由于氢阻挡层21为耐腐蚀金属，因此将其作为绑定端子2，可以对各信号线形成保护作用，且其上方设置反射层22和电极本体层23时，对其耐腐蚀性不造成影响。即，本技术的氢阻挡层21同时起到阻挡氢离子扩散和作为绑定端子2的作用。
72.本领域常用ag作为反射层22的材料，但ag具有易被氧化和硫化的缺点，易造成电极本体层23表面凸起，这会使得阴极和阳极容易产生接触短路，或形成反射暗点等问题。为
避免此缺陷，如图3所示，当前的joled产品中，反射层22采用al-ni-cu-la合金，由于al-ni-cu-la合金具有不易氧化和硫化的特性，会在表面生成一层致密的氧化铝保护膜，因此不易形成凸起，也不易出现阴极和阳极短路、形成反射暗点等问题。然而，由于al-ni-cu-la合金与平坦化层20直接接触，反射层22的高温退火及后续烘烤制程均会使得al-ni-cu-la合金中al与水汽反应产生氢离子，氢离子向下扩散至材料为金属氧化物晶体管的有源层141中，由于金属氧化物晶体管对氢离子比较敏感，会严重影响晶体管的电性。为改善此类问题，joled产品中在层间绝缘层17的上下两侧分别设置了第一保护层41和第二保护层42，第一保护层41和第二保护层42的材料为致密的alo
x
。然而，此种工艺增加了设备和制程成本，且在alo
x
的制程中会增加杂质来源，降低显示面板的良率。
73.在本技术实施例中，直接在反射层22下方制备一层氢阻挡层21，其可以阻止al-ni-cu-la合金与平坦化层20直接接触，因此也可以直接阻挡al-ni-cu-la合金制程中产生的氢离子不向下扩散，相对于图3中设置两个alo
x
保护层的方案，本技术的技术方案可以降低设备及制程成本，减少因沉积alo
x
增加杂质来源，提高良率。
74.在一种实施例中，氢阻挡层材料为mo或者mo-ti-ni合金，电极本体层材料为ito，图案化电极层，形成第一电极和绑定端子的步骤，包括：通过铝酸同步刻蚀电极本体层、反射层和氢阻挡层，形成第一电极和绑定端子。
75.在反射层22材料为al-ni-cu-la合金，氢阻挡层21材料为mo或者mo-ti-ni合金时，这两种材料均可以采用铝酸一步蚀刻得到，则设备成本和制程成本均较低。如果氢阻挡层21采用其他材料如ti或者moti，由于ti需要干刻工艺才能制备，而moti需要铜酸才能蚀刻，均不能与反射层22采用同道工艺制备，则会造成设备成本和制程成本的增加。
76.如图3所示，由于joled产品中采用wo
x
作为电极本体层23的材料，而wo
x
易被水洗膜减，存在膜厚难以监控问题。在本技术实施例中，采用ito作为电极本体层23的材料，其不易被水洗膜减，使得膜厚可控，因此改善了膜减顽疾。此外，由于ito也可以采用铝酸蚀刻，此时可以采用同道工艺一次性刻蚀氢阻挡层21、反射层22和电极本体层23，此时绑定端子2同时包括这三层，铝酸同时刻蚀三层的方式可使得设备和制程成本得到较大降低。
77.在一种实施例中，在形成第一电极和绑定端子的步骤之后，还包括：对电极本体层进行退火处理，以使电极本体层结晶。电极本体层23材料为ito，对其进行高温退火工艺后，ito可以结晶，对下方的反射层22形成保护，使其更好地发挥反射的作用。
78.s3：在电极层远离驱动电路层的一侧制备发光层，在发光层远离电极层的一侧制备第二电极。
79.当显示面板为顶发光oled显示面板时，如图10所示，在驱动电路层上未设置第一电极的区域内形成像素定义层25，发光层(图未示出)设置在像素定义层25定义出的子像素区内，包括电子传输层、oled发光材料层、空穴传输层等，通过蒸镀或喷墨打印等方式形成，第二电极(图未示出)可以整层覆盖像素定义层25和发光层，第二电极为阴极。当显示面板为液晶显示面板时，第一电极和驱动电路层设置在阵列基板上，第二电极为公共电极，设置在对置基板上，发光层(图未示出)包括液晶层，填充在阵列基板和对置基板之间。
80.本技术还提供一种显示装置，包括显示面板和驱动芯片，其中显示面板为上述任一实施例所述的显示面板。显示面板的制备方法可以是智能手表、平板电脑、笔记本电脑、个人计算机(pc，personal computer)、微型处理盒子等具有显示功能的设备，显示装置中
的绑定端子和第一电极采用同道光罩制备，因此成本较低。
81.根据上述实施例可知：
82.本技术提供一种显示面板和显示面板的制备方法，显示面板包括驱动电路层、电极层、发光层和第二电极，驱动电路层包括多个晶体管和多条信号线，电极层形成在驱动电路层一侧，电极层包括设置在显示区内的第一电极和设置在绑定区内的绑定端子，第一电极与晶体管连接，绑定端子与信号线连接，发光层形成在电极层远离驱动电路层的一侧，第二电极形成在发光层远离电极层的一侧。本技术中第一电极和绑定端子均由电极层制备得到，两者可采用同一道光罩制备，因此减少了一道单独制备绑定端子的光罩，实现了成本降低。
83.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
84.以上对本技术实施例所提供的一种显示面板和显示面板的制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例的技术方案的范围。