互连器件及包括互连器件的半导体组件的制作方法

本申请总体上涉及半导体装置，更具体地，涉及用于连接两个相邻半导体封装的互连器件以及包括这种互连器件的半导体组件。

背景技术：

1、由于消费者希望他们的电子产品更小、更快、性能更强，以及希望将越来越多的功能集成到单个半导体封装中，半导体行业一直面临着复杂集成的挑战。一种解决方案是系统级封装(sip)。sip是一种功能性电子系统或子系统，其包括两个或多个异构半导体晶粒(dice)，例如逻辑芯片、存储器、集成无源器件(ipd)、rf滤波器、传感器、散热器或天线。然而，通过缩小半导体封装之间的距离来进一步缩小sip系统的尺寸是一直以来的技术挑战。

2、因此，需要一种连接半导体封装的互连器件。

技术实现思路

1、本申请的目的是提供一种用于连接两个相邻半导体封装的互连器件，以减小两个半导体封装之间的距离。

2、根据本申请实施例的一个方面，提供了一种互连器件。所述互连器件包括绝缘框架，其中所述绝缘框架包括：顶部绝缘层，所述顶部绝缘层形成于所述绝缘框架的最上部，且占据所述绝缘框架的整个顶面；底部绝缘层，所述底部绝缘层形成于所述绝缘框架的最下部，且占据所述绝缘框架的整个底面；以及中间绝缘层，所述中间绝缘层包括多个绝缘体，所述多个绝缘体设置于所述顶部绝缘层与所述底部绝缘层之间，且所述多个绝缘体于所述中间绝缘层的第一侧面与第二侧面之间形成多个通孔。所述互连器件还包括多个桥接导体，所述多个桥接导体中的每个桥接导体设置在所述多个通孔中的一个相应通孔内且在所述中间绝缘层的第一侧面与第二侧面之间延伸。

3、根据本申请实施例的另一个方面，提供了一种互连器件。所述互连器件包括：多个绝缘体；以及多个桥接导体，其中所述多个桥接导体中的每两个桥接导体通过所述多个绝缘体中的一个绝缘体彼此分离。

4、根据本申请一些实施例的其他方面，提供了包括任何前述互连器件的半导体封装组件。

5、应当理解，前面的一般性描述和下面的详细描述都只是示例性和说明性的，而不是对本发明的限制。此外，并入并构成本说明书一部分的附图示出了本发明的实施例并且与说明书一起用于解释本发明的原理。

技术特征：

1.一种互连器件，其特征在于，所述互连器件包括：

2.根据权利要求1所述的互连器件，其特征在于，所述绝缘框架是一体成型的，或者所述绝缘框架的绝缘区块是分开形成后附接在一起的。

3.根据权利要求1所述的互连器件，其特征在于，所述多个桥接导体包括从以下材料组成的组中选择的一种或多种导电材料：al、cu、sn、ni、au、ag、ti、w，或包括焊料。

4.根据权利要求1所述的互连器件，其特征在于，所述底部绝缘层的宽度大于所述中间绝缘层的宽度和所述顶部绝缘层的宽度。

5.根据权利要求1所述的互连器件，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的互连器件，其特征在于，所述多个通孔具有统一的形状。

7.根据权利要求5所述的互连器件，其特征在于，所述多个通孔均匀分布于所述顶部绝缘层与所述底部绝缘层之间。

8.根据权利要求1所述的互连器件，其特征在于，所述绝缘框架包括从以下材料组成的组中选择的一种或多种绝缘材料：橡胶和聚合物。

9.一种互连器件，其特征在于，所述互连器件包括：

10.根据权利要求9所述的互连器件，其特征在于，所述互连器件还包括形成在所述多个绝缘体和所述多个桥接导体上方的顶部绝缘层。

11.根据权利要求9或10所述的互连器件，其特征在于，所述互连器件还包括底部绝缘层，所述底部绝缘层形成于所述多个绝缘体和所述多个桥接导体下方。

12.一种半导体封装组件，其特征在于，所述半导体封装组件包括：

13.根据权利要求12所述的半导体封装组件，其特征在于，所述第一半导体封装包括：

14.根据权利要求12所述的半导体封装组件，其特征在于，所述互连器件的高度不小于所述第一半导体封装和所述第二半导体封装的高度。

15.根据权利要求12所述的半导体封装组件，其特征在于，所述互连器件的所述底部绝缘层位于所述第一半导体封装的所述底面和所述第二半导体封装的所述底面下方。

16.一种半导体封装组件，其特征在于，所述半导体封装组件包括：

17.根据权利要求16所述的半导体封装组件，其特征在于，所述互连器件还包括形成在所述多个绝缘体和所述多个桥接导体上方的顶部绝缘层。

18.根据权利要求16或17所述的半导体封装组件，其特征在于，所述互连器件还包括形成在所述多个绝缘体和所述多个桥接导体下方的底部绝缘层。

19.一种形成半导体封装组件的方法，其特征在于，所述方法包括：

20.一种形成半导体封装组件的方法，其特征在于，所述方法包括：

技术总结
本申请提供一种互连器件，所述互连器件包括绝缘框架，所述绝缘框架包括：顶部绝缘层，所述顶部绝缘层形成于绝缘框架的最上部，且占据所述绝缘框架的整个顶面；底部绝缘层，所述底部绝缘层形成于绝缘框架的最下部，且占据所述绝缘框架的整个底面；以及中间绝缘层，所述中间绝缘层包括多个绝缘体，所述多个绝缘体设置于所述顶部绝缘层与所述底部绝缘层之间，且所述多个绝缘体于所述中间绝缘层的第一侧面与第二侧面之间形成多个通孔。所述互连器件还包括多个桥接导体，所述多个桥接导体中的每个桥接导体相应地设置在所述多个通孔中的一个通孔内，且所述多个桥接导体在所述中间绝缘层的所述第一侧面与所述第二侧面之间延伸。

技术研发人员：李建赫,孙相贤
受保护的技术使用者：星科金朋私人有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15