串联式二极管封装组件的制作方法

本发明涉及一种二极管封装组件，尤其涉及一种串联式二极管封装组件。

背景技术：

1、在电子电路中，经常会使用二极管组件来执行整流、稳压以及回路保护。若要应用于高压的电路，可在电路中串联多个二极管组件。

技术实现思路

1、发明人认为，现有技术在电路中串联多个二极管的方式增加电路的复杂度而不利于自动化的制程。

2、有鉴于现有技术的缺失，发明人遂竭其心力提出一种串联式二极管封装组件，以应用于高压的电路，从而使所应用的电路精简而利于自动化的制程。

3、为达上揭及其他目的，本发明提供一种串联式二极管封装组件，其包含多个承载框架、多个二极管芯片及多个跨接框架。各该承载框架具有芯片设置部或跨接部，或具有芯片设置部及弯折于该芯片设置部的跨接部。各等二极管芯片设于各该芯片设置部上。各该跨接框架跨接于两个相邻的承载框架之间，各该跨接框架的两端分别连接于各该二极管芯片及各该跨接部，以形成串联结构。

4、在实施例中，等承载框架可包括入口框架、出口框架及排列于该入口框架于该出口框架之间的至少一个中间框架。

5、在实施例中，该入口框架仅具有该芯片设置部，该出口框架仅具有该跨接部，该至少一个中间框架可具有该芯片设置部及弯折于该芯片设置部的跨接部。

6、在实施例中，该至少一个中间框架可呈l形且彼此互补地排列于该入口框架与该出口框架之间。

7、在实施例中，彼此互补地排列的所述承载框架可具有至少一个转折处。

8、在实施例中，该串联式二极管封装组件可还包含封装体。该封装体覆盖所述承载框架、所述二极管芯片及所述跨接框架以形成封装结构。

9、在实施例中，各该承载框架可设有突出于该封装体的引脚。

10、在实施例中，所述跨接框架可彼此平行设置。

11、在实施例中，该二极管芯片可包含以硅(si)为基底的萧特基二极管、碳化硅(sic)萧特基二极管、氮化镓(gan)二极管、砷化镓(gaas)二极管、快恢复型二极管或一般pn接面二极管。

12、借此，本发明的串联式二极管封装组件，通过所述承载框架及所述跨接框架将多个二极管芯片加以串联，而可应用于高压电路中，从而使所应用的电路精简而利于自动化的制程。

技术特征：

1.一种串联式二极管封装组件，其特征在于，包含：

2.根据权利要求1所述的串联式二极管封装组件，其特征在于，所述承载框架包括入口框架、出口框架及排列于该入口框架于该出口框架之间的至少一个中间框架。

3.根据权利要求2所述的串联式二极管封装组件，其特征在于，该入口框架仅具有该芯片设置部，该出口框架仅具有该跨接部，该至少一个中间框架具有该芯片设置部及弯折于该芯片设置部的该跨接部。

4.根据权利要求3所述的串联式二极管封装组件，其特征在于，该至少一个中间框架呈l形且彼此互补地排列于该入口框架与该出口框架之间。

5.根据权利要求4所述的串联式二极管封装组件，其特征在于，彼此互补地排列的所述承载框架具有至少一个转折处。

6.根据权利要求1所述的串联式二极管封装组件，其特征在于，还包含封装体，该封装体覆盖所述承载框架、所述二极管芯片及所述跨接框架以形成封装结构。

7.根据权利要求6所述的串联式二极管封装组件，其特征在于，各该承载框架设有突出于该封装体的引脚。

8.根据权利要求1所述的串联式二极管封装组件，其特征在于，所述跨接框架彼此平行设置。

9.根据权利要求1所述的串联式二极管封装组件，其特征在于，该二极管芯片包含以硅(si)为基底的萧特基二极管、碳化硅(sic)萧特基二极管、氮化镓(gan)二极管、砷化镓(gaas)二极管、快恢复型二极管或一般pn接面二极管。

技术总结
本发明提供一种串联式二极管封装组件，其包含多个承载框架、多个二极管芯片及多个跨接框架。各该承载框架具有芯片设置部或跨接部，或具有芯片设置部及弯折于该芯片设置部的跨接部。各该二极管芯片设于各该芯片设置部上。各该跨接框架跨接于两个相邻的承载框架之间，各该跨接框架的两端分别连接于各该二极管芯片及各该跨接部，以形成串联结构。

技术研发人员：廖皇順
受保护的技术使用者：力勤股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15