一种光电耦合器封装结构的制作方法

本技术属于电子元件封装结构，尤其是一种光电耦合器封装结构。

背景技术：

1、如今，各种电子产品的应用非常广泛，这些电子产品中均包含若干电子元件，电子元件的产量和需求与日俱增，随着大规模集成电路的发展，集成电路芯片的外形尺寸日益减小，各种集成电路芯片通常先进行封装，再应用于各种电子产品中，各种电子元件根据其封装材料不同可划分为陶瓷封装和树脂封装两种形式。陶瓷封装具有防潮性佳、寿命长的优点，但成本费用高；树脂封装具有成本低、产量大的优点，树脂封装时目前集成电路芯片的主要封装形式。然而，在集成电路芯片封装工艺过程中，由于塑封材料热膨胀系数与芯片、基板的热膨胀系数不同，容易造成封装体出现分层现象，由于塑料与其他材料之间的界面属于粘合结构，界面的两种材料通过分子之间的作用力结合在一起，而不是两种材料互溶、互扩散、形成化合物的结构。塑料封装器件塑料与其他材料之间的界面出现分层现象，可引起器件性能下降、甚至失效。如：分层发生在塑料与芯片的界面，一方面，可引起芯片的键合引线由于机械拉伸，键合引线(包括内、外键合点)产生机械损伤而导致连接电阻增大或开路；另一方面，可引起芯片表面钝化层损伤，导致芯片漏电增加、击穿电压下降、金属化条断裂等；再者，塑料与芯片界面的分层，导致水汽更容易进入到芯片表面，使芯片性能下降。另外，倘若电子元件封装结构中出现分层现象，即使分层面积小，但已经分层的部位是分层面积扩大的源，在器件使用过程中，由于热变应力或机械应力的作用，分层不断扩展，随着分层面积的增大，最终导致器件失效。

2、现有技术中，公开号为：“cn113265211a”的专利文献，公开了一种减少封装分层的封装树脂及其封装方法，应用于芯片封装制程中，包含填充剂、联苯、多芳香环形树脂、离子捕捉剂、硬化剂、催化剂及著色剂，填充剂中更包含了二氧化矽，填充剂添加二氧化矽的比例在86-88.5wt％之间，填充剂的填充粒径在40-50μm之间，用以减少导线架与环氧树脂之间分层的发生，提高制程的良率。然而，电子元件封装结构产生分层现象的本质原因是塑封材料与芯片材料的热膨胀系数不同，上述专利文献的技术方案通过对塑封材料的组分进行优化组合，改善了塑封材料的热膨胀系数，但在不同的应用环境、应用工艺条件下，塑封材料与芯片、基板之间的热膨胀系数仍然存在差别，仍然容易出现分层现象，且该技术方案对工艺条件依赖度过高，影响了该技术方案在广大电子制造企业中广泛推广应用。

技术实现思路

1、为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种光电耦合器封装结构。

2、本实用新型通过以下技术方案得以实现。

3、本实用新型提供一种光电耦合器封装结构，包括上载片、下载片、光耦芯片和塑封体，所述上载片的一端、下载片的一端和光耦芯片均嵌埋于所述塑封体内，并且所述光耦芯片分别与所述上载片、下载片固连，所述上载片的另一端、下载片的另一端延伸出所述塑封体以外，所述下载片表面设有导引孔。

4、所述导引孔孔径截面面积不大于所述光耦芯片在所述下载片表面的投影面积。

5、所述导引孔设置于所述下载片边角处。

6、所述导引孔为圆形通孔。

7、所述导引孔孔径为0.4mm。

8、所述光电耦合器封装结构还包括上极片和下极片，上极片与所述上载片、下极片与所述下载片分别通过金线电性连接，上极片的一端、下极片的一端和金线均嵌埋于所述塑封体内，所述上极片的另一端、下极片的另一端延伸出所述塑封体以外。

9、所述上极片、上载片还与上框架固连在一起，所述下极片、下载片还与下框架固连在一起，并且上框架、下框架均布置于所述塑封体以外。

10、所述塑封体数量为多个，多个塑封体分别沿着所述上框架的长度方向、上框架的宽度方向、下框架的长度方向和下框架的宽度方向线性阵列排布。

11、所述塑封体整体为长方体形状。

12、所述上框架与上极片、上载片是一体制造成形的，所述下框架与下极片、下载片是一体制造成形的。

13、本实用新型的有益效果在于：采用本实用新型的技术方案，由于下载片设置有导引孔，在注射塑封材料使塑封体成形的过程中，下载片上方的塑封材料可流经导引孔进入下载片下方，而下载片下方的塑封材料也可流经导引孔进入下载片上方，从而使下载片上下两方的塑封材料彼此交错并融合为一体，从而减少了塑封材料与芯片表面之间出现分界的概率，即减少了分层现象，从而改善了光电耦合器芯片的封装质量，保证了光电耦合器芯片的封装性能，避免光电耦合器芯片出现失效，本实用新型具有结构简单，对工艺条件依赖度低的特点，便于在广大电子制造企业中广泛推广应用。

技术特征：

1.一种光电耦合器封装结构，其特征在于：包括上载片(1)、下载片(2)、光耦芯片(3)和塑封体(4)，所述上载片(1)的一端、下载片(2)的一端和光耦芯片(3)均嵌埋于所述塑封体(4)内，并且所述光耦芯片(3)分别与所述上载片(1)、下载片(2)固连，所述上载片(1)的另一端、下载片(2)的另一端延伸出所述塑封体(4)以外，所述下载片(2)表面设有导引孔(5)。

2.如权利要求1所述的一种光电耦合器封装结构，其特征在于：所述导引孔(5)孔径截面面积不大于所述光耦芯片(3)在所述下载片(2)表面的投影面积。

3.如权利要求1或2所述的一种光电耦合器封装结构，其特征在于：所述导引孔(5)设置于所述下载片(2)边角处。

4.如权利要求3所述的一种光电耦合器封装结构，其特征在于：所述导引孔(5)为圆形通孔。

5.如权利要求4所述的一种光电耦合器封装结构，其特征在于：所述导引孔(5)孔径为0.4mm。

6.如权利要求1所述的一种光电耦合器封装结构，其特征在于：所述光电耦合器封装结构还包括上极片(6)和下极片(7)，上极片(6)与所述上载片(1)、下极片(7)与所述下载片(2)分别通过金线(8)电性连接，上极片(6)的一端、下极片(7)的一端和金线(8)均嵌埋于所述塑封体(4)内，所述上极片(6)的另一端、下极片(7)的另一端延伸出所述塑封体(4)以外。

7.如权利要求6所述的一种光电耦合器封装结构，其特征在于：所述上极片(6)、上载片(1)还与上框架(9)固连在一起，所述下极片(7)、下载片(2)还与下框架(10)固连在一起，并且上框架(9)、下框架(10)均布置于所述塑封体(4)以外。

8.如权利要求7所述的一种光电耦合器封装结构，其特征在于：所述塑封体(4)数量为多个，多个塑封体(4)分别沿着所述上框架(9)的长度方向、上框架(9)的宽度方向、下框架(10)的长度方向和下框架(10)的宽度方向线性阵列排布。

9.如权利要求1或6或7或8所述的一种光电耦合器封装结构，其特征在于：所述塑封体(4)整体为长方体形状。

10.如权利要求7所述的一种光电耦合器封装结构，其特征在于：所述上框架(9)与上极片(6)、上载片(1)是一体制造成形的，所述下框架(10)与下极片(7)、下载片(2)是一体制造成形的。

技术总结
本技术提供一种光电耦合器封装结构，包括上载片、下载片、光耦芯片和塑封体，上载片的一端、下载片的一端和光耦芯片均嵌埋于塑封体内，并且光耦芯片分别与上载片、下载片固连，上载片的另一端、下载片的另一端延伸出塑封体以外，下载片表面设有导引孔。采用本技术的技术方案，在注射塑封材料使塑封体成形的过程中，下载片上下两侧的塑封材料可流经导引孔后彼此交错，并融合为一体，减少了塑封材料与芯片表面之间出现分层的概率，改善了光电耦合器芯片的封装质量，保证了光电耦合器芯片的封装性能，避免光电耦合器芯片出现失效，本技术具有结构简单，对工艺条件依赖度低的特点，便于在广大电子制造企业中广泛推广应用。

技术研发人员：杨军,方明洪,姚良智,代骞,简青青,陈嘉嘉,吴双彪
受保护的技术使用者：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
技术研发日：20230516
技术公布日：2024/1/15