集成电路封装及集成电路封装方法与流程

1.本技术是有关于一种半导体，详细来说，是有关于一种集成电路封装及集成电路封装方法。


背景技术：

2.目前，骨传感技术开始被广泛应用。然而，采用骨传感技术的集成电路的相关封装技术尚未能提供良好的信噪比，造成较差的使用者体验。


技术实现要素：

3.有鉴于此，本技术提出一种集成电路封装及集成电路封装方法来解决上述问题。
4.依据本技术的一实施例，提出一种集成电路封装。所述集成电路封装包括：载板、第一集成电路产品、第二集成电路产品以及降噪部件。所述第一集成电路产品和所述第二集成电路产品设置于所述载板载板上。所述第一集成电路产品和第二集成电路产品进行电性连接。所述降噪部件设置于所述载板上并环绕包围所述第一集成电路产品和所述第二集成电路产品。所述降噪部件经配置以降低噪声或传递振动信号。
5.依据本技术的一实施例，所述集成电路封装还包括振动部件。所述振动部件连接所述降噪部件上并包封所述第一集成电路产品和第二集成电路产品。
6.依据本技术的一实施例，所述振动部件包括振动板、振动块以及振动环。所述振动块设置于所述振动板的第一面的中心。所述振动环设置于所述振动板的所述第一面的边缘。所述振动环设置于所述降噪部件之上。
7.依据本技术的一实施例，所述振动块和所述振动环包括金属。
8.依据本技术的一实施例，所述集成电路封装还包括底板以及盖件。所述载板焊接于所述底板之上。所述盖件设置于所述底板之上。所述盖件环绕且覆盖所述载板、所述第一集成电路产品、所述第二集成电路产品以及所述降噪部件。
9.依据本技术的一实施例，所述盖件的顶部开设有孔洞。
10.依据本技术的一实施例，所述载板包含孔洞，其中所述第一集成电路产品的两端横跨所述孔洞。
11.依据本技术的一实施例，所述第一集成电路产品包括微机电结构。
12.依据本技术的一实施例，所述第一集成电路产品与所述载板间设置有硅胶。
13.依据本技术的一实施例，所述降噪部件是环状结构。
14.依据本技术的一实施例，所述降噪部件包括上盖部与环状部。所述环状部环绕所述第一集成电路产品和所述第二集成电路产品。所述上盖部设置于所述环状部之上并部分覆盖所述第一集成电路产品和所述第二集成电路产品。
15.依据本技术的一实施例，提供一种集成电路封装方法。所述集成电路封装方法包括：将第一集成电路产品和第二集成电路产品设置于载板之上；将所述第一集成电路产品和所述第二集成电路产品间进行电性连接；将降噪部件设置于所述载板上以环绕包围所述
第一集成电路产品和所述第二集成电路产品。
16.依据本技术的一实施例，所述集成电路封装方法还包括：将振动部件连接于所述降噪部件上并包封所述第一集成电路产品和第二集成电路产品。
17.依据本技术的一实施例，所述集成电路封装方法还包括：将所述载板设置于所述底板上；将盖件设置于所述底板之上以环绕且覆盖所述载板、所述第一集成电路产品、所述第二集成电路产品以及所述降噪部件。
附图说明
18.附图是用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本技术，但并不构成对本技术的限制。在附图中：
19.图1演示依据本技术一实施例的集成电路封装的方块示意图。
20.图2演示依据本技术一实施例的集成电路封装的示意图。
21.图3a至图3g演示依据本技术一实施例的集成电路封装的制作流程图。
22.图4演示依据本技术另一实施例的集成电路封装的示意图。
23.图5演示依据本技术一实施例的集成电路封装方法的第一部分流程图。
24.图6演示依据本技术一实施例的集成电路封装方法的第二部分流程图。
25.图7演示依据本技术一实施例的集成电路封装方法的第三部分流程图。
具体实施方式
26.以下揭示内容提供了多种实施方式或例示，其能用以实现本揭示内容的不同特征。下文所述之组件与配置的具体例子系用以简化本揭示内容。当可想见，这些叙述仅为例示，其本意并非用于限制本揭示内容。举例来说，在下文的描述中，将一第一特征形成于一第二特征上或之上，可能包括某些实施例其中所述的第一与第二特征彼此直接接触；且也可能包括某些实施例其中还有额外的组件形成于上述第一与第二特征之间，而使得第一与第二特征可能没有直接接触。此外，本揭示内容可能会在多个实施例中重复使用组件符号和/或标号。此种重复使用乃是基于简洁与清楚的目的，且其本身不代表所讨论的不同实施例和/或组态之间的关系。
27.再者，在此处使用空间上相对的词汇，譬如「之下」、「下方」、「低于」、「之上」、「上方」及与其相似者，可能是为了方便说明图中所绘示的一组件或特征相对于另一或多个组件或特征之间的关系。这些空间上相对的词汇其本意除了图中所绘示的方位之外，还涵盖了装置在使用或操作中所处的多种不同方位。可能将所述设备放置于其他方位(如，旋转90度或处于其他方位)，而这些空间上相对的描述词汇就应该做相应的解释。
28.虽然用以界定本技术较广范围的数值范围与参数皆是约略的数值，此处已尽可能精确地呈现具体实施例中的相关数值。然而，任何数值本质上不可避免地含有因个别测试方法所致的标准偏差。在此处，「约」通常系指实际数值在一特定数值或范围的正负10％、5％、1％或0.5％之内。或者是，「约」一词代表实际数值落在平均值的可接受标准误差之内，视本技术所属技术领域中具有通常知识者的考虑而定。当可理解，除了实验例之外，或除非另有明确的说明，此处所用的所有范围、数量、数值与百分比(例如用以描述材料用量、时间长短、温度、操作条件、数量比例及其他相似者)均经过「约」的修饰。因此，除非另有相反的
说明，本说明书与附随权利要求书所揭示的数值参数皆为约略的数值，且可视需求而更动。至少应将这些数值参数理解为所指出的有效位数与套用一般进位法所得到的数值。在此处，将数值范围表示成由一端点至另一端点或介于二端点之间；除非另有说明，此处所述的数值范围皆包括端点。
29.图1演示依据本技术一实施例的集成电路封装1的方块示意图。在某些实施例中，集成电路封装1可以应用于传感器。在某些实施例中，集成电路封装1可以应用于骨传导技术传感器。在某些实施例中，集成电路封装1包括载板11、第一集成电路产品12、第二集成电路产品13以及降噪部件14。在某些实施例中，第一集成电路产品12和第二集成电路产品13设置于载板11之上。在某些实施例中，第一集成电路产品12和第二集成电路产品13进行电性连接。在某些实施例中，降噪部件14设置于载板11上，并且降噪部件14环绕包围第一集成电路产品12和第二集成电路产品13。在某些实施例中，降噪部件14经配置以降低噪声或传递振动信号。
30.图2演示依据本技术一实施例的集成电路封装2的示意图。在某些实施例中，集成电路封装2可以用以实现图1实施例的集成电路封装1。在某些实施例中，集成电路封装2包括载板21、第一集成电路产品22、第二集成电路产品23以及降噪部件24。
31.在某些实施例中，第一集成电路产品22和第二集成电路产品23设置于载板21之上。在某些实施例中，第一集成电路产品22和第二集成电路产品23通过焊锡焊接在载板21之上。在某些实施例中，第一集成电路产品22和第二集成电路产品23进行电性连接。在某些实施例中，第一集成电路产品22和第二集成电路产品23通过导线wr进行电性连接。在某些实施例中，导线wr可以用于在第一集成电路产品22和第二集成电路产品23之间传递信号。在某些实施例中，可以通过在第二集成电路产品23上溅镀保护材料m1来保护导线wr与第二集成电路产品23的连接处。在某些实施例中，导线wr可以是金线、铜线或其他材料的导线。
32.在某些实施例中，降噪部件24设置于载板21上。在某些实施例中，降噪部件24环绕包围第一集成电路产品22和第二集成电路产品23。在某些实施例中，降噪部件24经配置以降低噪声或传递振动信号。在某些实施例中，降噪部件24包括金属。在某些实施例中，降噪部件24是环状结构。在某些实施例中，降噪部件24环绕包围第一集成电路产品22和第二集成电路产品23并通过屏蔽效应过滤第一集成电路产品22和第二集成电路产品23接收到的噪声。
33.在某些实施例中，载板21包含孔洞h21。在某些实施例中，第一集成电路产品22的两端横跨孔洞h21。在某些实施例中，第一集成电路产品22包括微机电结构。在某些实施例中，第一集成电路产品22与载板21间设置有硅胶，采用硅胶将第一集成电路产品22沾合至载板21上，降低胶水硬力对微机电结构的影响。在某些实施例中，第二集成电路产品23包括专用集成电路。在某些实施例中，第一集成电路产品22接收空气的震动来产生机电转换讯号，第二集成电路产品23接收机电转换讯号并进行信号处理。孔洞h21的设置可以使得空气的震动通过孔洞h21从第一集成电路产品22的下方传递到第一集成电路产品22。
34.在某些实施例中，集成电路封装2还可以包括第一粘胶层25。在某些实施例中，第一粘胶层25涂布于载板21之上。在某些实施例中，第一粘胶层25在载板21之上的布局可以是环绕第一集成电路产品22和第二集成电路产品23的环状布局。在某些实施例中，第一粘胶层25在载板21之上的布局可以是环绕第一集成电路产品22和第二集成电路产品23的多
个点状布局。在某些实施例中，降噪部件25通过第一粘胶层25设置在载板21之上。
35.在某些实施例中，集成电路封装2还可以包括其他元部件来改善或增强使用者的骨传感体验。在某些实施例中，集成电路封装2还可以包括振动部件27。在某些实施例中，振动部件27包括振动板271、振动块272以及振动环273。在某些实施例中，振动块272设置于振动板272的第一面s271的中心。在某些实施例中，振动环273设置于振动板271的第一面s271的边缘。在某些实施例中，振动环273在第一面s271的边缘环绕位于的第一面s271的中心的振动板272。振动环273设置于降噪部件24之上。在某些实施例中，振动块272和振动环273包括金属。通过振动部件27包封第一集成电路产品22和第二集成电路产品23，可以加强屏蔽响应，借此提升噪声的过滤效果，同时，振动板271可以作为媒介传递空气的震动到第一集成电路产品22。通过振动部件27可以有效地提升信噪比。
36.在某些实施例中，集成电路封装2还可以包括第二一粘胶层26。在某些实施例中，第二粘胶层26涂布于降噪部件24之上。在某些实施例中，第二粘胶层26在降噪部件24之上的布局可以是涂满降噪部件24的上表面的环状布局。在某些实施例中，第二粘胶层26在降噪部件24之上的布局可以是涂布于降噪部件24的上表面的多个点状布局。在某些实施例中，振动环273通过第二粘胶层26设置于降噪部件24之上。
37.在某些实施例中，集成电路封装2还可以包括其他元部件来改善或增强使用者的骨传感体验。在某些实施例中，集成电路封装2还可以包括底板28以及盖件29。在某些实施例中，载板21焊接于底板28之上。在某些实施例中，载板21与底板28可以用相同材料制成。在某些实施例中，盖件29设置于底板28之上。在某些实施例中，盖件29是通过焊接方式设置于底板28之上。在某些实施例中，盖件29环绕且覆盖载板21、第一集成电路产品22、第二集成电路产品23以及降噪部件24。在某些实施例中，盖件29的顶部开设有孔洞h29。在某些实施例中，盖件29包括金属。通过使用包括金属的盖件29笼罩载板21、第一集成电路产品22、第二集成电路产品23以及降噪部件24，可以进一步增强屏蔽效应，降低噪声。同时，开设有孔洞h29的盖件29可以帮助震动的空气进入集成电路封装2之中。
38.图3a至图3g演示依据本技术一实施例的集成电路封装2的制作流程。如图3a中所示，在底板28上涂上锡膏。接着，如图3b所示，将载板21放置于底板28之上。接着，如图3c所示，通过焊接方式将第一集成电路产品22和第二集成电路产品23设置于载板21之上。接着，如图3d中所示，以导线wr电性连接第一集成电路产品22和第二集成电路产品23，并且以保护材料m1保护第二集成电路产品23和导线wr的连接点。接着，如图3e中所示，在载板21之上涂布第一粘胶层25，并且将降噪部件24放置于第一粘胶层25之上。接着，如图3f中所示，在降噪部件24之上涂布第二粘胶层26，并且将振动部件27放置于第二粘胶层26之上。接着，如图3g中所示，通过锡膏将盖件29放置于底板28之上。借此，完成集成电路封装2的制作流程。
39.图4演示依据本技术一实施例的集成电路封装3的示意图。在某些实施例中，集成电路封装3可以用以实现图1实施例的集成电路封装1。需说明的是，集成电路封装3与集成电路封装2大致相同，差异仅在于降噪部件34。据此，集成电路封装3与集成电路封装2相同的部分将在此省略以省篇幅。在某些实施例中，降噪部件34包括环状部341以及上盖部342。环状部341环绕第一集成电路产品22和第二集成电路产品23。在某些实施例中，上盖部342设置于环状部341之上并且上盖部342的部分覆盖第一集成电路产品22和第二集成电路产品23。通过上盖部342部分覆盖第一集成电路产品22和第二集成电路产品23可以增强屏蔽
响应，降低噪声。
40.图5演示依据本技术一实施例的集成电路封装方法5的第一部分流程图。倘若大致上可以得到相同的结构，本技术并不限定完全依照图5所示的流程步骤执行。在某些实施例中，集成电路封装方法5的第一部分可以归纳如下：
41.步骤51：将第一集成电路产品和第二集成电路产品设置于载板之上；
42.步骤52：将第一集成电路产品和第二集成电路产品间进行电性连接；以及
43.步骤53：将降噪部件设置于载板上以环绕包围第一集成电路产品和第二集成电路产品。
44.图6演示依据本技术一实施例的集成电路封装方法5的第二部分流程图。倘若大致上可以得到相同的结构，本技术并不限定完全依照图6所示的流程步骤执行。在某些实施例中，集成电路封装方法5的第二部分接续集成电路封装方法5的第一部分执行。在某些实施例中，集成电路封装方法5的第二部分可以归纳如下：
45.步骤54：将振动部件连接于降噪部件上并包封第一集成电路产品和第二集成电路产品。
46.图7演示依据本技术一实施例的集成电路封装方法5的第三部分流程图。倘若大致上可以得到相同的结构，本技术并不限定完全依照图7所示的流程步骤执行。在某些实施例中，集成电路封装方法5的第三部分接续集成电路封装方法5的第一部分执行。在某些实施例中，集成电路封装方法5的第三部分可以归纳如下：
47.步骤55：将载板设置于底板上。
48.步骤56：将盖件设置于底板之上以环绕且覆盖载板、第一集成电路产品、第二集成电路产品以及降噪部件。
49.本领域技术人员在阅读完图3a至图3g的实施例后，应能理解图5至图7所示的集成电路封装方法5的细节。详细说明在此省略以省篇幅。
50.如本文中所使用，术语“近似地”、“基本上”、“基本”及“约”用于描述并考虑小变化。当与事件或情况结合使用时，所述术语可指事件或情况精确地发生的例子以及事件或情况极近似地发生的例子。如本文中相对于给定值或范围所使用，术语“约”大体上意味着在给定值或范围的
±
10％、
±
5％、
±
1％或
±
0.5％内。范围可在本文中表示为自一个端点至另一端点或在两个端点之间。除非另外规定，否则本文中所公开的所有范围包括端点。术语“基本上共面”可指沿同一平面定位的在数微米(μm)内的两个表面，例如，沿着同一平面定位的在10μm内、5μm内、1μm内或0.5μm内。当参考“基本上”相同的数值或特性时，术语可指处于所述值的平均值的
±
10％、
±
5％、
±
1％或
±
0.5％内的值。
51.如本文中所使用，术语“近似地”、“基本上”、“基本”和“约”用于描述和解释小的变化。当与事件或情况结合使用时，所述术语可指事件或情况精确地发生的例子以及事件或情况极近似地发生的例子。举例来说，当与数值结合使用时，术语可指小于或等于所述数值的
±
10％的变化范围，例如，小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％，或小于或等于
±
0.05％。举例来说，如果两个数值之间的差小于或等于所述值的平均值的
±
10％(例如，小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％，或小于或等于
±
0.05％)，那么可认为所述
两个数值“基本上”或“约”相同。举例来说，“基本上”平行可以指相对于0
°
的小于或等于
±
10
°
的角度变化范围，例如，小于或等于
±5°
、小于或等于
±4°
、小于或等于
±3°
、小于或等于
±2°
、小于或等于
±1°
、小于或等于
±
0.5
°
、小于或等于
±
0.1
°
，或小于或等于
±
0.05
°
。举例来说，“基本上”垂直可以指相对于90
°
的小于或等于
±
10
°
的角度变化范围，例如，小于或等于
±5°
、小于或等于
±4°
、小于或等于
±3°
、小于或等于
±2°
、小于或等于
±1°
、小于或等于
±
0.5
°
、小于或等于
±
0.1
°
，或小于或等于
±
0.05
°
。
52.举例来说，如果两个表面之间的位移等于或小于5μm、等于或小于2μm、等于或小于1μm或等于或小于0.5μm，那么两个表面可以被认为是共面的或基本上共面的。如果表面相对于平面在表面上的任何两个点之间的位移等于或小于5μm、等于或小于2μm、等于或小于1μm或等于或小于0.5μm，那么可以认为表面是平面的或基本上平面的。
53.如本文中所使用，除非上下文另外明确规定，否则单数术语“一(a/an)”和“所述”可包含复数指示物。在一些实施例的描述中，提供于另一组件“上”或“上方”的组件可涵盖前一组件直接在后一组件上(例如，与后一组件物理接触)的情况，以及一或多个中间组件位于前一组件与后一组件之间的情况。
54.如本文中所使用，为易于描述可在本文中使用空间相对术语例如“下面”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”、“下部”、“左侧”、“右侧”等描述如图中所说明的一个组件或特征与另一组件或特征的关系。除图中所描绘的定向之外，空间相对术语意图涵盖在使用或操作中的装置的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间相对描述词同样可相应地进行解释。应理解，当一组件被称为“连接到”或“耦合到”另一组件时，其可直接连接或耦合到所述另一组件，或可存在中间组件。
55.前文概述本公开的若干实施例和细节方面的特征。本公开中描述的实施例可容易地用作用于设计或修改其它过程的基础以及用于执行相同或相似目的和/或获得引入本文中的实施例的相同或相似优点的结构。这些等效构造不脱离本公开的精神和范围并且可在不脱离本公开的精神和范围的情况下作出不同变化、替代和改变。