技术特征：
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底内形成第一沟槽；在所述第一沟槽内形成保护层，所述保护层覆盖所述第一沟槽的侧壁和底部；刻蚀所述第一沟槽底部的保护层和衬底，形成第二沟槽；在所述第二沟槽底部形成钝化层；刻蚀所述第二沟槽的侧壁形成凹槽，在所述凹槽内形成介质层。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述凹槽连通相邻的所述第二沟槽。3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述介质层包括金属层；在所述凹槽内形成介质层，包括：在所述凹槽内填充金属层。4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述介质层包括金属硅化物层和金属层；在所述凹槽内形成介质层，包括：形成覆盖所述凹槽侧壁和底部的金属硅化物层；形成覆盖所述金属硅化物层的金属层。5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述第二沟槽底部形成钝化层，包括：对暴露于所述第二沟槽底部的所述衬底进行等离子体注入，以使部分所述衬底转变为所述钝化层。6.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二沟槽的侧壁采用各向异性蚀刻工艺进行刻蚀。7.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二沟槽的侧壁在第一方向上的刻蚀尺寸大于其在第二方向上的刻蚀尺寸；其中，所述第一方向为垂直于所述第二沟槽侧壁的方向，所述第二方向为垂直于所述衬底的方向。8.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二沟槽的侧壁在第一方向上的刻蚀尺寸大于所述第二沟槽在第二方向上的高度；其中，所述第一方向为垂直于所述第二沟槽侧壁的方向，所述第二方向为垂直于所述衬底的方向。9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述凹槽包括位线沟槽；所述在所述凹槽内形成介质层，包括：在所述凹槽内形成位线。10.根据权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：在所述第一沟槽内填充绝缘材料；回刻填充所述绝缘材料后的所述衬底，形成字线沟槽；在所述字线沟槽内形成字线。11.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底内设有第一沟槽以及位于所述第一沟槽下方的凹槽；保护层，覆盖所述第一沟槽的侧壁；以及，介质层，填充所述凹槽。12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：位于所述凹槽底部的钝化层；所述介质层还覆盖所述钝化层。13.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽包括位线沟槽；所述介
质层包括位线。14.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述位线包括金属线；或，所述位线包括覆盖所述凹槽侧壁和底部的金属硅化物层，以及覆盖所述金属硅化物层的金属层。15.根据权利要求12～14中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：设置于所述第一沟槽内的绝缘层，以及多个平行间隔设置的字线；其中，所述位线沿第一方向延伸；所述字线位于所述位线上方，并沿第三方向延伸；所述第三方向与所述第一方向相交；相邻所述字线通过所述绝缘层绝缘，且所述字线和所述位线之间通过所述绝缘层绝缘。
技术总结
本公开涉及一种半导体结构及其制备方法，一种半导体结构的制备方法，包括以下步骤。提供衬底，在衬底内形成第一沟槽。在第一沟槽内形成保护层，保护层覆盖第一沟槽的侧壁和底部。刻蚀第一沟槽底部的保护层和衬底，形成第二沟槽。在第二沟槽底部形成钝化层。刻蚀第二沟槽的侧壁形成凹槽，在凹槽内形成介质层。上述半导体结构的制备方法消除位线接触结构这一制程，从而可以减小位线的电阻并简化位线的制备工艺。制备工艺。制备工艺。
技术研发人员：朴仁鎬
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2022.06.06
技术公布日：2022/9/8