陶瓷基板复合结构的制作方法

本发明涉及陶瓷基板结构领域，尤其涉及适用多种应用的一种陶瓷基板复合结构。

背景技术：

1、传统的陶瓷基板通常由共烧方式形成，可用于如作为电路板本体之应用。然而，传统的陶瓷基板往往于烧结形成后于其内遗留孔洞及应力，不可避免地存在有不期望的孔洞与基板变形问题。

2、另外，因应未来电路板精细化大幅增加的需求，陶瓷基板内线路制作的精细化受限于其共烧形成方式，将面临厚度无法薄化及成本大幅上升的问题。

3、再者，针对采用5g毫米波的高频信号的未来通讯应用，陶瓷基板所使用的材料的介电常数虽比传统印刷电路板之fr4要低，但相对于高频讯号之衰变率依然过高，不利于通讯领域中应用共烧方式形成的传统陶瓷基板。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明提供了一种陶瓷基板复合结构，以解决上述传统陶瓷基板所遭遇问题。

2、依据一实施例，本发明提供了一种陶瓷基板复合结构，包括：一长晶方式生成的第一陶瓷基板，具有相对的一第一表面与一第二表面，本身具填充导电物质之垂直导通孔，以使所述第一陶瓷基板的所述第一表面与所述第二表面产生电性连接；以及薄膜基板设置于所述第一陶瓷基板之第二表面上，并以其中一表面与所述第一陶瓷基板之所述第二表面电性连接，且所述薄膜基板之另一表面上设置有电性连接点以电性连接外部元件或另一电路板。

3、于一实施例中，所述第一陶瓷基板之材料为氧化铝或氮化铝。

4、于一实施例中，于所述第一陶瓷基板之第二表面及所述薄膜基板之间更设置一隔热层，以隔绝来自所述陶瓷基板的第一表面所接之外部元件或电路所带来之热量，而所述隔热层不影响所述陶瓷基板第二表面与多层薄膜基板间之电性连接。

5、于一实施例中，所述陶瓷基板之材料可为氧化铝或氮化铝。

6、于一实施例中，更包括一第二陶瓷基板，设置于所述薄膜基板远离所述第一陶瓷基板的表面上，具有相对的第三表面与第四表面，本身具填充导电物质之垂直导通孔，以使所述第二陶瓷基板的所述第三表面与所述第四表面产生电性连接；以及所述第二陶瓷基板之所述第三表面并与所述薄膜基板之另一表面产生电性连接，以及所述第二陶瓷基板的第四表面上设置电性连接点，以电性连接外部元件或外接电路板。

7、于一实施例中，所述第一陶瓷基板之材料为氧化铝或氮化铝。

技术特征：

1.一种陶瓷基板复合结构，包括：

2.如权利要求1所述的陶瓷基板复合结构，其特征在于，所述第一陶瓷基板之材料为氧化铝或氮化铝。

3.如权利要求1所述的陶瓷基板复合结构，其特征在于，于所述第一陶瓷基板之第二表面及所述薄膜基板之间更设置一隔热层，以隔绝来自所述陶瓷基板的第一表面所接之外部元件或电路所带来之热量，而所述隔热层不影响所述陶瓷基板第二表面与多层薄膜基板间之电性连接。

4.如权利要求1所述的陶瓷基板复合结构，其特征在于，更包括一第二陶瓷基板，设置于所述薄膜基板远离所述第一陶瓷基板的表面上，所述第二陶瓷基板具有相对的第三表面与第四表面，本身仅具填充导电物质之垂直导通孔，以使所述第二陶瓷基板的所述第三表面与所述第四表面产生电性连接，所述第二陶瓷基板之所述第三表面并与所述薄膜基板之另一表面产生电性连接；以及

5.如权利要求4所述的陶瓷基板复合结构，其特征在于，所述第二陶瓷基板之材料为氧化铝或氮化铝。

技术总结
一种陶瓷基板复合结构，包括：一长晶方式生成的第一陶瓷基板，具有相对的第一表面与一第二表面，本身仅具填充导电物质之垂直导通孔，以使所述第一陶瓷基板的所述第一表面与所述第二表面产生电性连接；以及薄膜基板设置于所述第一陶瓷基板之第二表面上，并以其中一表面与所述第一陶瓷基板之所述第二表面电性连接，且所述薄膜基板之另一表面上设置有电性连接点以电性连接外部元件或另一电路板。

技术研发人员：邱丕良
受保护的技术使用者：巨擘科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15