磁性导电胶层、芯片键合结构、芯片转移方法及修补方法与流程

本发明涉及巨量转移，尤其涉及一种磁性导电胶层、芯片键合结构、芯片转移方法及修补方法。

背景技术：

1、在芯片的巨量转移方案中，使用异方性导电胶(anisotropic conductive film，acf)将芯片与驱动背板键合是较为热门的一种直接键合方案，一方面使用acf可以直接跳过在驱动背板制作凸点下金属层(under ball metal，ubm)和蒸镀焊料的过程，同时使用acf将芯片与驱动背板键合，可以增强芯片与驱动背板键合的稳定性。

2、但是在acf用于芯片显示过程中，因为当前下压头压力均匀性的限制、芯片和驱动背板的翘曲及热膨胀系数差异(面积越大，越不均一)，当压力过小时，位于键合区域边缘位置的芯片与acf的键合效果不理想，从而导致与驱动背板欧姆接触失败，当压力过大时则导致芯片破碎；另一方面在进行分别代表红绿蓝(red green blue，rgb)三色合成时，当前acf在承受多次加热后，容易固化，进而造成后续键合失效。

3、因此，如何提高芯片的键合良率，进而提高芯片的转移良率，是亟需解决的问题。

技术实现思路

1、鉴于上述现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种磁性导电胶层、芯片键合结构、芯片转移方法及修补方法，旨在提高芯片的键合良率，进而提高芯片的转移良率。

2、本技术实施例提供一种磁性导电胶层，包括：胶材；焊料粒子，分布于胶材内；磁性微球，分布于胶材内。

3、上述磁性导电胶层，与普通的acf相比，其最大的优势在于，磁性导电胶层内有磁性微球。这种磁性微球可以在较低强度的交变磁场下产生大量的热，从而实现自发热。因此，利用上述磁性导电胶层将芯片与驱动背板键合，该磁性导电胶层内的磁性微球可以在交变磁场作用下快速升温，且微米级热源可以一定程度上降低热传导引发的其他区域胶层固化现象，从而使键合区域磁性导电胶层先受热，芯片电极周围的焊料粒子在界面张力作用下，会自动聚集在芯片电极上，实现芯片与驱动背板的电连接。因此，上述芯片和驱动背板的电连接无需借助外界加热或者施加大压力，有效避免了芯片与驱动背板键合时，因翘曲变形及膨胀系数(coefficient of thermal expansion，cte)差异造成的键合区域边缘压合不良现象，提高了芯片的键合良率。此外，由于是磁性微球自身发热，避免了加热引发的键合周围区域胶材固化的问题，从而避免了后续芯片与驱动背板键合失效的问题。

4、可选地，焊料粒子的粒径为3μm～4μm；磁性微球的粒径小于1μm。

5、可选地，磁性导电胶层还包括助焊剂，助焊剂位于胶材内。

6、上述磁性导电胶层在交变磁场作用下可以快速升温，使得磁性导电胶层内部的助焊剂挥发，同时焊料粒子熔融，由于悬浮在液固界面的微米粒子，界面张力远大于热运动力，因此，芯片电极周围的焊料粒子在界面张力作用下，会自动聚集在芯片电极上，实现芯片与驱动背板的键合。因此，上述芯片和驱动背板的电连接是焊料粒子在二者间自聚集实现的，无需借助外界加热或者施加大压力，因此，有效避免了芯片与驱动背板键合时，因翘曲变形及cte差异造成的键合区域边缘压合不良现象，提高了芯片的键合良率。

7、可选地，焊料粒子至少于胶材的预设区域内均匀分布；磁性微球至少于胶材的预设区域内均匀分布。

8、上述焊料粒子与磁性微球随机均匀分布在胶材内，分散性及均一性良好，以使预设区域内(譬如50μm*50μm范围内)粒子分布状态相同，进而保证芯片与驱动背板电连接的稳定性。

9、基于同样的发明构思，本技术还提供一种芯片转移方法，包括如下步骤：提供生长基底，生长基底的一侧表面形成有芯片；提供驱动背板；在驱动背板的一侧表面形成如前述任一方案所述的磁性导电胶层；将生长基底键合于磁性导电胶层远离驱动背板的表面，芯片与磁性导电胶层相接触；

10、至少在芯片与磁性导电胶层键合的键合区域内施加交变磁场，以使键合区域内的芯片与驱动背板电连接；去除生长基底。

11、上述芯片转移方法，利用磁性导电胶层将芯片与驱动背板键合，该磁性导电胶层内的磁性微球可以在交变磁场作用下快速升温，且微米级热源可以一定程度上降低热传导引发的其他区域胶层固化现象，从而使键合区域磁性导电胶层先受热，芯片电极周围的焊料粒子在界面张力作用下，会自动聚集在芯片电极上，实现芯片与驱动背板的电连接。因此，上述芯片和驱动背板的电连接是焊料粒子在二者间自聚集实现的，无需借助外界加热或者施加大压力，有效避免了芯片与驱动背板键合时，因翘曲变形及cte差异造成的键合区域边缘压合不良现象，提高了芯片的键合良率。此外，由于是磁性微球自身发热，避免了传统acf上压头加热引发的周围区域胶材固化，从而避免了后续芯片与驱动背板键合失效的问题，保证了下一批芯片的转移良率。

12、可选地，驱动背板的一侧表面设有焊盘；磁性导电胶层覆盖驱动背板设有焊盘的表面，并覆盖焊盘。

13、可选地，芯片远离生长基底的表面形成有金属电极，芯片键合于磁性导电胶层的表面后，金属电极与磁性导电胶层相接触。

14、可选地，所有芯片均键合于磁性导电胶层远离驱动背板的表面，并实现芯片与驱动背板电连接之后，还包括：将磁性导电胶层进行固化处理。

15、基于同样的发明构思，本技术还提供一种芯片键合结构，包括：驱动背板；如前述任一方案所述的磁性导电胶层，磁性导电胶层覆盖驱动背板的一侧表面；芯片，键合于磁性导电胶层远离驱动背板的表面，芯片经由磁性导电胶层与驱动背板电连接。

16、上述芯片键合结构，芯片与驱动背板之间利用磁性导电胶层进行粘合，与普通的acf相比，该磁性导电胶层内有磁性微球，这种磁性微球可以在较低强度的交变磁场下产生大量的热，从而实现自发热。因此，上述芯片键合结构中，磁性导电胶层内的磁性微球可以在交变磁场作用下快速升温，且微米级热源可以一定程度上降低热传导引发的其他区域胶层固化现象，从而使芯片键合区域的磁性导电胶层先受热，芯片电极周围的焊料粒子在界面张力作用下，会自动聚集在芯片电极上，实现芯片与驱动背板的电连接。因此，上述芯片键合结构中芯片和驱动背板的电连接无需借助外界加热或者施加大压力，有效避免了芯片与驱动背板键合时，因翘曲变形及膨胀系数cte差异造成的键合区域边缘压合不良现象，提高了芯片的键合良率。此外，由于是磁性微球自身发热，避免了加热引发的键合周围区域胶材固化的问题，从而避免了后续芯片与驱动背板键合失效的问题。

17、基于同样的发明构思，本技术还提供一种芯片修补方法，包括以下步骤：提供如前述任一方案所述的芯片键合结构，芯片键合结构中，磁性导电胶层远离驱动背板的表面键合多个芯片；确定在多个芯片中存在的异常芯片，并去除异常芯片；将修补芯片键合至芯片修补区域，芯片修补区域为去除异常芯片后所形成的区域；至少在修补芯片与磁性导电胶层键合的键合区域内施加交变磁场，以使修补芯片与驱动背板电连接。

18、上述芯片修补方法，利用磁性导电胶层将芯片与驱动背板键合，该磁性导电胶层内有磁性微球，可以在较低强度的交变磁场下产生大量的热，以将芯片与驱动背板键合，进而对芯片进行测试，定位异常芯片及异常芯片所在的异常芯片区域后，拾取异常芯片并进行修补，将修补后的芯片键合至所述异常芯片区域，最终在修补芯片与磁性导电胶层键合的键合区域内施加交变磁场，以使修补芯片与驱动背板电连接，减少巨量转移修补步骤。