基片支承部和基片处理装置的制作方法

1.本发明涉及基片支承部和基片处理装置。


背景技术：

2.例如，专利文献1提出了一种基片处理装置，其具有用于载置被处理基片的基片支承部。基片支承部包括：配置有流路的基座，其中流路供经过温度控制的冷却介质流动；静电吸盘，其在具有较高的抗等离子体性能的陶瓷内内置电极，并在载置面上载置被处理基片，其中，通过粘接层使基座与静电吸盘之间粘接。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2016-27601号公报


技术实现要素：

6.发明要解决的技术问题
7.现有技术中，通过使经过制冷单元进行温度控制后的冷却介质在基片支承部的流路中流动，来将静电吸盘上的被处理基片冷却至所要求的温度，但是，近年来施加在基片支承部上的高频功率增大。因此，从等离子体输入到被处理基片的热量增大，被处理基片的温度控制有时会不够充分。
8.本发明提供一种能够提高基片支承部的温度控制效率的技术。
9.解决问题的技术手段
10.根据本发明的一个方式提供一种基片支承部，包括：静电吸盘，其由陶瓷形成，通过静电吸附来保持被处理基片；支承上述静电吸盘的基座；和供热交换介质流动的流路，上述流路的上表面由陶瓷形成(例如，由静电吸盘的面形成)。
11.发明效果
12.根据本发明的一个方面，能够提高基片支承部的温度控制效率。
附图说明
13.图1是表示实施方式的基片处理装置之一例的截面示意图。
14.图2是表示实施方式中的流路的一个例子的图。
15.图3是表示实施方式的基片支承部和比较例中的基片支承部的结构的一个例子的图。
16.图4是图3的b区域的放大图。
17.图5是表示实施方式中因基片支承部的温度变化导致的变形吸收的一个例子的图。
18.图6是将实施方式的基片支承部和比较例的基片支承部的一部分放大的图。
19.图7中(a)是表示第一实施方式的基片支承部的结构的一个例子的图，图7中(b)是
表示第二实施方式的基片支承部的结构的一个例子的图，图7中(c)是表示第三实施方式的基片支承部的结构的一个例子的图。
具体实施方式
20.下面参照附图对本发明的实施方式进行说明。在各附图中，有时对相同的结构部分标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
21.[等离子体处理系统]
[0022]
下面对等离子体处理系统的结构例进行说明。等离子体处理系统包括电容耦合的等离子体处理装置1和控制部2。等离子体处理装置1是基片处理装置的一个例子。电容耦合的等离子体处理装置1包括等离子体处理腔室10、气体供给部20、电源30和排气系统40。另外，等离子体处理装置1包括基片支承部11和气体导入部。气体导入部构成为将至少一种处理气体导入等离子体处理腔室10内。气体导入部包括喷头13。基片支承部11配置在等离子体处理腔室10内。喷头13配置在基片支承部11的上方。在实施方式中，喷头13构成等离子体处理腔室10的顶部(ceiling)的至少一部分。等离子体处理腔室10具有由喷头13、等离子体处理腔室10的侧壁10a和基片支承部11规定的等离子体处理空间10s。等离子体处理腔室10具有用于向等离子体处理空间10s供给至少一种处理气体的至少一个气体供给口，和用于从等离子体处理空间排出气体的至少一个气体排出口。侧壁10a接地。喷头13和基片支承部11与等离子体处理腔室10的壳体电绝缘。
[0023]
基片支承部11包括基座122和静电吸盘111。基片支承部11还包括环形组件112。静电吸盘111配置在基座122的上部，具有用于支承被处理基片(晶圆)(下称基片w)的中央区域(基片支承面)111a和用于支承环形组件112的环状区域(环支承面)111b。静电吸盘111的环状区域111b在俯视时包围静电吸盘111的中央区域111a。基片w配置在静电吸盘111的中央区域111a上，环形组件112以包围静电吸盘111的中央区域111a上的基片w的方式配置在静电吸盘111的环状区域111b上。在实施方式中，基座122包括导电性部件。基座122的导电性构件作为下部电极发挥功能。静电吸盘111配置在基座122上。静电吸盘111的上表面具有基片支承面111a。环形组件112包括一个或多个环状部件。一个或多个环状部件中的至少一个是边缘环。另外，基片支承部11也可以包括温度调节模块，该温度调节模块构成为将静电吸盘111、环形组件112和基片中的至少一个调节为目标温度。温度调节模块可以包括流路123、加热器、传热介质或者它们的组合。在实施方式中，在基座122形成有流路123，但不限于此。流路123中有热交换介质流动。热交换介质是液体。另外，基片支承部11也可以包括传热气体供给部，该传热气体供给部构成为向基片w的下表面与基片支承面111a之间供给传热气体。
[0024]
喷头13构成为将来自气体供给部20的至少一种处理气体导入等离子体处理空间10s内。喷头13具有至少一个气体供给口13a、至少一个气体扩散室13b和多个气体导入口13c。供给至气体供给口13a的处理气体通过气体扩散室13b从多个气体导入口13c导入至等离子体处理空间10s内。另外，喷头13包括导电性部件。喷头13的导电性部件作为上部电极发挥功能。此外，气体导入部除了包括喷头13以外，还可以包括安装在形成于侧壁10a的一个或多个开口部处的一个或多个侧方气体注入部(sgi：side gas injector)。
[0025]
气体供给部20还可以包括至少一个气体源21和至少一个流量控制器22。在实施方
memory：随机存取存储器)、rom(read only memory：只读存储器)、hdd(hard disk drive：硬盘驱动器)、ssd(solid state drive：固态硬盘)或者它们的组合。通信接口2a3也可以经由lan(local area network：局域网)等通信线路与等离子体处理装置1之间进行通信。
[0031]
[基片支承部]
[0032]
参照图2进一步说明形成于基片支承部11中的流路123。图2是从图1的a-a面观察流路123的图，是从上方观察基座122的平面图。在图2中，基座122的上表面122c呈圆板状。流路123形成于基座122，在基座122的上表面122c向静电吸盘111一侧开口。即，流路123在基座122上形成为旋涡状，在上表面具有以旋涡状开口的开口部123a。由此，能够在基片支承部11的基片支承面111a(参照图1)的整个区域控制基片w的温度。另外，流路123的形状不限于旋涡状，也可以是辐射状等。
[0033]
参照图3进一步说明基片支承部11的结构。图3是表示了图3中(a)的比较例的基片支承部11
′
，和图3中(b)的实施方式的基片支承部11的结构的一个例子的图。图3中(a)和(b)均放大表示了基片支承部11
′
和基片支承部11的右半部分的结构，省略左半部分的结构。
[0034]
在图3中(a)的比较例的基片支承部11
′
中，在基座122与静电吸盘111之间设置有粘接层121。粘接层121由树脂形成。在比较例的基片支承部11
′
中，粘接层121是液体或片状的树脂。因此，无法将基座122与静电吸盘111以接近点或线的小面积粘接，而是具有通过粘接层121将基座122的上表面122c与静电吸盘111的下表面111c整面粘接的结构。
[0035]
在该结构中，会产生粘接层的热阻、基座122与粘接层121的边界面的热阻以及粘接层121与静电吸盘111的边界面的热阻。由于这些热阻的作用，导致流路123中流动的冷却介质对静电吸盘111的冷却效率变差，有时无法高效地降低静电吸盘111的温度。
[0036]
与此相对，在图3中(b)的实施方式的基片支承部11中，在基座122与静电吸盘111之间不存在粘接层。该结构中不存在粘接层的热阻。并且，由于基座122与静电吸盘111的边界面是除去开口部123a后的面，因此，该边界面的面积比比较例的边界面小，能够减小基座122与静电吸盘111的边界面的热阻，能够降低隔热效应。由此，能够提高在流路123中流动的冷却介质对静电吸盘111的冷却效率。另外，由于不存在粘接层，因此能够消除因粘接层的膜厚而导致基片w的温度面内均匀性变差的影响。由此，能够提高静电吸盘111的温度控制效率，并且能够使基片w的温度分布变得均匀。
[0037]
其结果，能够使基片w的温度均匀且充分地降低，因此能够输入更高的rf功率(rf电力)。由此能够提高基片w的处理时的蚀刻速率。在维持输入的rf功率的大小的情况下，与通过取消粘接层而提高的基片w的冷却效率相应地，能够降低供给冷却介质的制冷单元的冷却能力。由此，能够缩减制冷单元的大小，能够减小占地面积。另外，上面说明了利用冷却介质对基片w进行冷却的情况，但不限于冷却还包括基片w的加热，在利用以冷却介质和加热介质为一例的热交换介质进行的基片w的温度调节中，能够提高基片支承部11的温度控制效率。
[0038]
以下，按照第一实施方式的基片支承部11、第二实施方式的基片支承部11、第三实施方式的基片支承部11的顺序对基片支承部11的结构例进行说明。任一实施方式的基片支承部11均不具有粘接层，能够提高温度控制效率。
[0039]
《第一实施方式》
[0040]
首先，参照图3的(b)并在此基础上参照图4～图6，对第一实施方式的基片支承部11的结构例进行说明。图4是将表示第一实施方式的基片支承部11的图3中(b)的b区域放大的图。图5是表示实施方式的基片支承部11因温度变化导致的变形吸收的一个例子的图。图6中(b)是将第一实施方式的基片支承部11的一部分(图3中(b)的b区域)放大，与图6中(a)的比较例的基片支承部11
′
的结构进行比较表示的图。另外，在图5和图6的(b)中，省略了基座122与静电吸盘111之间的通过金属钎焊形成的接合部的图示。
[0041]
如图3中(b)所示，第一实施方式的基片支承部11具有静电吸盘111和基座122，是不具有树脂粘接层的结构。静电吸盘111通过静电吸附保持基片w。基座122设置在静电吸盘111之下，支承静电吸盘111。
[0042]
基座122与静电吸盘111是不同的材质，基座122例如由铝等金属形成，静电吸盘111由氧化铝(al2o3)等陶瓷形成。在第一实施方式的基片支承部11中，基座122的铝与静电吸盘111的陶瓷直接接合。
[0043]
基座122具有供热交换介质流动的流路123。流路123形成于基座122，具有面向静电吸盘111一侧开口的开口部123a。在基座122与静电吸盘111之间不存在粘接层。根据该结构，流路123的上表面由静电吸盘111的陶瓷形成。
[0044]
静电吸盘111的下表面111c形成为圆板状。基座122的上表面122c形成为具有与静电吸盘111的下表面111c相同直径的圆板状。在基座122的上表面122c形成有流路123的开口部123a，面向静电吸盘111一侧。因此，在基座122的上表面122c中，流路123的开口部123a以外的部分与静电吸盘111的下表面111c之间通过金属126的钎焊而接合。
[0045]
如图3中(a)所示，比较例的基片支承部11
′
具有粘接层121。粘接层121由液体或片状的树脂形成，将静电吸盘111和基座122之间面粘接。即，在比较例的基片支承部11
′
中，将静电吸盘111的下表面111c与基座122的上表面122c大致整面地粘接。
[0046]
与此相对，在本实施方式的基片支承部11中，通过金属126的钎焊将基座122的上表面122c与静电吸盘111的下表面111c之间接合。在本实施方式的基片支承部11中，即使金属126的钎焊带来的基座122与静电吸盘111的接合面积较小，也能够将静电吸盘111充分地接合于基座122。因此，图3中(b)所示的基座122的间隔壁c可以为2～20mm的宽度，也可以为1～2mm的宽度。通过利用金属126的钎焊将间隔壁c的上表面122c与静电吸盘111的下表面111c之间接合，能够利用静电吸盘111的下表面111c封闭流路123的开口部123a，防止冷却介质从流路123泄漏。根据该结构，在本实施方式的基片支承部11中，流路123的上表面由静电吸盘111的陶瓷形成。
[0047]
在图3的基础上参照图1和图2可知，导入流路in和排出流路out从基座122的下表面侧与流路123连接。导入流路in向流路123导入冷却介质，排出流路out排出在流路123中流通的冷却介质。导入流路in例如以导入流路in的延伸方向与在流路123中流通的冷却介质的流动方向正交的方式从基座122的下表面侧延伸，与流路123连接。另外，排出流路out例如以排出流路out的延伸方向与在流路123中流通的冷却介质的流动方向正交的方式从基座122的下表面侧延伸，与流路123连接。像这样，通过使冷却介质在基座122的流路123中流通，能够控制基片支承部11的温度。
[0048]
另外，如图3中(b)所示，在基片支承部11形成有传热气体的气体流路125，从气体流路125向基片w的背面供给氦(he)气等传热气体。气体流路125通过将设置于基座122的套
筒124的内部空间与贯通静电吸盘111的贯通孔连通而形成。
[0049]
(接合方法之一例)
[0050]
接着，参照由图3中(b)的b区域放大得到的图4，对接合方法的一个例子进行说明。在第一实施方式的基片支承部11中，在静电吸盘111的下表面111c接合基座122的上表面122c(即，流路123间的间隔壁c的上表面122c)。如图4所示，在静电吸盘111的下表面111c的与间隔壁c的上表面122c对应的位置形成锪孔部111c1。如果将由陶瓷形成的锪孔部111c1与铝等金属直接钎焊接合，容易产生接合不良。因此，优选在进行金属钎焊之前，进行利用金属薄膜将锪孔部111c1的陶瓷部分覆盖的金属化处理(metallizing)。
[0051]
在金属化后，一边将间隔壁c的上表面122c插入锪孔部111c1，一边利用铝等金属126将锪孔部111c1与间隔壁c的上表面122c钎焊接合。金属钎焊与粘接剂相比具有较高的抗等离子体性能和耐漏液性能。由此，能够制造不会产生静电吸盘111与基座122的剥离且不会从流路123漏液的基片支承部11。但是，基座122的间隔壁c与静电吸盘111的接合方法不限于金属钎焊，也可以使用其他接合方法。
[0052]
作为接合方法的其他方法，也可以代替金属钎焊而通过烧结(例如无机系烧结)使静电吸盘111与基座122接合。无机系烧结是指将二氧化硅系的烧结助剂涂敷于静电吸盘111和基座122并通过热压等再次烧结的方法。由此，外观上，静电吸盘111与基座122能够无界面地接合。因此，能够降低界面热阻。
[0053]
在图3中(a)所示的比较例的基片支承部11
′
的情况下，由于从等离子体输入的热量等，基片支承部11
′
成为高温，当静电吸盘111和基座122热膨胀时，通过树脂粘接层121吸收静电吸盘111与基座122的热膨胀差。
[0054]
与此相对，在没有粘接层的本实施方式的基片支承部11中，如图5中(b)所示，使流路123间的间隔壁c尽可能地薄，设定为1～2mm。由此，在基片支承部11成为高温，静电吸盘111和基座122热膨胀时，如热膨胀前的图5中(b)的上部分到热膨胀后的下部分所示，通过流路123自身变形来吸收静电吸盘111与基座122的热膨胀差。此时，流路123中流动的冷却介质的压力远小于因静电吸盘111与基座122的热膨胀差而变形的力。因此，当间隔壁c为1～2mm时，能够在容许流路123变形的同时使冷却介质在流路123内流动。
[0055]
上面对基片支承部11因来自等离子体的热输入等而成为高温的情况进行了说明。但是，并不限定于此，也能够通过流路123(间隔壁c)的变形来吸收因使冷却介质从制冷单元流动而引起的冷却所带来的静电吸盘111与基座122的热膨胀差。
[0056]
如上所述，根据第一实施方式的基片支承部11，通过取消粘接层，能够降低静电吸盘111与基座122的界面的热阻，提高冷却介质的冷却效率等，能够提高基片支承部11的温度控制效率。
[0057]
由于取消了作为吸收静电吸盘111与基座122的热膨胀差的缓冲件的粘接层，存在静电吸盘111与基座122的接合面容易剥离的问题。为了避免这种情况，使静电吸盘111与基座122的接合面的面积为最小限度来消除剥离。即，根据第一实施方式的基片支承部11，形成于基座122的流路123不被埋入基座122，流路123的上表面具有面向静电吸盘111一侧开口的开口部123a。因此，静电吸盘111与基座122的接合面仅限于间隔壁c的上表面。通过将间隔壁c形成为1～2mm的厚度，能够减小静电吸盘111与基座122的接合面的面积，由此，能够消除静电吸盘111与基座122的剥离。
[0058]
另外，陶瓷的静电吸盘111与铝的基座122的热膨胀差能够通过流路123(间隔壁c)的变形来吸收。由此，即使在基片支承部11被控制为高温或低温的情况下，也能够消除静电吸盘111与基座122的剥离。
[0059]
另外，在图6中(b)所示的第一实施方式的基片支承部11中，能够与图6中(a)所示的比较例的基片支承部11
′
的粘接层121的厚度相应地，使静电吸盘111的厚度t2(＞t1)变厚。由此，能够确保热的扩散层。例如，在图2的旋涡状的流路123的情况下，流路123的上方容易被冷却，因此静电吸盘111的中央区域的冷却效率比外周区域高。但是，通过增大静电吸盘111的厚度，热变得容易扩散，从形成静电吸盘111的陶瓷的中央区域向外周侧产生热量的扩散。由此，能够在载置基片w的基片支承面111a实现温度的面内均匀性。由此，能够实现基片w的温度的面内均匀性。
[0060]
进而，在第一实施方式的基片支承部11中，为了能够使流路123变形，将间隔壁c减薄至1～2mm左右。也可以使与间隔壁c的上表面接合的静电吸盘111的厚度比图6中(a)所示的比较例更薄。
[0061]
另外，在第一实施方式的基片支承部11中，作为基座122的材料，可以代替铝等金属材料使用含金属陶瓷的材料(mmc)或者低线性膨胀系数材料。在将金属的低线性膨胀系数材料用于基座122的情况下，能够进行金属化来接合。在将陶瓷的低线性膨胀材料、含金属陶瓷的材料用于基座122的情况下，能够不进行金属化而是使用烧结进行接合。在陶瓷材料的情况下，金属钎焊较为困难，因此或者进行金属化来与金属钎焊，或者使陶瓷彼此进行烧结。
[0062]
在图7中(a)的基座122的下部可以进一步设置金属板140。可以通过喷镀氧化钇(y2o3)等在基座122和金属板140的外周面覆盖保护膜141。由此，能够进一步提高基片支承部11的抗等离子体性能。
[0063]
图1～图6中虽然省略了图示，但在第一实施方式的基片支承部11的静电吸盘111中埋设有吸附电极230，其用于施加对基片进行静电吸附的直流电压。在后述的图7中(b)的第二实施方式的基片支承部11和图7中(c)的第三实施方式的基片支承部11的静电吸盘111中，埋设有吸附电极230和施加rf功率的rf电极231。在第一实施方式的基片支承部11中，rf功率被施加于基座122。但是，第一实施方式的基片支承部11也可以在静电吸盘111中埋设rf电极231。
[0064]
《第二实施方式》
[0065]
接着，参照图7的(b)对第二实施方式的基片支承部11的结构例进行说明。图7中(b)表示第二实施方式的基片支承部11的结构之一例。在第二实施方式的基片支承部11中，至少在静电吸盘111形成有流路123c。流路123c在静电吸盘111的下表面朝向基座122开口。
[0066]
在图7中(b)的例子中，基座122由铝等导电性材料形成。在本例中，在基座122一侧也在静电吸盘111的流路123c的对置位置形成有流路123d。流路123c与第一实施方式的基片支承部11同样地在基座122的上表面122c开口。但是，基座122的流路123d可以形成也可以不形成。
[0067]
在基座122上配置静电吸盘111，使流路123c与流路123d的开口彼此合并使之连通，利用金属126将静电吸盘111的间隔壁与基座122的间隔壁钎焊接合。将流路123c与流路123d合并状态下形成的流路也称为流路123。根据该结构，流路123的上表面由陶瓷形成。
[0068]
可以根据设置于静电吸盘111的外周的台阶(高低差)来改变流路123的高度。例如，静电吸盘111的中央区域的流路123的高度t4可以形成为比静电吸盘111的外周区域的流路123的高度t3高。
[0069]
如上所述，在第二实施方式的基片支承部11中，基座122与静电吸盘111为不同的材质，流路123至少形成于静电吸盘111并面向基座122一侧开口。流路123形成于静电吸盘111与基座122的对置位置并连通。流路123的开口以外的基座122与静电吸盘111之间通过金属钎焊或烧结而接合。
[0070]
由此，通过取消粘接层，能够降低静电吸盘111与基座122的界面的热阻，提高冷却介质的冷却效率等，能够提高基片支承部11的温度控制效率。
[0071]
另外，通过由加工性比含金属陶瓷的材料(mmc)或者低线性膨胀系数材料高的导电性材料形成基座122，能够降低制造上的难易度，另外，能够减少在烧制等接合处理时静电吸盘111或者基座122破裂的情况。静电吸盘111的陶瓷板可以使用氧化铝等。
[0072]
而且，即使不增大静电吸盘111的厚度变厚，通过在静电吸盘111一侧设置流路123c也能够提高流路123整体的高度。由此，流路123的截面积变大，因此压力损失减小，能够提高冷却介质的冷却效率和基片支承部11的温度控制效率。
[0073]
另外，在第二实施方式的基片支承部11中，基座122与静电吸盘111的外周被夹具142固定。这是因为，即使在出于制造上的原因，导致无法在基片支承部11的内部封闭形成流路123的情况下，也能够通过形成从外周侧利用夹具142夹持基座122和静电吸盘111的结构，来防止冷却介质从流路123漏液。另外，通过夹具142与金属钎焊等接合的组合，能够减少金属钎焊等的接合面而使制造变得容易，或者使成本降低。
[0074]
在第二实施方式中，流路123的间隔壁的厚度也为1～2mm，能够实现流路123的变形。另外，流路123中流动的冷却介质等热交换介质是液体。
[0075]
《第三实施方式》
[0076]
接着，参照图7的(c)对第三实施方式的基片支承部11的结构例进行说明。图7中(c)表示第三实施方式的基片支承部11的结构之一例。在第三实施方式的基片支承部11中，基座122和静电吸盘111为相同的材质且形成为一体，构成为一体结构的陶瓷板。以下，也将一体结构的陶瓷板称为静电吸盘111。陶瓷板的静电吸盘111例如由氧化铝形成。根据该结构，流路123的上表面由陶瓷形成。
[0077]
一体结构的陶瓷板的静电吸盘111在内部具有流路123。可以根据静电吸盘111的外周的高低差来改变流路123的高度。例如，静电吸盘111的中央区域的流路123的高度t6可以形成为比外周区域的流路123的高度t5高。通过提高静电吸盘111内部的流路123的高度，流路123的截面积变大，因此压力损失变小，能够提高冷却介质的冷却效率。
[0078]
作为在内部形成流路123来制造静电吸盘111的方法，能够使用生片层叠或辊轧(rc制法)这样的层叠成形的制造方法。通过将层叠成形的制造方法与电极(吸附电极、rf电极)印刷组合，能够将静电吸盘111一体成形和烧制而制造。
[0079]
在第三实施方式中，流路123的间隔壁的厚度也为1～2mm，能够实现流路123的变形。另外，在流路123中流动的冷却介质等热交换介质是液体。
[0080]
如上所述，在第三实施方式的基片支承部11中，基座122和静电吸盘111为相同的材质且形成为一体。由此，消除了静电吸盘111与基座122的界面而构成静电吸盘111来降低
热阻，能够提高冷却介质的冷却效率。
[0081]
另外，由于不需要绝缘子之类，通过rc制法等能够实现成本降低。
[0082]
上面对第一～第三实施方式的基片支承部11进行了说明。在任一实施方式的基片支承部11中均能够取消粘接层，降低热阻，提高基片w的温度控制效率。另外，由于不具有粘接层，因此不需要用于抑制粘接层因等离子体等消耗的o形环等。
[0083]
另外，在第一实施方式的基片支承部11中，能够代替金属钎焊的接合而利用烧结进行接合。但是，有时需要选定能够耐受烧结的静电吸盘111和基座122的材质。
[0084]
另外，在第一和第三实施方式的基片支承部11中，可以与第二实施方式的基片支承部11同样地使用夹具142。进而，在第二实施方式的基片支承部11中，只要能够在无机接合中将流路123封闭形成，则也可以不使用夹具142。
[0085]
本次公开的实施方式的基片支承部和基片处理装置在所有方面都是例示而不应该认为是限制性的。实施方式能够在不脱离发明技术内容及其思想的情况下以各种方式进行变形和改进。上述多个实施方式所记载的事项能够在不矛盾的范围内采取其他结构，并且，能够在不矛盾的范围内进行组合。
[0086]
本发明的基片处理装置能够应用于atomic layer deposition(原子层沉积)(ald)装置、capacitively coupled plasma(电容耦合等离子体)(ccp)、inductively coupled plasma(电感耦合等离子体)(icp)、radial line slot antenna(径向线槽天线)(rlsa)、electron cyclotron resonance plasma(电子回旋共振等离子体)(ecr)、helicon wave plasma(螺旋波等离子体)(hwp)中的任一种类型的装置。
[0087]
另外，作为基片处理装置的一个例子列举等离子体处理装置进行了说明，但基片处理装置只要是对基片实施规定的处理(例如成膜处理、蚀刻处理等)的装置即可，并不限定于等离子体处理装置。例如，基片处理装置也可以是热ald装置、等离子体ald装置、热cvd(chemical vapor deposition：化学气相沉积)装置、等离子体cvd装置等。
[0088]
附图标记说明
[0089]1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
等离子体处理装置
[0090]2ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
控制部
[0091]
2a
ꢀꢀꢀꢀꢀ
计算机
[0092]
10
ꢀꢀꢀꢀꢀ
等离子体处理腔室
[0093]
11
ꢀꢀꢀꢀꢀ
基片支承部
[0094]
13
ꢀꢀꢀꢀꢀ
喷头
[0095]
21
ꢀꢀꢀꢀꢀ
气体源
[0096]
20
ꢀꢀꢀꢀꢀ
气体供给部
[0097]
30
ꢀꢀꢀꢀꢀ
电源
[0098]
31
ꢀꢀꢀꢀꢀ
rf电源
[0099]
31a
ꢀꢀꢀꢀ
第一rf生成部
[0100]
31b
ꢀꢀꢀꢀ
第二rf生成部
[0101]
40
ꢀꢀꢀꢀꢀ
排气系统
[0102]
111
ꢀꢀꢀꢀ
静电吸盘
[0103]
122
ꢀꢀꢀꢀ
基座
[0104]
123
ꢀꢀꢀꢀ
流路。