半导体结构及其制造方法与流程

本发明关于一种半导体结构以及一种半导体结构的制造方法。

背景技术：

1、一般而言，半导体结构的间隔件可形成于半导体结构的凹槽中。然而，在凹槽中形成间隔件时，由于凹槽的底部的宽度小于其顶部的宽度，因此凹槽中的间隔件通常具有孔洞。举例来说，间隔件具有孔洞的情况下将影响半导体结构的效能表现，例如间隔件具有孔洞将降低半导体结构的绝缘效果。传统的解决方法为扩大凹槽的特征尺寸。然而，这样的配置将使元件的占据空间变大，不易于微小化，使得半导体结构无法应用于后续工艺中。

技术实现思路

1、本发明的一技术态样为一种半导体结构的制造方法。

2、根据本发明一实施方式，一种半导体结构的制造方法包括：在凹槽中形成第一间隔件，其中凹槽的底部具有第一宽度，凹槽相对于底部的顶部具有第二宽度，且第一宽度小于第二宽度，第一间隔件其内具有孔洞；蒸气蚀刻第一间隔件，使第一间隔件的顶部具有连通孔洞的开口，其中开口的宽度大于孔洞的宽度；以及在第一间隔件中形成第二间隔件，以填满第一间隔件的孔洞与开口，其中第一间隔件在凹槽中的顶面与第二间隔件的顶面共平面。

3、在本发明一实施方式中，上述蒸气蚀刻第一间隔件使用蚀刻气体。蚀刻气体包括氟化氢。

4、在本发明一实施方式中，上述蚀刻气体沿蚀刻方向蒸气蚀刻第一间隔件。蚀刻方向垂直于凹槽的宽度方向。

5、在本发明一实施方式中，上述方法还包括：在凹槽中形成半导体层；在半导体层上形成接触部；以及在接触部上形成位元线。

6、本发明的另一技术态样为一种半导体结构。

7、根据本发明一实施方式，一种半导体结构包括凹槽、第一间隔件以及第二间隔件。凹槽的底部具有第一宽度。凹槽相对于底部的顶部具有第二宽度。第一宽度小于第二宽度。第一间隔件位于凹槽中。第二间隔件位于第一间隔件中。第一间隔件在凹槽中的顶面与第二间隔件的顶面共平面。

8、在本发明一实施方式中，上述半导体结构还包括半导体层、接触部以及位元线。半导体层位于凹槽中。第一间隔件围绕半导体层。接触部位于半导体层上。位元线位于接触部上。

9、在本发明一实施方式中，上述位元线与半导体层具有不同材质。

10、在本发明一实施方式中，上述第一间隔件与第二间隔件具有相同材质。

11、在本发明一实施方式中，上述第一宽度在29纳米至33纳米之间。

12、在本发明一实施方式中，上述第二宽度在41纳米至45纳米之间。

13、在本发明上述实施方式中，半导体结构在蒸气蚀刻第一间隔件以及在第一间隔件中形成第二间隔件后，半导体结构的第二间隔件可位于第一间隔件中，因此原先位于第一间隔件中的孔洞将被第二间隔件覆盖。详细来说，第一间隔件中的孔洞被第二间隔件填满。如此一来，第一间隔件内部将不具有孔洞。这样的配置可改善半导体结构的效能。举例来说，不具有孔洞的第一间隔件可提高半导体结构的绝缘效果并增加半导体结构的结构稳定度，使半导体结构可应用于后续工艺中。

技术特征：

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包含：

2.根据权利要求1所述的方法，其中蒸气蚀刻该第一间隔件使用蚀刻气体，该蚀刻气体包括氟化氢。

3.根据权利要求2所述的方法，其中该蚀刻气体沿蚀刻方向蒸气蚀刻该第一间隔件，该蚀刻方向垂直于该凹槽的宽度方向。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，还包含：

5.一种半导体结构，其特征在于，包含：

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，还包含：

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中该位元线与该半导体层具有不同材质。

8.根据权利要求5所述的半导体结构，其中该第一间隔件与该第二间隔件具有相同材质。

9.根据权利要求5所述的半导体结构，其中该第一宽度在29纳米至33纳米之间。

10.根据权利要求5所述的半导体结构，其中该第二宽度在41纳米至45纳米之间。

技术总结
一种半导体结构的制造方法包括：在凹槽中形成第一间隔件，其中凹槽的底部具有第一宽度，凹槽相对于底部的顶部具有第二宽度，且第一宽度小于第二宽度，第一间隔件其内具有孔洞；蒸气蚀刻第一间隔件，使第一间隔件的顶部具有连通孔洞的开口，其中开口的宽度大于孔洞的宽度；以及在第一间隔件中形成第二间隔件，以填满第一间隔件的孔洞与开口，其中第一间隔件在凹槽中的顶面与第二间隔件的顶面共平面。第一间隔件内部将不具有孔洞，这样的配置可改善半导体结构的效能。

技术研发人员：罗浩展,王若玮
受保护的技术使用者：南亚科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16